芯片封装基板、芯片封装结构及制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种芯片封装基板、芯片封装结构及制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着电子产品轻薄化发展，芯片封装基板也日益轻薄化。现有技术中，在制作薄型 芯片封装基板时，通常会预先提供一个电性载板及在电性载板上形成电镀导电层，最后将 部分电性载板及电镀导电层移除掉。虽然可使制成的芯片封装基板厚度减小，但导致芯片 封装基板的制程冗长，成本增加。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种克服上述问题的芯片封装基板、芯片封装结构及制作 方法。
[0004] 一种芯片封装基板包括导电线路、导电柱及封装胶体。所述导电线路包括原铜层 及电镀层。所述导电柱由所述原铜层向远离电镀层方向凸设。所述导电柱包括电镀部和焊 料部。所述电镀部位于所述原铜层与焊料部之间。所述封装胶体形成在所述原铜层及所述 导电柱表面。所述封装胶体覆盖所述原铜层，并裹覆所述导电柱。所述导电柱从所述封装 胶体露出。
[0005] -种芯片封装结构包括芯片封装基板及芯片。所述芯片封装基板包括导电线路、 导电柱及封装胶体。所述导电线路包括原铜层及电镀层。所述导电柱由所述原铜层向远离 电镀层方向凸设。所述导电柱包括电镀部和焊料部。所述电镀部位于所述原铜层与焊料部 之间。所述封装胶体形成在所述原铜层及所述导电柱表面。所述封装胶体覆盖所述原铜层， 并裹覆所述导电柱。所述导电柱从所述封装胶体露出。所述芯片安装在所述封装胶体上。 所述芯片包括多个电极垫。所述电极垫与所述导电柱 对应电性连接。
[0006] -种芯片封装基板制作方法，包括步骤：提供一个基板，包括承载板及位于所述承 载板相对两侧的第一原铜层及第二原铜层；在两个原铜层表面形成导电柱，所述导电柱包 括电镀部及焊料部；在所述两个原铜层表面形成封装胶体，所述封装胶体包覆所述导电柱； 研磨所述封装胶体，以露出所述导电柱；拆板使所述第一分离铜层与第一原铜层分离，露出 所述第一原铜层；在所述第一原铜层上选择性形成电镀层；及蚀刻从所述电镀层露出的第 一原铜层，形成第一导电线路。
[0007] -种芯片封装结构制作方法，包括步骤：提供一个芯片封装基板，包括包括导电线 路、导电柱及封装胶体，所述导电线路包括原铜层及电镀层，所述导电柱由所述原铜层向远 离电镀层方向凸设，所述导电柱包括电镀部和焊料部，所述电镀部位于所述原铜层与焊料 部之间，所述封装胶体形成在所述原铜层及所述导电柱表面，所述封装胶体覆盖所述原铜 层，并裹覆所述导电柱，所述导电柱从所述封装胶体露出；在所述封装胶体上安装一个芯 片，所述芯片包括多个电极垫，所述多个电极垫与所述导电柱一一对应电性连接；及在所述 芯片与所述封装胶体之间填充灌封胶体。
[0008] 相较于现有技术，本技术方案提供的芯片封装基板由于采用封装胶体作为承载主 体，可使所述芯片封装基板变得更薄。本技术方案提供的芯片封装结构的制作方法未采用 电性载板，因此无需增加后续的移除步骤，精简了芯片封装结构的制程，节省了成本。
【附图说明】
[0009] 图1是本发明第一实施方式所提供的基板的俯视图。
[0010] 图2是图1中的一个基板单元的剖面示意图。
[0011] 图3是图2中的第一原铜层上形成第一电镀阻挡层和第一导电柱及第二原铜层上 形成第二电镀阻挡层和第二导电柱后的剖面示意图。
[0012] 图4是图3中的第一电镀阻挡层及第二电镀阻挡层移除后的剖面示意图。
[0013] 图5是图4中的第一原铜层上形成第一封装胶体及第二原铜层上形成第二封装胶 体后的剖面图。
[0014] 图6是图5中的第一封装胶体研磨后露出第一导电柱及第二封装胶体研磨后露出 第二导电柱后的剖面示意图。
[0015] 图7是沿图1中Y轴方向对图6中的基板单元进行拆板得到第一分离板及第二分 离板后的剖面示意图。
[0016] 图8是图7中的第一分离板的第一原铜层制作形成第一导电线路后的剖面示意 图。
[0017] 图9是图8中的第一导电线路表面形成第一防焊层并沿图1中X轴方向对基板单 元进行分离得到多个芯片封装基板后的剖面示意图。
[0018] 图10是图9中的芯片封装基板上安装一个芯片后的剖面示意图。
[0019] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0020] 下面将结合附图及实施方式对本技术方案提供的芯片封装基板10及具有该芯片 封装基板的芯片封装结构100的制作方法作进一步的详细说明。
[0021] 本技术方案第一实施方式提供的芯片封装结构100的制作方法，包括步骤： 第一步，请参阅图1及图2,提供一个基板11。
[0022] 所述基板11水平方向包括多个基板单元110。所述基板单元110呈阵列分布。
[0023] 所述基板11厚度方向包括承载板111、第一胶层112、第二胶层113、第一分离铜 层114、第二分离铜层115、第一原铜层116及第二原铜层117。所述第一胶层112、第二胶 层113分别位于所述承载板111的相对两侧。所述第一分离铜层114内嵌在所述第一胶层 112中且呈阵列分布。所述第二分离铜层115内嵌在所述第二胶层113中且呈阵列分布。 每一基板单元110均与一个第一分离铜层114及一个第二分离铜层115对应。所述第一原 铜层116覆盖在所述第一胶层112及第一分离铜层114表面。所述第二原铜层117覆盖在 所述第二胶层及第二分离铜层115表面。
[0024] 为便于描述，以下步骤及对应图式均针对一个基板单元110进行说明。
[0025] 第二步，请参阅图3及图4,在所述第一原铜层116表面形成多个第一导电柱12， 在所述第二原铜层117表面形成多个第二导电柱13。
[0026] 所述第一导电柱12包括第一电镀部121及第一焊料部122。所述第一电镀部121 位于所述第一原铜层116与所述第一焊料部122之间。所述第二导电柱13与所述第一导 电柱12结构相同，包括第二电镀部131及第二焊料部132。
[0027] 形成所述第一导电柱12及第二导电柱13包括步骤： 首先，分别在所述第一原铜层116及第二原铜层117表面形成第一电镀阻挡层123及 第二电镀阻挡层133。所述第一电镀阻挡层123开设有多个第一开孔1231，露出部分第一原 铜层116。所述第二电镀阻挡层133开设有多个第二开孔1331，露出部分第二原铜层117。
[0028] 其次，在从所述第一开孔1231露出的第一原铜层116上电锻形成多个第一电锻部 121及在所述第一电镀部121上形成第一焊料部122 ;在从所述第二开孔1331露出的第二 原铜层上形成第二电镀部131及在所述第二电镀部131上形成第二焊料部132。可以理解 的是，所述第一焊料部122与第二焊料部132在后续焊接芯片时，可作为预焊材。
[0029] 最后，移除所述第一电镀阻挡层123及第二电镀阻挡层133。
[0030] 第三步，请参阅图5及图6,在所述第一原铜层116上形成第一封装胶体14,所述 第一封装胶体14包覆所述第一导电柱12,研磨所述第一封装胶体14,使所述第一封装胶体 14远离所述第一原铜层116的表面与所述第一导电柱12远离第一原铜层116的表面位于 同一平面内，以露出所述第一导电柱12;在所述第二原铜层117上形成第二封装胶体15,所 述第二封装胶体15包覆所述第二导电柱13,研磨所述第二封装胶体15,使所述第二封装胶 体15远离所述第二原铜层117的表面与所述第二导电柱13远离所述第二原铜层117的表 面位于同一平面内，以露出所述第二导电柱13。
[0031] 第四步，请参阅图1及图7,拆板，使所述第一原铜层116与第一分离铜层114分 离，得到第一分离板16,及使所述第二原铜层117原第二分离铜层115分离，得到第二分离 板17。
[0032] 拆板可通过激光切割或捞形的方式完成。
[0033] 以下步骤对第一分离板16及第二分离板17同样适用，在此仅以第一分离板16为 例进行说明。
[0034] 第五步，请参阅图8,通过影像转移和电镀蚀刻的方式将第一原铜层116制作形成 第一导电线路18,所述第一导电线路18包括部分第一原铜层116及电镀层181。本实施方 式中，所述电镀层181为电镀铜层。所述第一导电线路18形成在所述第一封