机绝缘层填充一组LED晶片组与另一组LED晶片组之间的缝隙，并对物理气相淀积后的第一表面进行研磨；
[0067]具体的，在玻璃模板装有LED晶片组一侧，以物理气相淀积的方法制备一层Si02,随后对Si02进行研磨工艺，露出LED晶片组的电极。如图7所示。此时LED晶片组之间的缝隙由Si02进行填充。
[0068]步骤105，在所述第一表面上图形化制备第二绝缘层，并在图形化区域内露出LED晶片组的第一电极和第二电极；
[0069]具体的，图形化制备的过程可以是先淀积生长第二绝缘层，再进行图形化刻蚀。或者也可以是制备掩蔽层，再利用掩蔽层进行选择性生长等过程。制备完毕的第二绝缘层80可以如图8所示，图中所示81为第一电极，82为第二电极。
[0070]步骤106，在所述第一表面上图形化制备氧化铟锡(ΙΤ0)顶层导电层；其中，所述ΙΤ0顶层导电层与所述第一电极相连接；
[0071]具体的，多种工艺可以用来制备ΙΤ0透明导电薄膜，如磁控溅射真空反应蒸发、化学气相沉积、溶胶-凝胶法以及脉冲激光沉积等。其中磁控溅射工艺具有沉积速率高均匀性好等优点，因此可以优选采用该方法进行如图9中所示的ΙΤ0顶层导电层91的制备。
[0072]步骤107，在所述第一表面上图形化制备第三绝缘层，并在图形化区域内露出所述LED晶片组的第二电极；
[0073]具体的，图形化制备的过程可以是先淀积生长第三绝缘层101，再进行图形化刻蚀露出第二电极82。或者也可以是制备掩蔽层，再利用掩蔽层进行选择性生长等过程。
[0074]步骤108，在所述第一表面上图形化制备ΙΤ0底层导电层；其中，所述ΙΤ0底层导电层与所述第二电极相连接；
[0075]具体的，如图11所示，111为ΙΤ0底层导电层。
[0076]步骤109，在所述第一表面上图形化制备第四绝缘层，根据设计所需在图形化区域内露出部分所述ΙΤ0顶层导电层和所述ΙΤ0底层导电层；
[0077]具体的，如图12所示，图形化制备的过程可以是先淀积生长第四绝缘层121，再进行图形化刻蚀，露出部分Ι??顶层导电层91和部分ΙΤ0底层导电层111。或者也可以是制备掩蔽层，再利用掩蔽层进行选择性生长等过程。
[0078]步骤110，在所述第一表面上图形化制备ΙΤ0驱动控制导电层；
[0079]具体的，如图13所示，所述ΙΤ0驱动控制导电层包括多个ΙΤ0导线131，分别根据设计所需与所述Ι??顶层导电层91或所述ΙΤ0底层导电层111相连接；其中，ΙΤ0顶层导电层91用于各组LED晶片的水平连接，ΙΤ0底层导电层111用于各组LED晶片的垂直方向连接，ΙΤ0驱动控制导电层的多个ΙΤ0导电131分别与ΙΤ0顶层导电层91或ΙΤ0底层导电层111连接。
[0080]步骤111，图形化淀积第五绝缘层；
[0081]步骤112，在所述第五绝缘层的图形化区域内制作第一端子和第二端子；第一端子和第二端子均由ΙΤ0驱动控制导电层引出。在一个具体的例子中，可以是所述第一端子用于连接所述LED晶片组的第一电极；所述第二端子用于连接所述LED晶片组的第二电极。外部电路可以通过第一端子和第二端子向各个LED晶片组传输驱动信号。
[0082]具体的，如图14所示，141为第一电极，142为第二电极。
[0083]步骤113，通过所述第一端子和第二端子，将所述倒装有LED晶片组的玻璃模组与外部的PCB板进行焊接，形成所述LED显示模组。
[0084]在步骤113之后，还应对LED显示模组进行电学测试，以保证与PCB组装之后的电学性能。
[0085]最后，还要在PCB板侧贴装散热支架，用以对所述LED显示模组进行散热。
[0086]本发明实施例提供的LED显示模组的集成方法，通过将LED晶片组倒装入玻璃模板上等间距的矩阵槽中；在LED晶片组之间填充第一无机绝缘层；在LED晶片组电极侧依次图形化制备第二绝缘层、ΙΤ0顶层导电层、第三绝缘层、ΙΤ0底层导电层、第四绝缘层、ΙΤ0驱动控制导电层和第五绝缘层，并在第五绝缘层的图形化区域内制作通过ΙΤ0顶层导电层与LED晶片组的第一电极相连接的第一端子；通过ΙΤ0底层导电层与LED晶片组的第二电极相连接的第二端子；通过两个端子与PCB板进行焊接形成LED显示模组。本发明的LED显示模组的集成方法，工艺简单，能够有效保障LED晶片间的一致性，从而达到良好的显示效果。
[0087]相应的，本发明实施例还提供了一种利用上述方法所集成的LED显示模组。如图15所示，所述LED显示模组包括:玻璃模板1501，倒装的LED晶片组1502，Si02填充层1503，ΙΤ0导电层1504，绝缘层1505，封装焊球1506，粘合剂1507，IT0级联端子1508，PCB板1509和散热支架1510。
[0088]其中ΙΤ0导电层1504为三层，绝缘层1505也为三层，具体为一层ΙΤ0导电层1504、一层绝缘层1505、再一层ΙΤ0导电层1504的交叠结构。
[0089]ΙΤ0级联端子1508包括上上述实施例中所述的第一端子和第二端子，在图中没有分开不出。
[0090]PCB板1509上可以包括集成有恒流驱动1C，行扫描功率晶体管，数据信号处理接口 1C和电源管理芯片等。
[0091]本发明实施例提供的LED显示模组，具有良好的LED晶片的一致性，从而具有良好的显示效果。
[0092]以上所述的【具体实施方式】，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的【具体实施方式】而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种LED显示模组的集成方法，其特征在于，所述方法包括: 在玻璃模板上制作多个等间距的矩阵槽； 在每个所述矩阵槽内倒装一组LED晶片组； 在所述玻璃模板装有LED晶片组一侧的第一表面物理气相淀积第一无机绝缘层，用以利用所述第一无机绝缘层填充一组LED晶片组与另一组LED晶片组之间的缝隙，并对物理气相淀积后的第一表面进行研磨； 在所述第一表面上图形化制备第二绝缘层，并在图形化区域内露出LED晶片组的第一电极和第二电极； 在所述第一表面上图形化制备氧化铟锡ITO顶层导电层；其中，所述ITO顶层导电层与所述第一电极相连接； 在所述第一表面上图形化制备第三绝缘层，并在图形化区域内露出所述LED晶片组的第二电极； 在所述第一表面上图形化制备ITO底层导电层；其中，所述ITO底层导电层与所述第二电极相连接； 在所述第一表面上图形化制备第四绝缘层，根据设计所需在图形化区域内露出部分所述ITO顶层导电层和所述ITO底层导电层； 在所述第一表面上图形化制备ITO驱动控制导电层；其中，所述ITO驱动控制导电层包括多个ITO导线，分别根据设计所需与所述ITO顶层导电层或所述ITO底层导电层相连接；图形化淀积第五绝缘层； 在所述第五绝缘层的图形化区域内制作第一端子和第二端子；其中，所述第一端子用于连接所述LED晶片组的第一电极；所述第二端子用于连接所述LED晶片组的第二电极；通过所述第一端子和第二端子，将所述倒装有LED晶片组的玻璃模组与外部的PCB板进行焊接，形成所述LED显示模组。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多个所述矩阵槽的长宽尺寸相等且槽深相等。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述一组LED晶片组的上表面边缘处具有深度定位槽，所述深度定位槽的槽深与所述矩阵槽的槽深相匹配。4.根据权利要求1所述的方法，特征在于，在每个所述矩阵槽内倒装一组LED晶片组之前，所述方法还包括: 在所述玻璃模板的矩阵槽内置入粘合剂，用以粘合倒装入所述矩阵槽内的LED晶片组。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在每个所述矩阵槽内倒装一组LED晶片组具体为: 将黏贴在蓝膜上的多个LED晶片组以自动针击式贴片工艺，依次植入多个所述矩阵槽内；其中，所述LED晶片组的顶部出光面与通过所述粘合剂与所述玻璃模板相结合； 当所述矩阵槽全部由所述LED晶片组植入之后，对所述LED晶片组进行压片，使多组所述LED晶片组的底面处于同一水平面。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将所述倒装有LED晶片组的玻璃模组与外部的PCB板进行焊接之前，所述方法还包括: 通过所述第一端子和第二端子，对所述倒装有LED晶片组的玻璃模组进行电学测试。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将所述倒装有LED晶片组的玻璃模组与外部的PCB板进行焊接之后，所述方法还包括: 对所述LED显示模组进行电学测试。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对所述LED显示模组进行电学测试之后，所述方法还包括: 在所述PCB板侧贴装散热支架，用以对所述LED显示模组进行散热。9.一种LED显示模组，其特征在于，所述LED显示模组采用如上述权利要求1所述的方法进行制备。
【专利摘要】本发明涉及一种LED显示模组的集成方法和LED显示模组，所述方法包括：将LED晶片组倒装入玻璃模板上等间距的矩阵槽中；在LED晶片组之间填充第一无机绝缘层；在LED晶片组电极侧依次图形化制备第二绝缘层、ITO顶层导电层、第三绝缘层、ITO底层导电层、第四绝缘层、ITO驱动控制导电层和第五绝缘层，并在第五绝缘层的图形化区域内制作通过ITO顶层导电层与LED晶片组的第一电极相连接的第一端子；通过ITO底层导电层与LED晶片组的第一电极相连接的第二端子；这两个端子与PCB板进行焊接形成LED显示模组。
【IPC分类】H01L21/82
【公开号】CN105280556
【申请号】CN201410350472
【发明人】严敏, 程君, 周鸣波
【申请人】严敏, 程君, 周鸣波
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年7月22日