可W使用诸如瓣射、蒸发、或PECVD工艺的工艺创建第一晶种层401。第一晶种层401 可W形成为具有在约0. 3ym和约1ym之间的厚度，诸如约0. 5ym。
[0046] 在运个实施例中，形成第一晶种层401，从而使得第一晶种层401延伸到孔开口 111内并且内衬于孔开口 111。此外，在密封剂303可W承受第一晶种层401的实施例中， 第一晶种层401也形成在密封剂303上方并且与密封剂303接触，沿着密封剂303的顶面 排列。因此，第一晶种层401形成为覆盖第一管忍101和第二管忍103上方的密封剂303 和第一保护层109的暴露的顶面的连续的、单个材料层。
[0047] 图4B示出了可选实施例，其中，在形成第一晶种层401之前，在密封剂303上方形 成纯化层405。在实施例中，纯化层405可W是聚苯并恶挫（PBO)，但是可W可选地利用诸 如聚酷亚胺或聚酷亚胺的衍生物的任何适合的材料。可W使用例如旋涂工艺将纯化层405 放置成具有在约5ym和约25ym之间的厚度，诸如约7ym，但是可W可选地利用任何合适 的方法和厚度。 W48] 现在回到图4A描述的实施例，一旦已经形成第一晶种层401，则可W在第一晶种 层401上方放置和图案化第二光刻胶403。在实施例中，可W使用例如旋涂技术在第一晶种 层401上放置第二光刻胶403并将其放置为具有在约50ym和约250ym之间的高度，诸如 约120ym。一旦放置于合适的地方，则可W通过将第二光刻胶403曝光于图案化的能量源 (例如，图案化的光源）W引发化学反应，从而引发曝光于图案化的光源的第二光刻胶403 的那些部分中的物理变化来图案化第二光刻胶403。然后，根据期望的图案，对曝光的第二 光刻胶403施加显影剂W利用物理变化和选择性地去除第二光刻胶403的曝光部分或第二 光刻胶403的未曝光部分。
[0049] 在实施例中，在第二光刻胶403内形成的图案是暴露孔开口 111的图案，从而使得 在随后的处理步骤（下文结合图5来描述）可W填充孔开口 111。另外，第二光刻胶403的 图案化也暴露第一保护层109和密封剂303的部分（或者，可选地，纯化层405)，在该部分， 重分布层501 (在图4A中未示出，但是下文结合图5示出并描述）可能是所期望的。运种 布置允许利用密封剂303上方的区域W用于电路由和连接的目的。
[0050] 图5示出了一旦第二光刻胶403已被图案化，在第二光刻胶403内形成孔503和 重分布层501。在图5中，孔503被不出通过标号为505的虚线与重分布层501分离。然 而，运是为了清楚的目的并且不必物理分离，运是因为孔503和重分布层501可W使用相同 的材料和相同的工艺形成。可选地，如果需要，可形成与重分布层501分离的孔503。另外， 虽然重分布层501和第一晶种层401在图中仍示出为单独的层，应当理解，第一晶种层401 实际上是重分布层501的一部分。
[0051] 在实施例中，孔503和重分布层501包括一种或多种导电材料，诸如铜、鹤、其他导 电金属等，并可W例如通过电锻、化学锻等工艺形成。在实施例中，使用电锻工艺，其中，将 第一晶种层401和第二光刻胶403淹没或浸没在电锻溶液中。第一晶种层401的表面电连 接到外部DC电源的负极侧，从而使得第一晶种层401在电锻工艺中用作阴极。固体导电阳 极（诸如铜阳极）也浸没在溶液中并且附接至电源的正极侦U。来自阳极的原子溶解到溶液 中，并且阴极（例如，第一晶种层401)从溶液获得溶解的原子，从而锻第二光刻胶403的开 口内的第一晶种层401的暴露的导电区。
[0052] 一旦使用第二光刻胶403和第一晶种层401已经形成孔503和重分布层501，可 W使用合适的去除工艺去除第二光刻胶403。在实施例中，等离子体灰化工艺可W用于去 除第二光刻胶403,从而第二光刻胶403的溫度可W增大，直到第二光刻胶403经历热分解 并且可W被去除。然而，可W可选地利用诸如湿剥离的任何其他合适的工艺。第二光刻胶 403的去除可W暴露下面的第一晶种层401的部分。
[0053] 在去除第二光刻胶403暴露出下面的第一晶种层401之后，去除第一晶种层401 的运些暴露部分。在实施例中，可W通过例如湿或干蚀刻工艺去除第一晶种层401的暴露 部分（例如，未被孔503和重分布层501覆盖的那些部分）。例如，在干蚀刻工艺中，将孔 503和重分布层501用作掩模，可W将反应物导向第一晶种层401。可选地，蚀刻剂可W喷 射或放置为与第一晶种层401接触W去除第一晶种层401的暴露部分。
[0054] 图6示出了第二保护层601的放置和图案化。在实施例中，第二保护层601可W 类似于第一保护层109(如上文结合图1所进行的描述）。例如，第二保护层601可W是使 用旋涂工艺放置的PBO或聚酷亚胺材料。然而，在其他实施例中，第二保护层601不同于第 一保护层109,并且可W可选地利用任何合适的材料和制造方法。在实施例中，第二保护层 601可W形成为具有在约1ym和约10ym之间的第四厚度Ta,诸如约4ym。 阳化5] -旦形成，可W图案化第二保护层601W形成第二开口 603并且W暴露位于密封 剂303上方的重分布层501的部分W及形成第=开口 605。在实施例中，可W使用例如光刻 掩蔽和蚀刻工艺图案化第二保护层601。在运一工艺中，将第=光刻胶（未在图6中单独 示出）应用于第二保护层601和然后曝光于图案化的光源。光源将入射在第=光刻胶上并 且引发第=光刻胶的特性的变化，然后利用该特性的变化W选择性地去除第=光刻胶的曝 光部分或未曝光部分并且暴露第二保护层601。然后在例如去除第二保护层601的部分W 暴露重分布层501的蚀刻工艺期间将第=光刻胶用作掩模。一旦第二保护层601已被图案 化，则可W使用例如灰化工艺去除第S光刻胶。
[0056] 在实施例中，可W将第二开口 603形成为在底部具有在约2ym和约30ym之间的 第二直径〇2,诸如约IOym。此外，在本实施例中虽然第二开口 603已经被示出和描述为暴 露密封剂303上方的重分布层501的部分，但是运仅旨在为说明性的而并不旨在限制于该 实施例。相反，第二开口 603可W形成为暴露重分布层501的任何期望的部分。所有运些 暴露旨在完全包括在本实施例的范围内。
[0057] 此外，也可W在第一管忍101和第二管忍103之间的区域上方形成第=开口 605 W准备用于最终的分离（下文结合图8进一步描述）。在运个区域中，第=开口 605可W具 有在约20ym和约150ym之间的第二宽度W2,诸如约80ym。一旦第一管忍101已与第二 管忍分离（下文结合图8进行描述），运样的结构也将使第二保护层601的侧壁远离密封剂 303的侧壁凹进。 阳05引图7示出了在孔503内的凸块下金属扣BM) 701和接触凸块703的形成。UBM701 可W包括=层导电材料，诸如铁层、铜层和儀层。然而，本领域普通技术人员将认识到可W 有适合用于形成UBM701的材料和层的多种合适的布置，诸如铭/铭铜合金/铜/金的布置、 铁/铁鹤/铜的布置或铜/儀/金的布置。可W用于UBM701的任何合适的材料或材料层 预期完全包括在本实施例的范围内。
[0059] 在实施例中，通过在重分布层501上方形成每层并且沿着穿过第二保护层601的 第二开口 603的内部创建UBM701。可W使用诸如电化学锻的锻工艺实施每层的形成，但是 取决于所期望的材料可W可选地使用诸如瓣射、蒸发、或PECVD工艺的其他形成工艺。UBM 701可W形成为具有在约0. 7ym和约10ym之间的厚度，诸如约5ym。
[0060] 接触凸块703可W包括诸如锡的材料或诸如银、无铅锡、或铜的其他合适的材 料。在其中接触凸块703是锡焊料凸块的实施例中，可W通过首先通过诸如蒸发、电锻、印 巧IJ、焊料转移、球放置化allplacement)等的运些常用的方法形成锡层（例如，形成至约 IOOym的厚度）来形成接触凸块703。一旦已经在该结构上形成锡层，可W实施回流W将 该材料成形为期望的凸块形状。
[0061] 图8示出了载体晶圆301的去除W及第一管忍101与第二管忍103的分离W形成 诸如集成扇出封装件的封装