一种导电膜的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种导电膜。
【背景技术】
[0002]导电膜是具有良好导电性，且在可见光波段具有高透光率的一种导电薄膜。目前，导电膜已广泛应用于平板显示、光伏器件、触摸传感器和电磁屏蔽等领域，具有极其广阔的市场空间。制备导电膜的材料一般为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)，但是在诸如触摸屏等大多数实际应用中，导电膜的制备需要对ΙΤ0进行图形化以在基片表面形成固定的导电区域和绝缘区域。而ΙΤ0的图形化的过程中往往需要曝光、显像、蚀刻及清洗等多道工序，制备过程较为复杂。
[0003]相较而言，在基材的指定区域将导电材料直接配置形成图形化的网格作为导电电极，可以省去图形化的工艺过程，制备过程较为简单，且具有低污染、低成本等诸多优点。通常，导电电极的网格线由电阻率低于ΙΤ0的物理不透明材料形成。由于网格线宽度很窄，且没有网格线的区域为物理透明的区域，所以可以制造出具有较低的表面方阻并且视觉上透明的导电电极。但是，由于形成网格线的导电材料为不透明材料，所以形成有导电电极的导电区域的透光率相比没有形成导电电极的绝缘区域低。为了使导电膜的透光率在整体上分布均匀，获得良好的视觉效果，需要在导电膜的导电区域之间的绝缘区域上也配置具有图案的网格。且一般情况下，为了保证绝缘区的电气绝缘特性，导电区域和绝缘区域之间也要留有空隙间隔设置。导电区域的网格线和绝缘区域的网格线之间通过空隙断开。由此可见，现有技术中导电区域，绝缘区域与隔离区域的之间的透光率仍然存在细微的不同，从而影响导电膜的整体外观。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种导电膜，其透光率分布比较均匀。
[0005]—种导电膜，包括:
[0006]一基底，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
[0007]透明导电层，设于所述第一表面或所述第二表面或所述第一表面及所述第二表面上，所述透明导电层包括多个导电区域和多个绝缘区域，所述多个导电区域和所述多个绝缘区域由配置为网格的导电材料形成，所述网格包括多个节点和连接多个节点的多条网格线.
[0008]所述导电区域与所述绝缘区域沿第一方向延伸并在与所述第一方向相交的第二方向上相互间隔设置，以在相邻的所述导电区域与所述绝缘区域之间形成第一缺口 ；
[0009]所述透明导电层还包括第一辅助线，设置于所述第一缺口处，所述第一辅助线不连通所述第一缺口。
[0010]相较于现有技术，本发明导电膜中多个导电区域及多个绝缘区域之间形成的多个第一缺口设有第一辅助线，可以在一定程度上补偿由于所述第一缺口的设置导致的局部区域内导电材料的占空比下降。从而使得所述导电区域和所述绝缘区域之间的第一缺口附近的透光率接近所述导电区域和所述绝缘区域的透光率。且所述第一辅助线不连通所述第一缺口，这样可以在保证所述导电区域与所述绝缘区域之间电气绝缘性的前提下，有效改善导电膜的透光均匀性，从而有效改善导电膜外观上的视觉效果。
【附图说明】
[0011]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本发明一实施例提供的导电膜的立体分解示意图。
[0013]图2为本发明一实施例提供的导电膜的平面结构示意图。
[0014]图3为图2所示的Μ处的放大图。
[0015]图4为本发明一实施例提供的导电膜的绝缘区域示意图。
[0016]图5为本发明一实施例提供的导电膜的导电区域示意图。
[0017]图6为本发明一实施例提供的导电膜中的绝缘区域中网格和第二辅助线的示意图。
[0018]图7为本发明一实施例提供的导电膜中的导电区域中网格和第三辅助线的示意图。
[0019]图8为本发明另一实施例提供的导电膜中的透明导电层的部分结构示意图。
[0020]图9为本发明又一实施例提供的导电膜中的透明导电层的部分结构示意图。
[0021]图10为本发明又一实施例提供的导电膜中的透明导电层的部分结构示意图。
[0022]图11为本发明又一实施例提供的导电膜中的透明导电层的部分结构示意图。
[0023]图12为本发明一实施例提供的导电膜中组成各个辅助线的各条线段之间或与网格线之间的设置方式示意图。
【具体实施方式】
[0024]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025]请一并参阅图1，图2及图3，图1为本发明第一实施例提供的导电膜的立体分解示意图。图2为本发明第一实施例提供的导电膜的平面结构示意图。图3为图2所示的Μ处的放大图。所述导电膜1包括基底10及透明导电层20。所述基底10包括第一表面11及与所述第一表面11相对的第二表面12。所述透明导电层20设置于所述基底10的至少一个表面上。这里，所述透明导电层20设置于所述基底10的至少一个表面是指，所述透明导电层20设置于所述基底10的所述第一表面11上，或所述透明导电层20设置于所述基底10的所述第二表面12上，或所述透明导电层20设置于所述基底10的所述第一表面11上及所述第二表面20上。所述透明导电层20包括多个导电区域21和多个绝缘区域22，所述多个导电区域21和所述多个绝缘区域22由配置为网格A的导电材料形成。所述网格A包括多个节点P和连接所述多个节点P的多条网格线L。所述导电区域21与所述绝缘区域22沿第一方向延伸，并在与第一方向相交的第二方向上相互间隔设置，以在相邻的所述导电区域21与所述绝缘区域22之间形成第一缺口 23。在一实施方式中，所述第一方向与所述第二方向为相互正交的方向。比如，所述第一方向为X轴方向，所述第二方向为Y轴方向。此时，所述多个导电区域21与所述多个绝缘区域22沿着X轴方向延伸，且在Y轴方向上相互间隔设置，以在相邻的导电区域21与绝缘区域22之间形成第一缺口 23。所述第一缺口 23用于使相邻的导电区域21与绝缘区域22彼此绝缘。由于透明导电层20包括多个导电区域21及多个绝缘区域22，且相邻的导电区域21与绝缘区域22之间形成第一缺口23，因此，所述透明导电层20上形成有多个第一缺口 23。所述透明导电层20还包括第一辅助线24，所述第一辅助线24设置于所述第一缺口 23处，且所述第一辅助线24不连通所述第一缺口 23。
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