40的内侧和外侧的氧化物层21，从而实现平衡第二栅极结构40的内侧和外 侧的刻蚀程度的目的。
[0045] 具体地，刻蚀牺牲介质层53和第一栅极材料层31的工艺可以为干法刻蚀，例如等 离子体刻蚀，刻蚀气体可以为HBr等。在一种优选的实施方式中，在前一步骤中的刻蚀介质 材料层之后，采用原位刻蚀工艺刻蚀牺牲介质层53和第一栅极材料层31至露出氧化物层 21。所谓原位刻蚀是指在刻蚀介质材料层的步骤之后，采用同一个刻蚀设备继续对牺牲介 质层53和第一栅极材料层31进行刻蚀，从而避免了打破刻蚀设备中的真空气氛，进而减少 了由于真空气氛的打破产生的缺陷。同时，采用原位刻蚀能够使得第二栅极结构40的内侧 和外侧的刻蚀程度更容易控制。
[0046] 完成刻蚀牺牲介质层53和第一栅极材料层31至露出氧化物层21的步骤之后，去 除位于每对第二栅极结构40的外侧的侧壁介质层51和第一栅极材料层31，并将剩余的第 一栅极材料层31作为第一栅极33。在一种优选的实施方式中，去除侧壁介质层51和第一 栅极材料层31的步骤包括：首先，形成覆盖位于每对第二栅极结构40的内侧的侧壁介质层 51和氧化物层21的光刻胶层60,进而形成如图10所示的基体结构；然后，去除位于每对第 二栅极结构40的外侧的第一栅极材料层31，进而形成如图11所示的基体结构；最后，去除 位于每对第二栅极结构40的外侧的侧壁介质层51，并去除光刻胶层60,进而形成如图12 所示的基体结构。
[0047] 在去除侧壁介质层51和第一栅极材料层31的步骤中，可以先去除位于每对第二 栅极结构40的外侧的第一栅极材料层31，然后去除位于每对第二栅极结构40的外侧的侧 壁介质层51 ;也可以先去除位于每对第二栅极结构40的外侧的侧壁介质层51，然后，去除 位于每对第二栅极结构40的外侧的第一栅极材料层31。其中，去除第一栅极材料层31的 工艺为湿法刻蚀或干法刻蚀，去除侧壁介质层51的工艺为湿法刻蚀。例如，当第一栅极材 料层31为多晶硅层时，可以采用氢氧化钠溶液或四甲基氢氧化铵溶液刻蚀第一栅极材料 层31。
[0048] 完成去除位于每对第二栅极结构40的外侧的侧壁介质层51和第一栅极材料层 31，并将剩余的第一栅极材料层31作为第一栅极33的步骤之后，刻蚀氧化物层21至露出 衬底10,并将剩余的氧化物层21作为第一栅氧化物层23,进而形成如图13所示的基体结 构。刻蚀氧化物层21的工艺可以为湿法刻蚀，湿法刻蚀所采用的刻蚀溶液可以为HF溶液 等。其具体的刻蚀工艺可以参照现有技术，在此不再赘述。
[0049] 同时，本申请还提供了一种非易失性存储器，该非易失性存储器由本申请上述的 制作方法制作而成。且由本申请上述的制作方法制作而成的非易失性存储器的性能得以提 商。
[0050] 从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：本申请通 过形成包括衬底，依次形成于衬底上的氧化物层和第一栅极材料层，以及形成于第一栅极 材料层上的至少一对第二栅极结构的基体结构，然后在各第二栅极结构的两侧侧壁上形成 侧壁介质层，并在第一栅极材料层上形成牺牲介质层，以及刻蚀牺牲介质层和第一栅极材 料层至露出氧化物层，从而在第二栅极结构的内侧和外侧形成具有相同厚度的氧化物层； 接下来，在去除位于每对第二栅极结构的外侧的侧壁介质层和第一栅极材料层之后，由于 第二栅极结构的内侧和外侧的氧化物层具有相同的厚度，因此可以通过控制刻蚀步骤实现 完全去除第二栅极结构的内侧和外侧的氧化物层，且不会对第二栅极结构的内侧和外侧的 衬底造成损伤，从而实现了平衡第二栅极结构的内侧和外侧的刻蚀程度的目的。
[0051] 以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技 术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤： 形成基体结构，所述基体结构包括衬底，依次形成于所述衬底上的氧化物层和第一栅 极材料层，以及形成于所述第一栅极材料层上的至少一对第二栅极结构； 在各所述第二栅极结构的两侧侧壁上形成侧壁介质层，并在所述第一栅极材料层上形 成牺牲介质层； 刻蚀所述牺牲介质层和所述第一栅极材料层至露出所述氧化物层； 去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述侧壁介质层和所述第一栅极材料层，并 将剩余的所述第一栅极材料层作为第一栅极； 刻蚀所述氧化物层至露出所述衬底，并将剩余的所述氧化物层作为第一栅氧化物层。2. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述侧壁介质层和所述牺牲介 质层的步骤包括： 形成覆盖所述第二栅极结构和所述第一栅极材料层的介质材料层； 刻蚀所述介质材料层，以将位于所述第二栅极结构的侧壁上的所述介质材料层作为所 述侧壁介质层，并将位于所述第一栅极材料层上的所述介质材料层作为牺牲介质层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述介质材料层的工艺为干法 刻蚀。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述介质材料层之后，采用原位 刻蚀工艺刻蚀所述牺牲介质层和所述第一栅极材料层至露出所述氧化物层。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述侧壁介质层和所述第一栅 极材料层的步骤包括： 形成覆盖位于每对所述第二栅极结构的内侧的所述侧壁介质层和所述氧化物层的光 刻胶层； 去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述侧壁介质层和所述第一栅极材料层； 去除所述光刻胶层。6. 根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，去除所述侧壁介质层和所述第一栅 极材料层的步骤中，先去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述第一栅极材料层，然 后去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述侧壁介质层。7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，去除所述第一栅极材料层的工艺为 湿法刻蚀或干法刻蚀。8. 根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，去除所述侧壁介质层的工艺为湿法 刻蚀。9.根据权利要求1至8中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第二栅极结构包括 栅介质层，形成于栅介质层上的第二栅极，以及形成于所述第二栅极和所述栅介质层的两 侧侧壁上的偏移间隙壁。10. 根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述非易失性存储器为闪存器件， 所述第一栅极为浮栅，所述第二栅极为控制栅。11. 一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器由权利要求1至10中任一 项所述的制作方法制作而成。
【专利摘要】本申请公开了一种非易失性存储器的制造方法及非易失性存储器。其中，该制作方法包括以下步骤：形成基体结构，基体结构包括衬底，依次形成于衬底上的氧化物层和第一栅极材料层，以及形成于第一栅极材料层上的至少一对第二栅极结构；在各第二栅极结构的两侧侧壁上形成侧壁介质层，并在第一栅极材料层上形成牺牲介质层；刻蚀牺牲介质层和第一栅极材料层至露出氧化物层；去除位于每对第二栅极结构的外侧的侧壁介质层和第一栅极材料层，并将剩余的第一栅极材料层作为第一栅极；刻蚀氧化物层至露出衬底，并将剩余的氧化物层作为第一栅氧化物层。该制作方法能够平衡第二栅极结构的内侧和外侧的刻蚀程度。
【IPC分类】H01L27/115, H01L21/8247
【公开号】CN105355601
【申请号】CN201410414972
【发明人】李敏
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2014年8月21日