室内的气体密度，使所述气体密度大于烘烤处理腔室外室温条件下的气体密度，例如，向所述烘烤处理腔室内通入N2、He、Ar或Ne，以增加所述烘烤处理腔室内的气体密度。
[0105]相应的，提供一种烘烤处理装置以进行前烘处理，图14为烘烤处理装置的结构示意图，所述烘烤处理装置包括:烘烤处理腔室311 ;位于所述烘烤处理腔室311底部的底座316 ;位于所述烘烤处理腔室311内的支撑盘313，用于承载基底300 ;导入管314，所述导入管314与烘烤处理腔室311相连接，用于向烘烤处理腔室311内通入N2、He、Ar或Ne ;导出管315，所述导出管315与烘烤处理腔室311相连接；与所述导出管315相连接的泵312，当烘烤处理腔室311内气体压强过大时，使得泵312抽取烘烤处理腔室311内的气体；与所述导出管315相连接的第一阀门318，所述第一阀门318位于烘烤处理腔室311与泵312之间，当需要用泵312抽取气体时，将第一阀门318打开；与烘烤处理腔室311相连接的压力计317，所述压力计317用于测量烘烤处理腔室311内的压强，所述压力计317与导出管315相连接，且压力计317位于腔室311和第一阀门318之间；与所述压力计317相连接的第二阀门319，所述第二阀门319位于烘烤处理腔室311与压力计317之间，当需要测量烘烤处理腔室311内压强时，将所述第二阀门319打开。
[0106]请参考图15，对所述光刻胶膜305 (请参考图13)进行曝光处理以及显影处理，形成光刻胶层307。
[0107]所述光刻胶层307定义出后续形成的再分布层的位置，填充区域的光刻胶膜305转化为填充区域的光刻胶层307。
[0108]请参考图16，提供烘烤处理腔室，所烘烤处理腔室内的压强大于烘烤处理腔室外的大气压强；在所述烘烤处理腔室内，对所述光刻胶层307进行后烘处理。
[0109]作为一个具体实施例，所述后烘处理的工艺参数为:烘烤温度为100度至150度。
[0110]在所述后烘处理过程中，通孔303 (请参考图11)内的气体体积具有膨胀的趋势，即气体区域306体积具有增加的趋势，气体区域306的气体向填充区域的光刻胶层307产生向上的压强作用323 ;然而，由于所述后烘处理在具有较高压强的烘烤处理腔室内进行，所述烘烤处理腔室内的气体向填充区域的光刻胶层307产生向下的压强作用322，所述向下的压强作用322在一定程度上抵消向上的压强作用323，阻止气体区域306体积增加，当向下的压强作用322完全抵消向上的压强作用323时，在后烘处理过程中，气体区域306的体积保持不变，从而有效的防止填充区域的光刻胶层307厚度变薄或断开，使得填充区域的光刻胶层307具有良好的形貌。
[0111]获得具有较高压强的烘烤处理腔室的方法可参考前述获得前烘处理的烘烤处理腔室的方法，在此不再赘述。
[0112]本实施例中，对光刻胶膜305(请参考图13)进行烘烤处理包括前烘处理和后烘处理，图形化所述光刻胶膜305形成光刻胶层307的工艺步骤包括:前烘处理、曝光处理、显影处理以及后烘处理。具体的，在形成光刻胶膜305后进行前烘处理，在对光刻胶膜305进行曝光处理和显影处理后对光刻胶膜305进行后烘处理，实际上所述后烘处理是对光刻胶层307进行的。
[0113]在本实施例中，所述压强差光刻工艺包括:采用旋转涂覆工艺在所述金属层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体；提供烘烤处理腔室，所述烘烤处理腔室内压强大于烘烤处理腔室外的大气压强；在所述烘烤处理腔室内，对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层。
[0114]请参考图17，以所述光刻胶层307 (请参考图16)为掩膜，刻蚀所述金属层304 (请参考图16)直至暴露出基底300表面，剩余的金属层304为再分布层308 ;去除所述光刻胶层307 ;在所述再分布层308表面形成绝缘层309。
[0115]有关刻蚀工艺、去除光刻胶层307的工艺以及绝缘层309的形成工艺可参考前述实施例的说明，在此不再赘述。
[0116]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底内形成有通孔； 在所述基底表面、通孔底部和侧壁表面形成金属层； 提供光刻处理腔室，所述光刻处理腔室内的压强与光刻处理腔室外的压强具有压强差; 在所述光刻处理腔室内，采用压强差光刻工艺在部分金属层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体； 以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层; 在形成所述再分布层后，去除所述光刻胶层。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光刻处理腔室包括旋转涂覆腔室，且所述旋转涂覆腔室内的压强小于旋转涂覆腔室外的大气压强。3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述压强差光刻工艺包括:在所述旋转涂覆腔室内，采用旋转涂覆工艺在金属层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔，所述通孔内具有气体；对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层。4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使所述旋转涂覆腔室内的压强小于旋转涂覆腔室外的大气压强的方法为:旋转涂覆腔室内温度与旋转涂覆腔室外室温相同，减小所述旋转涂覆腔室内的气体密度，使所述气体密度小于旋转涂覆腔室外室温条件下的气体密度。5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，抽取所述旋转涂覆腔室内的气体，减小所述旋转涂覆腔室内的气体密度。6.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使所述旋转涂覆腔室内的压强小于旋转涂覆腔室外的大气压强的方法为:所述旋转涂覆腔室内的气体密度与旋转涂覆腔室外室温条件下的气体密度相同，降低所述旋转涂覆腔室内的温度，使旋转涂覆腔室内的温度小于旋转涂覆腔室外的室温。7.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使所述旋转涂覆腔室内的压强小于旋转涂覆腔室外的大气压强的方法为:减小所述旋转涂覆腔室内的气体密度，使所述气体密度小于旋转涂覆腔室外室温条件下的气体密度，降低所述旋转涂覆腔室内的温度，使旋转涂覆腔室内的温度小于旋转涂覆腔室外的室温。8.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述烘烤处理过程中，通孔内的气体体积膨胀。9.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述烘烤处理包括前烘处理和后烘处理。10.如权利要求9所述半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层的工艺步骤包括:前烘处理、曝光处理、显影处理以及后烘处理。11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光刻处理腔室包括烘烤处理腔室，且所述烘烤处理腔室内的压强大于烘烤处理腔室外的大气压强。12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述压强差光刻工艺包括:采用旋转涂覆工艺在所述金属层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体；在所述烘烤处理腔室内，对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层。13.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使所述烘烤处理腔室内的压强大于烘烤处理腔室外的大气压强的方法为:增加所述烘烤处理腔室内的气体密度，使所述气体密度大于烘烤处理腔室外室温条件下的气体密度。14.如权利要求13所述半导体结构的形成方法，其特征在于，向所述烘烤处理腔室内通入N2、He、Ar或Ne，以增加所述烘烤处理腔室内的气体密度。15.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述烘烤处理包括前烘处理以及后烘处理。16.如权利要求15所述半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层的工艺步骤包括:前烘处理、曝光处理、显影处理以及硬烘处理。17.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为Cu、A1、W 或 Ag。18.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述金属层。19.如权利要求18所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体包括硝酸、硫酸、双氧水、氟化铵以及去离子水的混合溶液，其中，硝酸与混合溶液的质量百分比小于10%，硫酸与混合溶液的质量百分比小于5%，双氧水与混合溶液的质量百分比小于8%，氟化铵与混合溶液的质量百分比小于5%。
【专利摘要】一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底内形成有通孔；在所述基底表面、通孔底部和侧壁表面形成金属层；提供光刻处理腔室，所述光刻处理腔室内的压强与光刻处理腔室外的压强具有压强差，在所述光刻处理腔室内采用压强差光刻工艺，在部分金属层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；去除所述光刻胶层。本发明提高形成的光刻胶层的质量，避免光刻胶层的厚度过薄或断裂，避免对通孔底部和侧壁表面的金属层造成不必要的刻蚀，提高形成的再分布层的质量，从而提高半导体结构的可靠性及电学性能。
【IPC分类】H01L21/768, H01L21/027
【公开号】CN105374742
【申请号】CN201410443233
【发明人】何作鹏, 丁敬秀
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年9月2日