接，或者位于RDL区域2边缘，通过走线连接TSV孔，或者TSV孔区域直接在RDL区域2的内部；
步骤1-4、如图4所示，在TSV开口图形3处对第一绝缘层5-1进行干法刻蚀，形成TSV孔4，TSV孔4的开口宽度为10nm~5mm，深度为100nm~500ym ;所述TSV孔4横截面可以是方形、梯形、三角形或其它多边形，TSV孔4的侧壁可以是垂直的，也可以是坡面；
步骤1-5、如图5所示，去除第一绝缘层5-1表面的光刻胶，并对第一绝缘层5-1的背面和TSV孔4进行清洗，使这些区域没有有机物残留。
[0037](2)晶圆1背面的第一绝缘层5-1表面沉积第二绝缘层5-2，第二绝缘层5-2覆盖第一绝缘层5-1的表面、RDL区域2的侧壁和底部、以及TSV孔4的侧壁和底部;然后在晶圆1背面的第二绝缘层5-2上制作金属薄膜6;具体采用以下步骤:
步骤2-1、如图6所示，在晶圆1背面的第一绝缘层5-1上沉积第二绝缘层5-2，使第二绝缘层5-2覆盖在第一绝缘层5-1的表面、RDL区域2的侧壁和底部、以及TSV孔4的侧壁和底部；所述的第二绝缘层5-2可以是气相法沉积的氧化硅、氮化硅等无机氧化物，也可以是电镀光阻、喷胶工艺光阻等有机物，它们的主要作用是隔离晶圆背部，起到绝缘的作用;此处的第二绝缘层5-2由于TSV孔4的底部较难沉积，因此会出现孔底绝缘层厚度较小，表面较大的趋势；最终晶圆1背面的第二绝缘层5-2厚度为50nm?5ym，TSV孔4底部第二绝缘层5-2厚度为100nm~2ym ；高阻娃可以不用沉积绝缘层；
步骤2-2、如图7所示，在晶圆1背面沉积金属薄膜6，金属薄膜6覆盖晶圆1背面的第二绝缘层5-2;所述沉积金属薄膜6的工艺包括PVD种子层以及后续的电镀或者化镀工艺等;种子层可以是钛铜金属，也可以铝；电镀或化镀金属可以是铜，也可以是锡，镍，钯，金等;沉积金属薄膜6步骤做完后如果需要保护金属线路，还可以在线路上面再沉积一层绝缘层，如二氧化娃等。
[0038](3)采用CMP工艺研磨晶圆1背面直到露出第二绝缘层5-2，使RDL区域2的金属薄膜
6与晶圆1背面的第二绝缘层5-2平齐，从而在RDL区域2形成RDL线路，清洗晶圆背面;最后采用TSV背部露头工艺使TSV孔4的底部开口露出来;具体采用以下步骤:
步骤3-1、如图8所示，对晶圆1背面进行CMP工艺，磨去所有凸出的第二绝缘层5-2和金属薄膜6，露出第二绝缘层5-2;此时RDL区域2和TSV孔4因为低于晶圆1背面的表面，因此不能被CMP工艺移除，形成了导通的RDL线路;清洗晶圆1背面，晶圆1背面露出的焊盘可以直接做焊盘，也可以化镀镍金后再做焊盘;也可以直接后续做植球工艺，或者先化镀镍金等保护住RDL线路和焊盘，再进行植球工艺；
步骤3-2、如图9所示，做完晶圆1的背面工艺后，对晶圆1的正面进行减薄，通过刻蚀工艺使TSV孔4的底部露出，减薄后晶圆1厚度为lOOnm?500μπι;然后对露出的TSV孔4底部进行刻蚀或者直接研磨，或者覆盖绝缘层后再研磨，最终打开TSV孔4的底部，使TSV孔4底部畅通，形成底部开口。
[0039]本发明所述的RDL线路可以是一层，也可以是多层，但都是先刻蚀形成RDL区域后再进彳丁TSV孔的刻蚀;如图10所不为两层RDL线路的不意图。
[0040]如图11所示，本发明的TSV孔4可以RDL走线或者焊盘完全不连;如图9所示，为TSV孔4与RDL线路相连的示意图。如图12为两层RDL线路的示意图，图12中RDL线路与TSV孔4不相连。如图10所示，为两层RDL线路的示意图，图10中RDL线路与TSV孔4相连接。
[0041]本发明的各实施方式中提到的有关于步骤的标号，仅仅是为了描述的方便，而没有实质上先后顺序的联系。只要能够实现本发明的发明目的，各【具体实施方式】中的不同步骤，可以进行不同先后顺序的组合。
[0042]应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
【主权项】
1.一种采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是，包括以下步骤: (1)在晶圆(1)背面沉积第一绝缘层(5-1)，在第一绝缘层(5-1)上通过光刻工艺制作出RDL区域(2);再经光刻工艺制作出TSV孔开口图形(3)，在TSV孔开口图形(3)刻蚀出TSV孔(4)； (2)晶圆(1)背面的第一绝缘层(5-1)表面沉积第二绝缘层(5-2)，第二绝缘层(5-2)覆盖第一绝缘层(5-1)的表面、RDL区域(2)的侧壁和底部、以及TSV孔(4)的侧壁和底部;然后在晶圆(1)背面的第二绝缘层(5-2)上制作金属薄膜(6); (3)采用CMP工艺研磨晶圆(1)背面直到露出第二绝缘层(5-2)，使RDL区域(2)的金属薄膜(6)与晶圆(1)背面的第二绝缘层(5-2)平齐，从而在RDL区域(2)形成RDL线路;最后采用TSV背部露头工艺使TSV孔(4)的底部开口露出来。2.如权利要求1所述的采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是:所述步骤(1)具体采用以下工艺: 步骤1-1、在晶圆(1)背面沉积第一绝缘层(5-1); 步骤1-2、在第一绝缘层(5-1)的表面涂光刻胶，经曝光显影露出RDL区域(2)的开口图形，通过干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺在RDL区域(2)的开口图形处对第一绝缘层(5-1)进行刻蚀形成RDL区域(2)，刻蚀深度小于第一绝缘层(5-1)的厚度，刻蚀后在RDL区域(2)的底部保留一定厚度的第一绝缘层(5-1); 步骤1-3、在制作好RDL区域(2)的第一绝缘层(5-1)表面涂光刻胶，经曝光显影露出TSV孔开口图形(3); 步骤1-4、在TSV开口图形(3 )处对第一绝缘层(5-1)进行干法刻蚀，形成TSV孔(4 ); 步骤1-5、去除第一绝缘层(5-1)表面的光刻胶。3.如权利要求1所述的采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是:所述步骤(2)具体采用以下工艺: 步骤2-1、在晶圆(1)背面的第一绝缘层(5-1)上沉积第二绝缘层(5-2)，第二绝缘层(5-2)覆盖在第一绝缘层(5-1)的表面、RDL区域(2)的侧壁和底部、以及TSV孔(4)的侧壁和底部;晶圆(1)背面的第二绝缘层(5-2)厚度为50nm?5ym，TSV孔(4)底部第二绝缘层(5-2)厚度为lOOnm?2ym; 步骤2-2、在晶圆(1)背面沉积金属薄膜(6)，金属薄膜(6)覆盖晶圆(1)背面的第二绝缘层(5-2)。4.如权利要求1所述的采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是:所述步骤(3)具体采用以下工艺: 步骤3-1、对晶圆(1)背面进行CMP工艺，磨去凸出的金属薄膜(6)，露出第二绝缘层(5-2)； 步骤3-2、做完晶圆(1)的背面工艺后，对晶圆(1)的正面进行减薄，通过刻蚀工艺使TSV孔(4)的底部露出，减薄后晶圆(1)厚度为lOOnm?500μπι;然后对露出的TSV孔(4)底部进行刻蚀或者直接研磨，或者覆盖绝缘层后再研磨，最终打开TSV孔(4)的底部，使TSV孔(4)底部畅通，形成底部开口。5.如权利要求1所述的采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是:所述第一绝缘层(5-1)的厚度为10nm?50μηι。6.如权利要求1所述的采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是:所述RDL区域(2)的刻蚀深度为10nm~50ym。7.如权利要求1所述的采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是:所述TSV孔(4)的开口宽度为10nm?5mm，深度为lOOnm?500μπι;所述TSV孔(4)的侧壁为垂直的或坡面。8.如权利要求1所述的采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是:还包括制作多层RDL线路:在步骤(3)得到的晶圆背面沉积绝缘层，经光刻工艺制作RDL区域后再进行TSV孔的刻蚀;接着制作金属薄膜后采用CMP工艺研磨露出绝缘层。9.一种采用CMP工艺制作转接板的方法，其特征是，包括以下步骤: (1)在晶圆(1)背面沉积第一绝缘层(5-1)，在第一绝缘层(5-1)上通过光刻工艺制作出RDL区域(2);再经光刻工艺制作出TSV孔开口图形(3)，在TSV孔开口图形(3)刻蚀出TSV孔(4)； (2)所述晶圆(1)采用高阻硅，在晶圆(1)背面的第一绝缘层(5-1)上制作金属薄膜(6); (3)采用CMP工艺研磨晶圆(1)背面直到露出第一绝缘层(5-1)，使RDL区域(2)的金属薄膜(6)与晶圆(1)背面的第一绝缘层(5-1)平齐，从而在RDL区域(2)形成RDL线路;最后采用TSV背部露头工艺使TSV孔(4)的底部开口露出来。
【专利摘要】本发明涉及一种采用CMP工艺制作转接板的方法，包括以下步骤：（1）在晶圆背面沉积第一绝缘层，在第一绝缘层上通过光刻工艺制作出RDL区域；再经光刻工艺制作出TSV孔开口图形，在TSV孔开口图形刻蚀出TSV孔；（2）晶圆背面的第一绝缘层表面沉积第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一绝缘层的表面、RDL区域的侧壁和底部、以及TSV孔的侧壁和底部；然后在晶圆背面的第二绝缘层上制作金属薄膜；（3）采用CMP工艺研磨晶圆背面直到露出第二绝缘层，使RDL区域的金属薄膜与晶圆背面的第二绝缘层平齐，从而在RDL区域形成RDL线路；最后采用TSV背部露头工艺使TSV孔的底部开口露出来。本发明先沉积绝缘层，在绝缘层表面布线，最后开TSV槽，使TSV转接板工艺更加可靠，降低成本。
【IPC分类】H01L21/48, H01L21/306, H01L23/492
【公开号】CN105470147
【申请号】CN201510942997
【发明人】冯光建
【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年12月16日