有机发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本申请要求于2013年9月30日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请号10-2013-0116196的优选权和权益，其全部内容以引用的方式纳入本申请。
[0002]本申请涉及一种有机发光器件。
【背景技术】
[0003]有机发光器件由两个相对的电极和置于其间的具有类半导体特性的多层有机材料薄膜组成。具有该构造的有机发光器件利用通过用有机材料使电能转化为光能的现象，即有机发光现象。具体而言，在将有机材料层置于负极(anode)和正极(cathode)之间的结构中，当将电压施加在两个电极之间时，来自负极的空穴和来自正极的电子被注入有机材料层中。当注入的空穴和电子彼此相遇时，形成激子，并且激子降回基态以发光。
[0004]在上述有机发光器件中，由有机材料层产生的光通过透光电极而发出，并且有机发光器件通常可分为顶部发光型、底部发光型和双面发光型。对于顶部发光型或底部发光型，两个电极中的一个需为透光电极，对于双面发光型，两个电极都需为透光电极。
[0005]关于上述有机发光器件，自从KodakC0.，Ltd.宣称当使用多层结构时可在低压下驱动所述器件，已有许多研究集中于此，并且近来，将使用有机发光器件的自然色彩显示器附到手机上并商业化。
[0006]另外，由于近来对有机发光器件中使用磷光材料来代替现有的荧光材料进行了研究，效率得到显著提高，并且还预期在不久的将来所述器件会被现有的照明设备所代替。
[0007]为了使用有机发光器件作为照明设备，不同于现有的自然色彩显示器，所述器件需要在高亮度下进行驱动，并且类似于现有的照明设备，需要保持恒定的亮度。为了充分提高有机发光器件的亮度，需要大面积地进行发光，并且为了大面积地进行发光，需要使用高驱动电流。另外，为了大面积地保持恒定的亮度，需将上述高电流均匀地注入具有大面积的器件中。
【发明内容】
[0008]技术问题
[0009]在本技术领域中，有必要对可通过更简单的方法制备的有机发光器件进行研究。
[0010]技术方案
[0011]本申请的一个示例性实施方案提供了一种有机发光器件，包括:基板;提供在基板上的第一电极;提供在第一电极的至少部分区域上的辅助电极;提供在辅助电极上并且具有突出(overhang)结构的绝缘层，其中绝缘层具有比辅助电极更大的宽度；以及提供在第一电极和绝缘层上的第二电极，其中提供在第一电极上的第二电极与提供在绝缘层上的第二电极具有电性短路形式的电极结构。
[0012]有益效果
[0013]在本申请示例性实施方案的有机发光器件中，通过形成第一电极和在突出结构上电性短路的第二电极，可在第二电极的制备方法期间，排除使用在相关领域中用于形成图案的掩膜(mask)。因此，可降低用于制备有机发光器件的工艺成本。
【附图说明】
[0014]图1和2为示出在相关领域中用于有机发光器件的电极的图。
[0015]图3至5为示出用于本申请示例性实施方案的有机发光器件的电极的图。
[0016]图6为示出本申请示例性实施方案的突出结构的电子图片的视图。
[0017]附图标记的说明:
[0018]10:基板
[0019]20:负极
[0020]30:辅助电极
[0021]40:绝缘层
[0022]50:正极
【具体实施方式】
[0023]在下文中，将详细描述本申请。
[0024]—般而言，用于照明的有机发光器件具有透明电极、有机材料层和金属电极依序沉积在基板上的结构。当制备有机发光器件时，在平面图中有机材料层与金属电极的沉积图案具有不同的面积，因此在沉积有机材料层和金属电极时使用不同的掩膜。因此，存在的问题在于需要在沉积过程中替换掩膜，生产能力因复杂的沉积设备而不高，而且制备成本也尚。
[0025]因此，本发明人研究了一种导电图案，其可通过更简单的方法进行制备并且可被应用到有机发光器件的电极，从而完成本发明。
[0026]根据本申请示例性实施方案所述的有机发光器件包括:基板;提供在基板上的第一电极;提供在第一电极的至少部分区域上的辅助电极;提供在辅助电极上并且具有突出结构的绝缘层，其中绝缘层的宽度大于辅助电极的宽度；以及提供在第一电极和绝缘层上的第二电极，其中提供在第一电极上的第二电极与提供在绝缘层上的第二电极具有电性短路形式的电极结构。
[0027]在本申请中，形成于第一电极上的第二电极和辅助电极可具有电性短路形式的结构，并且提供在第一电极上的第二电极和绝缘层可具有电性短路形式的结构。
[0028]即，可在第一电极的部分而非整个表面上提供辅助电极。
[0029]在本申请中，电性短路形式的结构意指第二电极与辅助电极或绝缘层是物理上隔开的并且结构上设置为彼此间隔开的形式。
[0030]在相关领域中，使用用于形成图案的掩膜以形成第二电极，即第二电极的图案，包括电性短路结构。然而，在本申请中，通过形成第一电极以及在形成于第一电极上的具有突出结构的双层(dual layer)上形成第二电极，可制备包括电极结构的有机发光器件，其中形成在第一电极上的第二电极和形成在具有突出结构的双层上的第二电极无需用于形成图案的隔离掩膜而彼此被电性短路。
[0031]在本申请中，辅助电极和绝缘层包括在相同的蚀刻剂下具有不同的蚀刻速率的材料，从而可形成具有突出结构的绝缘层，所述绝缘层具有比辅助电极更大的宽度。即，绝缘层可包括在相同的蚀刻剂下其蚀刻速率低于辅助电极的蚀刻速率的材料。
[0032]此外，具有突出结构的绝缘层也可通过对用于形成辅助电极和绝缘层的蚀刻剂种类进行区分而形成。
[0033]蚀刻剂的具体实例包括氢氟酸(HF)、磷酸(H3P04)、缓冲氧化物蚀刻剂(Β0Ε)、缓冲HF溶液(BHF)、过氧化氢基蚀刻剂、CH3C00H、HC1、ΗΝ03和铁基蚀刻剂，但不限于此。
[0034]具体而言，在辅助电极和绝缘层的蚀刻过程期间，可通过适当地调节蚀刻时间、温度等来形成最佳的突出结构。本申请示例性实施方案的突出结构的图片示于图6中。
[0035]在本申请中，辅助电极的目的在于改进第一电极的电阻，且可通过沉积或印刷一种以上的导电密封剂和金属而形成。更具体而言，辅助电极可包括一种以上的镁、钙、钠、钾、钛、铟、铱、锂、钆、铝、银、锡、铅、铬、钼、铜及其合金，但不限于此。辅助电极的厚度可为50nm至5μηι，但不限于此。
[0036]绝缘层可通过使用本领域中已知的材料和方法而形成。更具体而言，绝缘层可通过使用下列材料而形成:常规的光阻材料;聚酰亚胺;聚丙烯;氮化硅;二氧化硅;氧化铝;氮化铝;碱金属氧化物;碱土金属氧化物等，但其材料不限于此。绝缘层的厚度可为10nm至10μm，但不限于此。
[0037]在本申请中，可使用本领域中已知的基板作为基板而没有限制，并且更具体的基板实例包括玻璃基板、塑料基板等，但不限于此。
[0038]在本申请中，第一电极可包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可为至少一种选自以下元素的氧化物:铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)、铈(Ce)、镉(Cd)、镁(Mg)、铍(Be)、银(八8)、钼(10)、钒(￥)、铜(01)、铱(10、铑(1^)、钌(1?11)、钨(￥)、钴(0))、镍(祖)、锰(111)、铝(A1)和镧(La)。
[0039]此外，第一电极可包括一种以上的镁、钙、钠、钾、钛、铟、铱、锂、钆、铝、银、铂、金、
钨、钽、铜、锡、铅，及其合金。
[0040]第一电极可通过使用任何一种物理气相沉积法(PVD)、任何一种化学气相沉积法或原子层沉积法(ALD)而形成，所述物理气相沉积法选自溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法、激光分子束外延法(L-MBE)以及脉冲激光沉积法(PLD);所述化学气相沉积法选自热化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、光化学气相沉积法、激光化学气相沉积法、金属有机化学气相沉积法(M0CVD)以及氢化物气相外延法(HVPE)。
[0041 ]在本申请中，第二电极可包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可为至少一种选自下列元素的氧化物:铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)、铺(Ce)、镉(Cd)、镁(Mg)、铍(Be)、银(八8)、钼(10)、钒(￥)、铜(01)、铱(10、铑(1^)、钌(1?11)、钨(￥)、钴(0))、镍(祖)、锰(111