半导体装置及其制造方法
【技术领域】
[0001 ]本说明书所记载的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]半导体装置之中，有的很容易受到外部磁场的影响。这样的受到磁场影响的半导体装置，通过磁屏蔽件来降低外部磁场的影响，由此可以良好地工作。作为半导体装置所使用的磁屏蔽件，已知例如通过使树脂中含有磁导率高的材料作为填料的电磁波吸收模型树月旨，来覆盖半导体芯片的上表面和侧面，由此降低外部磁场对于半导体装置的影响。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献1:日本特开2005-217221号
【发明内容】
[0005]本说明书所记载的实施方式提供一种磁屏蔽效果更高的半导体装置及其制造方法。
[0006]实施方式涉及的半导体装置具备:基板、下部屏蔽板、半导体芯片、连接件、上部屏蔽板和侧部屏蔽材料。基板上形成有第1接触部。下部屏蔽板使用在基板上以避开第1接触部的方式设置的磁性体。半导体芯片在下部屏蔽板上设置，并具有与第1接触部电连接的第2接触部。连接件将第1接触部和第2接触部电连接。上部屏蔽板使用在半导体芯片上以避开第2接触部和连接件的方式设置的磁性体。侧部屏蔽材料使用将下部屏蔽板和上部屏蔽板的没有配置连接件的侧部连接的磁性体。
【附图说明】
[0007]图1是第1实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。
[0008]图2是该半导体装置的概略侧面图。
[0009]图3是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0010]图4是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0011 ]图5是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0012]图6是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0013]图7是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0014]图8是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0015]图9是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0016]图10是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0017]图11是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0018]图12是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0019]图13是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0020]图14是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。[0021 ]图15是第2实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。
[0022]图16是该半导体装置的概略侧面图。
[0023]图17是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0024]图18是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0025]图19是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0026]图20是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0027]图21是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0028]图22是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0029]图23是第3实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。
[0030]图24是该半导体装置的概略侧面图。
[0031 ]图25是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0032]图26是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0033]图27是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0034]图28是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0035]图29是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0036]图30是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0037]图31是第4实施方式涉及的半导体装置的概略侧面图。
[0038]图32是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0039]图33是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0040]图34是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0041 ]图35是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0042]图36是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0043]图37是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0044]图38是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0045]图39是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0046]图40是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0047]图41是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0048]图42是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0049]图43是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0050]图44是表示其他实施方式涉及的半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0051 ]图45是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
【具体实施方式】
[0052]以下，参照附图，对实施方式涉及的半导体装置进行说明。再者，附图是示意图，厚度与平面尺寸的关系、各层厚度的比率等与实际不同。说明中的上下等的表示方向的用语，是指在以后述的半导体芯片的电路形成面侧为上时的相对方向，与以重力加速度方向为基准的实际方向不同。
[0053][第1实施方式涉及的半导体装置的结构]
[0054]首先，参照图1和图2，对第1实施方式涉及的半导体装置的结构进行说明。图1是第1实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图，图2(a)是图1的Ι-ν切断截面图，图2(b)是图1的I1-1V切断截面图。
[0055]如图1和图2所示，本实施方式涉及的半导体装置具备:基板1;在该基板1之上隔着具有绝缘性的第1粘结材料2贴附的下部屏蔽板3;在该下部屏蔽板3之上隔着具有绝缘性的第2粘结材料4搭载的半导体芯片5;在该半导体芯片5的上表面隔着具有绝缘性的第3粘结材料6贴附的上部屏蔽板7;和将下部屏蔽板3与上部屏蔽板7在侧部接合的侧部屏蔽材料8。另外，该第1粘结材料2、下部屏蔽板3、第2粘结材料4、半导体芯片5、第3粘结材料6、上部屏蔽板7和侧部屏蔽材料8的至少一部分被绝缘性树脂9填埋。再者，在图1中，为了说明，将绝缘性树脂9省略图示。
[0056]在本实施方式中，基板1使用陶瓷、树脂、表面被氧化了的硅(Si)等的绝缘材料。在基板1的表面形成有未图示的配线和与该配线连接的接触部11(第1接触部)。配线和接触部11使用铜等的金属并采用印刷、蒸镀等方法形成。接触部11利用与半导体芯片5连接的接合用垫，沿着下部屏蔽板3的两侧面在下部屏蔽板3的延伸方向(以下，称为“第1方向”)以预定节距排列。
[0057]下部屏蔽板3是在下表面贴附第1粘结材料2，以第1方向为长度方向的长方形。第1方向的长度比半导体芯片5的第1方向的长度长。另外，下部屏蔽板3的与第1方向正交的方向(以下称为“第2方向”)的宽度比接触部11彼此的间隔窄，与半导体芯片5的第2方向上的宽度大致相同。另外，作为下部屏蔽板3使用磁导率高的材料。在本实施方式中使用PC坡莫合金(N1-Mo、Cu-Fe)等的含铁的磁性合金。再者，在本实施方式中下部屏蔽板3的厚度为50μm?150ym左右。
[0058]半导体芯片5包含集成电路，在本实施方式中搭载有将多个数据通过磁来存储的存储装置。该存储装置可以是例如通过自旋注入来进行数据写入，通过隧道磁阻效应带来的电阻变化来进行写入了的数据的判别。但是，作为半导体芯片5可以搭载不同的存储装置，也可以搭载存储装置以外的结构。
[0059]半导体芯片5在下表面贴附第2粘结材料4，在上表面的第2方向的两侧具有接触部12(第2接触部)。接触部12经由多个作为连接件的接合线51与接触部11电连接。
[0060]上部屏蔽板7在下表面贴附第1绝缘性树脂6，形成以第1方向为长度方向的长方形。第2方向上的宽度比接触部12的第2方向的宽度窄，第1方向的长度与下部屏蔽板3相同。另外，作为上部屏蔽板7，与下部屏蔽板3同样地使用磁导率高的材料。本实施方式中，使用PC坡莫合金(N1-Mo、Cu-Fe)等的含铁的磁性合金。上部屏蔽板7的厚度在本实施方式中为50μπι?150ym左右。
[0061]侧部屏蔽材料8与下部屏蔽板3和上部屏蔽板7—同作为磁屏蔽件发挥功能，所述磁屏蔽件保护半导体芯片5不受外部磁场影响。侧部屏蔽材料8从第1方向与下部屏蔽板3和上部屏蔽板7接触。与下部屏蔽板3和上部屏蔽板7同样地，侧部屏蔽材料8也使用磁导率高的材料。在本实施方式中，作为侧部屏蔽材料8使用镀层、含有磁性体的树