有机发光显示装置的制造方法
【专利说明】有机发光显不装置
[0001 ] 本申请为2012年06月29日向中国知识产权局申请的申请号为201210223710.1的发明专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2011年6月29日提交的韩国专利申请N0.10-2011-0063558和2012年6月I日提交的韩国专利申请N0.10-2012-0059068的优先权和权益，这两个韩国专利申请公开的全部内容通过引用特此并入本申请。
技术领域
[0004]本发明的示例实施例涉及在绝缘层上形成倾斜结构的方法、有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法。更具体地说，本发明的示例实施例涉及在绝缘层上形成具有期望倾斜角的倾斜结构的方法、包括具有该倾斜结构的绝缘层的有机发光显示装置以及制造包括具有该倾斜结构的绝缘层的有机发光显示装置的方法。
【背景技术】
[0005]在平板显示装置中，即便有机发光显示(OLED)装置具有相对小的尺寸，其也可以具有多种期望的特性，例如高响应速度、较低功耗和宽视角。此外，可以用简单的构造在相对低的温度下制造有机发光显示装置，因此有机发光显示装置可以被认可成为下一代显示
目.ο
[0006]传统有机发光显示装置可以具有如下构造，在构造中阳极和阴极可以接连布置在覆盖在基板上设置的薄膜晶体管(TFT)的绝缘层上，并且有机发光层可以布置在阳极和阴极之间。然而，在传统有机发光显示装置中，从有机发光层中产生的光可能在这两个电极间全反射，使得传统有机发光显示装置的光效率可能显著下降。例如，由于光在阳极、有机发光层和阴极之间的反射，传统有机发光显示装置可能具有大约30%的光损耗。考虑到光的光损耗，有人提出一种包括在红色像素、绿色像素和蓝色像素中具有不同厚度的有机发光层的有机发光显示装置，以便引起红色光、绿色光和蓝色光的相长干涉。包括光学谐振结构的有机发光显示装置可以具有提高的光效率，然而由于由光的光学谐振导致的色移现象，这种有机发光显示装置可能具有差的侧面可视性。
【发明内容】
[0007]实施例的方面针对在绝缘层上形成具有期望倾斜角的倾斜结构的方法。
[0008]实施例的方面针对有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括具有含有期望倾斜角的倾斜结构的绝缘层，以提高该有机发光显示装置的光效率。
[0009]实施例的方面针对使用在绝缘层上形成具有期望倾斜角的倾斜结构的方法制造具有提高的光效率的有机发光显示装置的方法。
[0010]根据示例实施例，本发明提供一种在绝缘层上形成倾斜结构的方法。在在绝缘层上形成倾斜结构的方法中，可以在第一绝缘膜上形成第一凹槽。可以在具有所述第一凹槽的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，并且可以在所述第二绝缘膜上形成第二凹槽。可以通过对所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜执行回流工艺，从所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述倾斜结构。
[0011]在示例实施例中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每个可以包括有机材料、硅的化合物、金属和/或金属氧化物。例如，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每个可以包括光刻胶、丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物和锆氧化物等。这些可以单独使用或将其组合使用。
[0012]在示例实施例中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每个可以使用包括挡光区和半透射区的掩膜形成。
[0013]在示例实施例中，所述第一凹槽可以具有大致大于所述第二凹槽的深度的深度，并且所述第二凹槽可以具有大致大于所述第一凹槽的宽度的宽度。
[0014]在示例实施例中，可以在形成所述第一凹槽以后附加地对所述第一凹槽的侧壁和底部执行表面处理工艺。
[0015]在示例实施例中，所述回流工艺可以在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的熔点的大约50%到大约80%的范围内的温度下执行。
[0016]在示例实施例中，所述倾斜结构可以具有大致凹陷的形状或大致突出的形状。例如，所述倾斜结构的侧壁的倾斜角和所述第一凹槽的侧壁和所述第二凹槽的侧壁的倾斜角之间的比率可以处于大约1.0:0.2到大约1.0:1.8的范围内。
[0017]根据示例实施例，本发明提供了一种有机发光显示装置，其包括第一基板、绝缘层、第一电极、像素限定层、有机发光结构、第二电极和第二基板。所述绝缘层可以布置在所述第一基板上。所述绝缘层可以包括倾斜结构。所述第一电极可以布置在所述绝缘层上。所述像素限定层可以布置在所述绝缘层和所述第一电极上。所述像素限定层可以限定发光区和非发光区。所述有机发光结构可以布置在所述发光区中的所述第一电极上。所述第二电极可以布置在所述像素限定层和所述有机发光结构上。所述第二基板可以布置在所述第二电极上。
[0018]在示例实施例中，所述像素限定层可以在设置在所述倾斜结构的侧壁上的所述第一电极上延伸。
[0019]在一些示例实施例中，所述像素限定层可以在设置在所述倾斜结构的上表面上的所述第一电极上延伸，并且所述像素限定层可以具有暴露所述发光区中的所述第一电极的开口。所述有机发光结构可以埋在所述像素限定层的所述开口内。所述有机发光结构的侧壁可以具有相对于与所述第一基板大致平行的方向大约110°到大约160°的倾斜角。
[0020]在示例实施例中，所述倾斜结构的侧壁可以具有相对于与所述第一基板大致平行的方向大约20°到大约70°的倾斜角。所述第一电极在所述倾斜结构上的侧向部分和所述第二电极在所述倾斜结构上的侧向部分中的每个可以具有与所述倾斜结构的侧壁的倾斜角大致相同的倾斜角。
[0021]在示例实施例中，所述绝缘层可以具有在所述倾斜结构上形成的多个突起。所述第一电极可以具有分别在所述多个突起上形成的多个突出部分。所述有机发光结构可以具有被所述第一电极的所述多个突出部分分隔的多个部分。
[0022]在示例实施例中，所述倾斜结构可以具有大致凹陷的形状，并且所述倾斜结构的侧壁可以具有与所述有机发光结构的侧壁的倾斜角大致相同的倾斜角。
[0023]在示例实施例中，所述倾斜结构可以具有大致突出的形状，并且所述倾斜结构的侧壁的倾斜角和所述有机发光结构的侧壁的倾斜角之间的比率可以处于大约1.0:0.2到大约1.0: 1.8或大约1.0:1.6到大约1.0:8.0的范围内。
[0024]根据示例实施例，本发明提供了一种制造有机发光显示装置的方法。在制造有机发光显示装置的方法中，可以在第一基板上形成绝缘层。可以在所述绝缘层上形成倾斜结构。可以在所述绝缘层上形成第一电极。可以在所述绝缘层和所述第一电极上形成像素限定层。可以通过部分地蚀刻所述像素限定层形成暴露在所述倾斜结构上设置的所述第一电极的开口。可以在所暴露的第一电极上形成有机发光结构。可以在所述像素限定层和所述有机发光结构上形成第二电极。可以在所述第二电极上形成第二基板。
[0025]在根据示例实施例形成所述绝缘层和所述倾斜结构中，可以在所述第一基板上形成第一绝缘膜。可以在所述第一绝缘膜上形成第一凹槽。可以在具有所述第一凹槽的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜。可以在所述第二绝缘膜上形成第二凹槽。可以通过对所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜执行回流，从所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述倾斜结构。
[0026]在根据示例实施例形成所述绝缘层和所述倾斜结构中，可以在所述第一基板上形成第一绝缘膜。可以在所述第一绝缘膜上形成第一凹槽。所述第一凹槽可以互相分离。可以在具有所述第一凹槽的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜。可以在所述第二绝缘膜的在所述第一凹槽上方的部分上形成第二凹槽。可以通过对所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜执行回流，形成具有在相邻凹槽间的突出形状的所述倾斜结构。
[0027]可以在所述倾斜结构的底部上形成多个突起。可以由所述多个突起形成所述第一电极的多个突出部分。部分的所述有机发光结构可以被所述第一电极的所述多个突出部分分隔。
[0028]根据示例实施例，具有所述突出形状或所述凹陷形状的所述倾斜结构可以提供所述第一电极的侧向部分、所述像素限定层的侧向部分和所述第二电极的侧向部分，这些侧向部分具有用于防止从所述有机发光结构中产生的光的全反射的期望的倾斜角。因此，包括所述倾斜结构的所述有机发光显示装置可以具有比传统有机发光显示装置的光效率大致高大约30%以上的光效率。此外，所述有机发光显示装置不需要任何附加的用于从所述有机发光结构中产生的光的光学谐振的结构，使得所述有机发光显示装置可以具有简化的构造，同时以提高的亮度、增加的对比度和扩大的视角等显示图像。
【附图说明】
[0029]从结合附图做出的下面描述中可以更详细地理解示例实施例，在附图中:
[0030]图1到图4是图示根据示例实施例的在绝缘层上形成倾斜结构的方法的剖面图；
[0031]图5到图11是图示依据示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图；
[0032]图12和图13是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图；
[0033]图14到图19是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图；
[0034]图20和图21是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图；以及
[0035]图22到图24是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。
【具体实施方式】
[0036]下面参照附图更全面地描述示例实施例。然而，本发明的构思可以以多种不同形式体现，并且不应认为局限于本发明中阐述的示例实施例。在附图中，为了清楚可能放大层和区域的尺寸和相对尺寸。
[0037]将理解，当元件或层称为“在另一元件或层上”、“与另一元件或层连接”或“与另一元件或层联接”时，其可以直接在另一元件或层上、与另一元件或层直接连接或与另一元件或层直接联接，或者可以存在位于中间的元件或层。相比之下，当元件称为“直接在另一元件或层上”、“直接与另一元件或层连接”或“直接与另一元件或层联接”时，没有位于中间的元件或层存在。在本发明全文中，同样或类似的附图标记表示同样或类似的元件。本发明中使用的术语“和/或”包括所关联列出项目中的一个或多个的任何一种组合和所有组合。
[0038]将理解，虽然在本发明中术语第一、第二、第三等可以用来描述多个元件、组件、区域、层、样式和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层、样式和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层、样式、或部分与别的区域、层、样式或部分区分开。因此，下面介绍的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分，而不背离示例实施例的教导。
[0039]在本发明中，为了便于描述，可以使用与空间有关的术语(例如“在……正下方”、“在……下方”、“较低的”、“在……上方”、“较高的”等等)来描述附图中图示的一个元件或特征与别的元件或特征的关系。将理解，与空间有关的术语旨在包括装置在使用或工作时除附图中所示的方向以外的不同方向。例如，如果附图中的装置被翻转，那么被描述为“在其它元件或特征下面”或“在其它元件或特征正下方”的元件会朝向“其它元件或特征上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两个方向。装置可以朝向别的方向(旋转90度或朝向其它方向)，相应地解释本发明中使用的与空间有关的描述符。
[0040]本发明中使用的术语仅是作为描述具体示例实施例用途，而不是旨在限制本发明的构思。本发明中使用的单数形式“一”、“一个”和“该”还旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解，术语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时，其指定存在所叙述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤