提供具有与参照图5到图11描述的有机发光显示装置的构造大致相同或大致类似的构造的有机发光显示装置。然而，本领域普通技术人员可理解，该方法可以提供具有开关器件、保护层、电极、绝缘层、有机发光结构等的多种构造的其它有机发光显示装置。
[0110]参考图14，可以在第一基板200上形成缓冲层205，然后可以在缓冲层205上形成栅电极210。缓冲层205可以使用硅的化合物通过化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、旋转涂覆工艺或高密度等离子体化学气相沉积工艺在第一基板200上形成。
[0111]栅电极210可以使用金属、合金、金属化合物和/或透明导电材料形成，并且可以在缓冲层205的一部分上设置栅极线(未示出)。栅电极210和栅极线可以在在缓冲层205上形成第一导电层(未示出)以后通过部分地蚀刻第一导电层来获得。在一些示例实施例中，当在第一基板200上未设置缓冲层205时，可以在第一基板200上直接形成栅电极210和栅极线。
[0112]参考图15，可以在缓冲层205上形成栅绝缘层215，以覆盖栅电极210。栅绝缘层215可以使用硅氧化物和/或金属氧化物通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、印刷工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺或旋转涂覆工艺在缓冲层205上形成。
[0113]栅绝缘层215可以沿栅电极210的轮廓大致均匀地形成在缓冲层205上。这里，栅绝缘层215可能具有与栅电极210邻近的阶梯形部分。在一些示例实施例中，栅绝缘层215在充分覆盖栅电极210时可以具有大致平的表面。为保证栅绝缘层215具有大致平的表面，可以对栅绝缘层215执行包括化学机械抛光工艺和/或回蚀工艺的平坦化工艺。
[0114]参考图16，可以在栅绝缘层215上形成源电极220和漏电极225。源电极和漏电极每个可以使用金属、合金、金属化合物、透明导电材料等形成。可以在栅绝缘层215的一部分上形成数据线(未示出)，使得数据线可以连接到源电极220上。数据线可以沿与栅极线的方向大致垂直的方向延伸。在示例实施例中，可以在栅绝缘层215上形成第二导电层(未示出)，然后第二导电层可以部分地被蚀刻，以提供在栅绝缘层215上的数据线、源电极220和漏电极225。这里，第二导电层可以通过溅射工艺、真空蒸镀工艺、印刷工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺等形成。
[0115]通过栅电极210作为中心，源电极220和漏电极225可以互相分离设定或预设的距离。当栅绝缘层215具有阶梯形部分时，源电极220和漏电极225每个也可能具有由栅绝缘层215的阶梯形部分导致的阶梯形部分。在形成源电极220和漏电极225以后，栅绝缘层215的一部分可以在栅电极210上方暴露。
[0116]可以在所暴露的栅绝缘层215、源电极220和漏电极225上形成有源图案230。有源图案230可以使用半导体氧化物形成。例如，有源图案230可以包括铟-镓-锌氧化物(IGZO)、镓锌氧化物(GaZnxOy)、铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(IZO)、锌镁氧化物(ZnMgxOy)、锌锡氧化物(ZnSnxOy )、锌错氧化物(ZnZrxOy )、锌氧化物(ZnOx)、镓氧化物(GaOx)、钛氧化物(T1x)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(SnOx)、铟-镓-铪氧化物(IGHO)、锡-铝-锌氧化物(TAZO)、铟-镓-锡氧化物(IGS0)等。这些可以单独使用或将其组合使用。
[0117]在示例实施例中，可以在源电极220、漏电极225和栅绝缘层215上形成有源层(未示出)，然后可以对有源层图案化，以提供在源电极220、栅电极225和栅绝缘层215上的有源图案230。有源层可以通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、印刷工艺、喷涂工艺、真空蒸镀工艺、原子层沉积工艺、溶胶-凝胶工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺等获得。
[0118]当形成有源图案230时，可以在第一基板200上设置开关器件。开关器件可以包括栅电极210、栅绝缘层215、源电极220、漏电极225和有源图案230。这里，开关器件可以是氧化物半导体器件。
[0119]参考图17，可以在栅绝缘层215上形成第一保护层235，以覆盖有源图案230、漏电极225和源电极220。第一保护层235可以具有足够覆盖有源图案230的相对大的厚度。第一保护层235可以使用有机材料或无机材料通过旋转涂覆工艺、溅射工艺、印刷工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺或真空蒸镀工艺形成。在一些示例实施例中，根据继续形成的绝缘层245的成分和/或尺寸，可以不提供第一保护层235。
[0120]可以在第一保护层235上形成绝缘层245。绝缘层245可以具有包括两个以上绝缘膜的多层结构。这里，绝缘层245的绝缘膜可以包括与第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的材料大致相同或大致类似的材料。此外，绝缘层245的绝缘膜可以通过与形成第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的工艺大致相同或大致类似的工艺在第一保护层235上形成。
[0121]可以在绝缘层245上形成倾斜结构255。倾斜结构255的侧壁可以具有第五倾斜角Θ
3。在示例实施例中，可以在第一保护层235上形成第一绝缘膜(未示出)，然后可以在第一绝缘膜上形成第一凹槽(未示出)。第一凹槽可以间隔开设定或预设的距离。这里，相邻第一凹槽间的距离可以与具有继续形成的突出形状的倾斜结构255的宽度大致相同或大致类似。在第二绝缘膜(未示出)可以在第一绝缘膜上通过将第一凹槽夹在二者中间的方式形成以后，可以对第二绝缘膜在第一凹槽上方的部分蚀刻。因此，可以穿过第二绝缘膜形成第二凹槽。第二凹槽可以与第一凹槽相通。然后，可以对第一绝缘膜和第二绝缘膜进行回流，以提供具有突出形状的倾斜结构255。在此情况下，倾斜结构255可以放置在通过第一凹槽和第二凹槽结合形成的相邻凹槽之间。例如，倾斜结构255可以布置在相邻的两个凹槽之间。倾斜结构255的第五倾斜角Θ3可以与相邻凹槽的侧壁的倾斜角大致相同或大致类似。例如，突出的倾斜结构255的第五倾斜角Θ3可以是关于与第一基板200大致平行的方向大约20°到大约 70° ο
[0122]现参考图17，可以穿过绝缘层245和第一保护层235形成部分暴露漏电极225的孔250。这种孔250可以在在绝缘层245上形成突出的倾斜结构255的同时形成。可替代地，孔250可以在形成倾斜结构255以后穿过绝缘层245和第一保护层235形成。
[0123]在示例实施例中，倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角Θ3可以与参照图4描述的倾斜结构25的侧壁的第三倾斜角Θ1大致相同或大致类似。当绝缘层245的倾斜结构255具有突出形状时，如图17中所示，有机发光显示装置可以具有底部发射结构(或底部发射方向)。
[0124]参考图18，可以在具有突出的倾斜结构255的绝缘层245上形成填充孔250的第一电极260。第一电极260可以与漏电极225接触，并且可以位于倾斜结构255的两个侧壁和上表面上。第一电极260可以覆盖突出的倾斜结构255，使得第一电极260的侧向部分每个可以具有与倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。例如，第一电极260的侧向部分可以具有相对于与第一基板200大致平行的轴线处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。
[0125]可以在绝缘层245和第一电极260上形成像素限定层265，以限定有机发光显示装置的发光区和非发光区。像素限定层265可以使用有机材料或无机材料形成。像素限定层265可以从非发光区延伸到发光区中的倾斜结构255的侧壁上。也就是说，像素限定层265可以不布置在倾斜结构255的上表面上。像素限定层265可以放置在在倾斜结构255的侧壁上放置的第一电极260上，使得像素限定层265的侧向部分每个可以具有与倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。
[0126]可以在第一电极260和像素限定层265的一部分上形成有机发光结构270。有机发光结构270可以具有包括有机发光层的多层结构。虽然根据有机发光显示装置的像素，有机发光结构270可以包括多种发光材料，但是有机发光结构270可以包括用于产生白色光的堆叠的发光材料。
[0127]在不例实施例中，有机发光机构270可以仅布置在发光区中。例如，有机发光结构270可以在倾斜结构255在发光区中的上表面和像素限定层265在发光区中的那部分上形成。因此有机发光结构270的侧向部分每个可以具有相对大的倾斜角。例如，有机发光结构270的侧向部分可以具有关于与第一基板200大致平行的轴线处于大约40°到大约90°范围内的倾斜角。由此，有机发光结构270的侧向部分与倾斜结构255的侧壁或像素限定层265的侧向部分之间的比率可以处于大约1.0:0.2到大约1.0: 1.8的范围内。
[0128]参考图19，可以在像素限定层265和有机发光结构270上形成第二电极275。当有机发光显示装置具有底部发射结构时，第二电极275可以包括反射材料。第二电极275可以大致均匀地形成在像素限定层265和有机发光结构270上。这里，第二电极275的与倾斜结构255的侧壁相邻的部分可以具有与倾斜结构255的第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。
[0129]可以在第二电极275上形成第二保护层280。第二保护层280可以包括有机材料或无机材料，并且可以从发光区延伸到非发光区。可以在第二保护层280上布置第二基板290。这里，可以在第二保护层280和第二基板290之间形成设定或预设的间隔285。这种间隔285可以充满空气或惰性气体，例如氮气。可替代地，该间隔285可以充满具有透光率和吸湿性的树脂。在一些示例实施例中，如果在第二电极275上可以形成附加填充材料，那么在第二电极275和第二基板290之间可以不设置第二保护层280。
[0130]根据示例实施例，由于倾斜结构255具有突出的形状，所以第一电极260的侧向部分、像素限定层265的侧向部分和第二电极275的侧向部分每个可以具有期望的用于防止从有机发光结构270中产生的光的全反射的倾斜角。因此，有机发光显示装置可以具有大大提高的光效率。
[0131]图20和图21是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。除绝缘层、第一电极和有机发光结构以外，图20到图21中示出的方法可以提供具有与参照图5到图11描述的有机发光显示装置的构造大致相同或大致类似的构造的有机发光显示装置。然而，本领域普通技术人员可理解，该方法可以提供具有开关器件、保护层、电极、具有倾斜结构的绝缘层、有机发光结构等的多种构造的其它有机发光显示装置。
[0132]参考图20，可以在第一基板200上通过与参照图14到图17描述的工艺大致相同或大致类似的工艺形成开关器件、第一保护层235和具有倾斜结构255的绝缘层245。
[0133]如图20中所示，可以通过执行与参照图12描述的工艺大致相同或大致类似的工艺在突出的倾斜结构255上形成多个突起258。因此，绝缘层245可以具有多个突起258，并且突出的倾斜结构255的侧壁每个可以具有第五倾斜角Θ3。
[0134]可以在具有倾斜结构255的绝缘层245上形成第一电极300，以填满穿过绝缘层245和第一保护层235形成的孔。第一电极300的侧向部分每个可以具有与倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。此外，第一电极300可以具有由绝缘层245的突起258导致的多个突出部分303。
[0135]可以在第一电极300和绝缘层245上形成用于限定发光区和非发光区的像素限定层265。像素限定层265可以从非发光区延伸到设置在发光区中的倾斜结构255的侧壁上。像素限定层265可以位于在突出的倾斜结构255的侧壁上放置的第一电极300上，使得像素限定层265的侧向部分可以具有与倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。
[0136]可以在第一电极300和像素限定层265上形成有机发光结构315。在示例实施例中，有机发光结构315可以仅布置在突