例如，缓冲层55可以包括硅氧化物(S1x)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(S1xNy )、硅碳氧化物(S1xCy)、硅碳氮化物(SiCxNy)等。这些可以单独使用或者将其组合使用。在一些示例实施例中，缓冲层55可以具有单层结构或多层结构。例如，缓冲层55可以包括硅氧化物膜、硅氮化物膜、硅氮氧化物膜、硅碳氧化物膜和/或硅碳氮化物膜。
[0064]半导体图案60可以形成在缓冲层55上。在示例实施例中，可以在缓冲层55上形成半导体层(未示出)，然后可以对半导体层图案化，以在缓冲层55的一部分上形成初步的半导体图案(未示出)。初步的半导体图案可以被结晶，以在缓冲层55的这一部分上提供半导体图案60。半导体层可以通过化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺、溅射工艺等形成。当半导体层包括非晶硅时，半导体图案60可以包括多晶硅。这里，用于形成半导体图案60的结晶工艺可以包括激光照射工艺、热处理工艺、使用催化剂的热工艺等。
[0065]在一些示例实施例中，可以在形成半导体层和/或初步的半导体图案以后对半导体层和/或初步的半导体图案执行脱氢工艺。脱氢工艺可以降低半导体层和/或初步的半导体图案中的氢含量，使得半导体图案60可以保证增强的电特性。
[0066]参考图6，可以在缓冲层55上形成栅绝缘层65，以覆盖半导体图案60。栅绝缘层65可以通过化学气相沉积工艺、旋转涂覆工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、印刷工艺等获得。栅绝缘层65可以包括硅氧化物、金属氧化物等。用于栅绝缘层65的金属氧化物的示例可以包括铪氧化物(HfOx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、钛氧化物(T1x)、钽氧化物(TaOx)等。这些可以单独使用或将其组合使用。
[0067]栅绝缘层65可以沿着半导体图案60的轮廓大致均匀地形成在缓冲层55上。栅绝缘层65可以具有相对小的厚度，并且栅绝缘层65可能具有与半导体图案60邻近的阶梯形部分。在一些示例实施例中，在栅绝缘层65充分地覆盖半导体图案60的同时，栅绝缘层65可以具有大致平的表面。在此情况下，栅绝缘层65可以具有相对大的厚度。
[0068]可以在栅绝缘层65上形成栅电极70。栅电极70可以布置在栅绝缘层65的下面放置有半导体图案60的部分上。在示例实施例中，可以在栅绝缘层65上形成第一导电层(未示出)，可以使用附加蚀刻掩膜通过光刻工艺或蚀刻工艺将第一导电层图案化。因此，可以在栅绝缘层65上设置栅电极70。第一导电层可以使用溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、真空蒸镀工艺、原子层沉积工艺、印刷工艺等形成。
[0069]栅电极70可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅电极70可以使用铝(Al)、含铝的合金、铝氮化物(AlNx)、银(Ag)、含银的合金、钨(W)、钨氮化物(WNx)、铜(Cu)、含铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、铬氮化物(CrNx)、钼(Mo)、含钼的合金、钛(Ti)、钛氮化物(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、锌氧化物(ZnOx)、铟锡氧化物(ΙΤ0)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(InOx)、镓氧化物(GaOx)、铟锌氧化物(IZO)等形成。这些可以单独使用或者将其组合使用。在示例实施例中，栅电极70可以具有包括上面提到的金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物或透明导电材料的单层结构。在一些示例实施例中，栅电极70可以具有包括上面提到的金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物和/或透明导电材料的多层结构。
[0070]虽然图6中未示出，但是在形成栅电极70时，可以在栅绝缘层65的一部分上形成栅极线。栅电极70可以与栅极线电接触，并且栅极线可以沿第一方向在栅绝缘层65上延伸。
[0071]通过使用栅电极70作为注入掩膜，杂质可以注入半导体图案60内，使得可以在半导体图案60中形成源区75和漏区80。通过控制离子注入工艺的离子注入能量，穿过栅电极70的杂质可以注入半导体图案60的侧向部分内。这里，半导体图案60的在栅电极70下方的中央部分没有注入的杂质，使得半导体图案60的该中央部分可以担当源区75和漏区80之间的沟道区85。换句话说，可以依据源区75和漏区80的形成限定沟道区85。在一些示例实施例中，可以在栅绝缘层65的与栅电极70邻近的部分上设置掩膜(未示出)，然后可以使用该掩膜和栅电极70作为注入掩膜同时地形成源区75和漏区80。
[0072]在示例实施例中，栅电极70可以具有大致小于半导体图案60的宽度的宽度。例如，栅电极70可以具有与沟道区85的宽度大致相同或大致近似的宽度。然而，依据开关器件所需的电特性，栅电极70的尺寸和沟道区85的尺寸可以改变。
[0073]参考图7，可以在栅绝缘层65上形成绝缘夹层(interlayer)90，以覆盖栅电极70。绝缘夹层90可以沿栅电极70的轮廓大致均匀地形成在栅绝缘层65上。因此，绝缘夹层90可能具有与栅电极70邻近的阶梯形部分。绝缘夹层90可以包括硅的化合物。例如，绝缘夹层90可以使用硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物等形成。这些可以单独使用或将其混合使用。绝缘夹层90可以具有包括硅氧化物膜、硅氮化物膜、硅氮氧化物膜、硅碳氧化物膜和/或硅碳氮化物膜的单层结构或多层结构。这里，绝缘夹层90可以通过旋转涂覆工艺、化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺等获得。绝缘夹层90可以使栅电极70与继续形成的源电极95和漏电极100电绝缘。
[0074]源电极95和漏电极100可以形成在绝缘夹层90上。可以通过将栅电极70作为中心以设定或预设的距离间隔布置源电极95和漏电极100。源电极95和漏电极100每个可以与栅电极70相邻。例如，源电极95和漏电极100分别可以从绝缘夹层90的在源区75和漏区80上方的部分延伸到绝缘夹层90的在栅电极70上方的部分上。此外，源电极95和漏电极100分别可以穿过绝缘夹层90来与源区75和漏区80电接触。
[0075]在示例实施例中，可以对绝缘夹层90部分地蚀刻，以形成分别暴露源区75和漏区80的孔(未示出)。可以在绝缘夹层90上形成第二导电层(未示出)，以填满这些孔。通过将第二导电层图案化，可以在源区75和漏区80上形成源电极95和漏电极100，如图7中所示。第二导电层可以通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、真空蒸镀工艺、原子层沉积工艺、印刷工艺等形成。源电极95和漏电极100每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，源电极95和漏电极100每个可以使用铝、含铝的合金、铝氮化物、银、含银的合金、钨、钨氮化物、铜、含铜的合金、镍、铬、铬氮化物、钼、含钼的合金、钛、钛氮化物、铂、钽、钽氮化物、钕(Nd)、钪(Sc)、锶钌氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟氧化物、镓氧化物、铟锌氧化物等形成。这些可以单独使用或将其组合使用。此外，源电极95和漏电极100每个可以具有可包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层结构或多层结构。
[0076]虽然未示出，但是在形成源电极95和漏电极100时，可以在绝缘夹层90上形成沿第二方向延伸的数据线。这里，第二方向可以与栅极线延伸的第一方向大致垂直。源电极95可以电连接到数据线上。
[0077]当在绝缘夹层90上形成源电极95和漏电极100时，可以在第一基板50上设置有机发光显示装置的开关器件。开关器件可以是包括半导体图案60、栅绝缘层65、栅电极70、源电极95和漏电极100的薄膜晶体管。
[0078]参考图8，可以在绝缘夹层90上形成第一保护层105，以覆盖源电极95和漏电极100。第一保护层105可以具有完全覆盖源电极95和漏电极100的足够的厚度。第一保护层105可以包括有机材料或无机材料。例如，第一保护层105可以使用光刻胶、丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物、锆氧化物等形成。这些可以单独使用或将其组合使用。根据第一保护层105中的成分，第一保护层105可以通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺等获得。在一些示例实施例中，依据继续形成的绝缘层110的成分和/或尺寸，可以不形成覆盖开关器件的第一保护层105。
[0079]参考图8和图9，可以在第一保护层105上形成具有倾斜结构120的绝缘层110。绝缘层110可以具有单层结构，或者可以具有包括两个以上绝缘膜的多层结构。在示例实施例中，绝缘层110可以包括在第一保护层105上相继形成的第一绝缘膜和第二绝缘膜。用于形成具有第一绝缘膜和第二绝缘膜的绝缘层110的工艺可以与参照图1和图2描述的用于形成第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的工艺大致相同或大致类似。此外，绝缘层110的第一绝缘膜和第二绝缘膜可以分别包括与第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的材料大致相同或大致类似的材料。
[0080]如图8和图9中所示，可以在绝缘层110上设置具有第四倾斜角Θ2的倾斜结构120。也就是说，倾斜结构120的侧壁可以具有第四倾斜角Θ2。此外，可以穿过绝缘层110和第一保护层105形成孔115，以部分地暴露漏电极100。在示例实施例中，孔115可以在在绝缘层110上形成倾斜结构120的同时形成。在一些示例实施例中，可以在在绝缘层110上形成倾斜结构120以后，穿过绝缘层110和第一保护层105形成暴露漏电极100的一部分的孔115。
[0081]绝缘层110的倾斜结构120可以通过与参照图1到图4描述的用于形成绝缘层30的倾斜结构25的工艺大致相同或大致类似的工艺形成。此外，倾斜结构120的侧壁的第四倾斜角Θ2可以与上面描述的倾斜结构25的侧壁的第三倾斜角Θ1大致相同或大致类似。例如，倾斜结构120的侧壁的第四倾斜角Θ2可以相对于与第一基板50大致平行的方向处于大约20°到大约70°范围内。
[0082]如图9中所示，可以在绝缘层110上设置具有凹陷形状的倾斜结构120。当倾斜结构120具有这种凹陷形状时，包括绝缘层110的有机发光显示装置可以具有顶部发射结构(或顶部发射方向)。换句话说，如果绝缘层110包括凹陷的倾斜结构120，那么有机发光显示装置可以具有顶部发射结构。
[0083]可以在具有倾斜结构120的绝缘层110上形成填充孔115的第一电极125。第一电极125可以与漏电极100接触，并且可以在倾斜结构120的侧壁和底部上延伸。因此，第一电极125的放置在倾斜结构120中的侧向部分可以具有与倾斜结构120的第四倾斜角Θ2大致相同或大致类似的倾斜角。例如，第一电极125在倾斜结构120中的侧向部分可以具有相对于与第一基板50(或例如与第一基板50的上表面)大致平行的轴线处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。
[0084]当有机发光显示装置具有顶部发射结构时，第一电极125可以包括反射材料。例如，第一电极125可以使用铝、银、金(Au)、铬、钨、钼、钛、钯(Pa)、铱(Ir)、它们的合金等形成。这些可以单独使用或者将其组合使用。此外，第一电极125可以具有包括上面提到的金属和/或合金的单层结构或多层结构。
[0085]在示例实施例中，可以在绝缘层110上形成第一电极层(未示出)，以填满暴露漏电极100的孔115，然后可以将第一电极层图案化，以在具有倾斜结构120的绝缘层110上设置第一电极125。这里，根据第一电极125中的成分，第一电极层可以通过溅射工艺、真空蒸镀工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、印刷工艺、原子层沉积工艺等形成。如下面描述的，第一电极125可以从有机发光显示装置的发光区延伸到该有机发光显示装置的非发光区的一部分上。
[0086]在一些示例实施例中，可以在穿过第一保护层10