源区域的第二端中；
[0152]第四杂质结区域，其被设置在介于所述第一单层栅极与所述第一选择栅极主线之间的所述有源区域中；以及
[0153]第五杂质结区域，其被设置在介于所述第二单层栅极与所述第二选择栅极主线之间的所述有源区域中。
[0154]技术方案4.如权利要求3所述的非易失性存储装置，
[0155]其中第一单层栅极和第二单层栅极是电隔离的；
[0156]其中所述选择栅极电连接至字线；
[0157]其中所述第一杂质结区域电连接至源极线；以及
[0158]其中第二杂质结区域和第三杂质结区域电连接至位线。
[0159]技术方案5.如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，所述第一至第五杂质结区域被掺杂N型杂质。
[0160]技术方案6.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括:
[0161]第一栅极绝缘层，在所述第一单层栅极与所述有源区域之间；
[0162]第二栅极绝缘层，在所述第二单层栅极与所述有源区域之间；以及
[0163]第三栅极绝缘层，在所述选择栅极与所述有源区域之间。
[0164]技术方案7.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括:
[0165]第一电介质层，在所述第一单层栅极与所述第一选择栅极主线之间；
[0166]第二电介质层，在所述第二单层栅极与所述第二选择栅极主线之间；
[0167]第三电介质层，在所述第一单层栅极与所述选择栅极延伸之间；以及
[0168]第四电介质层，在所述第二单层栅极与所述选择栅极延伸之间。
[0169]技术方案8.如权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述第三电介质层在所述第一方向上的厚度实质上等于所述第四电介质层在所述第一方向上的厚度。
[0170]技术方案9.如权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，第三电介质层和第四电介质层的每一个在所述第一方向上的厚度小于第一电介质层和第二电介质层的每一个在所述第一方向上的厚度。
[0171]技术方案10.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述选择栅极延伸部不与所述有源区域重叠，并且所述选择栅极延伸部的一端与所述有源区域相邻。
[0172]技术方案11.一种非易失性存储装置，包括:
[0173]有源区域，在第一方向上延伸；
[0174]第一单层栅极，与所述有源区域交叉并且在第二方向上延伸；
[0175]第二单层栅极，与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极在所述第一方向上间隔开，并且在所述第二方向上延伸；以及
[0176]选择栅极，包含:第一选择栅极主线和第二选择栅极主线，其与所述有源区域交叉以与第一单层栅极和第二单层栅极平行；第一选择栅极互连线，将所述第一选择栅极主线的第一端连接至所述第二选择栅极主线的第一端；第二选择栅极互连线，将所述第一选择栅极主线的第二端连接至所述第二选择栅极主线的第二端；第一选择栅极延伸部，从所述第一选择栅极互连线的一部分延伸以被设置在第一单层栅极与第二单层栅极的第一端之间；以及第二选择栅极延伸部，从所述第二选择栅极互连线的一部分延伸以被设置在第一单层栅极与第二单层栅极的第二端之间，
[0177]其中所述第一选择栅极主线处于所述第一单层栅极的与所述第二单层栅极相对的侧边；以及
[0178]其中所述第二选择栅极主线处于所述第二单层栅极的与所述第一单层栅极相对的侧边。
[0179]技术方案12.如权利要求11所述的非易失性存储装置，还包括:
[0180]第一杂质结区域，处于介于第一单层栅极与第二单层栅极之间的所述有源区域中；
[0181]第二杂质结区域，处于所述有源区域的第一端中；
[0182]第三杂质结区域，处于所述有源区域的第二端中；
[0183]第四杂质结区域，处于介于所述第一单层栅极与所述第一选择栅极主线之间的所述有源区域中；以及
[0184]第五杂质结区域，处于介于所述第二单层栅极与所述第二选择栅极主线之间的所述有源区域中。
[0185]技术方案13.如权利要求12所述的非易失性存储装置，
[0186]其中第一单层栅极和第二单层栅极是电隔离的；
[0187]其中所述选择栅极电连接至字线；
[0188]其中所述第一杂质结区域电连接至源极线；以及
[0189]其中第二杂质结区域和第三杂质结区域电连接至位线。
[0190]技术方案14.如权利要求11所述的非易失性存储装置，还包括:
[0191]第一电介质层，处于所述第一单层栅极与所述第一选择栅极主线之间；
[0192]第二电介质层，处于所述第二单层栅极与所述第二选择栅极主线之间；
[0193]第三电介质层，处于所述第一单层栅极与所述第一选择栅极延伸部之间；
[0194]第四电介质层，处于所述第二单层栅极与所述第一选择栅极延伸部之间；
[0195]第五电介质层，处于所述第一单层栅极与所述第二选择栅极延伸部之间；以及
[0196]第六电介质层，处于所述第二单层栅极与所述第二选择栅极延伸部之间。
[0197]技术方案15.如权利要求11所述的非易失性存储装置，
[0198]其中所述第一选择栅极延伸部不与所述有源区域重叠，并且所述第一选择栅极延伸部的一端与所述有源区域的与所述第二选择栅极延伸部相对的第一侧壁相邻；以及
[0199]其中所述第二选择栅极延伸部不与所述有源区域重叠，并且所述第二选择栅极延伸部的一端与所述有源区域的与所述第一选择栅极延伸部相对的第二侧壁相邻。
[0200]技术方案16.—种非易失性存储装置，包括:
[0201]有源区域，在第一方向上延伸；
[0202]第一单层栅极，与所述有源区域交叉并且在第二方向上延伸；
[0203]第二单层栅极，与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极在所述第一方向上间隔开，并且在所述第二方向上延伸；
[0204]第一选择栅极，包含:第一选择栅极主线，与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极平行；第一选择栅极延伸部，处于第一单层栅极与第二单层栅极的第一端之间；以及第一选择栅极互连线，将所述第一选择栅极主线的第一端连接至所述第一选择栅极延伸部的第一端；以及
[0205]第二选择栅极，包含:第二选择栅极主线，与所述有源区域交叉以与所述第二单层栅极平行；第二选择栅极延伸部，处于第一单层栅极与第二单层栅极的第二端之间；以及第二选择栅极互连线，将所述第二选择栅极主线的第一端连接至所述第二选择栅极延伸部的第一端，
[0206]其中所述第一选择栅极主线处于所述第一单层栅极的与所述第二单层栅极相对的侧边；以及
[0207]其中所述第二选择栅极主线处于所述第二单层栅极的与所述第一单层栅极相对的侧边。
[0208]技术方案17.如权利要求16所述的非易失性存储装置，还包括:
[0209]第一杂质结区域，处于介于第一单层栅极与第二单层栅极之间的所述有源区域中；
[0210]第二杂质结区域，处于所述有源区域的第一端中；
[0211]第三杂质结区域，处于所述有源区域的第二端中；
[0212]第四杂质结区域，处于介于所述第一单层栅极与所述第一选择栅极主线之间的所述有源区域中；以及
[0213]第五杂质结区域，处于介于所述第二单层栅极与所述第二选择栅极主线之间的所述有源区域中。
[0214]技术方案18.如权利要求17所述的非易失性存储装置，
[0215]其中第一单层栅极与第二单层栅极是电隔离的；
[0216]其中所述第一选择栅极电连接至第一字线；
[0217]其中所述第二选择栅极电连接至第二字线；
[0218]其中所述第一杂质结区域电连接至源极线；以及
[0219]其中第二杂质结区域和第三杂质结区域电连接至位线。
[0220]技术方案19.如权利要求16所述的非易失性存储装置，还包括:
[0221]第一电介质层，处于所述第一单层栅极与所述第一选择栅极主线之间；
[0222]第二电介质层，处于所述第二单层栅极与所述第二选择栅极主线之间；
[0223]第三电介质层，处于所述第一单层栅极与所述第一选择栅极延伸部之间；
[0224]第四电介质层，处于所述第二单层栅极与所述第一选择栅极延伸部之间；
[0225]第五电介质层，处于所述第一单层栅极与所述第二选择栅极延伸部之间；以及
[0226]第六电介质层，处于所述第二单层栅极与所述第二选择栅极延伸部之间。
[0227]技术方案20.如权利要求16所述的非易失性存储装置，
[0228]其中所述第一选择栅极延伸部不与所述有源区域重叠，并且所述第一选择栅极延伸部的第二端与所述有源区域的与所述第二选择栅极延伸部相对的第一侧壁相邻；以及
[0229]其中所述第二选择栅极延伸部不与所述有源区域重叠，并且所述第二选择栅极延伸部的第二端与所述有源区域的与所述第一选择栅极延伸部相对的第二侧壁相邻。
【主权项】
1.一种非易失性存储装置，包括: 有源区域，在第一方向上延伸； 第一单层栅极，与所述有源区域交叉并且在第二方向上延伸； 第二单层栅极，与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极在所述第一方向上间隔开，并且在所述第二方向上延伸；以及 选择栅极，包含:第一选择栅极主线和第二选择栅极主线，其与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极和第二单层栅极平行；选择栅极互连线，其将所述第一选择栅极主线的第一端连接至所述第二选择栅极主线的第一端；以及选择栅极延伸部，其从所述选择栅极互连线的一部分延伸以被设置在第一单层栅极和第二单层栅极的第一端之间， 其中所述第一选择栅极主线处于所述第一单层栅极的与所述第二单层栅极相对的侧边；以及 其中所述第二选择栅极主线处于所述第二单层栅极的与所述第一单层栅极相对的侧边。2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第二方向是实质上与所述第一方向垂直。3.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括: 第一杂质结区域，其被设置在介于第一单层栅极与第二单层栅极之间的所述有源区域中； 第二杂质结区域，其被设置在所述有源区域的第一端中； 第三杂质结区域，其被设置在所述有源区域的第二端中； 第四杂质结区域，其被设置在介于所述第一单层栅极与所述第一选择栅极主线之间的所述有源区域中；以及 第五杂质结区域，其被设置在介于所述第二单层栅极与所述第二选择栅极主线之间的所述有源区域中。4.如权利要求3所述的非易失性存储装置， 其中第一单层栅极和第二单层栅极是电隔离的； 其中所述选择栅极电连接至字线； 其中所述第一杂质结区域电连接至源极线；以及 其中第二杂质结区域和第三杂质结区域电连接至位线。5.如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，所述第一至第五杂质结区域被掺杂N型杂质。6.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括: 第一栅极绝缘层，在所述第一单层栅极与所述有源区域之间； 第二栅极绝缘层，在所述第二单层栅极与所述有源区域之间；以及 第三栅极绝缘层，在所述选择栅极与所述有源区域之间。7.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括: 第一电介质层，在所述第一单层栅极与所述第一选择栅极主线之间； 第二电介质层，在所述第二单层栅极与所述第二选择栅极主线之间； 第三电介质层，在所述第一单层栅极与所述选择栅极延伸之间；以及 第四电介质层，在所述第二单层栅极与所述选择栅极延伸之间。8.如权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述第三电介质层在所述第一方向上的厚度实质上等于所述第四电介质层在所述第一方向上的厚度。9.一种非易失性存储装置，包括: 有源区域，在第一方向上延伸； 第一单层栅极，与所述有源区域交叉并且在第二方向上延伸； 第二单层栅极，与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极在所述第一方向上间隔开，并且在所述第二方向上延伸；以及 选择栅极，包含:第一选择栅极主线和第二选择栅极主线，其与所述有源区域交叉以与第一单层栅极和第二单层栅极平行；第一选择栅极互连线，将所述第一选择栅极主线的第一端连接至所述第二选择栅极主线的第一端；第二选择栅极互连线，将所述第一选择栅极主线的第二端连接至所述第二选择栅极主线的第二端；第一选择栅极延伸部，从所述第一选择栅极互连线的一部分延伸以被设置在第一单层栅极与第二单层栅极的第一端之间；以及第二选择栅极延伸部，从所述第二选择栅极互连线的一部分延伸以被设置在第一单层栅极与第二单层栅极的第二端之间， 其中所述第一选择栅极主线处于所述第一单层栅极的与所述第二单层栅极相对的侧边；以及 其中所述第二选择栅极主线处于所述第二单层栅极的与所述第一单层栅极相对的侧边。10.一种非易失性存储装置，包括: 有源区域，在第一方向上延伸； 第一单层栅极，与所述有源区域交叉并且在第二方向上延伸； 第二单层栅极，与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极在所述第一方向上间隔开，并且在所述第二方向上延伸； 第一选择栅极，包含:第一选择栅极主线，与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极平行；第一选择栅极延伸部，处于第一单层栅极与第二单层栅极的第一端之间；以及第一选择栅极互连线，将所述第一选择栅极主线的第一端连接至所述第一选择栅极延伸部的第一端；以及 第二选择栅极，包含:第二选择栅极主线，与所述有源区域交叉以与所述第二单层栅极平行；第二选择栅极延伸部，处于第一单层栅极与第二单层栅极的第二端之间；以及第二选择栅极互连线，将所述第二选择栅极主线的第一端连接至所述第二选择栅极延伸部的第一端， 其中所述第一选择栅极主线处于所述第一单层栅极的与所述第二单层栅极相对的侧边；以及 其中所述第二选择栅极主线处于所述第二单层栅极的与所述第一单层栅极相对的侧边。
【专利摘要】一种非易失性存储装置包括：有源区域，在第一方向上延伸；第一单层栅极，与所述有源区域交叉并且在第二方向上延伸；第二单层栅极，与所述有源区域交叉并且在所述第二方向上延伸；以及选择栅极，与所述有源区域交叉。所述选择栅极包含：第一选择栅极主线和第二选择栅极主线，其与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极和第二单层栅极平行；选择栅极互连线，将所述第一选择栅极主线的第一端连接至所述第二选择栅极主线的第一端；以及选择栅极延伸部，其从所述选择栅极互连线的一部分延伸以被设置在所述第一单层栅极和第二单层栅极的第一端之间。
【IPC分类】H01L27/115
【公开号】CN105575970
【申请号】CN201510552805
【发明人】金正勋, 朴圣根, 金南润
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年9月1日
【公告号】US20160126247