240s的延长线EL2与第三电容器结构220之间的距离wl可以不同于第三端子焊盘340的侧壁340s的延长线EL3与第四电容器结构320之间的距离w2。
[0208]更具体地，第二端子焊盘240的侧壁240s的延长线EL2与第三电容器结构220之间的距离wl可以大于第三端子焊盘340的侧壁340s的延长线EL3与第四电容器结构320之间的距离w2。
[0209]在图7至图9中，当假定电容器结构与端子焊盘完全交叠时，热机械应力的最大值可以从半导体芯片21的边缘朝向中心逐渐减小并收敛。
[0210]随着端子焊盘的侧壁的延长线与电容器结构之间的距离增大，施加到电容器结构的热机械应力可以减小并收敛。
[0211]因此，在图7的半导体芯片21中，端子焊盘的侧壁的延长线与电容器结构之间的距离根据端子焊盘的位置来控制以使施加到半导体器件7中包括的电容器结构的热机械应力收敛为设定(或预定)值。
[0212]参照图13，将描述根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件。为了容易描述，将主要描述与参照图7至图9的描述的差异。
[0213]图13是包括根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件的半导体芯片的示意平面图。仅供参考，沿图13的线B-B和C-C截取的截面图可以类似于图9的截面图。
[0214]参照图13，根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件8还可以包括多个电容器结构 220、320、420 和 425。
[0215]在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件8中，第三电容器结构220和第四电容器结构320可以彼此连接。也就是，第三电容器结构220和第四电容器结构320可以是具有相同电容的电容器。
[0216]第三上电极223和第四上电极323可以直接连接到彼此，第三电容器绝缘层222和第四电容器绝缘层322可以直接连接到彼此，第三下电极221和第四下电极321可以直接连接到彼此。
[0217]也就是，在端子焊盘的外缘下面的电容器结构的形状可以根据形成在相同的电容器结构220和320上的第二端子焊盘240和第三端子焊盘340的位置而变化。例如，其中没有设置第二电容器结构220的区域存在于第二端子焊盘240的外缘下面，但是第三电容器结构320可以设置在第三端子焊盘340的外缘下面。
[0218]图14是包括根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件的存储卡的方框图。
[0219]参照图14，存储器1210可以用于存储卡1200中，存储器1210包括根据本发明构思的各个示例实施方式的半导体器件。存储卡1200可以包括控制主机1230与存储器1210之间的数据交换的存储器控制器1220。SRAM1221可以用作中央处理器1222的运行存储器。主机接口 1223可以包括用于主机1230以通过访问存储卡1200来交换数据的协议。误差校正码1224可以检测并校正从存储器1210读取的数据的错误。存储器接口 1225可以作为与存储器1210的接口。中央处理器1222可以执行与存储器控制器1220的数据交换有关的整个控制操作。
[0220]图15是使用根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件的信息处理系统的方框图。
[0221]参照图15，信息处理系统1300可以包括存储系统1310，该存储系统1310包括根据本发明构思的各个示例实施方式的半导体器件。信息处理系统1300可以包括与系统总线1360电连接的存储系统1310、调制解调器1320、中央处理器1330、RAM 1340和用户接口1350。存储系统1310可以包括存储器1311和存储器控制器1312，并可以具有与图14中示出的存储卡基本上相同的构造。通过中央处理器1330处理的数据或从外部设备接收的数据可以存储在存储系统1310中。信息处理系统1300可以应用于存储卡、SSD、照相机图像传感器和各种其他芯片组。例如，存储系统1310可以配置为采用SSD，在此情况下，信息处理系统1300可以稳定且可靠地处理大容量的数据。
[0222]图16是包括根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件的电子装置的方框图。
[0223]参照图16，电子装置1400可以包括根据本发明构思的各个示例实施方式的半导体器件。电子装置1400可以用于无线通信装置(例如，PDA、笔记本、便携式计算机、网络平板、无线电话和/或无线数字音乐播放器)或在无线通信环境下发送和接收信息的各种装置。
[0224]电子装置1400可以包括控制器1410、输入/输出器件1420、存储器1430和无线接口 1440。这里，存储器1430可以包括根据本发明构思的各个示例实施方式制造的半导体器件。控制器1410可以包括微处理器、数字信号处理器或与其类似的处理器。存储器1430可以用于存储通过控制器1410处理的命令(可选地，用户数据)。无线接口 1440可以用于通过无线数据网络发送和接收数据。无线接口 1440可以包括天线和/或无线收发器。电子装置1400可以使用包括CDMA、GSM、NADC、E-TDMA、WCDMA和CDMA 2000的第三代通信系统协议。
[0225]根据示例实施方式，提供了通过控制M頂电容器的形状以及M頂电容器与端子焊盘之间的位置关系来增强M頂电容器的可靠性的半导体器件。通过使M頂电容器与端子焊盘分开，减少或防止MIM电容器的故障。
[0226]以上是对本发明构思的示范实施方式的说明，而不应被解释为对其进行限制。虽然已经描述了本发明构思的几个示例实施方式，但是本领域技术人员将容易理解，许多变形在示例实施方式中是可以的，而没有实质上脱离本发明构思的教导和优点。因此，所有这样的变形旨在被包括在本发明构思的如权利要求所限定的范围内。因此，将理解，以上是对本发明构思的说明而不应被解释为限于所公开的具体示例实施方式，对所公开的示例实施方式以及其他的示例实施方式的变形旨在被包括在权利要求书的范围内。本发明构思的示例实施方式由权利要求书以及包括在其中的权利要求书的等同物限定。
[0227]本申请要求于2014年11月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2014-0154464的优先权，其内容通过引用整体结合于此。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 在基板上的层间绝缘层； 第一电容器结构，在所述层间绝缘层中，其中所述第一电容器结构包括至少一个第一叠层，所述至少一个第一叠层包括顺序地在所述基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极；以及 导电层，包括在所述层间绝缘层上的端子焊盘，所述端子焊盘不与所述第一电容器结构交叠。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述端子焊盘的侧壁与所述第一电容器结构分开一距离， 该距离为从自所述侧壁向下延伸的第一线到所述第一电容器结构。3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括: 第二电容器结构，在所述层间绝缘层中， 其中所述第二电容器结构包括至少一个第二叠层，所述至少一个第二叠层包括顺序地在所述基板上的第二下电极、第二电容器绝缘层和第二上电极， 所述第二电容器结构的至少一部分与所述端子焊盘交叠，并且 所述第一上电极和所述第二上电极彼此分开。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中从所述基板到所述第一电容器结构的第一高度与从所述基板到所述第二电容器结构的第二高度相同。5.如权利要求3所述的半导体器件，其中整个所述第二电容器结构与所述端子焊盘交置。6.如权利要求5所述的半导体器件，还包括: 布线结构，在所述层间绝缘层中， 其中所述第一电容器结构和所述第二电容器结构电连接到所述布线结构。7.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述端子焊盘的长度实质上等于所述第二电容器结构的长度，并且 所述第二电容器结构与所述端子焊盘交叠。8.一种半导体器件，包括: 第一端子焊盘，在基板的表面上； 第二端子焊盘，在所述基板的所述表面上，其中所述第二端子焊盘比所述第一端子焊盘更远离所述基板的边缘； 第一电容器结构，在所述第一端子焊盘的外缘下面，其中所述第一电容器结构的端部在水平方向上与所述第一端子焊盘的端部分开；以及第二电容器结构，在所述第二端子焊盘下面。9.如权利要求8所述的半导体器件，其中整个所述第二端子焊盘与所述第二电容器结构交叠。10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一电容器结构和所述第二电容器结构被排除在所述第一端子焊盘和所述基板之间的区域之外。11.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二电容器结构与所述第二端子焊盘交叠，并且 所述第二电容器结构在所述第二端子焊盘和所述基板之间。12.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二电容器结构在所述第二端子焊盘的外缘下面， 所述第二电容器结构的端部在水平方向上与所述第二端子焊盘的端部分开， 所述第一端子焊盘的侧壁与所述第一电容器结构间隔开第一距离， 所述第一距离为从自所述第一端子焊盘的侧壁向下延伸的第一线到所述第一电容器结构， 所述第二端子焊盘的侧壁与所述第二电容器结构间隔开第二距离， 所述第二距离为从自所述第二端子焊盘的侧壁向下延伸的第二线到所述第二电容器结构，并且 所述第一距离不同于所述第二距离。13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一距离大于所述第二距离。14.如权利要求8所述的半导体器件，其中，从平面图视角，所述第一电容器结构和所述第二电容器结构被排除在所述第一端子焊盘和所述第一电容器结构之间的区域之外。15.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一电容器结构包括至少一个第一叠层，所述至少一个第一叠层包括顺序地在所述基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极，并且 所述第二电容器结构包括至少一个第二叠层，所述至少一个第二叠层包括顺序地在所述基板上的第二下电极、第二电容器绝缘层和第二上电极。16.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述第一下电极和所述第二下电极直接连接到彼此， 所述第一电容器绝缘层和所述第二电容器绝缘层直接连接到彼此，并且 所述第一上电极和所述第二上电极直接连接到彼此。17.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述基板包括第一区和第二区， 所述第一区围绕所述第二区的外缘，并且 所述第一端子焊盘在所述第一区中，所述第二端子焊盘在所述第二区中。18.一种半导体器件，包括: 在基板上的层间绝缘层； 端子焊盘，在所述层间绝缘层上；和 第一电容器结构，在所述层间绝缘层内并在所述基板的第一区上，所述第一区在水平方向上与所述端子焊盘的外缘间隔开。19.如权利要求18所述的半导体器件，其中所述端子焊盘的相反端部在所述水平方向上延伸使得所述第一电容器结构的最近的端部被暴露。20.如权利要求18所述的半导体器件，还包括: 多个电容器结构，包括所述第一电容器结构， 其中所述多个电容器结构在所述基板的不同于所述端子焊盘的区域上。
【专利摘要】本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：在基板上的层间绝缘层；第一电容器结构，在层间绝缘层中；以及导电层，包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层，该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。
【IPC分类】H01L23/64, H01L23/522
【公开号】CN105590924
【申请号】CN201510750308
【发明人】全炫锡, 朴钟宇, 朴哲镛, 尹贞元
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年11月6日
【公告号】US20160133688