明导电氧化物(TCO)的透明导电材料的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成。然而，本实施方式不限于此。
[0148]第二电极204是供应电子的阴极，并且可以由作为金属材料的金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)或镁(Mg)形成，或者可以由其合金形成。然而，本实施方式不限于此。
[0149]第一电极202和第二电极204中的每一个可以被称为阳极或阴极。并且，第一电极202可以被称为半透射电极，而第二电极204可以被称为反射电极。另选地，第一电极202可以被称为反射电极，并且第二电极204可以被称为半透射电极。
[0150]这里，将描述第一电极202为半透射电极而第二电极204为反射电极的底部发射型。
[0151]第一发光部210可以包括位于第一电极202上的第一 HTL 212、第一 EML 214和第一ETL 216ο
[0152]还可以在第一电极202上设置HIL。HIL使得从第一电极202供应的空穴能够被平滑地注入。HIL可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。
[0153]第一 HTL 212可以向第一 EML 214供应从HIL供应的空穴。第一 ETL 216可以向第一 EML 214供应从第二电极204供应的电子。因此，可以使通过第一 HTL 212供应的空穴以及通过第一 ETL 216供应的电子复合以在第一 EML 214中产生激子。产生激子的区域(或区)可以被称为复合区或发射区域(发射区)。
[0154]第一 HTL 212可以由一个或更多个层或一种或更多种材料形成。第一 HTL 212可以由 N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二(苯基)_2，2’-二甲基联苯胺(NPD)、N，N’-二-(3-甲基苯基)-N，N’_ 二-(苯基)-联苯胺(TPD)、2，2，，7，7’ -四(N，N-二苯胺)-9，9’ -螺芴(s-TAD)和4，4’，4〃-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)中的一种或更多种形成，但不限于此。
[0155]HIL可以由4，4’，4〃-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、酞菁铜(CuPc)、聚(3，4- 二氧乙基噻吩、聚磺苯乙烯(PED0T/PSS)和/或类似物形成，但不限于此。
[0156]第一 ETL 216可以由一个或更多个层或一种或更多种材料形成。第一 ETL 216可以由2-(4-联苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3, 4-恶二唑(PBD)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2，4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基酚氧)铝(BAlq)、8_羟基喹啉-锂(Liq)、2，2’，2”-(1，3，5-苯精三基)_三(1-苯基-1-H-苯并咪唑(TPBi)、5，5’ - 二(二甲基氧硼基)-2，2，: 5，，2，，-三联噻吩(BMB-3T)、全氟代-2-萘-取代(PF-6P)、2，2’，2”-(1，3，5-苯精三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)和环辛四烯(COT)中的一种或更多种形成，但不限于此。EIL还可以形成在第一 ETL 216上。EIL使得从第二电极204供应的电子能够被平滑地注入到第一 ETL 216中。EIL可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。
[0157]HBL还可以形成在第一 EML 214上。HBL防止被注入到第一 EML 214中的空穴被传递至第一 ETL 216，进而增强电子和空穴在第一 EML 214中的结合，从而增强第一 EML 214的发射效率。可以将第一 ETL 216和HBL设置为一个层。
[0158]EBL还可以形成在第一 EML 214下方。EBL防止被注入到第一 EML 214中的电子被传递至第一 HTL 212，进而增强电子和空穴在第一 EML 214中的结合，从而增强第一 EML214的发射效率。可以将第一 HTL 212和EBL设置为一个层。
[0159]第一 EML 214可以被形成为蓝色发光层、深蓝色发光层和天蓝色发光层中的一个。从第一发光部210发射的光的峰值波长“ Amax”可以在从440nm至480nm的范围内。
[0160]第一 EML 214的主体可以由单一材料形成或者可以是包括混合材料的混合主体。混合主体可以包括空穴型主体和电子型主体。例如，构成第一 EML 214的主体可以是 4，4’ 二(咔唑-9-基)联苯(CBP)、1，3- 二(咔唑-9-基)苯(MCP)、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’-二(苯基)_2，2’-二甲基联苯胺(NPD)、2，2’，7，7’-四(2，2-二苯基乙烯基)_螺环_9，9，- 二芴(spiro-DPVBi)、螺二芴(spiro_6P)、联苯乙烯-苯(DSB)、联苯乙烯亚芳基类(DSA)、基于聚芴(PFO)的聚合物和基于聚对苯乙烯(PPV)的聚合物当中的一种，或者可以通过混合其两种或更多种材料来选择，但不限于此。
[0161]而且，构成第一 EML 214的掺杂剂可以包括基于嵌二萘的(pyrene_based)的材料。更具体地，掺杂剂可以包括用基于芳基胺的化合物取代的基于嵌二萘的化合物。
[0162]第一HTL 212、第一 EML 214、第一 ETL 216、HIL、EIL、空穴阻挡层(HBL)和电子阻挡层(EBL)可以各自被称为有机层。因此，至少一个有机层可以形成在基板201与第一 EML214之间。也就是说，作为至少一个有机层的第一有机层可以形成在基板201与第一 EML214之间。第一有机层可以包括第一 HTL 212、HIL和EBL中的至少一个。
[0163]第二发光部220可以位于第一发光部210上，并且可以包括第二 HTL 222、第二EML 224 和第二 ETL 226。
[0164]第二 HTL 222可以由与第一 HTL 212的材料相同的材料形成，但不限于此。第二HTL 222可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。并且，HIL还可以形成在第二HTL 222下方。HIL可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。
[0165]第二 ETL 226可以由与第一 ETL 116的材料相同的材料形成，但不限于此。第二ETL 226可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。并且，EIL还可以形成在第二ETL 226下方。EIL可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。
[0166]EBL还可以形成在第二 EML 224下方。并且，第二 HTL 222和EBL可以各自由一个层形成。
[0167]HBL还可以形成在第二 EML 224下方。并且，第二 ETL 226和HBL可以各自由一个层形成。
[0168]可以使通过第二 HTL 222供应的空穴以及通过第二 ETL 226供应的电子复合以在第二 EML 224中产生激子。产生激子的区域(或区)可以被称为复合区或发射区域(发射区)。
[0169]可以将第二发光部220的第二 EML 224形成为黄绿色发光层或绿色发光层。从第二发光部220发射的光的峰值波长可以在从510nm至590nm的范围内。
[0170]第二 EML 224的主体可以包括单一材料或者可以是具有混合材料的混合主体。混合主体可以包括空穴型主体和电子型主体。例如，构成第二 EML 224的主体可以由4，4，，4，，-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' -二 (咔唑-9-基)联苯(CBP)、二 (2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-苯基酚氧)铝(BAlq)和聚对苯乙烯(PPV)中的一种材料形成，但不限于此。构成第二 EML 224的掺杂剂可以由基于铱的化合物形成，但不限于此。
[0171]另选地，第二发光部220的第二 EML 224可以由黄绿色发光层和红色发光层的两个层形成。在这种情况下，从第二发光部220发射的光的峰值波长“ Amax”可以在从510nm至650nm的范围内。另选地，第二 EML 224可以由黄绿色发光层和绿色发光层的两个层形成。在这种情况下，从第二发光部220发射的光的峰值波长“ λ max”可以在从510nm至590nm的范围内。
[0172]第一电荷产生层(CGL) 240还可以形成在第一发光部210与第二发光部220之间。第一 CGL 240可以调节第一发光部210与第二发光部220之间的电荷的平衡。第一 CGL 240可以包括第一 N型CGL和第一 P型CGL。第一 N型CGL可以将电子注入到第一发光部210中。第一 P型CGL可以将空穴注入到第二发光部220中。
[0173]可以将第一 N型CGL形成为上面掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)的碱金属或诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)的碱土金属的有机层，但不限于此。
[0174]可以将第一 P型CGL形成为包括P型掺杂剂的有机层，但不限于此。
[0175]而且，第一 CGL 240可以由单层形成。
[0176]第二HTL 220、第二 EML 224、第二 ETL 226、第二 ETL 226、第一 CGL 240、HIL、EIL、HBL和EBL可以各自被称为有机层。因此，至少一个有机层可以形成在第一 EML 214与第二EML 224之间。也就是说，作为至少一个有机层的第二有机层可以形成在第一 EML 214与第二 EML 224之间。第二有机层可以包括第一 ETL 216、第一 CGL 240、第二 HTL 222,HIL,EIL、HBL和EBL中的至少一个。
[0177]第三发光部230可以位于第二发光部220上，并且可以包括第三HTL 232、第三EML 234 和第三 ETL 236。
[0178]HIL还可以形成在第三HTL 232下方。HIL可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。
[0179]第三HTL 232 可以由 N，N’ -二(萘-1-基)-N，N’ -二(苯基)_2，2’ -二甲基联苯胺(NPD)、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’ - 二(苯基)-联苯胺(NPB)和/或类似物形成，但不限于此。并且，第三HTL 232可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。
[0180]EIL还可以形成在第三ETL 236上。EIL可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。
[0181]第三ETL 236可以由与第一 ETL 216的材料相同的材料形成，但不限于此。第三ETL 236可以由两个或更多个层或两种或更多种材料形成。
[0182]EBL还可以形成在第三EML 234下方。并且，第三HTL 232和EBL可以各自由一个层形成。
[0183]HBL还可以形成在第三EML 234上。并且，第三ETL 236和HBL可以各自由一个层形成。
[0184]可以使通过第三HTL 232供应的空穴以及通过第三ETL 236供应的电子复合以在第三EML 234中产生激子。产生激子的区域(或区)可以被称为复合区或发射区域(发射区)。
[0185]可以将第三发光部230的第三EML 234形成为蓝色发光层、深蓝色发光层和天蓝色发光层中的一个。从第三发光部230发射的光的峰值波长可以在从440nm至480nm的范围内。
[0186]第三EML 234的主体可以由单一材料形成或者可以是包括混合材料的混合主体。混合主体可以包括空穴型主体和电子型主体。例如，构成第三EML 234的主体可以是 4，4’ 二(咔唑-9-基)联苯(CBP)、1，3- 二(咔唑-9-基)苯(MCP)、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’-二(苯基)_2，2’-二甲基联苯胺(NPD)、2，2’，7，7’-四(2，2-二苯基乙烯基)_螺环_9，9，- 二芴(spiro-DPVBi)、螺二芴(spiro_6P)、联苯乙烯-苯(DSB)、联苯乙烯亚芳基类(DSA)、基于聚芴(PFO)的聚合物和基于聚对苯乙烯(PPV)的聚合物当中的一种，或者可以通过混合其两种或更多种材料来选择，但不限于此。
[0187]而且，构成第三EML 234的掺杂剂可以包括基于嵌二萘的材料。更具体地，掺杂剂可以包括用基于芳基胺的化合物取代的基于嵌二萘的化合物。
[0188]第二 CGL 250还可以形成在第二发光部220与第三发光部230之间。第二 CGL250可以调节第二发光部220与第三发光部230之间的电荷的平衡。第二 CGL 250可以包括第二N型CGL和第二 P型CGL。
[0189]第二 N型CGL可以将电子注入到第二发光部220中。第二 P型CGL可以将空穴注入到第三发光部230中。
[0190]可以将第二 N型CGL形成为上面掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)的碱金属或诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)的碱土金属的有机层，但不限于此。
[0191]可以将第二 P型CGL形成为包括P型掺杂剂的有机层，但不限于此。第一 CGL240可以由与第二 CGL 250的第二 N型CGL和第二 P型CGL的材料相同的材料形成，但不限于此。并且，第二 CGL 250可以由单层形成。
[0192]第三HTL 232、第三 EML 234、第三 ETL 236、第三 CGL 250、HIL、EIL、HBL 和 EBL 可以各自被称为有机层。因此，作为至少一个有机层的第三有机层可以形成在第二 EML 224与第三EML 234之间。也就是说，作为至少一个有机层的第三有机层可以形成在第二 EML224与第三EML 234之间。第三有机层可以包括第二 ETL226、第二 CGL 250、第三HTL 232、HIL、EIL、HBL和EBL中的至少一个。
[0193]而且，至少一个有机层可以形成在第三EML 234与第二电极204之间。也就是说，作为至少一个有机层的第四有机层可以形成在第三EML 234与第二电极204之间。第四有机层可以包括第三ETL 236、EIL和HBL中的至少一个。
[0194]在图13中，T11、T12、T13和T14指代第一电极202和至少一个有机层的厚度，而TlO指代基板201与第二电极204之间的厚度，即，第一电极202以及位于基板201与第二电极204之间的多个有机层的总厚度。第一厚度Tll可以被称为基板201与第一 EML 214之间的厚度，第二厚度Τ12可以被称为第一 EML 214与第二 EML 224之间的厚度，并且第三厚度Τ13可以被称为第二 EML 224与第三EML 234之间的厚度。并且，第一厚度Tll可以表示第一发光部210的第一发光层214和基板201之间的距离，即，基板201的上表面和第一发光层214的下表面之间的距离。同样地，第二厚度Τ12可以表示第一发光部210的第一发光层214和第二发光部220的第二发光层224之间