二基板之间压合为一体，形成双层上盖基板结构。
[0043]所述粘胶层101的材料可以为聚合物材料，例如可以是环氧树脂、聚酰亚胺树脂、
苯并环丁烯树脂、聚苯并恶唑树脂、聚对苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚烯烃、聚氨酯、聚烯烃、聚醚砜、聚酰胺、聚亚氨酯、或聚乙烯醇等聚合物材料。
[0044]可以通过喷涂、旋涂或黏贴工艺形成所述粘胶层101，以在所述第一基板100的一侧表面形成厚度均匀的粘胶层101，并且使所述粘胶层101的表面平整。
[0045]为了便于后续工艺中，将第一基板100和第二基板压合形成双层上盖基板，并在封装完成之后，能够顺利将第一基板100从第二基板上剥离，所述粘胶层101的材料可以是热分解型粘胶层。后续对所述粘胶层101进行加热处理，能够使粘胶层101的材料发生分解，使的所述粘胶层101的粘性消失，从而使第一基板101脱落。
[0046]请参考图6，将所述第一基板100的任一表面和第二基板200的第一表面200a通过粘胶层101粘接。
[0047]本实施例中，将第二基板200的第一表面200a与第一基板100表面上的粘胶层101压合，从而使得所述第一基板100和第二基板200压合为一体，构成双层结构的上盖基板。并且，由于所述第一基板100和第二基板200之间通过粘胶层101粘接，后续也容易将所述第一基板100与第二基板200分开。
[0048]将所述第一基板100和第二基板200压合为一体，形成双层结构的上盖基板，使所述上盖基板具有足够的厚度，能够满足后续封装制程中对于上盖基板的厚度和强度要求。
[0049]在本实用新型的其他实施例中，也可以在第二基板200的第一表面200a上形成粘胶层101之后，再与第一基板100的任一表面进行压合，使所述第一基板100和第二基板200通过粘胶层101粘接，形成双层结构的上盖基板。
[0050]在本实用新型的另一个实施例中，还提供另一种将所述第二基板与第一基板通过粘胶层粘接，形成双层上盖基板的方法，包括:在第一基板100 (请参考图3)的任一表面形成第一粘胶层，在第二基板200 (请参考图4)的第一表面200a (请参考图4)上形成第二粘胶层，或者在第一基板100任一表面形成第二粘胶层，在第二基板200的第一表面200a上形成第一粘胶层；然后将所述第一基板100和第二基板200通过所述第一粘胶层、第二粘胶层压合，所述第一粘胶层和第二粘胶层构成粘接第一基板100和第二基板200的粘胶层。
[0051]所述第一粘胶层和第二粘胶层的材料可以为聚合物材料，例如可以是环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、聚苯并恶唑树脂、聚对苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚烯烃、聚氨酯、聚烯烃、聚醚砜、聚酰胺、聚亚氨酯、或聚乙烯醇等聚合物材料。可以通过喷涂、旋涂或黏贴工艺形成所述第一粘胶层和第二粘胶层。
[0052]为了便于后续将第一基板100、第二基板200分离，所述粘胶层中的第一粘胶层可以采用激光照射分解型粘胶层，而所述第二粘胶层可以采用任意具有粘性的聚合物材料。后续通过激光照射使所述第一粘胶层发生分解从而失去粘性，使第一基板100、第二基板200分离。
[0053]所述第一粘胶层的厚度越大，后续采用激光照射分解法对粘胶层进行处理时需要的激光功率就越大，激光照射产生的热量越高，使得分解效率较低，并且过高的热量容易对粘胶层两侧的第一基板和第二基板性能受到影响，为了避免上述问题，可以采用厚度较低的第一粘胶层，例如使所述第一粘胶层的厚度小于3微米，具体的，所述第一粘胶层的厚度可以是0.2微米?0.9微米，或1.1微米?2微米。
[0054]所述第一粘胶层的厚度较低时，粘性也较低，从而需要再形成第二粘胶层，提高第一基板100与第二基板200压合后的粘胶层的总厚度，从而提高粘胶层的粘性，避免所述第一基板100、第二基板200在后续封装过程中分离。
[0055]在本实用新型的其他实施例中，所述第一粘胶层和第二粘胶层还可以都是热分解型粘胶层，后续可以通过加热分解处理，使所述第一粘胶层和第二粘胶层失去粘性。
[0056]请参考图7，在第二基板200的第二表面200b形成凹槽结构。
[0057]本实施例中，所述凹槽结构包括:所述第二基板200的第二表面200b上的空腔壁材料层201 ;位于所述空腔壁材料层201内的凹槽202。
[0058]具体的，本实施例中，形成所述凹槽结构的形成方法包括:在所述第二基板200的第二表面上形成完整的空腔壁材料层201，刻蚀所述空腔壁材料层201至第二基板200表面，在所述空腔壁材料层201内形成凹槽202。所述凹槽位置与后续提供的基底上的感应区的位置对应。所述凹槽202的深度大于后续提供的基底上的感应区内的器件高度。
[0059]本实施例中，所述空腔壁材料层201的材料为光刻胶，可以通过喷涂、旋涂或者黏贴工艺在第二基板200的第二表面200b上形成所述空腔壁材料层201，然后对所述空腔壁材料层201进行曝光、显影，形成所述凹槽202。
[0060]在本实用新型的其他实施例中，所述空腔壁材料层201的材料还可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘介质材料，通过沉积工艺形成所述空腔壁材料层201，并且对所述空腔壁材料层201进行干法刻蚀以在所述空腔壁材料层201内形成凹槽202。
[0061]在本实用新型的其他实施例中，所述凹槽结构可以包括位于所述第二基板200的第二表面200b内的凹槽。具体的，所述凹槽结构的形成方法包括:对所述第二基板200的第二表面200b进行刻蚀，在所述第二基板200内形成凹槽。可以采用干法刻蚀工艺对所述第二基板200进行刻蚀，形成所述凹槽。
[0062]请参考图8，提供基底300，所述基底300具有第一表面401和与所述第一表面401相对的第二表面402，所述基底300的第一表面401具有感应区301以及位于感应区301周围的若干焊垫302。
[0063]本实施例中，所述基底300为晶圆，包括位于第一表面401的感应区301、围绕感应区301周围的若干分立排布的焊垫302、功能区(未示出)和硅衬底。所述感应区301为光学感应区，所述焊垫302作为感应区301内的器件与外部电路连接的输入/输出端。
[0064]图8示出的是具有一个感应区的基底的剖面示意图。
[0065]在本实用新型的其他实施例中，所述基底300可以包括若干单元，每一单元对应形成有感应区301以及位于感应区301周围的若干焊垫302 ;相邻单元之间具有切割道，便于在封装完成之后，进行切割，形成多个芯片封装体。
[0066]请参考图9，将所述第二基板200的第二表面200b与基底300的第一表面401压合，所述凹槽202 (请参考图8)与基底300之间构成空腔，使所述感应区301位于所述空腔内。
[0067]本实施例中，在所述第二基板200的第二表面200b上的空腔壁材料层201表面形成粘合层与基底300进行压合，所述粘合层可以为高分子粘接材料，例如硅胶、环氧树脂、苯并环丁烯等聚合物材料，可以采用喷涂、旋涂或者黏贴工艺形成所述粘合层。所述粘合层既可以实现粘接作用，又可以起到绝缘和密封作用。
[0068]将所述第二基板200的第二表面200b与基底300的第一表面401压合，所述空腔壁材料层201、第二基板200以及基底300之间构成空腔，所述空腔位置与基底300的第一表面401上形成的感应区301相对应，使所述感应区301位于空腔内，而所述感应区301周围的焊垫302位于空腔外侧、所述基底300与空腔壁材料层201之间。
[0069]所述感应区301位于空腔内，在后续的封装过程中，受到所述第一基板100、第二基板200以及两侧的空腔壁材料层201的保护，从而避免所述感应区301受到损伤和污染。
[0070]在本实用新型的其他实施例中，所述第二基板200内具有凹槽，可以将第二基板200具有凹槽的一侧表面形成粘合层，直接与基底300的第一表面401进行压合，使得所述第二基板200与基底300之间构成空腔，使所述感应区301位于空腔内。
[0071]将所述第二基板200的第二表面200b与基底300的第一表面401压合后，对基底300的第二表面402进行封装处理。
[0072]请参考图10，为对基底300的第二表面402进行封装处理的一个实施例，该实施例的封装处理包括:
[0073]首先，对基底300的第二表面402进行减薄，使所述基底300的厚度下降，可以采用刻蚀或者化学机械研磨工艺进行所减薄，以便于后续在所述基底300内形成通孔。
[0074]然后对基底300的第二表面402进行刻蚀，在所述基底300内形成通孔，所述通孔底部暴露出焊垫302的部分表面，所述通孔用于形成连接焊垫302的金属连接结构。
[0075]在基底300的第二表面402以及通孔的侧壁表面形成绝缘层311，所述绝缘层311的材料可以是氧化硅、氮化硅等绝缘介质材料，用于使所述基底300与后续形成的金属层绝缘；再在所述绝缘层311表面形成连接焊垫302的金属层312，所述金属层312与焊垫302电连接。
[0076]在所述金属层312表面以及绝缘层311表面形成具有开口的阻焊层313，所述阻焊层313的材料为氧化硅、氮化硅等绝缘介质材料，用于保护所述金属层312，所述开口暴露出部分金属层312表面，便于后续在所述金属层312表面形成焊点。
[0077]然后在所述金属层312表面形成外接凸起314，所述外接凸起314可以为焊球、金属柱等连接结构，可以采用铜、铝、金、锡或铅等金属材料。
[0078]请参考图11，为对基底300的第二表面402进行封装处理的另一个实施例，所述封装处理包括:对基底3