电路板结构及其制造方法与流程

文档序号:23475378发布日期:2020-12-29 13:30阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电路板结构,包括:

一缓冲层;

一第一互连结构,设置于该缓冲层的一第一侧;

一第二互连结构,设置于该缓冲层的一第二侧,其中该第二侧与该第一侧相反;以及

一可挠式互连结构,设置于该缓冲层和该第一互连结构之间且延伸至该缓冲层和该第二互连结构之间。

2.如权利要求1所述的电路板结构,其中该缓冲层包括介电材料。

3.如权利要求1所述的电路板结构,其中该第一互连结构和该第二互连结构包括相同的材料。

4.如权利要求1所述的电路板结构,其中该可挠式互连结构包括:

一可挠式介电层;

一第一导电结构,设置于该可挠式介电层中且位于该缓冲层的该第一侧;以及

一第二导电结构,设置于该可挠式介电层中且位于该缓冲层的该第二侧。

5.如权利要求4所述的电路板结构,其中该第一导电结构与该第一互连结构电性连接,且该第二导电结构与该第二互连结构电性连接。

6.如权利要求4所述的电路板结构,其中该第一导电结构的一部分和该第二导电结构的一部分位于该缓冲层内。

7.如权利要求4所述的电路板结构,其中该可挠式介电层包括不含玻璃纤维的树脂。

8.如权利要求4所述的电路板结构,其中该第一导电结构和该第二导电结构具有一突出部延伸至该缓冲层的一第三侧,且该第三侧位于该第一侧和该第二侧之间。

9.如权利要求8所述的电路板结构,还包括一金属层设置于该可挠式互连结构上且位于该缓冲层的该第三侧,其中该金属层电性连接该第一导电结构和该第二导电结构。

10.一种电路板结构的制造方法,包括:

在一可挠式互连结构的一第一表面上形成一第一互连结构和一第二互连结构,其中该第一互连结构和该第二互连结构之间具有一沟槽;

在该可挠式互连结构的一第二表面上形成一缓冲层,其中该可挠式互连结构位于该缓冲层的一第一侧;以及

折叠该可挠式互连结构,使得该可挠式互连结构覆盖该缓冲层的一第二侧和一第三侧,其中该第二侧相反于该第一侧且该第三侧位于该第一侧和该第二侧之间,且在折叠该可挠式互连结构之后,该第一互连结构位于该缓冲层的该第一侧且该第二互连结构位于该缓冲层的该第二侧。

11.如权利要求10所述的电路板结构的制造方法,其中该第一互连结构和该第二互连结构的形成包括:

在该可挠式互连结构的该第一表面上形成一互连结构;以及

形成该沟槽穿过该互连结构,使得该互连结构形成该第一互连结构和该第二互连结构。

12.如权利要求10所述的电路板结构的制造方法,还包括:

在该可挠式互连结构的该第一表面上形成一停止层结构,其中该停止层结构位于该第一互连结构和该第二互连结构之间;以及

在折叠该可挠式互连结构之前,移除该停止层结构。

13.如权利要求12所述的电路板结构的制造方法,其中该停止层结构的材料包括导电材料,且该停止层结构的移除包括进行蚀刻工艺。

14.如权利要求12所述的电路板结构的制造方法,其中在移除该停止层结构之后,在该沟槽正下方的该可挠式互连结构的厚度小于在该第一互连结构正下方的该可挠式互连结构的厚度。

15.如权利要求10所述的电路板结构的制造方法,其中该可挠式互连结构包括:

一可挠式介电层;

一第一导电结构,设置于该可挠式介电层中且位于该缓冲层的该第一侧;以及

一第二导电结构,设置于该可挠式介电层中且位于该缓冲层的该第二侧。

16.如权利要求15所述的电路板结构的制造方法,其中该第一导电结构和该第二导电结构具有一突出部延伸至该沟槽正下方。

17.如权利要求15所述的电路板结构的制造方法,还包括移除该可挠式介电层的一部分,使得该可挠式介电层的侧壁与该第一互连结构的侧壁和该第二互连结构的侧壁共平面。

18.如权利要求17所述的电路板结构的制造方法,还包括在移除该可挠式介电层的该部分之后,进行钻孔工艺以露出该第一导电结构和该第二导电结构。

19.如权利要求15所述的电路板结构的制造方法,还包括在该缓冲层的该第三侧上形成一金属层,其中该金属层覆盖该第一互连结构、该可挠式互连结构、该缓冲层和该第二互连结构,且该金属层电性连接该第一导电结构和该第二导电结构,且该金属层与该第一互连结构和该第二互连结构隔开。

20.如权利要求19所述的电路板结构的制造方法,其中该金属层的形成包括:

进行无电镀铜工艺以在该缓冲层的该第三侧上形成一导电衬层;以及

进行电镀工艺以在该导电衬层上形成该金属层。


技术总结
一种电路板结构,其包含缓冲层、第一互连结构、第二互连结构和可挠式互连结构;第一互连结构设置于缓冲层的第一侧;第二互连结构设置于缓冲层的第二侧,其中第二侧与第一侧相反;可挠式互连结构设置于缓冲层和第一互连结构之间且延伸至缓冲层和第二互连结构之间。

技术研发人员:林奂廷;郭旻桓;庄育杰
受保护的技术使用者:南亚电路板股份有限公司
技术研发日:2019.09.27
技术公布日:2020.12.29
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