专利名称：使用稀土类络合物的发光元件以及发光介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种色纯度、彩色再现性以及耐久性优良的LED元件之类的发光元件，以及用于LED元件之类的发光元件的发光介质。
背景技术：
目前在发光元件中，LED(发光二极管)例如无机LED的发光效率得到了飞跃的提升，特别是白色LED，将来其发光效率可能会凌驾于荧光灯之上。然而，LED在用于照明装置时，有许多用途要求其不仅在发光效率，还包括在彩色再现性方面都是优良的，而对于只使用无机荧光体的LED，目前的现状是还不能完全满足这些特性。
将有机荧光体用于LED的这一概念早已是公知的，但是将有机荧光体用作发光体的LED却由于以下的问题，目前还没有实际应用到照明用途中去。
1)特别是用现在正成为主流的近紫外LED作为光源，在使用R、G、B的发光体LED中采用有机荧光体时，由于紫外线而引起的有机化合物的劣化显著。这是因为有机化合物对于紫外线的抵抗力一般较弱。特别是在基于近紫外区域中的n-π*迁移范围内有吸收的情况下，劣化较快。
2)有机荧光体根据其浓度的不同，其荧光光谱会有所变化，难以控制荧光光谱。此外，荧光强度对于浓度也有依赖性，在高浓度区域中会产生浓度消光。
3)根据分散有机荧光体的聚合物种类的不同，荧光光谱会发生变化。
一般的，由稀土类络合物形成的荧光体和一般的有机荧光体相比，可以举出以下这些优点。用于低分子类的有机EL元件的稀土类络合物的例子如下式(6)所示。
…式(6)由菲咯啉和β二酮作为配位体形成如上述式(6)所示的稀土类络合物。菲咯啉吸收光后成为激发状态，在三重激发态下引起能量转移处于至中心的铕，得到铕特有的612nm的发光。
由于通过菲咯啉进行光吸收，该稀土类络合物的吸光系数增大，发光强度增强。由这种稀土类络合物形成的荧光体和一般的由有机化合物形成的荧光体相比，显示出具有以下这些优点。
1)发光波长是稀土类特有的，不会受到色素浓度、分散的聚合物的种类的影响，荧光光谱稳定。
2)配位体是有机化合物，但配位体吸收光后成为激发状态，通过相对于中心元素的能量转移而返回到基态，因此减少了在激发状态下产生不可逆的化学变化的机会。因此其对于紫外线的耐久性是值得期待的。
但是这种含有菲咯啉作为配位体的稀土类络合物存在所谓对于溶剂的溶解性、对于树脂的分散性都较差的问题。
与此相对，由如下述式(7)所示的稀土类络合物形成的荧光体对于溶剂的溶解性优良，而且可以均匀地分散在树脂中。
…式(7)
但是上述式(7)所示的稀土类络合物存在所谓在近紫外光下的吸光系数较小、得不到足够的发光强度的问题。
与此相对，如下述式(8)所示，提出了一种将氧化三苯膦用作配位体的稀土类络合物(例如，参照化学和工业vol.53，no.2(2000)pp126-130、有机合成化学协会志vol.58，no.10(2000)pp945-955.、Chem.Lett.(1999)pp35-36)。
式(8)如上述式(8)所示的化合物虽然具有比上述式(7)所示的化合物更大的发光强度，但是不足以用于LED方面的用途，其发光强度有必要进一步提高。
发明内容
本发明的目的是提供一种使用对溶剂的溶解性、树脂分散性优良且发光强度大的稀土类络合物的高发光强度和长寿命的发光元件(例如LED元件)以及发光介质。
根据本发明的第一方面，提供一种具有发光介质的LED元件，该发光介质含有由下述式(1)所示的化合物作为配位体的稀土类络合物。
…式(1)(式中，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R4是碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R1～R4不会完全相同，n是2以上、20以下的整数，Z和W是选自氢原子、重氢原子、卤原子以及烷基中相同或不同的基团)。
根据本发明的第二方面，提供一种具有发光介质的LED元件，该发光介质含有由下述式(5)所示的稀土类络合物。
…式(5)(式中，Ln是稀土类离子，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R6是相同的或不同的、碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R1～R3的组合和R4～R6的组合不同，R7和R9是相同的或不同的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R8是卤原子、重氢原子、碳原子数为1～22以下的具有直链或支链结构的脂肪族基)。
根据本发明的第三方面，提供一种含有由下述式(1)所示的化合物作为配位体的稀土类络合物的发光介质。
…式(1)(式中，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R4是碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取你物，R1～R4不会完全相同，n是2以上、20以下的整数，Z和W是选自氢原子、重氢原子、卤原子以及烷基中相同或不同的基团)。
附图的简要说明
图1是表示用于本发明一个实施例中的LED元件的稀土类络合物的双氧化膦配位体的合成路线图，以及图2是本发明一个实施例中的LED元件的示意图。
具体实施例方式
本发明一个实施例中的发光元件以LED元件为代表，具有LED的发光部分和含有由下述式(1)所示的化合物作为配位体的稀土类络合物的发光介质。另外，本发明中所用的发光部分并不限于LED，也可以是半导体激光之类的发光部分。
用于本发明一个实施例中的LED元件的稀土类络合物，特别优选是含有如上述式(1)所示的配位体和β二酮配位体的络合物，作为这类稀土类络合物，可以使用如下述式(2)所示的络合物。
…式(2)(式中，Ln是稀土类离子，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R6选自碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R1～R4不会完全相同，n是2以上、20以下的整数，m和p是1以上、5以下的整数，Z和W是选自氢原子、重氢原子、卤原子以及烷基中相同或不同的基团)。
在式(2)中，R5和R6之间的氢(H)可以被重氢(D)、卤素或烷基取代，这样可以使配位体稳定化。
在一个稀土类原子中，若和结构不同的多种(特别是2种)的磷化合物配位，使配位场更加地不对称，则基于分子吸光系数的提高，发光强度将增强。特别是将如式(1)所示的不对称结构的磷化合物作为稀土类络合物的配位体时，与将不同分子结构的磷化合物配位至如式(7)所示的化合物中的情况相比，可以实现发光强度的进一步的提高。此外，由于化合物的无定形性提高，对树脂的分散性也进一步提高。
如后所述，虽然使结构不同的2种磷化合物配位，也可以得到不对称结构，但在这种情况下有时会形成对称结构和不对称结构的混合物。与此相对，将如式(1)所示的不对称结构的磷化合物用于配位体时，可以确保种类不同的2种磷化合物配位在一个稀土类元素上。
此外，将如式(1)所示的化合物用作配位体时，可以观察到稀土类络合物的发光寿命的提高。稀土类络合物一般是由呈路易斯碱性的配位体和呈路易斯酸性的稀土类元素形成配位键而构成的。若路易斯碱性较强的杂质起作用，则引起配位体的交换，发光强度将会衰减。若是如氧化膦这类在一个位置上成键的情况，配位体交换的机会较大，寿命缩短。与此相对的双氧化膦配位体由于在多个位置上形成配位键，基于螯合效应，配位体难以离去，因此寿命提高。
如式(1)所示的磷化合物(双氧化膦等)的配位体可以是手性(光学活性)的。手性(光学活性)的磷化合物可以通过例如图1所示的反应而制得。没有光学活性的磷化合物(双氧化膦等)也可以根据如图1所示的方法而制得。
此外，如前所述，若将结构不同的多种磷化合物配位于一个稀土类原子上，则可以增加发光强度，将如式(1)所示的不对称结构的磷化合物用于配位体时，如果和β二酮配位体联用，则可以增大不对称的效果，并显著增加发光强度。
另外，在上述式(2)以及后述式(5)中的稀土类Ln优选是铕(Eu)、铽(Tb)、钆(Gd)。
使上述的稀土类络合物分散在聚合物中，可以形成发光介质。聚合物中的稀土类络合物的量没有特别的限定，一般优选在2～95重量％。
作为分散稀土类络合物的聚合物，希望是高透光率(可见光紫外光)、高玻璃化点、高坚牢度、低透气性、高防湿性的氟类树脂。另外，为了防止稀土类络合物从激发状态转向配位体的振动失活，希望在稀土类原子附近的结构中不存在CH键、OH键、本发明的发明者们从上述的角度出发进行了专心的研究，结果发现通过使用由下述式(3)、式(4)所示的分子结构的聚合物，可以同时提高LED的发光强度和寿命。
…式(3)(式中，q和r为1以上的整数，Rf1和Rf2为在其结构中至少含有1个氟原子的碳原子数在20以下的具有直链或支链结构的烷基)。
…式(4)(式中，s和t为1以上的整数)。
本发明中所用的稀土类络合物如上所述，并不限于只将双氧化膦用作配位体的情况，也可以通过使用2种的氧化膦发生作用而得到。
例如，在将2种氧化膦(1)、(2)与如式(7)所示的化合物作用的情况下，生成只有氧化膦(1)配位的络合物、只有氧化膦(2)配位的络合物、由氧化膦(1)和氧化膦(2)配位的络合物的混合物。这时，通过由氧化膦(1)和氧化膦(2)配位的稀土类络合物，可以得到较大的发光强度。
作为这种由2种膦配位得到的稀土类络合物，例如如下述式(5)所示。
…式(5)(式中，Ln是稀土类离子，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R6是相同的或不同的、碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基以及其取代物，R1～R3的组合和R4～R6的组合不同，R7和R9是相同的或不同的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R8是卤原子、重氢原子、碳原子数为1～22以下的具有直链或支链结构的脂肪族基)。
由2种膦配位得到的稀土类络合物如上所述，也可以分散在聚合物中，形成发光介质。
在本发明中，R1～R9的氢可以被卤素或重氢取代，作为卤素特别优选氟。理由是其可以防止由C-H键产生的振动失活。此外，氟的位阻效应小，可以防止杂质配位至稀土类原子中。还有，在分散稀土类络合物的聚合物中含有C-H键和O-H键时，由于位阻效应，中心稀土类离子和该C-H键、O-H键之间的距离变大，可以防止振动失活。
下面所示的是本发明的实施例以及比较例，但是本发明并不受到这些实施例的任何限制。
实施例1根据下述式(9)所示的反应式，合成稀土类络合物。即通过使氧化三苯膦和氧化三辛基膦这2种氧化膦作为配位体作用于稀土类金属化合物，得到稀土类络合物。该稀土类络合物溶解于作为氟类溶剂的バ-トレルXF(商品名デユポン公司制造)，然后进一步溶解2重量％的作为如上述式(3)所示的氟类聚合物之一的テフロンAF(商品名デユポン公司制造)的颗粒。
…式(9)如图2所示，将如上述调制的溶液收集至具有LED片1(发光波长395nm、InGaN)的池内4中，在氮气氛围中加热干燥形成发光介质2，制造LED元件3。在图2中，参照符号5、6各自表示电极端子。
使LED片1发光，测定LED元件3的发光强度以及亮度半衰期。使LED片1在20mA、3.43V的条件下发光，用积分球光度计测定发光强度以及亮度半衰期。发光强度用光通量(1m)或光强度(mcd)进行评价，此外亮度半衰期使用发光后亮度半衰的时间(h)进行评价。
结果得到良好的红光，得到如下述表1所示的测定值。由下述表1可以明显看出，本实施例中的LED元件3显示出良好的发光强度，亮度半衰期为25000小时的优良的性能。
比较例1在如上述式(9)所示的反应式中，除了只用氧化三苯基膦作为氧化膦形成配位体以外，其余按照和实施例1同样的方法合成稀土类络合物，由此制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度降低为72，而且亮度半衰期为15000小时，和实施例1的LED元件相比则大幅减少。
比较例2在如上述式(9)所示的反应式中，除了只用氧化三辛基膦作为氧化膦形成配位体以外，其余按照和实施例1同样的方法合成稀土类络合物，由此制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度降低为90，而且亮度半衰期为15000小时，和实施例1的LED元件相比则大幅减少。
实施例2在如上述式(9)所示的反应式中，除了只用如下述式(10)所示结构的双氧化膦作为氧化膦形成配位体以外，其余按照和实施例1同样的方法合成稀土类络合物，由此制造LED元件。
…式(10)按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度高至110，而且亮度半衰期为45000小时，和实施例1的LED元件相比大幅增加。
这种亮度半衰期的大幅增加认为是由使用作为配位体的双氧化膦产生的螯合效应而造成的。
实施例3在如上述式(9)所示的反应式中，除了只用如下述式(11)所示结构的双氧化膦作为氧化膦形成配位体以外，其余按照和实施例1同样的方法合成稀土类络合物，由此制造LED元件。
…式(11)
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度高至130，而且亮度半衰期为45000小时，和实施例1的LED元件相比大幅增加。
这种亮度半衰期的大幅增加认为是由配位体的更加不对称化而产生的效应而造成的。
实施例4除了使用サイトツプ(商品名旭硝子公司制造)作为分散稀土类络合物的氟类聚合物以外，其余按照和实施例1完全相同的方法制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，发光强度以及亮度半衰期和实施例1的LED元件相比略低，得到基本可以满足实际应用的结果。
实施例5将在实施例2中得到的红色稀土类络合物和绿色(InGaN，520nm)以及蓝色(InGaN，450nm)的无机荧光体分散至实施例1中所用的聚合物中，其余按照和实施例1同样的方法制造有机-无机混合型的白色LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该白色LED元件的亮度半衰期，如下述表1所示，为40000小时，和实施例1的LED元件相比大幅增加。
实施例6氟类聚合物可以是由氟乙烯、氟丙烯、偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)的单体形成的氟类聚合物。例如作为分散稀土类络合物的氟类聚合物，可以使用ダイニオンTHV220(商品名住友3M公司制造)，按照和实施例1同样的方法制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，得到基本可以满足实际应用的结果。
实施例7氟类聚合物可以是具有如下述式(12)所示的分子结构的聚合物。例如作为分散稀土类络合物的氟类聚合物，可以使用SIFEL(商品名信越化学公司制造)，按照和实施例1同样的方法制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，得到基本可以满足实际应用的结果。
…式(12)(式中，R11～R16是直链或支链结构的相同或不同的烷基(部分或者全部的氢可以被氟等的卤素取代)，u是1以上的整数)。
实施例8将在实施例1中得到的红色稀土类络合物(铕络合物)和通过如下述式(13)所示的反应制得的绿色的铽络合物以及蓝色(InGaN，450nm)的无机荧光体分散至实施例1中所用的聚合物中，按照和实施例1同样的方法制造荧光体层为有机-无机混合型的白色LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该白色LED元件的亮度半衰期，如下述表1所示，为35000小时，和实施例1的LED元件相比大幅增加。此外，相对发光强度为150，得到了比实施例1更好的结果。可以认为这是由于，通过将红色和绿色的荧光体形成有机荧光体，减少了无机微粒子的比例，减小了光散射，因此提高了LED元件的光提取效率。
…式(13)实施例9将在实施例1中得到的红色稀土类络合物(铕络合物)和通过如是述式(13)所示的反应制得的绿色铽络合物分散至如下述式(14)所示的蓝色荧光聚合物中，按照和实施例1同样的方法制造含有荧光体层的白色LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该白色LED元件的亮度半衰期，如下述表1所示，为30000小时，和实施例1的LED元件相比大幅增加。此外，相对发光强度为180，得到了比实施例1更好的结果。可以认为这是由于，通过将红色和绿色、和蓝色的荧光体形成有机荧光体，减小了光散射，同时提高了LED元件的光提取效率。
…式(14)(式中，v是1以上的整数)。
比较例3在如上述式(9)所示的反应式中，除了用如下述式(15)所示结构的双氧化膦作为氧化膦形成配位体以外，按照和实施例1同样的方法合成稀土类络合物，以此制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，发光强度为90，亮度半衰期为15000小时。由此可以看出，式(1)中n若不是大于1的整数，发光强度以及亮度半衰期都不能增大。
…式(15)实施例10除了将如下述式(16)所示的化合物用作稀土类络合物以外，其余按照和实施例1同样的方法制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度高至120，而且亮度半衰期为25000小时，和实施例1的LED元件一样。
…式(16)实施例11除了将如下述式(17)所示的化合物用作稀土类络合物以外，其余按照和实施例1同样的方法制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度高至150，而且亮度半衰期为45000小时，和实施例1的LED元件相比大幅增加。
…式(17)实施例12除了将如下述式(18)所示的セフラル(商品名セントラルガラス公司制造)作为氟类聚合物，二甲苯作为溶剂以外，其余按照和实施例1同样的方法制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度高至极高的250，此外亮度半衰期为20000小时。
可以认为发光强度极度增大的主要原因是由于，セフラル比テフロンAF的光散射强度小，从而提高了LED元件的光提取效率。
…式(18)(式中，X为卤素，R17～19为直链或支链结构的烷基)。
实施例13除了将如下述式(19)所示的ルミフロン(商品名旭硝子公司制造)作为氟类聚合物，醋酸乙酯作为溶剂以外，其余按照和实施例1同样的方法制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度高至200，此外亮度半衰期为25000小时。
可以认为发光强度增大的主要原因是由于，ルミフロン比テフロンAF的光散射强度小，从而提高了LED元件的光提取效率。
…式(19)(式中，X为卤素，R20为直链或支链结构的烷基，n为整数)。
实施例14除了将如下述式(20)所示的聚硅烷用作氟类聚合物以外，其余按照和实施例1同样的方法制造LED元件。
按照和实施例1同样的方法测定该LED元件的发光强度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若将实施例1的LED元件的发光强度作为100，则该LED元件的发光强度为105，此外亮度半衰期为20000小时。
…式(20)(式中，R21、R22为甲基，n为整数)。
表1.LED元件的发光强度和亮度半衰期发光强度(以实施例1为基准的相对强度)亮度半衰期(h)实施例1 100 25000实施例2 110 45000实施例3 130 45000实施例4 9520000实施例5 - 40000实施例6 120 25000实施例7 110 20000实施例8 150 35000实施例9 180 30000实施例10 120 25000实施例11 150 45000实施例12 250 20000实施例13 200 25000实施例14 105 20000比较例1 7215000比较例2 9015000比较例3 9015000在以上的实施例中，是针对使用氧化膦作为稀土类络合物的配位体而示例的，但是本发明不限于氧化膦，使用硫化膦、硒化膦也可以达到同样的效果。
其它优点和改变可以很容易被所述领域的技术人员想到。因此，在其延伸的范围内，本发明不受到在此处所述的一些具体细节以及代表性的实施例的限制。由此，只要在不背离如附属权利要求以及与之等价的总的发明构思的主旨或范围内，可以进行各种的改变。
权利要求
1.一种发光元件，包含发光部分和发光介质，该发光介质含有以下述式(1)所示的化合物作为配位体的稀土类络合物 式(1)式中，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R4是碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R1～R4不会完全相同，n是2以上、20以下的整数，Z和W是选自氢原子、重氢原子、卤原子以及烷基中相同或不同的基团。
2.如权利要求1所记载的发光元件，其中前述稀土类络合物含有β二酮配位体和如前述式(1)所示的配位体。
3.如权利要求2所记载的发光元件，其中前述稀土类络合物如下述式(2)所示 式(2)式中，Ln是稀土类离子，X和Y是选自O、S以及Se中的原子，R1～R6是碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R1～R4不会完全相同，n是2以上、20以下的整数，m和p是1以上、5以下的整数，Z和W是选自氢原子、重氢原子、卤原子以及烷基中相同或不同的基团。
4.如权利要求1所记载的发光元件，其中前述发光介质是由前述稀土类络合物分散至氟类聚合物中而形成的。
5.如权利要求4所记载的发光元件，其中前述氟类聚合物具有如下述式(3)所示的分子结构 式(3)式中，q和r为1以上的整数，Rf1和Rf2为在其结构中至少含有1个氟原子的碳原子数在20以下的具有直链或支链结构的烷基。
6.如权利要求4所记载的发光元件，其中前述氟类聚合物如下述式(4)所示 式(4)式中，s和t为1以上的整数。
7.如权利要求4所记载的发光元件，其中前述发光介质是通过使得前述氟类聚合物中同时含有无机荧光体和前述稀土类络合物而制成的。
8.如权利要求1所记载的发光元件，其中前述发光介质含有作为红色荧光体的前述稀土类络合物和作为绿色、蓝色荧光体的无机荧光体，前述稀土类络合物为铕络合物。
9.如权利要求1所记载的发光元件，其中前述发光介质含有作为红色、绿色荧光体的前述稀土类络合物和作为蓝色荧光体的无机荧光体，前述稀土类络合物中红色的荧光体为铕络合物，绿色的荧光体为铽络合物或铒络合物中的至少一种。
10.如权利要求1所记载的发光元件，其中前述发光介质含有作为红色、绿色荧光体的前述稀土类络合物和作为蓝色荧光体的聚合物荧光体，前述稀土类络合物中红色的荧光体为铕络合物，绿色的荧光体为铽络合物或铒络合物中的至少一种。
11.一种发光元件，包含发光部分和发光介质，该发光介质含有如下述式(5)所示的稀土类络合物 式(5)式中，Ln是稀土类离子，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R6是相同或不同的、碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R1～R3的组合和R4～R6的组合不同，R7和R9是相同或不同的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R8是卤原子、重氢原子、碳原子数为1～22以下的具有直链或支链结构的脂肪族基团。
12.如权利要求11所记载的发光元件，其中前述发光介质含有作为红色荧光体的前述稀土类络合物和作为绿色、蓝色荧光体的无机荧光体，前述稀土类络合物为铕络合物。
13.如权利要求11所记载的发光元件，其中前述发光介质含有作为红色、绿色荧光体的前述稀土类络合物和作为蓝色荧光体的无机荧光体，前述稀土类络合物中红色的荧光体为铕络合物，绿色的荧光体为铽络合物或铒络合物中的至少一种。
14.如权利要求11所记载的发光元件，其中前述发光介质含有作为红色、绿色荧光体的前述稀土类络合物和作为蓝色荧光体的聚合物荧光体，前述稀土类络合物中红色的荧光体为铕络合物，绿色的荧光体为铽络合物或铒络合物中的至少一种。
15.如权利要求4所记载的发光元件，其中前述氟类聚合物是由选自氟乙烯、氟丙烯以及偏二氟乙烯中的至少1种单体合成的氟类聚合物。
16.如权利要求4所记载的发光元件，其中前述氟类聚合物具有如下述式(12)所示的分子结构 式(12)式中，R11～R16是直链或支链结构的相同或不同的烷基(部分或者全部的氢可以被氟等的卤素取代)，u是1以上的整数。
17.如权利要求4所记载的发光元件，其中前述氟类聚合物具有如下述式(18)所示的分子结构 式(18)式中，X为卤素，R17-19为直链或支链结构的烷基。
18.如权利要求4所记载的发光元件，其中前述氟类聚合物具有如下述式(19)所示的分子结构 式(19)式中，X为卤素，R20为直链或支链结构的烷基，n为整数。
19.如权利要求4所记载的发光元件，其中前述氟类聚合物具有如下述式(20)所示的分子结构 式(20)式中，R21、R22为甲基，n为整数。
20.如权利要求1～19所记载的发光元件，其中发光元件为LED元件。
21.一种发光介质，其中包含以下述式(1)所示的化合物作为配位体的稀土类络合物 式(1)式中，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R4是碳原子数为20以下的具有直链或支链结构的烷基或烷氧基、苯基、联苯基、萘基、杂环基及其取代物，R1～R4不完全相同，n是2以上、20以下的整数，Z和W是选自氢原子、重氢原子、卤原子以及烷基中相同或不同的基团。
全文摘要
本发明的特征在于具有一种发光介质，该发光介质含有以下述式(1)所示的化合物作为配位体的稀土类络合物。左式中，X和Y是选自O、S以及Se中相同或不同的原子，R
文档编号H05B33/14GK1575066SQ20041005503
公开日2005年2月2日 申请日期2004年6月24日 优先权日2003年6月24日
发明者岩永宽规, 相贺史彦, 信田直美, 天野昌朗 申请人:株式会社东芝