专利名称：玻璃陶瓷基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及玻璃陶瓷基板。
背景技术：
作为电子设备中使用的配线基板，己知有使用通过烧成含有玻璃 成分和填充剂成分的组合物而得到的低温烧成瓷器的配线基板。在这 种配线基板中，尝试了使用氧化铝作为填充剂成分来降低相对介电常
数并且提高机械强度(例如，参考日本专利特开2004-256345号公报)。
发明内容
但是，特开2004-256345号公报中所述的现有的配线基板，由于强 度还不够高，需要进一步完善。
因此，本发明旨在提供一种具有十分出色的强度的玻璃陶瓷基板。
为了达到上述目的，本发明提供一种玻璃陶瓷基板，含有玻璃成 分和分散在该玻璃成分中的板状氧化铝填充剂，板状氧化铝填充剂的 平均板径为0.1 20,，平均长宽比为50 80，板状氧化铝填充剂的 含量相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量为22 35体积％。
由于本发明的玻璃陶瓷基板具有上述结构，从而具有比现有玻璃 陶瓷基板出色的强度。本发明者们对能够得到这种效果的原因进行了 如下推测。本发明的玻璃陶瓷基板，含有相对于玻璃成分和板状氧化 铝填充剂的合计量为22 35体积％的板状氧化铝填充剂，其中板状氧 化铝填充剂的平均板径为0.1 20pm，平均长宽比为50 80。这种形 状的板状氧化铝填充剂的分散性和取向性出色，并且，与其他形状的 板状氧化铝填充剂相比，能够抑制局部应力集中。因此，通过使玻璃 陶瓷基板含有特定量的这种形状的板状氧化铝填充剂，能够提高玻璃 陶瓷基板的强度。但是，能够得到上述效果的原因并不仅限于此。
利用本发明，能够提供一种具有十分出色的强度的玻璃陶瓷基板。
图1是表示具备本发明的玻璃陶瓷基板的玻璃陶瓷多层基板的优 选实施方式的剖面图。
图2是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖 面图。
图3是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖 面图。
图4是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖 面图。
图5是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖 面图。
图6是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖 面图。
具体实施例方式
以下，根据不同情况参照各图，对本发明的优选实施方式进行说 明。另外，在各图的说明中，相同符号表示相同或等同的部件，省略 重复的说明。
图1是表示具备本发明的玻璃陶瓷基板的玻璃陶瓷多层基板的优 选实施方式的剖面图。图1所示的玻璃陶瓷多层基板IO具有将玻璃陶 瓷基板lla， llb， llc和lld依次层叠的层叠结构。并且，玻璃陶瓷多 层基板10具备设置在相邻的玻璃陶瓷基板之间的内部导体13、设置在 作为最外层的玻璃陶瓷层lla和lld的最外面的表面导体14、以及电 导通内部导体13和表面导体14的通孔导体12。
玻璃陶瓷基板11a lld分别含有玻璃成分和分散在该玻璃成分中 的板状氧化铝填充剂。其中，板状氧化铝填充剂的含量，相对于玻璃 成分和板状氧化铝填充剂的合计量为22 35体积％。下面，对各成分 进行详细说明。 〈玻璃成分〉
作为玻璃成分，可以列举例如，(1)非晶质玻璃材料和(2)结 晶化玻璃材料2种。(2)结晶化玻璃材料，是在加热烧成时从玻璃成分中析出大量微小结晶的材料，也称作玻璃陶瓷。
作为本实施方式的玻璃成分，在上述(1)非晶质玻璃材料和(2) 结晶化玻璃材料中，优选(2)结晶化玻璃材料。作为(2)结晶化玻 璃材料，可以使用例如(i)含有Si02、 Ba203、 Al203和碱土类金属氧 化物的玻璃成分以及(ii)含有SiOs、 CaO、 MgO、八1203和010的透 辉石(Diopside)晶化玻璃成分。
在(i)含有Si02、 Ba203、 Al203和碱土类金属氧化物的玻璃成分 中，优选Si02的含量为以玻璃成分总量作为基准，为46 60质量％， 更优选为47 55质量％。如果该含量低于46质量％，则具有难以玻璃 化的倾向；如果该含量超过60质量％，则熔点变高，具有难以低温烧 结的倾向。
优选Ba203的含量为以玻璃成分总量作为基准，为0.5 5质量 %，更优选为1 3质量％。如果该含量超过5质量％，则具有耐湿性 下降的倾向；如果该含量低于0.5质量％,则具有玻璃化温度变高且密 度降低的倾向。
优选八1203的含量为以玻璃成分总量作为基准，为6 17.5质量 %，更优选为7 16.5质量％。如果该含量低于6质量％，则具有强度 略微降低的倾向；如果该含量超过17.5质量％，则具有难以玻璃化的 倾向。优选碱土类金属氧化物的含量为以玻璃成分总量作为基准， 为25 45质量％，更优选为30 40质量％。
作为上述碱土类金属氧化物，可以列举例如，MgO、 CaO、 BaO、 和SrO。这些碱土类金属氧化物可以单独使用一种，也可以组合使用两 种以上。其中，优选组合使用SrO与其他碱土类金属氧化物。由于组 合使用选自CaO、 MgO、 BaO中的至少一种与SrO能够降低熔融玻璃 的粘性，扩大烧结温度幅度，所以使制造变得容易。
优选SrO相对于碱土类金属氧化物的总量的含量为60质量％以 上，更优选为80质量％以上。如果该含量低于60质量％，则玻璃成分 和板状氧化铝填充剂之间的热膨胀系数之差变大，具有玻璃陶瓷基板 强度下降的倾向。
另外，相对于碱土类金属氧化物的总量，优选CaO、 MgO、 BaO 的合计量为1质量％以上。而且，相对于碱土类金属氧化物的总量，优选分别含有0.2质量°/。以上的CaO和MgO，更优选含有0.5质量％以上。 并且，相对于碱土类金属氧化物的总量，优选CaO的含量低于10质量 %、 MgO的含量为4质量％以下。如果CaO和MgO的含量大于优选 含量，则热膨胀系数变得过小，不仅具有玻璃陶瓷基板强度下降的倾 向；而且具有难以控制玻璃的结晶化度的倾向。从兼顾制造的容易性 和玻璃陶瓷基板强度的观点出发，优选相对于碱土类金属氧化物的总 量的CaO和MgO的合计量为低于10质量％，更优选CaO的含量为5 质量％以下。
此外，优选相对于碱土类金属氧化物的总量的BaO的含量为5质 量％以下。如果其含量超过5质量％，则具有介电常数增大的倾向。
(ii)含有Si02、 CaO、 MgO、 Al203和CuO的透辉石晶化玻璃成 分析出透辉石作为主晶相。
在透辉石晶化玻璃成分中，Si02既是玻璃网络形成体，又是透辉 石结晶的构成成分。优选相对于透辉石晶化玻璃成分总量的SiCb的含 量为40 65质量％，更优选为45 65质量°/。。如果该含量少于40质 量％，则具有难以玻璃化的倾向；如果该含量大于65质量％，则具有 密度降低的倾向。
在透辉石晶化玻璃成分中，CaO是透辉石结晶的构成成分。优选 CaO的含量相对于透辉石晶化玻璃成分总量为20 35质量％，更优选 为25 30质量％。如果该含量少于20质量％，则具有介电损失增大的 倾向；如果该含量大于35质量％，则具有难以玻璃化的倾向。
在透辉石晶化玻璃成分中，MgO也是透辉石结晶的构成成分。优 选MgO的含量相对于透辉石晶化玻璃成分总量为11 30质量％，更 优选为12 25质量％。如果该含量少于11质量％，则具有难以析出结 晶的倾向；如果该含量大于30质量％，则具有难以玻璃化的倾向。
在透辉石晶化玻璃成分中，A1203是调节玻璃成分的结晶性的成 分。优选A1203的含量相对于透辉石晶化玻璃成分总量为0.5 10质量 %，更优选为1 5质量％。如果其含量少于0.5质量％，则具有结晶性 过强，玻璃难以成型的倾向；如果该含量大于10质量％，则具有难以 析出透辉石结晶的倾向。
在透辉石晶化玻璃成分中，CuO为向Ag提供电子从而抑制其玻璃陶瓷中扩散的成分。优选CuO的含量相对于透辉石晶化玻璃成分 总量为0.01 1.0质量％。如果其含量少于0.01质量％，则具有上述效 果无法充分发挥的倾向；如果该含量大于1.0质量％，则具有介电损失 过于增大的倾向。
在透辉石晶化玻璃成分中，SrO、 ZnO、 Ti02是为了使玻璃化容易 而添加的成分。相对于透辉石晶化玻璃成分总量，优选各成分的含量 都为0 10质量％，更优选为0 5质量％。如果这些成分的含量分别 多于10质量％，则具有由于结晶性减弱，透辉石析出量减少而使介电 损失增大的倾向。
此外，作为透辉石晶化玻璃成分，还可以在不影响介电损失等特 性的范围内含有上述成分以外的成分。
从获得更出色的强度的观点出发，在(i)和(ii)的玻璃成分中， 优选(ii)的玻璃成分。 〈氧化铝填充剂〉
在本实施方式中，作为玻璃陶瓷基板11a lld所含有的板状氧化 铝填充剂，可以使用平均板径为0.1 20]am、平均长宽比为50 80的 板状的氧化铝。由于玻璃陶瓷基板11a lld在玻璃成分之外还含有这 样的材料，从而提高了玻璃陶瓷基板11a lld的强度。
在此，板径是指板状氧化铝填充剂的板面上的最大长度，厚度是 指与板面垂直方向上的最大长度。平均板径、平均厚度，可以作为在 电子显微镜图像中随机抽取的500个板状氧化铝填充剂的板径、厚度 的平均值而求出。平均长宽比利用(平均板径)/ (平均厚度)而算出。
另外，优选板状氧化铝填充剂的平面形状为圆形、椭圆形或者与 圆形或椭圆形近似的多角形等各向异性小的形状。从提高玻璃陶瓷基 板lla lld的强度的观点出发，更优选平面形状为正六边形(六边板 状)的板状氧化铝填充剂。
从进一步提高玻璃陶瓷基板的强度的观点出发，优选板状氧化铝 填充剂的平均板径为1 10pm，更优选为2 7pm。并且，从同样的观 点出发，优选板状氧化铝填充剂的平均长宽比为50 75，更优选为70 75。
以上，对各成分进行了详细说明，玻璃陶瓷基板lla lld也可以含有板状氧化铝填充剂以外的陶瓷填充剂。作为板状氧化铝填充剂以 外的陶瓷填充剂，可以列举，例如由选自氧化镁、尖晶石、二氧化硅、 莫来石、镁橄榄石、块滑石、堇青石、锶长石、石英、硅酸锌、氧化 锆和二氧化钛中的至少一种材料形成的球状或板状的填充剂。从玻璃 陶瓷基板的强度的观点出发，优选板状氧化铝填充剂占全部填充剂的
80体积％以上。
另外，在玻璃陶瓷基板lla lld中，优选使板状氧化铝填充剂取 向为板状氧化铝填充剂的板面与玻璃陶瓷的主面平行(水平方向)。通 过使板状氧化铝填充剂在这个方向上取向，能够进一步提高玻璃陶瓷 基板的强度。
以上，对具备本发明的玻璃陶瓷基板的玻璃陶瓷多层基板的优选 的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，例如， 可以将玻璃陶瓷基板11a lld中的任意一个作为本发明的玻璃陶瓷基 板。而且，图1所示的玻璃陶瓷多层基板10具备4块玻璃陶瓷基板玻 璃陶瓷基板11a lld，但是层叠的玻璃陶瓷基板块数并不限定于此。
然后，参照图2 6，对图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方 法进行说明。图2 6是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造 方法的工序剖面图。
首先，如图2所示，准备形成有通孔导体图案(ConductorPattern) 2、内部导体图案3和表面导体图案4的基板用生片la ld。在此，虽 然准备4块基板用生片la ld等，但是层叠的基板用生片的块数并不 限定于此，可以根据层叠数决定所准备的基板用生片的块数。
基板用生片la ld含有平均板径为0.1 20|im、平均长宽比为 50 80的板状氧化铝填充剂。基板用生片la ld按照以下方法形成。
上述板状氧化铝填充剂，可以通过下述工序得到，在含水的状态 下使，例如铝酸盐和酸性铝盐反应的工序、制造含有氧化铝和/或水合 氧化铝与中和金属盐的混合物，将该混合物在1000 160(TC下烧成的 工序。
在反应工序中，首先，使氢氧化钠溶解在水中调制氢氧化钠水溶 液，在该氢氧化钠水溶液中混合金属铝和磷酸氢二钠并搅拌，调制溶 解有金属铝和磷酸氢二钠的混合溶液。在该混合溶液中，边搅拌边加入硫酸铝水溶液，直至pH值达到6 8，得到白浊状的溶胶状混合物。 然后，蒸发干燥该混合物。
在烧成工序中，在1000 160(TC下将被蒸发干燥的混合物烧成2 8小时。再在烧成得到的烧成物中加入水洗涤、过滤，将得到的固形物 干燥。由此，得到平均板径为0.1 20(im、平均长宽比为50 80的板 状氧化铝填充剂。
将如上所述得到的板状氧化铝填充剂混合入包含，例如玻璃粉末、 以及粘结剂、溶剂、增塑剂和分散剂等的有机赋形剂中，调制浆状的 电介质浆料。
另外，作为粘结剂，可以列举，例如聚乙烯醇縮丁醛树脂、甲基 丙烯酸树脂等。作为增塑剂，可以列举，例如邻苯二甲酸二丁酯等。 另外，作为溶剂，可以列举，例如甲苯、甲乙酮等。
采用刮刀式方法，使调制的电介质浆料，在例如聚对苯二甲酸乙 二醇酯(PET)薄板等支撑体上成膜，形成基板用生片la ld。通过 利用刮刀式方法进行成膜，能够使板状氧化铝填充剂的板面取向为与 基板用生片的主面平行(水平方向)，从而形成强度更出色的玻璃陶瓷 基板。
然后，对应所希望的电路，在基板用生片la ld上形成导体图案 (配线图案或电极衬垫、通孔等)。具体而言，在基板用生片la ld 的规定位置上形成贯通孔(通孔)，通过在这里面填充导体浆料，形成 通孔导体图案2。另外，采用规定的图案在成为内层的基板用生片lb 和lc的表面上印刷上导体浆料，形成内部导体图案3。再在配置在最 外侧的基板用生片la和ld上形成表面导体图案4。另外，必要时，也 可以在基板用生片la ld上形成电子元件(电感或电容器等)。
用于形成导体图案的导电浆料，通过例如将Ag、 Ag-Pd合金、Cu、 Ni等各种导电金属或合金形成的导电材料与有机赋形剂混炼调制而 成。用于导电浆料的有机赋形剂以粘结剂和溶剂作为主要成分。粘结 剂以及溶剂与导电浆料的配比等可以任意，但是，通常，相对于导电 材料，以粘结剂为1 15质量％、溶剂为10 50质量％的方式配合。 必要时，可以在导电浆料中添加选自各种分散剂或增塑剂等的添加剂。
按照以上方法，能够形成基板用生片la ld，其中基板用生片la
9Id上形成有通孔导体图案2、内部导体图案3和表面导体图案4。
然后，如图3所示，将形成有通孔导体图案2、内部导体图案3 和表面导体图案4的基板用生片la， lb， lc， ld依次层叠，得到层叠 体。以在层叠方向夹着该层叠体的方式配置成为约束层的一对收縮抑 制用生片5。通过用收縮抑制用生片5夹住由基板用生片la ld构成 的层叠体，能够抑制后述烧成时在层叠体的面内方向(与层叠方向垂 直的方向)上的收縮。
而且，这样通过抑制层叠体的面内方向上的收縮，能够降低由收 縮偏差导致的板状氧化铝填充剂的取向性的紊乱。即，能够维持烧成 前己取向的板状氧化铝填充剂的取向性。因此，能够得到取向度高的 烧结体，能够形成强度更出色的玻璃陶瓷基板。
作为用于成为约束层的收缩抑制用生片5的材料(以下，称为"收 縮抑制材料")，可以列举，例如鳞石英、方石英、石英、熔融石英、 氧化铝、莫来石、氧化锆、氮化铝、氮化硼、氧化镁、碳化硅和碳酸 钙。
作为收縮抑制材料，优选使用在基板用生片la ld的烧成温度下 不收縮的材料。这些材料中，从具有作为约束层的功能且容易剥离的 观点出发，优选鳞石英。此外，从提高对于薄的玻璃陶瓷基板的剥离 性的观点出发，也可以再在鳞石英的上面层叠碳酸钙。
然后，如图4所示，收缩抑制用生片5挤压配置于两侧的层叠体 (预层叠体)。挤压后，通过进行烧成，如图5所示，基板用生片la ld变成陶瓷基板11a lld，通孔内的通孔导体图案2成为通孔导体12。 而且，内部导体图案3成为内部导体13，表面导体图案4成为表面导 体14。然后，如图6所示，通过剥离收縮抑制用生片5，得到玻璃陶 瓷多层基板10。在此，必要时，也可以追加在烧成后除去残渣的残渣 除去工序(例如抛丸清理或超声波洗涤处理等)。
另外，使用鳞石英作为收縮抑制材料的情况下，烧成后，由于热 膨胀的差异，收縮抑制用生片5自然剥离。
以上，对图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的一个例子 进行了说明，但是玻璃陶瓷多层基板10的制造方法并不局限于此。例 如，使基板用生片la ld中至少一块生片中含有板状氧化铝填充剂即可。但是，基板用生片la ld中，优选既形成贯通孔又在该贯通孔中 填充导电浆料的基板用生片含有板状氧化铝填充剂。
而且，在上述的制造方法中，配置收缩抑制用生片5而进行层叠 体的烧成，但是也可以不配置收縮抑制用生片5而进行层叠体的烧成， 从而制作玻璃陶瓷多层基板10。
实施例
以下，基于实施例和比较例，对本发明进行进一步说明，但是本 发明并不限定于以下实施例。 (实施例1)
准备玻璃粉末(以Si02、 CaO、 MgO、八1203和CuO作为主成分 的析出透辉石的晶化玻璃粉末)和板状氧化铝填充剂。其中，板状氧 化铝填充剂的平均板径、平均厚度和平均长宽比如表1所示。
混合已准备的玻璃粉末(64.5g)、板状氧化铝填充剂(35.5g)和 有机赋形剂(61g)，制作电介质浆料。
在此，有机赋形剂的组分为丙烯类树脂19.4g、甲苯59.1g、乙 醇3g、增塑剂(BPBG) 6.5g。
利用刮刀式方法，将制作的电介质浆料在聚对苯二甲酸丁二醇酯 薄膜上成膜，形成多片基板用生片。
然后，层叠多片基板用生片，在74MPa下施压后，在大气中，在 900'C下烧成1小时，得到玻璃陶瓷多层基板。其中，烧成后的玻璃陶 瓷多层基板的厚度为0.2mm，在玻璃陶瓷多层基板中板状氧化铝填充 剂的含量，相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量为30体积％。
对如上所述制造的玻璃陶瓷多层基板，进行依据JISC2141的三点 弯曲强度试验。即，用两点支撑玻璃陶瓷多层基板的一边，在与其相 对的边上的上述两点中间位置处缓慢加力，测定玻璃陶瓷多层基板开 始断裂时候的负荷，由此算出三点弯曲强度(MPa)。测定30个点的 该弯曲强度，求出平均值(平均弯曲强度)。其结果如表l所示。 (实施例2、 3和比较例1 4)
除了如表1所示的改变板状氧化铝填充剂的平均板径、平均厚度 和平均长宽比以外，其余采用与实施例1同样的方法制作玻璃陶瓷多 层基板。另外，烧成后的玻璃陶瓷多层基板的厚度均为0.2mm，玻璃说明书第10/11页
陶瓷多层基板中板状氧化铝填充剂的含量，相对于玻璃成分和板状氧
化铝填充剂的合计量，均为30体积％。
采用实施例1同样的方法测定已制作的玻璃陶瓷多层基板的弯曲强度。平均弯曲强度的测定结果如表l所示。
表l
实施例 1实施例 2实施例比较例 1比较例 2比较例比较例 4
平均板径(nm)2.05.07.00.62.05.0腦
平均厚度(nm)0.040.070.10J 0.060.080.200.30
平均长宽比50.071.470.0 10.025.025.033.0
平均弯曲强度(MPa)410432458350363386351
(实施例4)
除了用含有鳞石英的收縮抑制用生片夹住被层叠的基板用生片的两侧而进行烧成以外，采用与实施例1同样的方法，制作玻璃陶瓷多层基板，测定弯曲强度。板状氧化铝填充剂的平均板径、平均厚度、平均长宽比和平均弯曲强度的测定结果如表2所示。在此，烧成后的玻璃陶瓷多层基板的厚度为0.2mm，玻璃陶瓷多层基板中板状氧化铝填充剂的含量，相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量，为30体积％。
(实施例5、 6和比较例5 8)
除了用含有鳞石英的收縮抑制用生片夹住被层叠的基板用生片的两侧而进行烧成以外，其他分别采用与实施例2、 3以及比较例1 4同样的方法，制作玻璃陶瓷多层基板，测定弯曲强度。板状氧化铝填充剂的平均板径、平均厚度、平均长宽比和平均弯曲强度的测定结果如表2所示。另外，烧成后的玻璃陶瓷多层基板的厚度均为0.2mm，玻璃陶瓷多层基板中板状氧化铝填充剂的含量，相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量，均为30体积％。(实施例7)
除了使用含有Si02、 Ba203、八1203和SrO的材料作为玻璃粉末以外，采用与实施例5同样的方法制作玻璃陶瓷多层基板，测定弯曲强度。板状氧化铝填充剂的平均板径、平均厚度、平均长宽比和平均弯
曲强度的测定结果如表2所示。在此，烧成后的玻璃陶瓷多层基板的厚度为0.2mm，玻璃陶瓷多层基板中板状氧化铝填充剂的含量，相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量，为30体积％。
表2
实施例 4实施例实施例 6实施例J比较例比较例 6比较例 7比较例 8
平均板径(nm)2.05.07.05.00.62.05,010.0
平均厚度(nm)0.040.070.100.070.060.080.200.30
平均长宽比50.071.470.071.410.025.025.033.0
平均弯曲强度 (MPa)4305504卯405360370390360
(实施例8、 9和比较例9、 10)除了改变玻璃陶瓷多层基板中板状氧化铝填充剂的含量以外，其他采用与实施例3同样的方法，制作玻璃陶瓷多层基板，测定弯曲强度。相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量的板状氧化铝填充剂的含量、板状氧化铝填充剂的平均板径、平均厚度、平均长宽比和平均弯曲强度的测定结果如表3所示。另外，烧成后的玻璃陶瓷多层基板的厚度均为0.2mm。
表3
实施例8实施例9比较例9比较例10
平均板径(nm〉7.07.07.07.0
平均厚度(nm)0.100.100.100.10
平均长宽比70.070.070.070.0
平均弯曲强度(MPa)4214053卯352
板状氧化铝填充剂的含量(体积％)24342038
根据表1 3的结果可以确认，实施例1 9的玻璃陶瓷多层基板与比较例1 10的玻璃陶瓷多层基板相比较，其三点弯曲强度出色。
1权利要求
1.一种玻璃陶瓷基板，其特征在于含有玻璃成分和分散在该玻璃成分中的板状氧化铝填充剂，所述板状氧化铝填充剂的平均板径为0.1～20μm，平均长宽比为50～80，相对于所述玻璃成分和所述板状氧化铝填充剂的合计量，所述板状氧化铝填充剂的含量为22～35体积％。
全文摘要
本发明提供一种玻璃陶瓷基板(11a)～(11d)，其含有玻璃成分和分散在该玻璃成分中的板状氧化铝填充剂，所述板状氧化铝填充剂的平均板径为0.1～20μm，平均长宽比为50～80，相对于所述玻璃成分与所述板状氧化铝填充剂的合计量，所述板状氧化铝填充剂的含量为22～35体积％。
文档编号H05K1/03GK101684035SQ20091017776
公开日2010年3月31日 申请日期2009年9月25日 优先权日2008年9月26日
发明者小更恒, 金田功, 高桥祐介 申请人:Tdk株式会社