烷基，η表示0~2的整数。）
[0137] 作为B和D表示的反应性部位，可举出例如乙烯基、烯丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰 基、丙烯酰基氧基、甲基丙烯酰基氧基、环氧基、羧基、羟基等。
[0138] 作为通式（2)的具体例子，可举出丙烯酰氧基乙基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧基丙 基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧基丁基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧基戊基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧 基己基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧基庚基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基乙基三甲氧基硅烷、 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丁基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基 己基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基庚基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧 基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、以及包括上述化合物中的甲氧基被取代 为其他烷氧基或羟基的化合物在内的物质等。
[0139] 作为通式（3)的具体例子，可举出丙烯酸-2, 2, 2-三氟乙酯、丙烯酸-2, 2, 3, 3， 3_五氟丙酯、丙烯酸-2-全氟丁基乙酯、丙烯酸-3-全氟丁基-2-羟基丙酯、丙烯酸-2-全氟 己基乙酯、丙烯酸-3-全氟己基-2-羟基丙酯、丙烯酸全氟辛基甲酯、丙烯酸-2-全氟辛基 乙酯、丙烯酸-3-全氟辛基-2-羟基丙酯、丙烯酸-2-全氟癸基乙酯、丙烯酸-2-全氟-3-甲 基丁基乙酯、丙烯酸-3-全氟-3-甲氧基丁基-2-羟基丙酯、丙烯酸-2-全氟-5-甲基己基 乙酯、丙烯酸-3-全氟-5-甲基己基-2-羟基丙酯、丙烯酸-2-全氟-7-甲基辛基-2-羟 基丙酯、丙烯酸四氟丙酯、丙烯酸八氟戊酯、丙烯酸十二氟庚酯、丙烯酸十六氟壬酯、丙烯酸 六氟丁酯、甲基丙烯酸_2,2,2_三氟乙酯、甲基丙烯酸_2,2,3,3,3_五氟丙酯、甲基丙烯 酸-2-全氟丁基乙酯、甲基丙烯酸-3-全氟丁基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸全氟辛基甲酯、 甲基丙烯酸-2-全氟辛基乙酯、甲基丙烯酸-3-全氟辛基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-全 氟癸基乙酯、甲基丙烯酸-2-全氟-3-甲基丁基乙酯、甲基丙烯酸-3-全氟-3-甲基丁 基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-全氟-5-甲基己基乙酯、甲基丙烯酸-3-全氟-5-甲基己 基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-全氟-7-甲基辛基乙酯、甲基丙烯酸-3-全氟-7-甲基 辛基乙酯、甲基丙烯酸四氟丙酯、甲基丙烯酸八氟戊酯、甲基丙烯酸八氟戊酯、甲基丙烯酸 十二氟庚酯、甲基丙烯酸十六氟壬酯、甲基丙烯酸-1-三氟甲基三氟乙酯、甲基丙烯酸六氟 丁酯等。
[0140] 作为上述用于对粒子表面实施疏水化处理的疏水性化合物，可举出例如在分子中 具有疏水基团和反应性部位的化合物。通常，疏水性化合物的疏水基团只要具有疏水的功 能即可，没有特别限定，作为疏水基团的具体例子，可列举例如选自由碳原子数为4以上的 氟烷基、碳原子数为8以上的烃基、及硅氧烷基组成的组中的至少1种的官能团。
[0141] 作为上述反应性部位，是利用自由基（其是接受光或热等能量而产生的）等进行 化学反应的部位，作为具体例子，更优选具有乙烯基、烯丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙 烯酰基氧基、甲基丙烯酰基氧基、环氧基、羧基、羟基等接受光或热等能量进行化学反应的 反应性部位。
[0142] 即，作为用于对粒子表面实施疏水化处理的疏水性化合物，优选使用选自由具有 反应性部位和碳原子数为4以上的氟烷基的化合物（氟化合物）、具有反应性部位和碳原子 数为8以上的烃基的化合物（长链烃化合物）、及具有硅氧烷基和反应性部位的化合物（硅 氧烷化合物）组成的组中的至少1种化合物。
[0143] 长链烃化合物表示在分子中具有反应性部位和作为疏水基团的碳原子数为8以 上的烃基的化合物。碳原子数为8以上的烃基的碳原子数优选为8以上且30以下。此外， 碳原子数为8以上的烃基可以选择直链结构、支链结构、脂环结构中的任意种。作为长链 烃化合物，可较优选使用碳原子数为10以上且22以下的直链状的烷基醇、烷基环氧化物 (alkyl epoxide)、丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、羧酸烷基酯（包含酸酐和酯类）等。
[0144] 作为长链烃化合物的具体例子，可举出辛醇、己二醇、庚二醇、辛二醇、硬脂醇等多 元醇、丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-羟基辛酯、甲基丙烯酸-2-羟基辛酯等丙烯 酸酯（甲基丙烯酸酯），辛基三甲氧基硅烷等丙烯酰基硅烷等。
[0145] 作为硅氧烷化合物，可举出在分子中具有反应性部位和作为疏水基团的硅氧烷基 的化合物。硅氧烷化合物的反应性部位可优选使用丙烯酰基氧基、甲基丙烯酰基氧基。
[0146] 此外，作为硅氧烷基，可优选使用下述通式（4)表示的聚硅氧烷基。
[0147] -(Si(R8)(R9)-O)m-
[0148] · · · ·通式（4)
[0149] (通式（4)中，R8和R9各自独立地表示碳原子数为1~6的烷基、苯基、3-丙烯酰 氧基-2-羟基丙基氧基丙基、2-丙烯酰氧基-3-羟基丙基氧基丙基、末端具有丙烯酰基氧基 或甲基丙烯酰基氧基的聚乙二醇丙醚基、或具有末端羟基的聚乙二醇丙醚基，m表示10~ 200的整数。）
[0150] 具有通式（4)表示的聚硅氧烷基作为疏水基团的硅氧烷化合物的具体例子，可举 出具有下述通式（5)表示的二甲基硅氧烷基、以及反应性部位的化合物。作为具有通式 (5)的二甲基硅氧烷基、以及反应性部位的硅氧烷化合物的具体例子，可举出X-22-164B、 X-22-164C、X-22-5002、X-22-174D、X-22-167B (以上为商品名，信越化学工业株式会社制） 等。
【主权项】
1. 一种硬涂膜，其特征在于，在基材膜的至少一面上具备含有粒子的第1硬涂层，由所 述粒子形成的突起以每100ym2为300~4000个的密度存在于第1硬涂层的表面，第1硬 涂层表面的中心线平均粗糙度（Ral)小于30nm，雾度值小于1. 5%。
2. 如权利要求1所述的硬涂膜，其中，所述粒子的平均粒径（r)为0. 05~0. 5ym。
3. 如权利要求1或2所述的硬涂膜，其中，所述粒子的平均粒径（r)相对于第1硬涂层 的厚度⑷的比率（r/d)为0? 01~0? 30。
4. 如权利要求1~3中任一项所述的硬涂膜，其中，所述突起的平均直径为0. 03~ 0? 3ym，所述突起的平均高度为0? 03~0? 3ym。
5. 如权利要求1~4中任一项所述的硬涂膜，其中，所述突起的平均间隔为0. 10~ 0. 70um〇
6. 如权利要求1~5中任一项所述的硬涂膜，其中，第1硬涂层的厚度（d)为0. 5ym 以上且小于10ym。
7. 如权利要求1~6中任一项所述的硬涂膜，其中，所述基材膜与第1硬涂层之间具备 厚度为〇. 005~0. 3ym的树脂层，所述树脂层含有平均粒径为所述树脂层厚度的1. 3倍以 上的粒子。
8. 如权利要求1~7中任一项所述的硬涂膜，其中，所述基材膜由聚对苯二甲酸乙二醇 酯形成，所述基材膜与第1硬涂层之间具备折射率为1. 55~1. 61的树脂层。
9. 如权利要求1~8中任一项所述的硬涂膜，其中，所述基材膜与第1硬涂层之间具备 润湿张力为52mN/m以下的树脂层。
10. 如权利要求9所述的硬涂膜，其中，第1硬涂层的厚度小于2ym。
11. 如权利要求1~10中任一项所述的硬涂膜，其中，第1硬涂层中含有的所述粒子包 含无机物，对所述粒子的表面实施了用于减小表面自由能的处理或疏水化处理。
12. 如权利要求11所述的硬涂膜，其中，对于第1硬涂层中含有的所述粒子的表面，使 用通式I(CnF2n+1-(CH2)m-Si(Q)3)表示的有机硅烷化合物、所述有机硅烷化合物的水解物、或 所述水解物的部分缩合物，实施了减小表面自由能的处理， 其中，在通式1中，n表不1~10的整数，m表不1~5的整数，Q表不碳原子数为1~ 5的烷氧基或卤素原子。
13. 如权利要求11所述的硬涂膜，其中，对于第1硬涂层中含有的所述粒子的表面，在 使用通式2(B-R4-SiR5n(OR6)3_n)表示的化合物进行处理之后，使用通式3(D-R7-Rf2)表示的 氟化合物进行处理，由此进行了疏水化， 其中，在通式2和3中，B和D各自独立地表示反应性部位，R4和R7各自独立地表示碳 原子数为1~3的亚烷基、或由所述亚烷基衍生出的酯结构，R5和R6各自独立地表示氢或 碳原子数为1~4的烷基，Rf2表示氟烷基，n表示0~2的整数。
14. 如权利要求11所述的硬涂膜，其中，对于第1硬涂层中含有的所述粒子的表面， 使用具有反应性部位和碳原子数为4以上的氟烷基的氟化合物、具有反应性部位和碳原子 数为8以上的烃基的长链烃化合物、或具有硅氧烷基和反应性部位的硅氧烷化合物进行处 理，由此进行了疏水化。
15. 如权利要求1~14中任一项所述的硬涂膜，其中，第1硬涂层中含有的所述粒子为 二氧化娃粒子。
16. 如权利要求1~15中任一项所述的硬涂膜，其中，在所述基材膜的与设置有第1硬 涂层的面相反的面上具备第2硬涂层，第2硬涂层的表面实质上不存在由粒子形成的突起， 且第2硬涂层表面的中心线平均粗糙度（Ra2)为25nm以下。
17. -种透明导电性膜，其中，在权利要求1~16中任一项所述的硬涂膜的至少一面上 具备透明导电膜。
【专利摘要】一种硬涂膜，其特征在于，在基材膜的至少一面上具备含有粒子的第1硬涂层，由所述粒子形成的突起以每100μm2为300～4000个的密度存在于第1硬涂层的表面，第1硬涂层表面的中心线平均粗糙度(Ra1)小于30nm，雾度值小于1.5％。本发明提供一种透明性高、且滑动性和耐粘连性良好的硬涂膜。
【IPC分类】B32B7-02, H01B5-14
【公开号】CN104822522
【申请号】CN201380061679
【发明人】丰岛裕, 前田清成, 土本达郎
【申请人】东丽薄膜先端加工股份有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2013年11月6日
【公告号】WO2014084008A1