专利名称:频率合成器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于稳定频率合成器的频率的方法。更具体地说，本发明涉及一种借助于通过使用锁相环(PLL)耦合到压控振荡器(VCO)的基准振荡器来稳定频率合成器的频率的方法。本发明还涉及一种频率合成器。
背景技术：
在典型的现代无线收发器中，根据基准振荡器来导出通信频率。例如，在无线电话机中，使用基于基准振荡器的频率来发起与基站的通信。在已经建立连接之后，可以进一步借助各种同步方法来改进频率精确度，但是初始通信频率必须足够精确以便能够建立初始通信。
在典型的收发器体系结构中，基准振荡器的输出被锁相到VCO的输出，并且所述VCO的输出提供了期望的本机振荡器(localoscillator，LO)频率。
在图1a中描绘了这种基于PLL的频率产生的例子。使用相位比较器12的输出13来稳定VCO 14的操作；VCO 14的输出频率15是基准振荡器频率11乘以分频器链(divider chain)16的分频因数(dividing factor)N。
基本的基于PLL的频率产生利用整数计数器链作为分频器，但是分数版本(fractal version)一般在∑-Δ转换器的控制之下使用分数分频器来近似连续输出的频率范围，所述分数分频器在两个不同的分频模(dividing modulo)之间交替。
如果分频因数N被设置为动态可变的，那么图1a中所描绘的基于PLL的频率产生可以发展为图1b中所描绘的频率合成器。
除要求向VCO提供长期频率精确度之外，由于LO产生的载波所包含的相位噪声越少，通信信道越适于提供无差错信息传输，所以需要低基准振荡器相位噪声。
基准振荡器被用作为频率合成器中的精确且稳定的基准频率并且提供精确且稳定的基准频率信号以便能够产生可变但稳定的频率，所述频率可以被用作为可调谐的LO频率。
频率合成器的输出频率信号的关键要求是稳定性、低相位噪声以及高热稳定性，例如具有低热系数，并且还要求可以迅速地选择所述输出频率的精确值。
在无线通信设备中，基准振荡器通常是基于石英晶体的。石英谐振器稳定且精确的机械振动很适于产生具有优秀的长期(漂移和老化)和短期(相位噪声)稳定性的振荡器。此外，借助适当的石英制备方法(例如，AT-cut)，可以把谐振频率的温度相关性降低为较低值(小于典型的操作温度范围的百万分之几)。石英晶体基准振荡器模块的主要缺点是它们相当笨重的大小并且难于与收发器模块单片集成，所述收发器模块典型情况下是基于高度集成的解决方案。现代微加工技术可以制造微型机械谐振器(微机电系统＝MEMS)，其谐振频率范围从几个kHz直到GHz范围。在H.J.De Los Santos的“RF MEMSCircuit Design for Wireless Communications”中给出了基于表面或整体微加工硅的这种微谐振器的例子，Artech House，Boston/London，2002年。微谐振器的优点包括尺寸小、功耗低、以及可以增加谐振器、振荡器电子器件和器件封装之间的集成度。单片集成和芯片级系统方法是用于增加基准振荡器集成度的可行解决方案。微加工谐振器和集成电路的单片集成便于更复杂的微机电电路，并且可以提供完整的芯片级频率合成器。
然而，在频率合成器中使用基于硅的微谐振器的基础复杂性源于它们的大温度系数，典型情况下df/dT从-10到-30ppm/K。这种温度相关性如果不加以应对的话则对于基准应用来说太大。因此要求补偿此温度相关性以使微谐振器适于作为频率合成器的基准频率。
发明内容本发明的目的是消除现有技术的缺点并且提供一种用于稳定频率合成器的频率的改进方法以及一种改进的频率合成器。
本发明提供了LO频率合成器体系结构，其中具有非零温度系数的MEMS基准振荡器单元用于频率稳定，并且其中在合成器级应对基准频率的温度相关性。
本发明是基于以下原理的，测量谐振器温度以便电子补偿温度相关性以及所产生的与温度相关的频移。通过测量如在图1c中所描述的MEMS谐振器的温度T并且通过使用已知的频率vs.温度函数fr(T)，谐振频率变为精确定义的量，其可以用来改进依照图1b的现有技术频率合成器的稳定性。
在优选实施例中，温度测量是基于激励MEMS谐振器中具有不同温度系数的两个模式。通过查看两个模式的频移，可以测量并且电补偿温度的改变。此方法具有以下优点1)不需要温度传感器来消除与所述传感器和谐振器的温度差异相关联的温度瞬时滞后，2)频率测量是准确的并且直接数字地实现，和3)由于谐振器也是传感器，所以不需要附加传感器。这简化了构造并且降低了成本。
在所附权利要求
中详细地给出了本发明的特征。
在本发明中所给出方法的主要优点在于，因为在频率合成中直接考虑MEMS振荡器的相当大的(但是可预测的)温度相关性，所以在振荡器本身不被补偿的情况下，基准振荡器的长期稳定性和低相位噪声可以被更好地优化。使用所描述的方法，MEMS基准振荡器可以(单片地)集成为无线收发器模块的一部分。
结合附图根据本发明的以下具体实施方式
，将更清楚地理解本发明的上述和附加目的、特征和优点，其中图1a是典型的基于PLL的频率合成器的框图，其中VCO产生LO频率，
图1b是频率合成器的简化框图，图1c是依照本发明的频率合成器的简化框图，图2a是依照本发明优选实施例的频率合成器的框图，图2b是依照本发明实施例的简化频率合成器的框图，图2c是依照本发明另一实施例的频率合成器的框图，图3a和3b图示了对方形板谐振器(square plate resonator)所观察的具有不同温度系数的两个振动模式，图4公开了两个方形板振动模式的测量频率系数，图5a、5b图示了用于同时检测两个方形板振动模式的两种方法，和图6图示了利用根据两个模式测量所提取的温度信息来实现的本发明优选实施例。
具体实施方式本发明涉及一种通过使用基准振荡器来稳定频率合成器的频率的方法，所述基准振荡器使用锁相环(PLL)或频率比较控制器耦合到压控振荡器(VCO)，其中利用基准MEMS振荡器来稳定所述VCO，借此通过测量MEMS谐振器的温度T并且通过使用其已知的频率vs.温度函数fr(T)，输出频率变为精确定义的量，其可以被用为频率合成器中的基准。
在下面对于基于MEMS振荡器的频率合成器给出了三种稳定方法。
依照第一方法，利用在图2a中所描绘的框图，VCO 24产生LO频率(例如在1GHz)fLO。典型情况下以相当低的频率(例如在10MHz)操作MEMS基准振荡器21。VCO输出频率在分频器25中被分频，以便使分频器的输出频率28等于MEMS基准振荡器频率。它们的相对相位由相位检测器22来检测，并且在低通滤波(LPF)23之后，该结果被用来稳定VCO 24。此环路形成了基本PLL，如先前所描述。
MEMS基准振荡器21的频率随温度是不稳定的，但是其随温度而变的频率偏移可以通过修改分频器25来补偿。
先前已知的可连续调谐的分数N分频器(fractional-N divider)技术可以方便地用来调节分频器链(divider chain)25的计数。这可以例如通过使用∑-Δ调制器技术来实现，所述∑-Δ调制器技术连续地调节分频器级的计数模N。使用∑-Δ调制器27来调节26分频器25，VCO频率变为基准频率的N+x[n]倍并且可以是几乎可连续调整的。N表示分频器的模整数设置(module integer setting)而x[n]是用来控制∑-Δ调制器27的相位检测器输出信号28。
根据所测量29的MEMS基准振荡器21的温度T和MEMS基准21的T相关性f(T)，使用LOGIC(逻辑)电路30来产生x[n]32信号，所述x[n]信号使Δ-∑调制器27补偿由温度引发的MEMS基准振荡器21的输出频率偏移。
所述补偿借助于用于调节分频器链25的模N的Δ-∑调制器27。逻辑电路30可以有益地使用查找表31，所述查找表31提供使用所测量的基准振荡器21的温度T而选择的所需要的校正控制信号x(n)。基准频率中的制造容差偏移也被校准并可以依照相同方式被额外用于调节x[n]，例如通过使用二维查找表31或适当的组合算法。
使用稍后所描述的技术来实现MEMS基准振荡器21。可以根据体声波(bulk acoustic wave，BAW)操作使用单个MEMS振荡器来提供基准振荡器的长期稳定性和低相位噪声。如果必要的话，可以使用两个或多个MEMS组件来实现基准振荡器的改进性能，其中所述MEMS组件的属性被有选择地组合。例如，可以通过组合两个MEMS组件的属性来得出基准振荡器的长期稳定性和低相位噪声。
在图2b中描绘了第二方法的框图。它图示了VCO 44自身能够产生具有所要求的频谱纯度(相位噪声)的信号并且只需要基准振荡器41来提供长期频率稳定性的情况。
在这种情况下，可以使VCO反馈环路是非常窄带的，并且可以在分频器43中使用恒定的整数N进行分频来产生输出以便在混合器42中与来自基准振荡器41的基准频率相混合。混合器42输出混合频率的总和以及差异频率，但是在低通滤波器48之后只有基准频率fr和经分频的VCO输出频率fVCO/N之间的低频差异频率fbeat＝fr-fVCO/N(或fVCO/N-fr)保留，并且可以用来产生VCO的控制信号，所述控制信号调节VCO以便输出期望的频率。重要的是应当注意，VCO输出信号不必是基准信号的恒定倍数。通过适当地选择差异频率fbeat，可以精调输出频率fVCO＝N·(fr-fbeat)。这可以用来数字补偿在基准振荡器中由温度引发的改变。
VCO控制信号49由逻辑电路45产生并且可以向此控制信号进一步添加校正控制电压以便产生VCO的调谐电压，其另外为基准振荡器校正与温度相关的频率偏移和/或在校准期间所发现的偏移。
如果频率的相对频率感测不改变，才可以使用所描述的混合方法。另一更通用的方法是通过使用一个公共信号选通计数器来直接计数两个较低频率信号fr和fVCO/N来确定频率差异及其感测。该时钟例如可以是所述信号中的任何一个。
逻辑电路45输出调谐控制电压49，所述调谐控制电压49按照这样一种方式取决于频率差异，即，经分频的VCO输出频率和基准频率之间的差异频率更接近于期望的频率差异。
取决于所测量的振荡器温度T和任何校准校正(calibrationcorrection)的电压可以另外被设置来调节VCO 44的调谐电压，有益地是通过简单地使用查找表和DAC来调节。依照先前针对第一方法所描述的相同方式，查找表可以包含校准校正值和取决于MEMS基准振荡器的已知的与温度相关的特性的校正值。
此方法的有益实施例是借助模拟方法使用频率差异来控制VCO并且使用逻辑电路45和控制信号50来为温度和校准校正数字地调节整数计数器链以便改变分频器计数器链43的分频模。
每当合成器分频器使用整数值来分频时(例如对于信道选择)，逻辑电路如果被馈送了期望信道的信息，那么可以迅速地提供信道选择，在图2b的例子中，逻辑电路45可以直接地向期望的信道提供所需要的、经温度校正的N，并且从而提供迅速的信道选择。
在收发器中用于迅速信道选择的此方法不局限于在图2b中所描绘的方法，而是每当校正值被安排来修改计数器链时就可以使用。从而此方法也可以与优选实施例一起使用。在未示出的一个有利实施例中，使用三维表来代替二维校正表以便为制造校准校正、基准振荡器温度校正和信道选择频率偏移的所有组合提供校正值。
可以依照对本领域技术人员来说显而易见的许多其它方式来实现向计数器链提供温度、校准或信道校正的N值。例如除改变计数器链的模或使用分数方法之外，可以通过以规则的速率增加或减小计数来修改计数器本身的计数值以便增加或减小输出频率。此方法(通常在相位累加器中用来给出固定的相位偏移)可以针对连续相位改变而容易地修改，其实际上提供了可控制地增加或减少输出频率。
图2c是依照本发明另一实施例的频率合成器的框图，其中使用偏移合成器来用于VCO 55输出频率的温度稳定。VCO产生LO频率(例如在1GHz)fLO。MEMS基准振荡器51提供了基准频率，典型情况下为10MHz。VCO输出频率在分频器54中被分频，并且使用混合相位检测器52把经分频的VCO输出与基准振荡器相混合。利用低通滤波器53来滤波混合器输出以便获得f1＝fVCO-fr。第二混合器57用来把由振荡器58所提供的偏移频率foffset添加到所述信号。在利用第二低通滤波器56滤波之后，获得所产生的频率f2＝f1-foffset。当相位环路被锁定时，频率f2是零并且VCO输出等于fVCO＝N·(fr+foffset).
MEMS基准振荡器51的频率随温度是不稳定的，但是其随温度而变的频率偏移可以通过调节foffset来补偿。根据所测量的MEMS基准的温度T和MEMS基准51的T相关性f(T)，逻辑电路60和查找表59用来控制偏移振荡器58。偏移振荡器可以是具有宽调谐范围的VCO或MEMS振荡器(例如挠性振荡器)。
依照本发明另一实施例，以两个模式同时激励硅谐振器，每个模式具有不同的温度系数。在图3中示出了用于示出这两类模式的有用谐振器结构的例子。图3a图示了板中的扩展模式振动(在f0＝13.1MHz，Q＝120000)并且图3b是Lamé模式振动(在f0＝12.1MHz，Q＝60000)。扩展振动模式被表征为保留原始方形的2-D板扩展(plateexpansion)。Lamé模式被表征为保留板体积的板弯曲(platebending)。所述组件可以通过绝缘体上硅结构(silicon-on-insulatorSOI)晶片的深度反应离子蚀刻来制造。可以利用角锚定(T型角锚定)来电接触到谐振器使得可以利用一个掩模来制造整个器件。另外已经示出非常适于获得低相位噪声的扩展模式，参见V.Kaajakari、T.Mattila、A.Oja、J.Kiihamaki、H.Kattelus、M.Koskenvuori、P.Rantakari、I.Tittonen和H.Sepp刊登于Transducers′03的论文“Square-Extensional Mode Single-Crystal Silicon MicromechanicalRF-resonator”(Boston，2003年6月)。图4示出了两个模式中所测量的温度相关性，所述两个模式彼此不同。
在图5a和图5b中描绘了两个振动的同时且独立的检测。在图5a和5b中，示出了声模(BAW)硅谐振器，包括方形板、在所述板的各个面上提供电容耦合的电极ELE1-ELE4、被连接到所述电极的电压源Uin和Ubias和输出电压。利用在图5a中所示出的差分电极结构，可以利用相同电极来检测两个模式。这对于这两个模式给出了最大的信号幅度但是使振荡器电子器件变得复杂。在图5b中所示出的结构使用具有不同偏压的不同电极(对于另一Lamé电极来说具有不同的极性)以便激励和/或激励Lamé和扩展模式。驱动电子器件更为简单并且两个模式具有良好的隔离，但是该结构对于信号功率来说并非是最优的。为简单起见，所示出两个模式的电极大小相等，但是实际的实现方式可以对于用来产生基准频率的模式使用较大电极并且对于用来产生温度信息的模式使用较小电极。
在相同谐振器中检测两个模式的替换方式是在邻近热触点中(例如在相同的衬底上)制造两个谐振器，以板扩展模式驱动一个谐振器并且以Lamé模式驱动另一个谐振器。由于这些谐振器在相同的硅衬底上，所以谐振器温度是高度相关的。此结构的好处在于所述模式在电和机械上是隔离的并且简化了振荡器电子器件。
还可以使用其它微谐振器结构来产生温度信息。例如，可以从扭转和挠性梁振动模式获得温度信息，因为这两个模式也具有不同的温度相关性。或者，可以使用由具有不同温度相关性的不同材料制成的两个谐振器。
可以如下产生频率补偿所需的温度信息两个模式在频率f1和f2谐振。两个模式被同时激励并且由两个谐振所产生的脉冲如先前描述被检测并且分别在计数器1和2中计数。如果计数器1已经存储N1个周期，那么计数器2已经在相同时间内存储了N2＝f2/f1·N1个周期。保持N1固定，从而可以获得温度。
这种温度信息可以由本发明用来依照第一方法、其简化形式和第三方法来校正频率合成器的输出频率。也可以使用其它温度测量方法来实现频率补偿，但是双模式方法尤其适用于MEMS基准振荡器。
如在图6中所描述，可以直接使用此双模式方法来使基准振荡器用于高频率合成器。所描绘的合成器使用基准振荡器和分数N的锁相环路。基准振荡器71具有两个频率输出72和73，其具有不同的温度相关性。频率输出72被设计成具有低相位噪声。这些输出72和73利用计数器174和计数器275来计数。如先前已经描述，计数器输出由逻辑电路77用来计算振荡器温度。使用温度信息连同在存储器76中所存储的校准信息来计算分频器83中的正确的分频因数N，以产生由fVCO＝N·f1所给出的期望LO频率。由于f1取决于温度，所以所要求的分频N因数可能是分数而不是整数。
使用VCO 80合成期望的频率来产生LO频率。VCO输出频率在分频器83中被分频，以便使分频器的输出频率81等于MEMS基准振荡器频率72。依照先前所描述的方式由分数∑-Δ调制器82来改变分频器83中的分频因数。逻辑电路77用来控制∑-Δ调制器以便获得分数分频。基准振荡器信号72和经分频的信号81之间的相对相位由相位检测器78来检测，并且在LPF 79中低通滤波之后，使用相位比较结果来稳定VCO 80。如先前所描述，此环路形成了基本PLL。
基准振荡器71被设计成使得输出信号72主要具有低相位噪声并且只是其次才具有高温稳定性。期望的LO频率使用具有低质量因数的压控振荡器来合成，并且因此为了良好的稳定性而被锁定到基准振荡器以便提供低抖动的LO信号，该信号为载波信号及其它用途所需要。
使用分数N调制器以便对VCO频率进行分数分频来校正任何基准振荡器频移。
所存储的校准值和已知的温度相关性由逻辑电路用来控制分数N调制器。
可以有益地使用∑-Δ调制器来实现分数N PLL。此技术提供了几乎连续的频率调谐并且已经被证明能够满足GSM相位噪声规范。
对本领域技术人员来说显然，本发明的不同实施例不局限于上述例子，而是它们可以在所附权利要求
的范围内改变。
权利要求
1.一种借助于耦合到压控振荡器(VCO)的基准振荡器单元来稳定频率合成器的频率的方法，其中所述合成器装备有锁相环(PLL)来稳定所述压控振荡器的操作，其特征在于所述基准振荡器单元是MEMS(微机电系统)基准振荡器单元，测量所述MEMS基准振荡器单元的温度，通过使用频率/温度函数、依照所测量的温度来校正输出频率。
2.如权利要求
1所述的用于稳定频率合成器的频率的方法，其中所述压控振荡器产生本机振荡器频率，所述压控振荡器输出频率被分频成等于所述MEMS基准振荡器频率，并且它们的相对相位被检测并用于调谐所述压控振荡器，其特征在于使用分频器来补偿随温度而变的基准频率偏移误差。
3.如权利要求
2所述的用于稳定频率合成器的频率的方法，其特征在于，使用∑-Δ调制器技术来实现可调谐的(分数-N)分频器，借此使用对所述分频器的∑-Δ调制器反馈，压控振荡器频率变为所述基准频率的N+x[n]倍，其中N表示分频器的整数设置并且x[n]是用于引导所述∑-Δ调制器的输入序列，并且根据所测量的MEMS振荡器(T)的温度(T)和基准频率T相关性fr(T)，使用逻辑电路来产生x[n]，所述x[n]用于补偿由温度引发的基准频率的偏移。
4.如权利要求
2所述的用于稳定频率合成器的频率的方法，其特征在于，所述压控振荡器自身能够产生具有所要求的频谱纯度(相位噪声)的信号，并且需要基准振荡器来提供长期频率稳定性，借此通过计数拍频(fr-fVCO/N)来求解所述基准频率fr和经分频的VCO频率(fVCO/N)之间的差异，然后把所述频率差异与所测量的T和已知函数fr(T)相组合以便产生用于VCO的正确的调谐电压。
5.如权利要求
2所述的用于稳定频率合成器的频率的方法，其特征在于，所述压控振荡器自身能够产生具有所要求的频谱纯度(相位噪声)的信号，并且需要基准振荡器来提供长期频率稳定性，借此通过利用所述基准频率fr和经分频的VCO频率(fVCO/N)信号之一作为计数的时钟来直接计数这两个频率(fr)和(fVCO/N)，从而求解这两个频率(fr)和(fVCO/N)之间的差异，并且其中然后把所述频率差异与所测量的T和已知函数fr(T)相组合以便产生用于VCO的正确的调谐电压。
6.如权利要求
1所述的用于稳定频率合成器的频率的方法，其特征在于，使用可以调谐的第二低频振荡器来进行对上变频PLL中的基准振荡器频率的温度补偿。
7.如权利要求
1所述的用于稳定频率合成器的频率的方法，其特征在于，将偏移合成器用于VCO(55)输出频率的温度稳定，所述VCO产生LO频率，所述MEMS基准振荡器(51)提供基准频率，所述VCO输出频率在分频器(54)中被分频并且使用混合相位检测器(52)把经分频的VCO输出与基准振荡器相混合，利用低通滤波器(53)来对混合器输出进行滤波以便获得f1＝fVCO-fr，使用第二混合器(57)来把由振荡器(58)所提供的偏移频率(foffset)添加到信号，而且在利用第二低通滤波器(56)滤波之后，获得所产生的频率(f2＝f1-foffset)。
8.如权利要求
1所述的用于稳定频率合成器的频率的方法，其特征在于，通过在MEMS谐振器中激励具有不同温度系数的两个模式来测量温度，其中通过查看所述两个模式的频移，可以测量温度的改变。
9.如权利要求
1所述的用于稳定频率合成器的频率的方法，其特征在于，在PLL计数器链的相位累加器中以恒定速率连续地增加或减去由不管任何方法的温度测量所选择的校正值，以便根据所述温度来增加或减小所述输出频率。
10.一种频率合成器，装备有被耦合到压控振荡器(VCO)以便稳定频率合成器的频率的基准振荡器，其中所述合成器装备有锁相环(PLL)以便稳定所述压控振荡器的操作，其特征在于基准振荡器单元是MEMS(微机电系统)基准振荡器单元，而且频率合成器具有用于测量MEMS基准振荡器单元的温度、并且用于通过使用频率/温度函数依照所测量的温度来校正输出频率的装置。
11.如权利要求
10所述的频率合成器，其特征在于，至少一个组件是具有方形板和在所述板的各个面上所布置的用于电容耦合的电极的微机械体声波模式(BAW)硅谐振器，其中振动模式被表征为用于保留原始方形的2-D板扩展。
12.如权利要求
10所述的频率合成器，其特征在于包括用于产生本机振荡器频率的装置，用于对压控振荡器输出频率进行分频以便等于MEMS基准振荡器频率的装置，和用于检测它们的相对相位以及用于调谐压控振荡器的装置。
13.如权利要求
12所述的频率合成器，其特征在于包括一个分频器以便补偿随温度而变的基准频率偏移误差。
14.如权利要求
12所述的频率合成器，其特征在于，可调谐的(分数-N)分频器是∑-Δ调制器。
15.如权利要求
12所述的频率合成器，其特征在于，压控振荡器具有用于由自身产生具有所要求的频谱纯度(相位噪声)的信号的装置，并且需要基准振荡器来提供长期频率稳定性。
16.如权利要求
10所述的频率合成器，其特征在于，偏移合成器被用于VCO(55)输出频率的温度稳定，而且它包括产生LO频率的VCO，所述MEMS基准振荡器(51)提供基准频率，所述VCO用于在分频器(54)中对输出频率进行分频，并且使用混合相位检测器(52)把经分频的VCO输出与基准振荡器相混合，利用低通滤波器(53)来对混合器的输出进行滤波以便获得f1＝fVCO-fr，使用第二混合器(57)来把由振荡器(58)所提供的偏移频率(foffset)添加到信号，而且存在用于在利用第二低通滤波器(56)滤波之后获得所产生的频率(f2＝f1-foffset)的装置。
17.如权利要求
10或11所述的频率合成器，其特征在于，MEMS谐振器具有温度系数不同的两个模式，使得通过在MEMS谐振器中激励具有不同温度系数的两个模式来测量温度，其中通过查看所述两个模式的频移，可以测量温度的改变。
18.如权利要求
19所述的频率合成器，其特征在于，它具有用于同时检测所述两个模式的装置。
19.如权利要求
18所述的频率合成器，其特征在于，电极结构具有用于利用相同电极检测两个模式的装置。
20.如权利要求
18所述的频率合成器，其特征在于，所述电极结构具有不同偏压的不同电极(对于另一Lamé电极来说具有相反的极性)以便激励Lamé和扩展模式。
21.如权利要求
18所述的频率合成器，其特征在于，所述电极结构具有用于激励两个模式的不同谐振器。
22.如权利要求
10所述的频率合成器，其特征在于，它包括基准频率振荡器和锁相环(分数-N PLL)，借此基准振荡器给出用于产生温度信息的频率(f1)和(f2)，所述振荡器被设计成使得信号频率f1具有低相位噪声，而且利用压控振荡器(VCO)来合成期望的频率。
23.如权利要求
10所述的频率合成器，其特征在于，所述频率合成器具有三维表以便为制造校准校正、基准振荡器温度校正和信道选择频率偏移的所有组合提供校正值。
专利摘要
一种借助于耦合到压控振荡器(VCO)的基准振荡器单元来稳定频率合成器的频率的方法和频率合成器，其中所述合成器装备有锁相环(PLL)以便稳定压控振荡器的操作，其中所述基准振荡器单元是MEMS(MicroElectromechanicalSystem，微机电系统)基准振荡器单元，测量MEMS基准振荡器单元的温度，并且通过使用频率/温度函数依照所测量的温度来校正输出频率。
文档编号H03L7/16GK1993890SQ20048004361
公开日2007年7月4日 申请日期2004年6月24日
发明者托米·马蒂拉, 奥利·加库拉, 维利·卡加卡里, 阿奈·奥加, 海基·塞帕 申请人:诺基亚公司导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan