栅极驱动器及其配置系统和调节配置方法
【技术领域】
[0001]本发明属于薄膜晶体管(TFT)显示面板的TFT阵列驱动技术领域，涉及用于为TFT阵列基板提供栅极驱动信号的栅极驱动器，尤其涉及其输出的栅极驱动信号的推力可调整输出的栅极驱动器、用于配置多个栅极驱动器以使它们之间的推力均衡的配置系统以及调节配置方法。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显示器(TFT-1XD)中，需要使用栅极驱动器来驱动控制TFT阵列。随着TFT-LCD的解析度越来越高，需要使用的栅极驱动器的个数也增加；不同的栅极驱动器驱动控制显示面板的不同TFT阵列区域，同样，同一栅极驱动器也具有不同的扇出端以驱动该栅极驱动器对应驱动的TFT阵列区域的不同扇出子区域。
[0003]对于不同的栅极驱动器，其被布置在显示面板的不同位置，不同位置的栅极驱动器的输出端至其对应驱动控制的TFT阵列区域的布线或走线(例如栅极驱动器与TFT阵列区域之间的在玻璃基板上的布线)是存在差异的，例如长度不同导致阻抗不同，也就是说，不同栅极驱动器的外部布线差异，导致最终反映在TFT阵列区域上的驱动控制信号是存在差异的；这种差异主要体现在电压脉冲信号形式的驱动控制信号的上升时间不同，也即从低电平(VGL)上升到高电平(VGH)的时间不同。栅极驱动信号或其对应的TFT阵列区域的驱动控制信号中，从VGL上升到VGH的时间差异会主要地影响其对应的推力(或称为“驱动能力”)。
[0004]示例说明，图1所示为现有技术的两个栅极驱动器的栅极驱动信号输出至相应的TFT阵列区域的驱动控制信号的比对示意图。两个栅极驱动器分别驱动不同的TFT阵列区域，因而它们是被布置在显示面板的不同位置。其中，11为第一个栅极驱动器所输出的栅极驱动信号最终输出至相应TFT阵列区域的驱动控制信号，12为第二个栅极驱动器所输出的栅极驱动信号最终输出至相应TFT阵列区域的驱动控制信号，它们都是电压脉冲信号。由于第二个栅极驱动器至其驱动控制的TFT阵列区域的布线长于第一个栅极驱动器至其驱动控制的TFT阵列区域的布线，由于布线产生的延迟(例如RC (电阻-电容)延迟)，会导致电压脉冲信号11和12的上升沿时间明显不同，这样，对于不同的TFT阵列区域来说，其接收到的驱动控制信号的推力是不均衡的。
[0005]因此，对于不同的TFT阵列区域来说，反映为接收到的驱动控制信号的推力是不均衡或不一致的，也即从VGL上升到VGH的时间不同；这种不均衡会导致在显示时出现“分屏”现象(例如在显示面板的低温等信赖性测试时会体现)。
[0006]当然，对于不同的栅极驱动器之间的自身差异，它们之间输出的栅极驱动信号的推力本身是不同，例如，即使是同一厂商生产的同一型号的芯片，由于半导体制造中的工艺波动等原因，其输出驱动的栅极驱动信号的推力也是存在或多或少的差异的，栅极驱动信号的推力差异如果最终反映在TFT阵列区域最终接收到的驱动控制信号上，也会因推力不均衡而产生以上所述分屏现象。
【发明内容】
[0007]本发明的目的之一在于，提高多个栅极驱动器分别对应驱动的不同TFT阵列区域所接收的驱动控制信号的推力的均衡性。
[0008]本发明的目的还一在于，基本消除上述分屏现象。
[0009]为实现以上目的或者其他目的，本发明提供以下技术方案。
[0010]按照本发明的一方面，提供一种栅极驱动器，用于为薄膜晶体管阵列基板提供栅极驱动信号，其包括:
推力检测模块，其至少接收从所述栅极驱动信号采集的反馈信号并至少基于该反馈信号来检测所述栅极驱动信号的推力，进而输出反映栅极驱动信号的推力的检测信号；以及推力调整模块，其包括用于根据外部配置输入的调整指令来调整所述栅极驱动信号的推力；
其中，所述调整指令至少基于所述检测信号生成，其中所述推力是指电压脉冲信号形式的栅极驱动信号从低电平到高电平的上升时间。
[0011]根据本发明一实施例的栅极驱动器，其中，所述推力检测模块包括:
比较器，其配置有输入基准电压信号的第一输入端和输入从所述栅极驱动信号采集的反馈信号的第二输入端，其中，所述比较器将所述反馈信号与所述基准电压信号进行比较判断以确定所述栅极驱动信号是否从低电平上升到所述基准电压；以及
计时子模块，其用于计时所述栅极驱动信号从低电平上升到所述基准电压的时间并基于该时间输出所述检测信号。
[0012]具体地，所述计时子模块包括计数器，所述计数器以标准时钟为单位对所述栅极驱动信号从低电平上升到所述基准电压的时间进行计数并输出。
[0013]具体地，所述推力检测模块包括:
基准电压信号提供子模块，其包括串联设置的第一电阻和第二电阻，所述比较子模块的第一输入端电连接在所述第一电阻和第二电阻之间。
[0014]具体地，所述第一电阻的第一端接入用来生成所述栅极驱动信号的信号源(VGH’或 VGL’)。
[0015]根据本发明又一实施例的栅极驱动器，其中，所述推力调整模块包括:
推力调节部件，其设置在所述栅极驱动器的推挽输出电路中；以及
寄存器，其用于可配置地存储所述调整指令，并且所述调整指令为数字信号；
其中，所述推力调节部件被所述寄存器中的调整指令调节控制。
[0016]可选地，所述推力调节部件为数字电位器或数字电容器，或者为数字电位器或数字电容器形成的电路。
[0017]具体地，所述推挽输出电路包括串联设置的第一 MOS管和第二 MOS管，所述第一MOS管接入用来生成所述高电平的信号源(VGH’)，所述第二 MOS管接入用来生成所述栅极驱动信号的低电平的信号源(VGL’)，并且在所述第一 MOS管和第二 MOS管之间串联地设置所述推力调节部件；
其中，所述反馈信号从所述推挽输出电路上的所述第二 MOS管与所述推力调节部件之间米集。
[0018]根据本发明还一实施例的栅极驱动器，其中，在所述栅极驱动器的外部对应设置有控制器，所述控制器存储有多个所述栅极驱动器输出的所述检测信号，并将多个所述栅极驱动器分别对应的检测信号进行比较计算以对应不同的所述栅极驱动器分别输出不同的所述调整指令，从而实现不同的栅极驱动器输出的栅极驱动信号被传输至薄膜晶体管阵列基板的相应薄膜晶体管阵列区域的不同驱动控制信号之间的推力相对一致。
[0019]在之前所述任一实施例的栅极驱动器中，所述控制器被配置有推力配置规则，并且基于所述配置规则和所述检测信号之间的比较计算结果来输出所述调整指令。
[0020]在之前所述任一实施例的栅极驱动器中，根据多个栅极驱动器输出的栅极驱动信号的推力差异和/或多个栅极驱动器对应的外部布线条件来设置所述推力配置规则。
[0021]优选地，所述检测信号为数字信号。
[0022]按照本发明的又一方面，提供一种配置系统，用于调节配置多个上述栅极驱动器的推力，不同的所述栅极驱动器分别用来驱动控制薄膜晶体管阵列基板的不同薄膜晶体管阵列区域，其包括:
多个以上所述的栅极驱动器；以及
控制器，其用于存储多个所述栅极驱动器输出的所述检测信号，并将多个所述栅极驱动器分别对应的检测信号进行比较计算以对应不同的所述栅极驱动器分别输出不同的所述调整指令，从而实现不同的栅极驱动器输出的栅极驱动信号被传输至相应的薄膜晶体管阵列区域的不同驱动控制信号之间的推力相对一致。
[0023]优选地，所述多个栅极驱动器被设置在同一薄膜晶体管阵列基板上。
[0024]根据本发明一实施例的配置系统，其中，所述控制器被配置有推力配置规则，并且基于所述配置规则和所述检测信号之间的比较计算结果来输出所述调整指令。
[0025]具体