液晶显示器的阵列基板及其制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种液晶显示器的阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括：多条公共电极线、多条栅极线、栅极绝缘层、像素电极、透明掩模环、钝化层以及公共电极。其中，该公共电极线及该栅极线位于基板上，该栅极绝缘层覆盖该多条公共电极线及多条栅极线；该像素电极和透明掩模环位于该栅极绝缘层上，该像素电极的一端与薄膜晶体管连接，该透明掩模环邻近该像素电极的另一端并与公共电极线部分重叠；该钝化层位于栅极绝缘层上，包括一通孔；该公共电极位于钝化层上，覆盖通孔的内表面并与公共电极线连接。
【专利说明】液晶显示器的阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种液晶显示器，尤其涉及一种液晶显示器的阵列基板。
【背景技术】
[0002] 作为液晶显示器的显示方式，以往扭曲向列（Twisted Nematic,TN)方式一直被广 泛使用，但是该方式在显示原理上，对视场角存在限制。
[0003] 作为解决该问题的方法，横向电场方式已为众所周知，例如平面内开关（In Plane Switching, IPS)方式和边缘场开关（Fringe Field Switching,FFS)方式。该横向电场方 式在阵列基板上形成像素电极和共享电极，对该像素电极和该共享电极之间施加电压，使 之产生与该阵列基板大致平行的电场，在与该阵列基板面基本平行的面内驱动液晶分子。
[0004] 然而，现有技术的IPS或FFS型液晶显示器的阵列基板中，公共电极是通过钝化层 中的通孔与公共电极线连接的。在蚀刻该通孔的制程中，该通孔的大小难以控制，可能会使 该像素电极与该公共电极的距离较近，而在某一地方发生短路，造成显示画面中存在颜色 异常。
【发明内容】
[0005] 为此，提供一种能精准控制钝化层通孔的大小和位置，以避免像素电极和公共电 极发生短路的液晶显示器的阵列基板及其制造方法实为必要。
[0006] 根据本发明的一个方面，提供一种液晶显示器的阵列基板，包括：多条公共电极 线、多条栅极线、栅极绝缘层、像素电极、透明掩模环、钝化层以及公共电极。其中，该公共电 极线及该栅极线位于基板上，该栅极绝缘层覆盖该多条公共电极线及多条栅极线。该像素 电极和透明掩模环位于该栅极绝缘层上，该像素电极的一端与薄膜晶体管连接，该透明掩 模环邻近该像素电极的另一端并与公共电极线部分重叠。该钝化层位于栅极绝缘层上，包 括一通孔。该公共电极位于该钝化层上，覆盖通孔的内表面并与公共电极线连接。
[0007] 根据本发明的一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：先在基板表面上形 成第一导电层，并利用光蚀刻制程形成多个栅极和多条公共电极线。接着，形成一层栅极绝 缘层，覆盖该基板和该栅极、该公共电极线。然后，形成第一透明导电层于该栅极绝缘层之 上，并利用光蚀刻制程形成多个像素电极和透明掩模环，该透明掩模环与该像素电极相互 隔离。接着，形成一层钝化层覆盖整个该基板，并利用光蚀刻制程形成通孔，该通孔贯穿该 钝化层和该栅极绝缘层并暴露出部分公共电极线，且该通孔落于该透明掩模环内。最后，形 成一层第二透明导电层覆盖该钝化层和该通孔，并利用光蚀刻制程形成公共电极，通过该 通孔与该公共电极线电连接。
[0008] 相较于现有技术，根据本发明提供的阵列基板及其制造方法，由于阵列基板上包 括一透明掩模环，该透明掩模环可以作为掩模来蚀刻钝化层的通孔，能精准控制钝化层通 孔的大小和位置，以避免像素电极和公共电极发生短路，提高液晶显示器的质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0009] 图1为本发明提供的液晶显示器阵列基板的俯视图。
[0010] 图2为图1中所示的液晶显示器阵列基板沿线II - II的剖示图。
[0011] 图3-图6为根据本发明提供的制造液晶显示器阵列基板的方法的示意图。
[0012] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种液晶显示器的阵列基板，包括： 一基板； 形成在基板的一个表面的多条公共电极线及多条栅极线； 栅极绝缘层，该栅极绝缘层覆盖该多条公共电极线及多条栅极线； 形成在栅极绝缘层上的多个像素电极和透明掩模环，该像素电极的一端与薄膜晶体管 连接，该透明掩模环邻近该像素电极的另一端并与公共电极线部分重叠； 形成在栅极绝缘层上并覆盖像素电极和透明掩模环的钝化层，该钝化层包括一通孔， 该通孔落于该透明掩模环中；以及 形成在钝化层上的公共电极，公共电极覆盖通孔的内表面并与公共电极线连接。
2. 如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该阵列基板还包括形成 在栅极绝缘层上的与多条栅极线交叉的多条数据线，该栅极线与该数据线共同定义多个子 像素区。
3. 如权利要求2所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：阵列基板还包括多个位 于该栅极线和该数据线交叉处的薄膜晶体管。
4. 如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该像素电极或该公共电 极中的至少一种具有多个平行排列的狭缝。
5. 如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该透明掩模环与该像素 电极相互隔离。
6. 如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该透明掩模环与该像素 电极是在同一道光蚀刻制程中形成的。
7. 如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该透明掩模环的材料为 氧化铟锡或者氧化铟锌。
8. -种液晶显示器阵列基板的制造方法，该方法包括： 在基板表面上形成第一导电层，并利用光蚀刻制程形成多个栅极和多条公共电极线； 形成一层栅极绝缘层覆盖该基板和该栅极、该公共电极线； 形成第一透明导电层于该栅极绝缘层之上，并利用光蚀刻制程形成多个像素电极和透 明掩模环，该透明掩模环与该像素电极相互隔离； 形成一层钝化层覆盖整个该基板，并利用光蚀刻制程形成通孔，该通孔贯穿该钝化层 和该栅极绝缘层并暴露出部分公共电极线，且该通孔落于该透明掩模环内；以及 形成一层第二透明导电层覆盖该钝化层和该通孔，并利用光蚀刻制程形成公共电极， 通过该通孔与该公共电极线电连接。
9. 如权利要求8所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该制造方法还 包括形成一层半导体层于该栅极绝缘层之上，并利用光蚀刻制程在该栅极上方形成通道 层。
10. 如权利要求9所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该制造方法还 包括形成一层第二导电层于该通道层、该像素电极、该透明掩模环和该栅极绝缘层之上，并 利用光蚀刻制程在该通道层的两侧形成彼此分离的源极和漏极，该漏极部分覆盖该像素电 极。
11. 如权利要求8所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该像素电极和 该公共电极中的至少一种具有多个平行排列的狭缝。
12. 如权利要求8所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该透明掩模环 至少与部分该公共电极线重叠。
13. 如权利要求8所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：以钝化层的掩 模和该透明掩模环共同作为掩模以形成该通孔。
【文档编号】G02F1/1333GK104122728SQ201310168737
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年5月9日 优先权日:2013年5月9日
【发明者】王晓倩, 王明宗, 柳智忠, 郑亦秀 申请人:深超光电（深圳）有限公司