技术特征：
技术总结
用于半导体制造的器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一方向和第三方向中的每一个都不同。本发明还提供了光刻对准标记。
技术研发人员：陈庆煌;林书宏;吕奎亮;张雅惠;谢弘璋
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.09.28
技术公布日：2017.08.04