光刻对准标记和用于半导体制造的器件的制作方法

本发明实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及用于半导体制造的器件。

背景技术：

半导体集成电路(ic)制造涉及在半导体晶圆上形成具有设计的图案的多个材料层。每一层都必须与先前的层对准，使得形成的电路适当地工作。各个标记用于该目的。例如，对准标记用于掩模(光掩模)与半导体晶圆之间的对准。在另一实例中，覆盖标记用于监控晶圆上的多层之间的覆盖偏差。随着半导体技术向着具有更小的部件尺寸的电路不断进步，对准要求变得更加严格。因此，期望具有提供高信号强度和测量准确性的对准标记。

技术实现要素：

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供一种用于半导体制造的器件，包括：衬底；以及形成在所述衬底上方的层，所述层具有对准标记，其中，所述对准标记包括：多个第一纵长构件，沿着第一方向进行纵向定向并且沿着第二方向分布；以及多个第二纵长构件，沿着与所述第一方向垂直的第三方向进行纵向定向并且沿着所述第二方向分布，其中，所述第二方向与所述第一方向和所述第三方向中的每一个都不同。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于半导体制造的器件，包括：衬底；以及形成在所述衬底上方的层，所述层具有对准标记，其中，所述对准标记包括：多个第一纵长构件，沿着第一方向进行纵向定向并且沿着第二方向分布；多个第二纵长构件，沿着与所述第一方向垂直的第三方向纵向定向并且沿着所述第二方向分布，其中，所述第二方向与所述第一方向和所述第三方向中的每一个都不同；多个第三纵长构件，沿着所述第一方向纵向定向并且沿着第四方向分布，所述第四方向与所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向中的每一个都不同；以及多个第四纵长构件，沿着所述第三方向进行纵向定向并且沿着所述第四方向分布。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于半导体制造的器件，包括：半导体衬底；以及形成在所述半导体衬底上方的层，所述层具有对准标记，其中，所述对准标记包括：多个第一纵长构件，沿着第一方向进行纵向定向并且沿着第二方向分布；以及多个第二纵长构件，沿着与所述第一方向垂直的第三方向进行纵向定向并且沿着所述第二方向分布，其中，所述第二方向与所述第一方向和所述第三方向中的每一个都不同，其中：所述多个第一纵长构件和所述多个第二纵长构件的每一个都包括铜；所述多个第一纵长构件和所述多个第二纵长构件中的每两个之间的间隔都填充有极低k介电材料；所述多个第一纵长构件中的每一个都具有第一宽度；所述多个第二纵长构件中的每一个都具有第二宽度；以及所述第一宽度大于所述第二宽度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是得益于本发明的各个方面的光刻系统的简化的示意图。

图2是在一个实施例中根据本发明的各个方面而构建的具有各个标记的半导体晶圆的顶视图。

图3是根据实施例的图2的半导体晶圆的一部分的截面图。

图4是在一个实施例中根据本发明的各个方面而构建的对准标记的一部分的顶视图。

图5、图6和图7是根据一些实施例的图4的对准标记的一部分。

图8是在一个实例中的通过图4的对准标记的实施例提供的反射率的曲线图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作过程中的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。

本发明通常涉及半导体器件。更具体地，本发明涉及具有对准标记的器件(诸如晶圆)。根据本发明的对准标记提供了用于对准测量的强信号强度，并且同时在诸如化学机械研磨(cmp)工艺的各个制造阶段期间，提供了用于最小化凹陷效果的图案均匀性。

图1是在一个或多个实施例中的根据本发明的各个方面所构建的光刻系统100的示意图。参考图1，光刻系统100包括对准子系统102和曝光子系统120。参考图1，下文将一起描述系统100和使用该系统来检查对准并且曝光电路图案的方法。

对准子系统102包括配置为发射光束105的光源104。光源104可以是相干的或不相干的。在实施例中，光源104能够发射可见光、红外光、近红外(nir)光、远红外(fir)光、紫光、紫外(uv)光或它们的组合。在实施例中，光源104是激光源，诸如固体状态激光源、染料激光源或其他合适的激光源。光束105可以具有一种或多种波长并且至少一种波长适合于对准测量。例如，光束105可以具有的波长为：532纳米(nm)、633nm、780nm、850nm或它们的组合。

对准子系统102还包括光学配件106。在本实施例中，光学配件106包括光偏振器108和其他光学部件，诸如透镜、反光镜、光束分离器和/或光纤。光学配件106从光源104接收光束105并且将偏振光束107投射到目标器件110(诸如晶圆)上，该目标器件位于衬底工作台112上。在下面的讨论中，目标器件110还被称为晶圆110。在实施例中，光偏振器108包括线性偏振器，其可以是吸收偏振器或光束分离偏振器。例如，光偏振器108可以是金属光栅偏振器、诸如glan-taylor棱镜或wollaston棱镜的双折射光束分离器或其他合适的线性偏振器。

偏振光束107入射到设置于晶圆110上的标记114上。标记114可以是对准标记或覆盖标记，并且可以设置在晶圆110的单元区域或划线区域中。对准标记通常用于对准晶圆(如，晶圆110)与掩模(如，稍后将讨论的掩模126)。覆盖标记通常用于测量晶圆(如，晶圆110)上的两层之间的覆盖偏差。在下面的讨论中，标记114是对准标记(也称为对准标记114)。然而，本发明的各个方面也可以应用于覆盖标记。在本实施例中，对准标记114是基于反射的对准标记。可选地，对准标记114可以是基于衍射的对准标记。

在实施例中，衬底工作台112可操作地进行移动，从而使偏振光束107扫描一个或多个对准标记114。偏振光束107相对于对准标记114的平面可以具有90°的入射角度或其他合适的角度。光束109是偏振光束107从对准标记114反射的光束，并且光束109携带有关对准标记114的成像信息。通过反光镜116收集光束109以用于对准或覆盖分析。在实施例中，反光镜116包括光传感器和诸如透镜、光束分离器和/或相机的其他光学部件。反光镜116还可以包括计算对准测量结果或覆盖测量结果的计算机。光刻系统100还包括设计为基于对准测量结果控制对准的对准控制单元。

仍参考图1，曝光子系统120设计为用于对涂覆在晶圆110上的抗蚀剂层执行光刻曝光工艺。当对曝光的抗蚀剂层进一步显影时，在抗蚀剂层中形成各个开口，从而导致图案化的抗蚀剂层。随后利用图案化的抗蚀剂层作为蚀刻掩模来蚀刻晶圆110，由此在晶圆中或在晶圆上形成用于集成电路的部件。在本实施例中，曝光子系统120包括辐射源122和光学模块124，该辐射源提供辐射能量，并且该光学模块通过掩模126的图像调节辐射能量并且将调节的辐射能量引导至涂覆在晶圆110上的抗蚀剂层。

辐射源122可以是适合于曝光抗蚀剂层的任何辐射源。在各个实例中，辐射源122可以包括从由紫外线(uv)源、深uv(duv)源、极uv(euv)源和x射线源构成的组中选择的光源。例如，辐射源122可以是：汞灯，具有436nm的波长(g线)或365nm的波长(i线)；kryptonfluoride(krf)准分子激光器，具有248nm的波长；argonfluoride(arf)准分子激光器，具有193nm的波长；氟化物(f2)准分子激光器，具有157nm的波长；或具有期望的波长(如，近似100nm以下)的其他光源。在另一实例中，光源是波长为约13.5nm或更短的euv源。在可选的实施例中，辐射源122是用于通过诸如直接写入的适当的模式曝光抗蚀剂层的电子束(e-beam)源。在这种情况下，在曝光工艺期间不使用掩模126。

光学模块124可以被设计为具有折射机制或反射机制。在折射机制中，光学模块124包括各个折射部件，诸如透镜。在反射机制中，光学模块124包括诸如反光镜的各个反射部件。

掩模126包括对准标记128，光刻系统100使用该对准标记128来获得掩模126的定位信息。对准标记128可以具有与对准标记114相同的设计。掩模126固定在配置为移动的掩模工作台上，使得掩模126的图像投射到晶圆110的目标区域上。使用对准标记114和128来对准掩模126和晶圆110的目标区域。

在实施例中，掩模126包括透明衬底和图案化的吸收层。透明衬底可以使用相对无缺陷的熔融石英(sio2)，诸如硼硅酸盐玻璃或钠钙玻璃。吸收层可以包括诸如铬(cr)的金属膜以用于吸收引导在该金属膜上的光。吸收层还被图案化为金属膜中的具有一个或多个开口，其中，光束可以通过该开口传播而没有未被完全吸收。在辐射源122生成euv辐射的另一实施例中，掩模126被设计为具有反射机制。例如，掩模126可以包括涂覆有几十个硅和钼的交替层以用作最大化euv光的反射的bragg反射器。

光刻系统100用于曝光涂覆在晶圆110上的抗蚀剂层。随后，曝光的抗蚀剂层用于蚀刻晶圆110，以在晶圆110上形成具有所设计的ic图案的材料层。该工艺逐层地进行重复以用于在晶圆110上形成多个材料层。多个材料层必须彼此对准以使最终的ic适当地运行。在该制造工艺中，对准标记114(和128，如果可应用的话)起着重要的作用。在一个方面，对准准确性直接涉及反射的光束109的强度以及反射的光束109所携带的图像的对比度。在各个实施例中，本发明提供了最大化对准标记图像中的对比度同时产生反射的光束109的高信号强度的用于对准标记114的设计。在另一方面中，在诸如沉积和cmp的各个制造阶段期间，对准标记114经受潜在的退化。例如，当形成ic的金属层(如，互连层)时，金属层上的一些对准标记会经受cmp的金属凹陷作用，导致对准标记的潜在变形。根据本发明的对准标记114的实施例克服了这种问题。

图2是根据本发明的各个方面所构建的具有各个对准标记114的晶圆110的顶视图。参考图2，在本实施例中，晶圆110包括其中限定有ic的多个场区以用于一个或多个管芯。在光刻曝光工艺期间，一次一个场区地曝光晶圆110。例如，曝光模块120扫描掩模126中限定的ic图案并且将该ic图案转印至一个场区，然后移动到下一个场区并且重复扫描直到晶圆110中的场区被耗尽(exhaust)。每一个场区都包括一个或多个电路管芯和位于边界区处的框架区域。图2示出了两个电路管芯(或芯片)132。每一个电路管芯132在其当前制造阶段都包括ic。划线区域134介于邻近的电路管芯之间并且限定通过切割来分离电路管芯132的区域。图2还示出了设置在划线区域134中的两个对准标记114。电路管芯132的数量和对准标记114的数量仅是为了说明的目的并且不限制本发明。其他标记(如，覆盖标记或不同类型的对准标记)也可以设置在划线区域134中。附加地或可选地，对准标记114可以设置框架区域中，该框架区域限定在相邻场区之间的区域中。在另一实施例中，对准标记114还可以设置在电路管芯132的电路区域中。

图3是根据本发明的各个方面的晶圆110的一部分的截面图。参考图3，在本实施例中，晶圆110包括衬底136和形成在衬底136上方的材料层138。对准标记114形成在材料层138中。对准标记114的深度(或厚度)在z方向上进行限定并且通常与层138的剩余部分相同。在本实施例中，对准标记114是在曝光形成在材料层138上方的抗蚀剂层时，用于对准晶圆110的标记。在另一实施例中，对准标记114可以用于测量材料层138与位于材料层138下面或上面的另一层之间的覆盖偏差。

在本实施例中，衬底136包括半导体衬底。在各个实施例中，衬底136可以包括：元素半导体，诸如晶体硅、多晶硅、非晶硅、锗和金刚石；化合物半导体，诸如碳化硅和砷化镓；合金半导体，诸如sige、gaasp、alinas、algaas和gainp；或它们的组合。此外，衬底136中可以包括一个或多个材料层，并且可以包括：无源部件，诸如电阻器、电容器和电感器；以及有源部件，诸如p型fet(pfet)、n型fet(nfet)、鳍式fet(finfet)、其他三维(3d)fet、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管、双极晶体管、高压晶体管、高频晶体管、其他存储单元和它们的组合。

在实施例中，材料层138是金属层，诸如具有铜互连件的层，该铜互连件用于连接衬底136中的各个有源或无源部件。对于进一步的实施例，从顶视图中，对准标记114包括插入有间隔的金属线。例如，金属线可以包括铜或其他合适的金属，诸如铝，并且间隔填充有介电材料，诸如极低k(elk)介电材料。术语“极低k(elk)”意味着介电常数为2.5或更小。示例性elk介电材料是掺碳氧化物，包括si、c、o和h(sicoh)的该掺碳氧化物通过等离子体增强的化学汽相沉积(pecvd)形成。为了增强对准标记114以防止cmp凹陷效果，对准标记114中的金属线是分段的。此外，为了提供用于对准测量的强信号强度(strongsignalintensity)，对准标记114包括在垂直方向上定向的线。图4示出了根据本发明的各个方面所构建的示例性对准标记114的一部分。

参考图4，从顶视图中，对准标记114沿着x方向纵向地进行定向。在实施例中，x方向是与偏振光束107扫描对准标记114的方向相同的方向。在本发明的通篇描述中，x方向和y方向彼此垂直并且限定对准标记114的平面。对准标记114包括中心部分158、均从y方向顺时针倾斜的多个部分154(示出五个)以及均从y方向逆时针倾斜的多个部分156(示出五个)。部分154还称为cw部分154，并且部分156还称为ccw部分156。中心部分158可以视为合并一个或多个cw部分154和一个或多个ccw部分156的结果。cw部分154、ccw部分156和中心部分158中的每一个都包括多个纵长构件142和多个纵长构件144。构件142沿着x方向进行纵向定向，并且构件144沿着y方向进行纵向定向。通过间隔146来分离各个构件142和144。在实施例中，各个构件142和144包括铜，并且间隔146填充有elk材料。交替的金属和介电材料有助于增强对准标记114以防止cmp的凹陷作用。在实施例中，偏振光束107的电场在x方向上，并且构件144与电场垂直地进行定向以有助于提高对准标记图像的对比度。

图5还示出了cw部分154的一部分的具体细节。参考图5，cw部分154包括多个纵长构件142和多个纵长构件144。构件142和144的数量仅是为了说明的目的并且不是为了限制本发明。此外，在各个实施例中，构件142的数量与构件144的数量可能相等或可能不相等。在实施例中，构件142和144中的每一个都可以包括具有圆的、尖的、平坦的或其他形状的端部的一般矩形的形状。

构件142在x方向上纵向定向并且沿着从y方向顺时针倾斜的方向d1进行分布。沿着构件142中的每一个的中点截取方向d1(忽略任何缩短的或延长的构件)。在实施例中，方向x和d1形成45度角。构件142中的每一个都具有长度l1，并且应该理解，根据对准标记114相对于晶圆110(图2)的位置，最顶部和最底部构件可以延长或缩短。构件142中的每一个都具有宽度w1，并且以间距p1间隔开。在x方向上限定长度l1，同时在y方向上限定宽度w1和间距p1。在实施例中，长度l1约为1.5微米(μm)。在另一实施例中，长度l1在约1.4μm至约1.5μm的范围内。间距p1被设计为小于偏振光束107的波长。在偏振光束107为红光(如，波长约为633nm)的一个实例中，间距p1可以设置为约300nm。根据对于对准标记114的图像对比度要求设计宽度w1，稍后将对其进行更加详细的讨论。在实施例中，宽度w1被设计为大于间距p1的一半。例如，当间距p1约为300nm时，宽度w1可以在约220nm至约240nm的范围内。

构件142可以被视为一条线的若干段，诸如沿着d1方向纵向定向的金属线。若干段的方案有助于增强对准标记114以防止各个制造阶段期间的退化。例如，当cw部分154包括铜实线代替多个构件142时，因为铜相对较软，所以cw部分154会在cmp期间可能过度凹进。这将导致对准标记114的凹陷，并且因此，导致较差的对准测量结果。利用填充有介电材料的间隔146，cw部分154(相应地，对准标记114)被增强以防止潜在退化。

仍参考图5，构件144在y方向上进行纵向定向并且沿着从y方向顺时针倾斜的方向d2分布。沿着构件144中的每一个的中点截取方向d2(忽略任何缩短的或延长的构件)。在实施例中，方向x和d2形成45度角。在本实施例中，方向d1和d2是相同的(彼此平行)。构件144中的每一个都具有长度l2，并且应该理解，根据对准标记114相对于晶圆110(图2)的位置，最顶部和最底部构件可以延长或缩短。构件144中的每一个都具有宽度w2，并且以间距p2间隔开。在y方向上限定长度l2，同时在x方向上限定宽度w2和间距p2。在实施例中，长度l2约为1.2μm。在另一实施例中，长度l2在约1.0μm至约1.3μm的范围内。间距p2被设计为小于偏振光束107的波长。在偏振光束107为红光(如，波长约为633nm)的一个实例中，间距p2可以设置为约300nm。在实施例中，间距p1和p2设计为在彼此的10％内。例如，当间距p1约为300nm时，间距p2可以设计为在约285nm至约315nm的范围内。根据对于对准标记114的图像对比度要求来设计宽度w2，稍后将对其进行更加详细的讨论。在实施例中，宽度w2被设计为小于间距p2的一半。例如，当间距p2约为300nm时，宽度w2可以设置在约60nm至约100nm的范围内。

图6还示出了ccw部分156的具体细节。参考图6，ccw部分156包括多个纵长构件142和多个纵长构件144。构件142在x方向上进行纵向定向并且沿着从y方向逆时针倾斜的方向d3进行分布。沿着构件142中的每一个的中点截取方向d3(忽略任何缩短或延长构件)。在实施例中，方向y和d3形成45度角。构件142中的每一个都具有长度l3、宽度w3，并且以间距p3间隔开。在实施例中，长度l3、宽度w3和间距p3分别与长度l1、宽度w1和间距p1类似。构件144在y方向上进行纵向定向并且沿着方向从y方向逆时针倾斜的d4进行分布。沿着构件144中的每一个的中点截取方向d4(忽略任何缩短或延长构件)。在实施例中，方向y和d4形成45度角。在本实施例中，方向d3和d4是相同的(彼此平行)。构件144中的每一个都具有长度l4、宽度w4，并且以间距p4间隔开。在实施例中，长度l4、宽度w4和间距p4分别与长度l2、宽度w2和间距p2类似。

图7还示出了中心部分158的具体细节的一部分。参考图7，中心部分158可以视为(或设计为)一个或多个cw部分154与一个或多个ccw部分156合并的部分，由此形成分层的三角形。在这方面，中心部分158包括沿着第一三角形的一条边(d1方向)分布的多个第一构件142和沿着第一三角形的另一条边(d3方向)分布的多个第二构件142。多个第一和第二构件142在第一三角形的顶点处交汇(meet)。中心部分158还包括沿着第二三角形的一条边(d2方向)分布的多个第二构件144和沿着第二三角形的另一条边(d4方向)分布的多个第二构件144。多个第一和第二构件144在第二三角形的顶点处交汇。

图8示出了曲线图160，该曲线图示出了对准标记114的反射率作为以上所讨论的一些尺寸的函数。在示出的实例中，构件142和144包括铜，并且间隔146填充有elk材料。此外，间距p1和p2每一个都被设置为300nm，并且偏振光束107是红光(波长约为633nm)。进一步地，cw部分154和ccw部分156关于y轴对称，即，相应的宽度(w1和w3，w2和w4)、长度(l1和l3，l2和l4)、以及间距(间距p1和p3，p2和p4)在该两部分中相同。参考图8，曲线162示出了构件142的反射率r1，该反射率作为在y方向上的铜的w1和elk的宽度(p1-w1)的比率(即，线与间隔的比率)。曲线164示出了构件144的反射率r2，该反射率作为在x方向上的铜的w2和elk的宽度(p2-w2)的比率(即，线与间隔的比率)。当获取对准测量结果时(图1)，对准标记图像的对比度确定为：

基于曲线图160和以上等式(1)，通过选择构件142和144的合适的尺寸，可以最大化对准标记图像的对比度，由此提高对准测量结果准确性。在一个实例中，设计宽度w1，从而使得r1接近0.4，并且同时间隔146中的elk材料有助于增强对准标记114以防止以上讨论的图案变形。因此，宽度w1可以设置为约220nm。此外，设计宽度w2，从而使得r2最小化。在一个实例中，宽度w2可以设置为约80nm(其中，r2约为0.06)。通过这种设计，作为反光镜116(图1)所捕获的对准标记114的图像的对比度为约0.74。

在各个实施例中，对准标记114可以形成在晶圆110的任一层或多层中以用于对准和/或覆盖测量的目的。例如，对准标记114可以形成在以下的一层或多层中：有源层、接触层、钝化层、金属层和栅极层。晶圆110的层(诸如层138)中的对准标记114的形成通常涉及光刻、蚀刻、沉积和/或平坦化工艺。此外，为了对准目的，可以在掩模(诸如掩模126)中形成根据本发明所构建的对准标记114。

尽管不旨在限制本发明，但本发明的一个或多个实施例提供了半导体器件及其形成工艺的许多益处。例如，根据本发明所构建的新的对准标记可以承受各个制造阶段的影响并且同时提供对准测量中的高对比度。此外，新的对准标记可以容易地集成到现有的半导体制造流程中。

在一个示例性方面，本发明涉及一种用于半导体制造的器件(诸如半导体晶圆)。器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一和第三方向中的每一个都不同。

优选地，所述第一方向和所述第二方向形成45度角。

优选地，用于半导体制造的器件，还包括：多个第三纵长构件，沿着所述第一方向进行纵向定向并且沿着第四方向分布，所述第四方向与所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向中的每一个都不同；以及多个第四纵长构件，沿着所述第三方向纵向定向并且所述多个第四纵长构件沿着所述第四方向分布。

优选地，所述第三方向和所述第四方向形成45度角。

优选地，所述多个第一纵长构件和所述多个第三纵长构件沿着第一三角形的两条边分布并且在所述第一三角形的顶点处交汇；以及所述多个第二纵长构件和所述多个第四纵长构件沿着第二三角形的两条边分布并且在所述第二三角形的顶点处交汇。

优选地，所述多个第一纵长构件和所述多个第二纵长构件彼此间隔开。

优选地，所述多个第一纵长构件具有相同的长度；以及所述多个第二纵长构件具有相同的长度。

优选地，所述多个第一纵长构件具有第一宽度；所述多个第二纵长构件具有第二宽度；以及所述第一宽度大于所述第二宽度。

优选地，所述多个第一纵长构件以在所述第三方向上限定的第一间距分布；所述多个第二纵长构件以在所述第一方向上限定的第二间距分布；以及所述第一间距和所述第二间距在彼此的10％内。

优选地，所述多个第一纵长构件中的每一个的第一宽度都大于所述第一间距的一半；以及所述多个第二纵长构件中的每一个的第二宽度都小于所述第二间距的一半。

优选地，所述器件是晶圆，并且所述衬底包括半导体。

优选地，所述多个第一纵长构件和所述多个第二纵长构件中的每一个都包括铜。

优选地，所述多个第一纵长构件和所述多个第二纵长构件中的每两个之间的间隔都填充有极低k介电材料。

优选地，所述对准标记设置在所述晶圆的划线区域中。

在另一个示例性方面，本发明涉及用于半导体制造的器件。器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一和第三方向中的每一个都不同。对准标记还包括沿着第一方向纵向定向的多个第三纵长构件，并且该多个第三纵长构件沿着第四方向分布，该第四方向与第一、第二和第三方向中的每一个都不同。对准标记还包括沿着第三方向纵向定向的多个第四纵长构件，并且该多个第四纵长构件沿着第四方向分布。

优选地，所述多个第一纵长构件和所述多个第三纵长构件中的每一个都以在所述第三方向上限定的第一间距分布；所述多个第二纵长构件和所述多个第四纵长构件中的每一个都以在所述第一方向上限定的第二间距分布；以及所述第一间距和所述第二间距在彼此的10％内。

优选地，所述多个第一纵长构件和所述多个第三纵长构件中的每一个的宽度都大于所述第一间距的一半；以及所述多个第二纵长构件和所述多个第四纵长构件中的每一个的宽度都小于所述第二间距的一半。

优选地，所述衬底包括半导体；以及所述多个第一纵长构件、所述多个第二纵长构件、所述多个第三纵长构件和所述多个第四纵长构件中的每一个都包括铜。

优选地，所述第一方向和所述第二方向形成45度角；以及所述第三方向和所述第四方向形成45度角。

在又一示例性方面，本发明涉及用于半导体制造的器件。器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的层，其中，层具有对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一和第三方向中的每一个都不同。多个第一和第二纵长构件的每一个都包括铜。多个第一和第二纵长构件中的每两个之间的间隔都填充有极低k介电材料。多个第一纵长构件中的每一个都具有第一宽度，多个第二纵长构件中的每一个都具有第二宽度，第一宽度大于第二宽度。

上面论述了若干实施例的部件，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的处理和结构。本领域普通技术人员也应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。