的俯视图；
[0074]图3是本发明一个实施例提供的一种阵列基板的俯视图；
[0075]图4是图3所示实施例提供的阵列基板D-D部位的剖面图；
[0076]图5是本发明另一个实施例提供的一种阵列基板的俯视图；
[0077]图6是图5所不实施例提供的另一种阵列基板的俯视图；
[0078]图7是图5所示实施例提供的第一电极和数据线位于同一层时的阵列基板的E-E部位的剖面图；
[0079]图8是图5所示实施例提供的第一电极和数据线位于同一层时的阵列基板的F-F部位的剖面图；
[0080]图9是图5所示实施例提供的第一电极和数据线位于不同层时的阵列基板的E-E部位的剖面图；
[0081]图10是图5所示实施例提供的第一电极和数据线位于不同层时的阵列基板的F-F部位的剖面图；
[0082]图11是本发明一个实施例提供的阵列基板的制造方法的方法流程图；
[0083]图12是本发明另一个实施例提供的阵列基板的制造方法的方法流程图；
[0084]图13是图12所不实施例提供的在衬底基板上形成第一绝缘层后的结构不意图；
[0085]图14是图12所示实施例提供的在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成数据线后的结构不意图；
[0086]图15是图12所示实施例提供的在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成第一电极后的结构不意图；
[0087]图16是图12所示实施例提供的在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层后的结构不意图；
[0088]图17是图12所示实施例提供的在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极和屏蔽电极后的结构示意图；
[0089]图18是图12所示实施例提供的在屏蔽电极上形成至少一个开口后的结构示意图。
[0090]图19是本发明再一个实施例提供的阵列基板的制造方法的方法流程图；
[0091]图20是图19所示实施例提供的在形成有数据线的衬底基板上形成第三绝缘层后的结构不意图；
[0092]图21是图19所示实施例提供的在形成有第三绝缘层的衬底基板上形成第一电极后的结构不意图；
[0093]图22是图19所示实施例提供的在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层后的结构不意图；
[0094]图23是图19所示实施例提供的在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极和屏蔽电极后的结构示意图；
[0095]图24是图19所示实施例提供的在屏蔽电极上形成至少一个开口后的结构示意图；
[0096]图25是本发明一个实施例提供的显示装置的结构示意图。
[0097]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
【具体实施方式】
[0098]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0099]请参考图2，其示出了相关技术提供的阵列基板00的俯视图，参见图2，阵列基板00包括衬底基板(图2中未画出)，衬底基板上形成有多根栅线007(图2中仅画出两根)和数据线002 (图2中仅画出两根)，各个数据线002和栅线007交叉且绝缘，且相邻的两根数据线002和与该相邻的两根数据线002相交的相邻的两根栅线007围成像素区A，每个像素区A内形成有像素电极(图2中未画出)和公共电极004，其中，像素电极可以为板状电极，公共电极004可以为狭缝电极，数据线002与像素电极位于同一层，公共电极004与数据线002位于不同层，且公共电极004位于数据线002与像素电极的上方，公共电极004所在层与数据线002所在层之间、数据线002所在层与衬底基板001之间都设置有绝缘层(图2中未画出)。由于公共电极004和数据线002位于不同层，公共电极004和数据线002之间存在一定距离，该距离使得数据线002和公共电极004之间形成电场，该电场会导致液晶显示装置中位于数据线002上方以及数据线002上方的两侧的液晶分子无法有效偏转，造成显示装置漏光。因此，可以在数据线002上方设置屏蔽电极006来屏蔽数据线002的信号，其中，屏蔽电极006与公共电极004位于同一层，且屏蔽电极006可以与公共电极004连接，但是设置屏蔽电极006后，屏蔽电极006与数据线002之间会产生寄生电容，且屏蔽电极006的信号会对数据线002上的信号产生影响，导致数据线002的负载较大。参见图2可知，像素区A中还包括薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor，简称:TFT)区B，TFT区B可以用于设置TFT，其中，每个TFT的源极均与数据线002连接，每个TFT的栅极均与栅线007连接，每个TFT的漏极均与像素电极连接，每个TFT还可以包括栅绝缘层、有源层等结构(图2中未画出)。
[0100]请参考图3，其示出了本发明一个实施例提供的阵列基板01的俯视图，参见图3，阵列基板01可以衬底基板010，衬底基板010可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。
[0101]衬底基板010上形成有多根栅线011 (图3中仅画出两根)和数据线012 (图3中仅画出两根)，各个栅线011和数据线012交叉且绝缘，且相邻的两根数据线012和与该相邻的两根数据线012相交的相邻的两根栅线011围成像素区C，每个像素区C内形成有第一电极(图3中未画出)和第二电极013，第一电极和第二电极013可以位于不同层，且第一电极和第二电极013绝缘设置，数据线012上方设置有屏蔽电极014，数据线012在衬底基板010上的正投影落在屏蔽电极014在衬底基板010上的正投影内，屏蔽电极014上形成有至少一个开口 0141。
[0102]图4是图3所示实施例提供的阵列基板01的D-D部位的剖面图，参见图4，该阵列基板01包括:衬底基板010，衬底基板010上形成有数据线012 ;形成有数据线012的衬底基板010上形成有第一电极015 ;形成有第一电极015的衬底基板010上形成有第一绝缘层016 ;形成有第一绝缘层016的衬底基板010上形成有第二电极013和屏蔽电极014 ;其中，数据线012在衬底基板010上的正投影落在屏蔽电极014在衬底基板010上的正投影内，屏蔽电极014上形成有至少一个开口 0141，且至少一个开口 0141位于数据线012在屏蔽电极014的正投影区域内。
[0103]由于在屏蔽电极014上形成有至少一个开口 0141，该至少一个开口 0141可以减小屏蔽电极014与数据线012的正对面积，因此，可以减少屏蔽电极014和数据线012之间的寄生电容，减小屏蔽电极014的信号对数据线012上的信号的影响，降低数据线012的负载。
[0104]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，在衬底基板上形成有数据线；形成有数据线的衬底基板上形成有第一电极；形成有第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层；形成有第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极和屏蔽电极；数据线在衬底基板上的正投影落在屏蔽电极在衬底基板上的正投影内，屏蔽电极上形成有至少一个开口，且至少一个开口位于数据线在屏蔽电极的正投影区域内。本发明实施例通过在屏蔽电极上形成开口，减小了屏蔽电极与数据线的正对面积，进而减小了屏蔽电极的信号对数据线上的信号的影响，解决了屏蔽电极的信号对数据线上的信号产生影响，导致数据线的负载较大的问题，达到了降低数据线的负载的效果。
[0105]请参考图5，其示出了本发明另一个实施例提供的阵列基板02的俯视图，参见图5，阵列基板02可以衬底基板020，衬底基板020可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。
[0106]衬底基板020上形成有多根栅线021 (图5中仅画出两根)和数据线022 (图5中仅画出两根)，各个栅线021和数据线022交叉且绝缘，且相邻的两根数据线022和与该相邻的两根数据线022相交的相邻的两根栅线021围成像素区X，每个像素区X内形成有第一电极(图5中未画出)和第二电极023，第一电极和第二电极023可以位于不同层，第二电极023所在层可以位于第一电极所在层的上方，且第一电极和第二电极023绝缘设置，也SP，第二电极023所在层与第一电极所在层之间可以设置第一绝缘层(图5中未画出)，数据线022上方设置有屏蔽电极024，该屏蔽电极024与第二电极023可以位于同一层，数据线022在衬底基板020上的正投影落在屏蔽电极024在衬底基板020上的正投影内，屏蔽电极024上形成有至少一个开口 0241，且至少一个开口 0241位于数据线022在屏蔽电极024的正投影区域内。
[0107]可选地，屏蔽电极024可以与第二电极023连接，其中，屏蔽电极024与第二电极023连接，可以通过第二电极023向屏蔽电极024施加电压信号，无需在阵列基板02上为屏蔽电极024单独布线，使得阵列基板02布线简单且容易实现，通过第二电极023向屏蔽电极024施加电压信号具体可以为:向第二电极023施加电压信号，由于第二电极023与屏蔽电极024连接，施加在第二电极023上的电压信号可以传输至屏蔽电极024，从而实现对屏蔽电极024施加电压信号。屏蔽电极024与第二电极023连接，使得屏蔽电极024可以与第一电极形成驱动电场，该驱动电场可以有效驱动液晶分子偏转，增加阵列基板02的开口率。
[0108]可选地，如图5所示，屏蔽电极024可以为长条状结构，该屏蔽电极024的长度方向(图5中未画出)可以与数据线022的长度方向y平行，屏蔽电极024的一端与第二电极023连接，另一端与第二电极023未连接，实际应用中，屏蔽电极024也可以在其除了两端以外的其他预定部位与第二电极023连接，屏蔽电极024上除该预定部位以外的部位与第二电极023未连接。其中，屏蔽电极024的一端与第二电极023连接，另一端与第二电极023未连接，这样可以减小屏蔽电极024与第二电极023连接部位的宽