度，使得屏蔽电极024对第二电极023的影响减小，屏蔽电极024上与第二电极023连接的位置处形成有至少一个开口 0241，且至少一个开口位于数据线022在屏蔽电极024的正投影区域内，在屏蔽电极024上与第二电极023连接的位置处形成至少一个开口 0241，可以进一步减小屏蔽电极024与第二电极023连接部位的宽度，使得屏蔽电极024对第二电极023的影响减小。可选地，开口 0241的宽度可以大于或者等于数据线022的宽度，这样可以进一步减小屏蔽电极024与数据线022的正对面积，进而降低数据线022的负载。
[0109]可选地，屏蔽电极024与第二电极023呈一体结构，这样可以采用一次构图工艺形成屏蔽电极024和第二电极023，节省阵列基板02的制作工艺。
[0110]可选地，第一电极可以为板状电极，第二电极023可以为狭缝电极，如图5所示，狭缝电极上设置有多条狭缝P，该多条狭缝P的长度方向平行，且狭缝电极的狭缝P在衬底基板020上的正投影的长度方向与数据线022在衬底基板020上的正投影的长度方向存在夹角，其中，在图5所示的阵列基板02中，狭缝电极的狭缝P在衬底基板020上的正投影的长度方向与数据线022在衬底基板020上的正投影的长度方向平行，且狭缝电极的狭缝P在衬底基板020上的正投影的长度方向、数据线022在衬底基板020上的正投影的长度方向都可以为图5中所示的方向y。
[0111]图6所示的是狭缝电极的狭缝P在衬底基板020上的正投影的长度方向与数据线022在衬底基板020上的正投影的长度方向存在夹角时的阵列基板02，参见图6，屏蔽电极024为长条状结构，其长度方向与数据线022的长度方向y平行，且屏蔽电极024与第二电极023(狭缝电极)位于同一层，参见图6可知，第二电极023的狭缝P的长度与方向与屏蔽电极024的长度方向存在夹角，因此，第二电极023的狭缝在衬底基板020上的正投影的长度方向与数据线022在衬底基板020上的正投影的长度方向存在夹角，其中，该夹角的具体数值可以根据实际需要设置，本发明实施例对此不做限定，示例地，该夹角的范围可以为75°?80°，这样可以使得阵列基板02具有宽视角，进而形成具有宽视角的显示装置。可选地，板状电极为像素电极，狭缝电极为公共电极；或者，板状电极为公共电极，狭缝电极为像素电极，本发明实施例对此不做限定，本发明实施例以板状电极为像素电极，狭缝电极为公共电极为例进行说明。
[0112]可选地，在本发明实施例中，数据线022与第一电极可以位于同一层，也可以位于不同层。当数据线022与第一电极可以位于同一层时，衬底基板020上形成有第二绝缘层；数据线022和第一电极都可以位于第二绝缘层上，以使得衬底基板020和数据线022、第一电极绝缘设置。当数据线022与第一电极位于不同层时，衬底基板020上形成有第二绝缘层；形成有第二绝缘层的衬底基板020上形成有数据线022 ;形成有数据线022的衬底基板020上形成有第三绝缘层；形成有第三绝缘层的衬底基板020上形成有第一电极。也即，数据线022与第一电极位于不同层，数据线022位于第二绝缘层上，第一电极位于第三绝缘层上，以使得衬底基板020和数据线022绝缘设置、数据线022和第一电极绝缘设置。
[0113]可选地，如图5或图6所示，在本发明实施例中，阵列基板02还可以包括:薄膜晶体管025，形成有第二绝缘层的衬底基板020上形成有薄膜晶体管025，且薄膜晶体管025位于像素区X中，薄膜晶体管025可以与数据线022位于同一层。其中，薄膜晶体管025包括:源极、栅极和漏极(图5和图6中均未标出)，薄膜晶体管025的源极可以与数据线022连接，栅极可以与栅线021连接，漏极可以与第一电极或第二电极连接，该薄膜晶体管025还可以包括栅绝缘层、有源层等结构，本发明实施例在此不再赘述。
[0114]在本发明实施例中，数据线022与第一电极可以位于同一层，也可以位于不同层，当数据线022与第一电极位于同一层时，图5所示的阵列基板02的E-E部位的剖面图可以如图7所示，图5所示的阵列基板02的F-F部位的剖面图可以如图8所示。
[0115]参见图7和图8，阵列基板02包括:衬底基板020，衬底基板020上形成有数据线022 ;形成有数据线022的衬底基板020上形成有第一电极026 ;形成有第一电极026的衬底基板020上形成有第一绝缘层027 ;形成有第一绝缘层027的衬底基板020上形成有第二电极023和屏蔽电极024 ;其中，数据线022在衬底基板020上的正投影落在屏蔽电极024在衬底基板020上的正投影内。可选地，如图7和图8所示，衬底基板020上形成有第二绝缘层028 ;形成有第二绝缘层028的衬底基板020上形成有数据线022和第一电极026。参见图7或图8可知，数据线022和第一电极026位于同一层。
[0116]参见图7，第二电极023和屏蔽电极024连接，屏蔽电极024上形成有至少一个开口 0241，且至少一个开口 0241位于数据线022在屏蔽电极024的正投影区域内，开口 0241的宽度dl可以大于或者等于数据线022的宽度d。其中，屏蔽电极024与第二电极023可以呈一体结构，这样可以采用一次构图工艺形成屏蔽电极024和第二电极023，节省阵列基板02的制作工艺，需要说明的是，为了便于查看，图7中仅示出了第二电极023和屏蔽电极024连接，并未示出其呈一体结构。
[0117]参见图8，第二电极023和屏蔽电极024未连接，这样可以减小屏蔽电极024对第二电极023的影响。
[0118]可选地，当数据线022与第一电极位于不同层时，图5所示的阵列基板02的E-E部位的剖面图可以如图9所示，图5所示的阵列基板02的F-F部位的剖面图可以如图10所不O
[0119]参见图9和图10，阵列基板02包括:衬底基板020，衬底基板020上形成有数据线022 ;形成有数据线022的衬底基板020上形成有第一电极026 ;形成有第一电极026的衬底基板020上形成有第一绝缘层027 ;形成有第一绝缘层027的衬底基板020上形成有第二电极023和屏蔽电极024 ;其中，数据线022在衬底基板020上的正投影落在屏蔽电极024在衬底基板020上的正投影内。可选地，如图9和图10所示，衬底基板020上形成有第二绝缘层028 ;形成有第二绝缘层028的衬底基板020上形成有数据线022 ;形成有数据线022的衬底基板020上形成有第三绝缘层029 ;形成有第三绝缘层029的衬底基板020上形成有第一电极026。参见图9或图10可知，数据线022和第一电极026位于不同层。
[0120]参见图9，第二电极023和屏蔽电极024连接，屏蔽电极024上形成有至少一个开口 0241，且至少一个开口 0241位于数据线022在屏蔽电极024的正投影区域内，开口 0241的宽度dl可以大于或者等于数据线022的宽度d。其中，屏蔽电极024与第二电极023可以呈一体结构，这样可以采用一次构图工艺形成屏蔽电极024和第二电极023，节省阵列基板02的制作工艺，需要说明的是，为了便于查看，图9中仅示出了第二电极023和屏蔽电极024连接，并未示出其呈一体结构。
[0121]参见图10，第二电极023和屏蔽电极024未连接，这样可以减小屏蔽电极024对第二电极023的影响。
[0122]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，在衬底基板上形成有数据线；形成有数据线的衬底基板上形成有第一电极；形成有第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层；形成有第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极和屏蔽电极；数据线在衬底基板上的正投影落在屏蔽电极在衬底基板上的正投影内，屏蔽电极上形成有至少一个开口，且至少一个开口位于数据线在屏蔽电极的正投影区域内。本发明实施例通过在屏蔽电极上形成开口，减小了屏蔽电极与数据线的正对面积，进而减小了屏蔽电极的信号对数据线上的信号的影响，解决了屏蔽电极的信号对数据线上的信号产生影响，导致数据线的负载较大的问题，达到了降低数据线的负载的效果。
[0123]由于形成屏蔽电极后，屏蔽电极与第二电极位于同一层，数据线的信号也会对屏蔽电极的信号造成干扰，进而导致对第二电极的信号的影响，若数据线的信号的波动较大，则会导致第二电极的信号的波动较大，进而导致采用该阵列基板形成的显示装置的屏幕出现Greenish (全屏发绿)、flicker (闪烁)等现象。而本发明实施例通过在屏蔽电极上形成开口，减小了数据线与屏蔽电极的正对面积，进而减小了数据线上的信号对屏蔽电极的信号的影响，从而减小了对第二电极的信号的影响，避免采用该阵列基板形成的显示装置的屏幕出现Greenish、flicker等现象。
[0124]本发明实施例提供的阵列基板可以应用于下文的方法，本发明实施例中阵列基板的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
[0125]请参考图11，其示出了本发明一个实施例提供的阵列基板的制造方法的方法流程图，该阵列基板的制造方法可以用于制造图3至图10任一所示的阵列基板，其中，该阵列基板可以包括:衬底基板，衬底基板可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。参见图11，该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤:
[0126]在步骤1101中，在衬底基板上形成数据线。
[0127]在步骤1102中，在形成有数据线的衬底基板上形成第一电极。
[0128]在步骤1103中，在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层。
[0129]在步骤1104中，在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极和屏蔽电极，使数据线在衬底基板上的正投影落在屏蔽电极在衬底基板上的正投影内。
[0130]在步骤1105中，在屏蔽电极上形成至少一个开口，使至少一个开口位于数据线在屏蔽电极的正投影区域内。
[0131]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在衬底基板上形成数据线，在形成有数据线的衬底基板上形成第一电极，在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层，在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极和屏蔽电极，使数据线在衬底基板上的正投影落在屏蔽电极在衬底基板上的正投影内，在屏蔽电极上形成至少一个开口，使至少