一个开口位于数据线在屏蔽电极的正投影区域内。本发明实施例通过在屏蔽电极上形成开口，减小了屏蔽电极与数据线的正对面积，进而减小了屏蔽电极的信号对数据线上的信号的影响，解决了屏蔽电极的信号对数据线上的信号产生影响，导致数据线的负载较大的问题，达到了降低数据线的负载的效果。
[0132]可选地，屏蔽电极与第二电极连接。
[0133]可选地，屏蔽电极为长条状结构，一端与第二电极连接，另一端与第二电极未连接，步骤1105可以包括:
[0134]在屏蔽电极上与第二电极连接的位置处形成至少一个开口，使至少一个开口位于数据线在屏蔽电极的正投影区域内。
[0135]可选地，开口的宽度大于或者等于数据线的宽度。
[0136]可选地，屏蔽电极与第二电极呈一体结构。
[0137]可选地，数据线与第一电极位于同一层，
[0138]在步骤1101之前，该阵列基板的制造方法还可以包括:
[0139]在衬底基板上形成第二绝缘层；
[0140]步骤1101可以包括:
[0141]在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成数据线；
[0142]步骤1102可以包括:
[0143]在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成第一电极。
[0144]可选地，数据线与第一电极位于不同层，
[0145]在步骤1101之前，该阵列基板的制造方法还可以包括:
[0146]在衬底基板上形成第二绝缘层；
[0147]步骤1101可以包括:
[0148]在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成数据线；
[0149]在步骤1102之前，该阵列基板的制造方法还可以包括:
[0150]在形成有数据线的衬底基板上形成第三绝缘层；
[0151]步骤1102可以包括:
[0152]在形成有第三绝缘层的衬底基板上形成第一电极。
[0153]可选地，该阵列基板的制造方法还可以包括:
[0154]在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成薄膜晶体管，使薄膜晶体管与数据线位于同一层。
[0155]可选地，第一电极为板状电极，第二电极为狭缝电极。
[0156]可选地，板状电极为像素电极，狭缝电极为公共电极；或者，
[0157]板状电极为公共电极，狭缝电极为像素电极。
[0158]可选地，狭缝电极的狭缝在衬底基板上的正投影的长度方向与数据线在衬底基板上的正投影的长度方向存在夹角。
[0159]上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再
--赘述。
[0160]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在衬底基板上形成数据线，在形成有数据线的衬底基板上形成第一电极，在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层，在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极和屏蔽电极，使数据线在衬底基板上的正投影落在屏蔽电极在衬底基板上的正投影内，在屏蔽电极上形成至少一个开口，使至少一个开口位于数据线在屏蔽电极的正投影区域内。本发明实施例通过在屏蔽电极上形成开口，减小了屏蔽电极与数据线的正对面积，进而减小了屏蔽电极的信号对数据线上的信号的影响，解决了屏蔽电极的信号对数据线上的信号产生影响，导致数据线的负载较大的问题，达到了降低数据线的负载的效果。
[0161]请参考图12，其示出了本发明另一个实施例提供的阵列基板的制造方法的方法流程图，该阵列基板的制造方法可以用于制造图3至图10任一所示的阵列基板，且在本发明实施例中，数据线与第一电极可以位于同一层，也可以位于不同层，本实施例以数据线与第一电极位于同一层为例进行说明，本实施例以该阵列基板的制造方法应用于图7所示的阵列基板02为例进行说明。
[0162]其中，该阵列基板02可以包括:衬底基板020，衬底基板020可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。参见图12，该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤:
[0163]在步骤1201中，在衬底基板上形成第二绝缘层。
[0164]请参考图13，其示出的是在衬底基板020上形成第二绝缘层028后的结构示意图。具体地，可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n，简称:PECVD)等方法在衬底基板 020 上沉积一层具有一定厚度的光刻胶薄膜，采用掩模板对光刻胶薄膜进行曝光，使光刻胶薄膜形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶薄膜被完全去除，非曝光区域的光刻胶薄膜全部保留，烘烤处理后形成第二绝缘层028。其中，第二绝缘层028可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，对应的反应气体可以为SiH4、NH3,队的混合气体或SiH2Cl2、NH3.队的混合气体。
[0165]其中，在衬底基板020上形成第二绝缘层028，使得衬底基板020与后续的数据线022之间彼此绝缘。
[0166]需要说明的是，实际应用中，在步骤1201之前，可以通过一次构图工艺在衬底基板020上形成栅线，之后在形成有栅线的衬底基板020上形成第二绝缘层028，使得栅线与后续的数据线022之间彼此绝缘。其中，栅线的形成过程可以参考现有技术，本发明实施例在此不再赘述。
[0167]在步骤1202中，在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成数据线。
[0168]请参考图14，其示出的是在形成有第二绝缘层028的衬底基板020上形成数据线022后的结构示意图。具体地，可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第二绝缘层028的衬底基板020上沉积一层具有一定厚度的光刻胶薄膜，采用掩模板对光刻胶薄膜进行曝光，使光刻胶薄膜形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶薄膜被完全去除，非曝光区域的光刻胶薄膜全部保留，烘烤处理后形成数据线022。
[0169]需要说明的是，实际应用中，衬底基板020上形成有栅线，数据线022可以与栅线相交，以使得相邻的两条数据线022和与该相邻的两条数据线022相交的栅线能够围成像素区，示例地，数据线022可以与栅线垂直，且多条数据线022可以平行设置。
[0170]在步骤1203中，在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成第一电极。
[0171]请参考图15，其示出的是在形成有第二绝缘层028的衬底基板020上形成第一电极026后的结构示意图。参见图15可知，第一电极026与数据线位于同一层，其中，第一电极026可以为板状电极，第一电极026可以为像素电极或公共电极，本发明实施例对此不做限定，本发明实施例以第一电极026可以为像素电极为例进行说明。可以采用构图工艺在形成有第二绝缘层028的衬底基板020上形成第一电极026，具体地，可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第二绝缘层028的衬底基板020上沉积一层具有一定厚度的光刻胶薄膜，采用掩模板对光刻胶薄膜进行曝光，使光刻胶薄膜形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶薄膜被完全去除，非曝光区域的光刻胶薄膜全部保留，烘烤处理后形成第一电极026。其中，如图15所示，第一电极026与数据线022未连接。
[0172]在步骤1204中，在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层。
[0173]请参考图16，其示出的是在形成有第一电极026的衬底基板020上形成第一绝缘层027后的结构示意图。其中，在形成有第一电极026的衬底基板020上形成第一绝缘层027的过程可以参考步骤1201中在衬底基板020上形成第二绝缘层028的过程，本实施例在此不再赘述。
[0174]其中，第一绝缘层027的设置可以使得第一电极026与数据线022之间、第一电极026所在层与后续的第二电极023所在层之间彼此绝缘。
[0175]在步骤1205中，在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极和屏蔽电极，使数据线在衬底基板上的正投影落在屏蔽电极在衬底基板上的正投影内。
[0176]请参考图17，其示出的是在形成有第一绝缘层027的衬底基板020上形成第二电极023和屏蔽电极024后的结构示意图。参见图17可知，第二电极023和屏蔽电极024位于同一层，且第二电极023和屏蔽电极024连接。其中，屏蔽电极024与第二电极023连接，可以通过第二电极023向屏蔽电极024施加电压信号，无需在阵列基板02上为屏蔽电极024单独布线，使得阵列基板02布线简单且容易实现，通过第二电极023向屏蔽电极024施加电压信号具体可以为:向第二电极023施加电压信号，由于第二电极023与屏蔽电极024连接，施加在第二电极023上的电压信号可以传输至屏蔽电极024，从而实现对屏蔽电极024施加电压信号。屏蔽电极024与第二电极023连接，使得屏蔽电极024可以与第一电极026形成驱动电场，该驱动电场可以有效驱动液晶分子偏转，增加阵列基板02的开口率。
[0177]进一步地，屏蔽电极024与第二电极023可以呈一体结构，这样可以采用一次构图工艺形成屏蔽电极024和第二电极023，节省阵列基板02的制作工艺。
[0178]其中，第二电极023可以为狭缝电极。第二电极023可以为公共电极或者像素电极，本发明实施例对此不做限定，本发明实施例以第二电极023为公共电极为例进行说明。在本发明实施例中，屏蔽电极024可以为长条状结构，屏蔽电极024的长度方向可以与数据线022的长度方向平行，且屏蔽电极024的长度方向可以与狭缝电极的狭缝的长度方向平行，或者，屏蔽电极024的长度方向可以与狭缝电极的狭缝的长度方向存在夹角，因此，狭缝电极的狭缝在衬底基板020上的正投影的长度方向与数据线022在衬底基板020上的正投影的长度方向可以存在夹角，该夹角的具体数值可以根据实际需要设置，本发明实施例对此不做限定，示例地，该夹角的范围可以为75°?80°，这样可以使得阵列基板02具有宽视角，进而形成具有宽视角的显示装置。
[0179]在步骤1206中，在屏蔽电极上形成至少一个开口，使至少一个开口位于数据线在屏蔽电极的正投影区域内。