专利名称：等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示面板(PDP)，更具体地讲，涉及一种具有提高的发光效率、低放电点火电压和改进的亮度均匀性的PDP。
背景技术：
等离子体显示面板(PDP)，其可作为传统的阴极射线管显示器的替代品，是一种在两个基板间填充了放电气体的设备，每个基板上具有多个电极。放电电压施加到电极上，以预定的图案排列于基板的荧光体被放电气体产生的紫外线激发，以在降基时发光(也就是当荧光体的原子从激发态跃迁到基态时，它就会发射出光线)，从而形成预期的图像。
图1示出传统的AC等离子体显示面板10，该显示面板包括上板50和下板60，其中下板60被与上板50平行设置。维持电极对12置于上板50的前基板11上，每个维持电极对具有X电极31和Y电极32。寻址电极22排列在面向前基板11的后基板21的上表面上，与前基板11上的电极31和32垂直交迭。由维持电极对12和寻址电极22相交限定的放电空间的部分，对应于单位放电室70。第一介电层15和第二介电层25分别地形成于前基板11的表面和后基板21的表面上，以覆盖维持电极对12和寻址电极22。
由绝缘材料例如MgO制成的保护层16形成在第一介电层15上。障肋30形成于第二介电层25的表面上，以维持放电距离和防止相邻的放电室70之间的光电串扰。荧光体层，例如发红光的荧光体、发绿光的荧光体或发蓝光的荧光体层，形成以覆盖障肋30的侧壁和第二介电层25的暴露的表面。每个X电极31包括透明电极31a和汇流电极31b。每个Y电极32也包括透明电极32a和汇流电极32b。
为了增大在等离子体显示面板10中的放电空间，应该增加X电极31和Y电极32之间的距离。这是因为当X电极31和Y电极32之间的距离增加时，更大的放电发生在更大的空间。然而，当X电极31和Y电极32之间的距离增加时，需要更高的放电点火电压，结果导致功耗增加。
发明内容
本发明提供了一种通过增大放电空间能够提高发光效率，并允许低放电点火电压的PDP。
本发明还提供了一种能够提高放电室的亮度的均匀性的PDP。
将在下面的描述中阐述本发明的另外的特征，有一部分通过描述将是清楚的，或者可以通过本发明的实施而得知。
本发明公开了一种具有后基板和与后基板分开的前基板的等离子体显示面板。该等离子体显示面板还包括障肋，置于前基板和后基板之间，并限定放电室；维持电极对，包含X电极和Y电极，并与放电室交迭。等离子体显示面板进一步包括中间电极，置于每个维持电极对的X电极和Y电极之间；第一介电层，覆盖所述维持电极对和中间电极，并且包括凹槽，这些凹槽的形成方式是每个凹槽位于每个维持电极对的X电极和Y电极间并对应于所述中间电极。等离子体显示面板另外包括寻址电极，横过放电室延伸，并且与维持电极对和中间电极交迭；第二介电层，覆盖寻址电极。等离子体显示面板还包括荧光体层，分别地形成于放电室；放电气体，填充放电室。
本发明也公开了一种具有置于基板的第一介电层的等离子体显示装置的放电室，其中第一介电层的表面限定第一介电层的凹槽。
本发明也公开了一种具有前基板和置于该前基板上的第一介电层的等离子体显示装置的前板，其中，第一介电层包括以预定图案设置的较薄区域和较厚区域。
应该这样理解，上述的一般说明和以下的详细描述是示例性和解释性的，并且旨在对权利要求中所述的本发明提供进一步的解释。
附图描述了本发明实施例，并与说明书共同起到解释发明原理的作用，这些附图提供了对本发明的进一步理解并合并组成该说明书的一部分。
图1示出了传统的等离子体显示面板。
图2示出了根据本发明实施例的等离子体显示面板。
图3示出了根据本发明实施例的沿图2的线III-III截取的剖视图，显示了旋转90°的图2中的上板。
图4示出了根据本发明的另一个实施例的图2中的上板。
图5是等离子体显示装置的方框图。
图6是在图2的等离子体显示面板的单位子场中，放电单元的电极上施加的信号的时序图。
图7显示了在图6的维持放电时间S内放电室中的示例性的亮度分布。
图8是根据凹槽深度H相对于第一介电层的深度D的相对比H/D来示出的亮度偏差的曲线图。
图9是根据凹槽的深度H相对于第一介电层的深度D的相对比H/D来示出的维持放电电压的曲线图。
具体实施例方式
参照图2和图3来描述根据本发明实施例的AC等离子体显示面板100，其中，图3示出旋转90°的等离子体显示面板100的上板150，并且图3示出包括彼此平行固定的上板150和下板160的等离子体显示面板100。
参照图2和图3，在置于上板150的前基板111和置于下板160的后基板121之间，多个放电室170被障肋130分隔开。障肋130减少或防止放电室170之间的光电串扰，并且还将放电室170分隔为矩形部分。障肋130可按各种图案形成，例如开口图案，比如条纹图案；或闭合图案，比如网格图案、矩阵图案、或三角图案。此外，由障肋130分隔的每个放电室的横截面可按例如三角形、正方形、五边形、圆、椭圆等各种不同形状的闭合图案形成。
多个维持电极对112排列于前基板111上。前基板111可由例如玻璃等的透明材料制成。维持电极对112可包括一对形成在前基板111的后表面上的维持电极131和132，以产生和维持放电。这样的维持电极对112在前基板111上平行地排列并间隔预定的距离。每个维持电极对112包括X电极131和Y电极132。在本实施例中，维持电极对112置于前基板111的后表面上，然而，本发明不限于这种结构，维持电极对112可置于其它位置。例如，维持电极对112可设置成与前基板111的后表面间隔预定的距离。优选地，维持电极对112的X电极131和Y电极132位于离前基板111相同的高度上。
每个X电极131包括透明电极131a和汇流电极131b，每个Y电极132包括透明电极132a和汇流电极132b。透明电极131a和132a由透明材料例如ITO(锡铟氧化物)制成，该透明材料具有导电性以允许放电，并将从荧光体126发出的光透射到前基板111。然而，由于透明导电材料例如ITO通常具有较高的电阻，所以透明电极131a和透明电极131b在它们的纵向方向上具有相对高的电压降，这需要更高的驱动功率并降低了响应速度。
为了解决这些问题，窄的汇流电极131b和汇流电极132b由金属材料制成，并设置在透明电极131a和透明电极132a上，以降低电阻。汇流电极131b和汇流电极132b可利用如Ag、Al或Cu等金属按单层结构形成。或者，汇流电极131b和汇流电极132b可按如Cr/Al/Cr的多层结构形成。透明电极131a、透明电极132a、汇流电极131b和汇流电极132b可使用光刻蚀工艺、照相平板印刷术工艺等来形成。
中间电极113可分别地置于成对的X电极和Y电极之间，使得每个中间电极113置于一对X电极和Y电极之间。中间电极113可形成于前基板111的后表面上，并可平行于X电极131和Y电极132横过放电室170延伸。此外，中间电极113可与对应的X电极131和Y电极132间隔大约相同的距离而形成。
中间电极113包括透明电极131a和汇流电极131b。中间电极可置于相比于X电极131和Y电极132不同的高度。然而，优选地，中间电极可置于与X电极131和Y电极132相同的高度，以允许通过单个电极形成过程一次形成所有的电极。
在电极形成后，第一介电层115覆盖维持电极对112和中间电极113。第一介电层115由这样的介电材料制成，该材料能够在放电期间防止相邻的X电极131和Y电极132与中间电极113的直接导电。因此，第一介电层115可减少或防止由于带电粒子(正离子或电子)与X电极131、Y电极132和中间电极113的碰撞而导致对X电极131、Y电极132和中间电极113的损害，并且允许带电粒子积累成壁电荷。这样的介电材料可包括PbO、B2O3、SiO2等等。
在第一介电层形成后，凹槽145分别地形成于第一介电层115中，位于成对的X电极131和Y电极132之间。每个凹槽145以预定的深度形成于第一介电层115中。第一介电层115的构造使得可见光沿着向前的方向，通过凹槽145形成的第一介电层115的较薄部分，具有更高的透光度。
此外，在本实施例中，凹槽145具有限定梯形的横截面，然而，凹槽145可由按各种不同的形式或形状形成。另外，凹槽145可通过不同的工艺形成。例如，凹槽145可由通过喷砂工艺形成于第一介电层115上。此外，凹槽145可通过在应用光掩模后曝光和显影形成，其中第一介电层115由感光介电材料制成。“H”表示凹槽145的深度，“D”表示第一介电层115在靠近凹槽145的区域的厚度。
参照图2，每个凹槽145形成于X电极131和Y电极132对之间，并沿平行于X电极131和Y电极132的方向延伸。在此结构中，凹槽145可提供排气通道，放电空间中的杂质气体通过该通道排出；并还提供进气通道，放电气体在填充过程中通过该通道流入放电空间。然而，如图4所示，凹槽145′可横过各自的放电室，在第一介电层115′上不连续地形成。在此，凹槽145′可以各种不同的形状形成。多个放电空间由对应于单位放电空间的相交的X电极131、Y电极132、中间电极113和寻址电极122限定。
再次参照图3，在凹槽145可能会产生更强的电场，这会因为X电极131和Y电极132间的放电通道缩短，从而可能会增加电子和离子的密度。因此，在每个凹槽145中可能会产生更强的等离子体放电。具体地讲，当凹槽145的深度H加深时，X电极131和Y电极132之间的放电类似于对向放电。
在此实施例中，凹槽145的深度H相对于第一介电层115的厚度D的相对的深度对厚度的比H/D可从大约0.15到大约0.45。另外，在一些实施例中，凹槽145的深度H可从大约6μm到大约18μm。此外，为了在放电室170内更加均匀地产生放电，凹槽145可关于放电室170对称地设置。凹槽145也可形成于覆盖中间电极113的第一介电层115的部分。凹槽145的深度H和第一介电层115的厚度D之间的关系在以下描述。
保护层116形成于第一介电层115上。保护层116减少或防止了放电期间正离子和电子与第一介电层115的直接碰撞，以避免对第一介电层115的损害。此外，保护层116可在放电期间放出大量的二次电子，从而促进了等离子体放电。因此，保护层116由具有高的二次电子放电系数并对可见光具有高透光度的材料制成。
保护层116可包括例如形成于第一介电层115上的MgO薄膜。保护层116通常是在上板150上完成其它制作过程后，通过溅射和电子束沉积形成。
寻址电极122沿着与X电极131、Y电极132、中间电极113正交的方向排列于后基板121的前表面上。寻址电极122可产生寻址放电以促进X电极131、Y电极132间的维持放电。具体地讲，寻址电极122有助于降低产生维持放电的电压。在此实施例中，寻址放电可在中间电极113和寻址电极122之间产生。
第二介电层125可形成于后基板121的上表面上，以覆盖寻址电极122。第二介电层125可由能防止正离子和电子与寻址电极122的直接碰撞的介电材料制成。因此，第二介电电极125可减少或防止对寻址电极122的损害，并进一步吸引电荷。第二介电层125可由例如PbO、B2O3、SiO2等的介电材料制成。
形成荧光层126例如发红光荧光体层、发绿光荧光体层、发蓝光荧光体层，以覆盖第二介电层125的暴露的表面和障肋130的侧面部分或侧壁。
荧光体层126能够吸收紫外线和产生可见光。例如，发红光荧光体层可包括例如Y(V，P)O4:Eu等材料；发绿光荧光体层可包括比如Zn2SiO4:Mn等材料；发蓝光荧光体层可包括例如BAM:Eu等材料。
此外，放电室170可由例如Ne、Xe等放电气体填充。在放电气体被填充到放电室170后，通过沿基板111和121的边缘附着封接物质比如玻璃粉，前基板111和后基板121结合并封接在一起，。
参照图5，显示包括根据本发明实施例的等离子体显示面板100的等离子体显示设备200。等离子体显示设备200包括图像处理器256、逻辑控制器262、A驱动器223(即寻址驱动器)、X驱动器224、Y驱动器225、M驱动器226。X电极131、Y电极132、中间电极113以多条线表示。
Y电极132沿着前基板111的第一方向延伸，它们的一端相互连接。当等离子体显示面板100被信号驱动时，同样的电信号被施加到所有的Y电极132，从而Y电极132彼此共同电互连。
同样地，将相同的电信号施加到X电极131，X电极131也彼此共同电互连。然而将独立的信号施加到中间电极113，并且中间电极113必须分别地连接到M驱动器226的输入线而彼此不互连。
显示在图5中的等离子体显示面板100的每个单元放电室的中间电极113、寻址电极122、X电极131和Y电极132的排列和形式，类似于那些显示在图2和图3中的中间电极113、寻址电极122、X电极131和Y电极132。
在等离子体显示设备的操作中，图像处理器256将外部的模拟信号转换成数字信号，然后产生内部图像信号。内部图像信号包括例如R/G/B图像数据、时钟信号、或水平和竖直同步信号，每个内部图像信号有8个比特/位。逻辑控制器262响应从图像处理器256接收到的内部图像信号来产生驱动控制信号SA、SX、SY和SM。
信号SA是施加到寻址电极122的驱动信号，信号SX是施加到X电极131的驱动信号，信号SY是施加到Y电极的驱动信号，信号SM是施加到中间电极113的驱动信号。
A驱动器223处理从逻辑控制器262接收的驱动控制信号SA、SX、SY和SM中的寻址驱动信号SA，以产生显示数据信号，并将所得到的显示数据信号施加到寻址电极122。X驱动器224处理从逻辑控制器262接收的驱动控制信号SA、SX、SY和SM中的X驱动信号SX，并将所得到的信号施加到X电极131。Y驱动器225处理从逻辑控制器262接收的驱动控制信号SA、SX、SY和SM中的Y驱动信号SY，并将所得到的信号施加到Y电极132。M驱动器226处理从逻辑控制器262接收的驱动控制信号SA、SX、SY和SM中的M驱动信号SM，并将所得到的信号施加到中间电极113。
图6是显示在等离子体显示面板100的单位子场SF中，施加到中间电极113、寻址电极122、X电极131和Y电极132的信号的单位时间帧的时序图。单位时间帧可划分为8个子场，以创建时分型灰度显示。因此，子场可划分为重置期R、寻址期A和维持放电期S。
一般而言，在重置期R期间，首先，上升斜坡电压脉冲施加到中间电极113，从而产生放电。接下来，下降斜坡电压脉冲施加到中间电极113，从而产生擦除放电。上升斜坡电压脉冲和下降斜坡电压脉冲一起是贯穿等离子体显示面板100产生的重置放电过程中的部分，以将壁电荷均衡地分配在放电室170中。更详细地，重置放电过程包括地电压VG，其作为第一电压施加到寻址电极122和Y电极132。上升斜坡电压脉冲施加到中间电极113，并从电压VS上升到第二电压VSET+VS，然后下降到第一电压VG。此时，第一电压VG首先施加到X电极131，然后，在第二电压VSET+VS正施加到中间电极113的同时，维持电压VS作为第三电压施加到X电极131，以降低到第一电压VG。
在寻址期A期间，寻址电压VA的显示数据脉冲施加到寻址电极122，同时地，第一电压VG的扫描脉冲施加到偏置为扫描电压VSCAN的中间电极113，其中VSCAN低于第三电压VS。因此，如果在施加扫描脉冲的同时施加高电平的显示数据脉冲，通过寻址放电，壁电荷会积累在X电极131、中间电极113和Y电极132上。然而，由于没有显示数据脉冲施加到不需要寻址放电的放电室，所以在这些放电室内没有壁电荷的形成。
在维持放电期S期间，维持放电脉冲交替地施加到所有的X电极131和所有的Y电极132，从而如果壁电荷已经在相应的寻址期A期间形成就产生维持放电。中间电极131和寻址电极122分别地偏置为第三电压VS和第一电压VG。
然而，在维持放电点火期间，由于第一电压VG施加到积累负壁电荷的X电极131，并且第三电压VS施加到积累正壁电荷的中间电极113，所以X电极131和中间电极113之间的放电点火彼此相对地靠近。因此，由于电极113和电极131之间的放电点火靠近，所以放电点火电压降低。在放电产生于X电极131和中间电极113之间后，相应的放电区会扩展到Y电极132，并在X电极131和Y电极132间产生维持放电。
此时，第一电压VG和第三电压VS交替地施加到Y电极132和X电极131，使得在维持放电期期间产生预定的灰度发光输出等级的维持放电继续地产生，从而形成图像。具体地讲，由于X电极131和Y电极132之间的放电开始于相对低的电压，所以能够增大X电极131和Y电极132的距离，从而增加了放电通道的尺寸。因此，由于放电通道增大，所以更大的放电活跃地产生，提高了发光效率。结果，由于X电极131、中间电极113、Y电极132之间的维持放电，最小放电点火电压减小，并且显示装置的发光效率提高。当维持放电被激活时，受激发的放电气体的能级降低使得紫外光被发射。发射的紫外光激发形成于放电室170的荧光体层126，使得激活的荧光体层126的能级升高然后降低，以发射可见光。可见光透过第一介电层115和前基板111，从而形成用户观看的图像。
等离子体显示面板100的亮度与单位帧中所包含的维持放电期S的长度成比例。在此实施例中，单位帧中所包含的维持放电期的总长度大约是255T(其中T是预定的单位时间)。每个单位帧划分为8个子场SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF8以实现时分灰度显示。因此，对应于2°的时间1T设置为第一子场SF1的维持放电时间；对应于21的时间2T设置为第二子场SF2的维持放电时间；对应于22的时间4T设置为第三子场SF3的维持放电时间；对应于23的时间8T设置为第四子场SF4的维持放电时间；对应于24的时间16T设置为第五子场SF5的维持放电时间；对应于25的时间32T设置为第六子场SF6的维持放电时间；对应于26的时间64T设置为第七子场SF7的维持放电时间；对应于27的时间128T设置为第八子场SF8的维持放电时间。因此，通过从8子场中合适地选择子场进行显示，所有的256个灰度级包括不出现在子场中的0灰度可被表示。
图7示出在等离子体显示面板100的维持放电期S期间，可由放电室170产生的亮度分布曲线图的实例。沿着垂直于维持电极对112延伸的方向截取的横截面上的X或水平方向测量亮度。在X电极131和Y电极132间的等离子体放电最强，从而X电极131和Y电极132之间的亮度相对地高。此外，由于中间电极113、X电极131、Y电极132的排列具有对称结构，所以亮度分布关于水平方向基本上对称。然而，由于中间电极113置于X电极131和Y电极132之间，所以视亮度会由于邻近中间电极113的层的透光度减少而降低。即使透明电极113a由具有相对好的透光度的ITO制成，但是透明电极113a仍对可见光具有相对低的透光度，从而导致透明电极113a的视亮度降低。另外，汇流电极113b对可见光具有相对低的透光度，这也降低视亮度。在放电室170内这样的亮度不均匀性可能会引起画面质量变差。
然而，在本发明中，如上所述，凹槽145形成于第一介电层115的部分，创造了覆盖中间电极113的第一介电层115的较窄的部分，所以能够补偿由中间电极113引起的透光度的降低。因此，可以获得以下两项效果中的至少一项1)由于凹槽145，第一介电层115的部分变窄，该变窄部分的透光度提高；2)因为形成凹槽145的变窄部分的电场加强，并且引火粒子例如空间电荷的密度在靠近变窄部分更高，所以在第一介电层115的变窄部分，等离子体放电活跃地产生，并且亮度增加。具体地讲，当凹槽145的深度H加深时，可获得X电极131和Y电极132之间的对向放电作用，该对向放电作用会加强等离子体放电的活性。然而，如果凹槽145的深度H相对于第一介电层115的厚度D过深，在放电期间会损害第一介电层115。因此，第一介电层115的厚度D与凹槽145的深度H之间的一定的比值的范围，是维持均匀亮度和防止第一介电层115的损害的重要参数。
在本发明的一些实施例中，放电室的亮度偏差是由相对于第一介电层的凹槽的深度H相对于第一介电层的深度D的相对比H/D作为无量纲的参数进行测量。在此例中，中间电极113、X电极131、Y电极132的透明电极113a、透明电极131a、透明电极132a的宽度A分别大约为120μm，第一介电层的厚度D大约为40μm。此外，凹槽145的最大宽度L大约为130μm。
图8显示了在第一介电层115的厚度D恒定不变的情况下，关于从0μm到20μm的范围变化的凹槽145的深度H所测的亮度偏差G1-G2的测试结果的曲线图。亮度偏差G1-G2定义为中间电极113和X电极131(或Y电极132)之间的常数亮度(在下文中，称为“第一亮度值G1”)，与包括中间电极113的放电室170的中间区域的亮度(在下文中，称为“第二亮度值G2”)的差。如果亮度偏差G1-G2有正值，那么第一亮度值G1大于第二亮度值G2。或者，如果亮度偏差G1-G2有负值，那么第一亮度值G1小于第二亮度值G2。
在放电室具有相对均匀的亮度的情况下，亮度偏差G1-G2的绝对值|G1-G2|应落在预定范围内，优选地大约低于6cd/m2。因此，可设定H/D的比使得绝对值|G1-G2|低于6cd/m2。例如，再次参照图8，对于相对比H/D大约0.15到大约0.45，亮度偏差的绝对值|G1-G2|大约小于6cd/m2。因此，如果相对比H/D是0(即没有凹槽存在)，那么亮度偏差的绝对值|G1-G2|大(大约10cd)。然而，如果相对比H/D超过0.45，那么在放电期间第一介电层115可能会被损害。因此，为了维持放电室170的相对均匀的亮度并且减少损害第一介电层115的可能性，最好选择凹槽145的尺寸使得相对比H/D在大约1.5和大约0.45之间。
图9是示出维持电压VS相对于相对比H/D的曲线图。如图9所示，当相对比H/D增加时，维持放电电压VS减小。另外，如果相对比H/D超过大约0.15，那么维持电压VS相当地低。
因此，如上所述，根据本发明的实施例，通过在第一介电层上形成具有合适尺寸的凹槽，可以提高发光效率和降低放电点火电压。
本领域的技术人员应该理解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变形。因此，这样的目的是，如果本发明的变形和修改落于权利要求及其等同物的范围内，则本发明覆盖这些变形和修改。
权利要求
1.一种等离子体显示面板，包括后基板；前基板，与后基板分开；障肋，置于前基板和后基板之间，限定放电室；维持电极对，包括X电极和Y电极，并与放电室交迭；中间电极，排列于每个维持电极对的X电极和Y电极之间；第一介电层，覆盖所述维持电极对和所述中间电极并且包括凹槽，这些凹槽的形成方式是每个凹槽位于每个维持电极对的X电极和Y电极之间并对应于所述中间电极；寻址电极，横过放电室延伸，与所述维持电极对和所述中间电极交迭；第二介电层，覆盖所述寻址电极；荧光体层，分别地形成在放电室；放电气体，填充放电室。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，凹槽的深度(H)相对于第一介电层的厚度(D)的相对比(H/D)是大约0.15到大约0.45。
3.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中，凹槽的深度(H)是大约6μm到大约18μm。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，凹槽的位置对称于放电室。
5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，维持电极对和中间电极位于相对于前基板基本上相同的高度上。
6.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其中，维持电极对和中间电极排列于前基板的后表面上。
7.如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括覆盖第一介电层的保护层。
8.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，凹槽不连续地形成，每个凹槽对应于每个放电室。
9.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，凹槽与放电室的行交叉形成。
10.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，各中间电极位于距离成对的X电极和Y电极基本上相同的距离处。
11.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，凹槽形成于部分第一介电层上，并置于每个中间电极之上。
12.一种等离子体显示装置的放电室，包括第一介电层，布置于基板上，其中，第一介电层的表面限定出第一介电层上的凹槽。
13.如权利要求12所述的放电室，进一步包括第一电极和第二电极，置于所述基板和所述第一介电层之间，凹槽置于所述第一电极和所述第二电极之间。
14.如权利要求13所述的放电室，进一步包括第三电极，排列在第一电极和第二电极之间，所述凹槽置于第三电极之上。
15.如权利要求12所述的放电室，其中，凹槽具有深度H，第一介电层在靠近凹槽的区域上具有厚度D，H/D的比的范围在大约0.15到大约0.45之间，凹槽的深度H的范围在大约6μm到大约18μm之间。
16.一种等离子体显示装置的上板，包括前基板；第一介电层，具有第一面和排列在前基板上的第二面，其中所述第一面邻近前基板，其中，第一介电层的第二面的表面不平坦，在第一介电层上限定出以预定的图案设置的较薄区域和较厚区域。
17.如权利要求16所述的上板，进一步包括置于第一介电层和前基板之间的电极，其中，较薄区域限定出在第一介电层的凹槽，其中凹槽平行于电极排列。
18.如权利要求17所述的上板，其中，电极包括成对排列的第一电极和第二电极，其中，凹槽置于相应的电极对的第一电极和第二电极之间。
19.如权利要求18所述的上板，其中，凹槽具有深度H，第一介电层在靠近凹槽的区域具有厚度D，H/D的比的范围在大约0.15到大约0.45之间，凹槽的深度H的范围在大约6μm到大约18μm之间。
20.如权利要求17所述的上板，其中凹槽是不连续的。
全文摘要
本发明提供了一种等离子体显示面板(PDP)，其能够通过增大放电空间来提高发光效率，并能够降低放电点火电压。该等离子体显示面板包括靠近放电室的第一介电层，其中多个凹槽形成于第一介电层使得每个凹槽形成于放电室的X电极和Y电极之间，并覆盖维持电极对和中间电极。
文档编号H01J11/40GK1741230SQ20051008998
公开日2006年3月1日 申请日期2005年8月9日 优先权日2004年8月28日
发明者洪种基, 姜景斗, 姜太京 申请人:三星Sdi株式会社