专利名称：用于电子器件的容纳结构的制作方法
交叉引用本申请要求2004年12月30日提交的美国临时申请序列第60/640,557号的优先权，以及2005年6月28日提交的第60/694,876号的优先权，这些文献的内容全文参考结合入本文中。
领域本文一般涉及有机电子器件，更具体来说涉及具有油墨容纳井的有机电子器件及其材料和制造方法。
背景有机电子器件将电能转化为辐射，通过电子方法检测信号，将辐射转化为电能，或者包括一个或多个有机半导体层。当由液体层制造有机电子器件的时候，可使用容纳结构来分隔像素或彩色的亚像素。一些常规的像素容纳井(pixelcontainment well)(“井”)可进行表面处理，以防施用的有机组合物溢流到相邻的像素中，或者残留在可能造成不利影响的非发光区域内。
在不采用表面处理的常规应用中，有机组合物通常会浸润井的表面，从而使得干燥的层具有不均匀的最终厚度。另外，由于一些有机组合物干涸并残留在井壁上，井底部发光区内的有机组合物的厚度取决于井的高度和干燥条件。在使得井具有不可浸润性的常规应用中，如果当液体有机组合物具有低粘度的时候，这些液体有机组合物不会浸润井，则干燥后的有机组合物层的最终厚度会高度不均匀，外观形状会背离所需的容纳的像素形状。
因此，人们需要能够克服上述缺点和不足的容纳结构，以及形成所述容纳结构的方法和具有该容纳结构的有机电子器件。
概述在一个实施方式中，提供了一种用于有机组合物的容纳结构。容纳结构包括下切层(undercut layer)和上覆层(overlying layer)，所述下切层和上覆层限定了用来接收液体形式的有机组合物的容积。
以上概述和以下的详述都仅出于示例和说明的目的，不会对所附权利要求书限定的本发明范围构成限制。
附图简述在附图中显示了一些实施方式，以便更好地理解本文所述的内容。
图1是可用来实施本发明方面的示例性有机电子器件的分解图；图2A-B是根据本发明一个实施方式的容纳结构的截面图；图3是根据本发明一个实施方式制造有机电子器件的方法的流程图。
这些附图仅仅是用于举例，而不会对本发明构成限制。本领域普通技术人员能够理解，图中的物体为了简化和清楚，不一定是依照比例绘制的。例如，图中一些物体的尺寸相对于其它的物体夸张放大，以利于理解实施方式。
详述在一个实施方式中，提供了用于有机组合物的容纳结构。所述容纳结构包括下切层和上覆层，所述下切层和上覆层限定了用来接收液体形式的有机组合物的容积。
在一个实施方式中，所述下切层具有第一高度，所述上覆层具有显著大于所述第一高度的第二高度。
在一个实施方式中，所述第一高度是预先确定的，使得当有机组合物干燥之后，下切层限定的容积的部分完全被有机组合物填充。
在一个实施方式中，所述下切层由具有不同的曝光和显影响应性质的多层可光致图案化材料形成。
在一个实施方式中，使得所述限定了容积的下切层和上覆层的表面变成不可浸润性。
在一个实施方式中，所述容积至少部分地由上覆层的壁限定，所述壁具有角度，使得所述壁能被液体组合物浸润。
在一个实施方式中，对所述壁进行表面处理，使得该壁变成不可浸润性。
在一个实施方式中，所述上覆层包括限定了所述容积的一部分的壁，所述壁相对于下切层以正角度倾斜。
在一个实施方式中，提供了一种用来形成导电聚合物器件的方法。该方法包括提供下切层，对所述下切层施加上覆层，使得所述下切层和上覆层限定出用来接收液体形式的有机组合物的容积，然后将液体形式的有机组合物引入所述容积中。
在一个实施方式中，限定所述容积，使得所述有机组合物在干燥的时候完全填充由下切层限定的容积的这个部分。
在一个实施方式中，所述下切层具有第一高度，施加的上覆层具有显著大于所述第一高度的第二高度。
在一个实施方式中，所述提供步骤还包括施加具有不同曝光和显影响应性质的多层可光致图案化的材料。
在一个实施方式中，所述多层可光致图案化的材料是通过沉积法施加的。
在一个实施方式中，该方法还包括使得限定所述容积的下切层和上覆层的表面变成不可浸润性的。
在一个实施方式中，所述容积至少部分地由所述上覆层的壁限定，所述壁具有角度，使得所述壁可以被液体组合物浸润。
在一个实施方式中，所述上覆层包括限定所述容积的一部分的壁，这些壁相对于下切层以正角度倾斜。
在一个实施方式中，提供了一种有机电子器件。所述有机电子器件包括具有第一高度的下切层；具有第二高度的上覆层，所述第二高度显著大于第一高度，所述上覆层与下切层相邻地设置；由形成在上覆层中的正角度倾斜的壁和下切层表面限定的容积；当呈液体形式的时候引入所述容积中的有机组合物。
在一个实施方式中，提供了包括上述容纳结构的组合。
在一个实施方式中，提供了有机电子器件，该有机电子器件包括具有上述容纳结构的活性层。
在一个实施方式中，提供了可用来制造有机电子器件的制品，该制品包括上述容纳结构。
在一个实施方式中，提供了组合物，该组合物包含上述化合物和至少一种溶剂、加工助剂、电荷传输材料或电荷阻挡材料。这些组合物可以为任意的形式，包括但不限于溶剂、乳液和胶体分散体。
定义使用“一个”或“一种”来描述本发明的元素和组分。这仅仅是为了方便起见和给出本发明的普遍意义。除非明确地有其它的含义，否则这样的描述应理解为包括一种或至少一种，所述单数形式还包括复数的情况。
术语“活性”在用来描述层或材料的时候，表示具有电子或电子辐射性质的层或材料。活性层材料可以发射出辐射，或者在受到辐射的时候表现出电子-空穴对浓度的变化。因此，术语“活性材料”表示能够在电子方面促进器件操作的材料。活性材料的例子包括但不限于能够传导、注入、传输或阻挡电荷的材料，所述电荷可以是电子或空穴。惰性材料的例子包括但不限于平面化材料、绝缘材料和环境阻挡材料。
在本文中，术语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”、“包括有”“包含有”或其任意变体表示非排他性的包括。例如包括一系列元素的工艺、方法、制品或设备不一定仅含这些元素，而是可以包括未明显列出的或所述工艺、方法、制品或设备固有的其他元素。另外，除非有另外说明，“或”表示包括性的“或”而不是排他性的“或”。例如，以下任意一种情况都满足“条件A或B”A为真(或存在)且B为伪(或者不存在)，A为伪(或不存在)且B为真(或者存在)，以及A和B均为真(或存在)。
术语“层”可以与术语“膜”互换使用，表示覆盖所需区域的涂层。该区域最大可以为整个器件或者特定的功能区域(例如真实视频显示器)，或者最小可以是单独的亚像素。膜可通过任意常规的沉积技术形成，这些技术包括气相沉积和液相沉积。液相沉积技术包括但不限于连续沉积技术，例如旋涂法、照相凹版涂敷、幕涂、浸涂、狭缝模头涂敷、喷涂和连续喷嘴涂敷；以及不连续沉积技术，例如喷墨印刷、照相凹版印刷和丝网印刷。
术语“有机电子器件”表示包括一种或多种半导体层或材料的器件。有机电子器件包括，但不限于(1)将电能转化为辐射的器件(例如发光二极管、发光二极管显示器、二极管激光器或照明板)，(2)通过电子方法检测信号的器件(例如光电检测器光电导管，光敏电阻，光电开关，光电晶体管，光电管，红外(“IR”)检测器或生物传感器)，(3)将辐射转化为电能的器件(例如光生伏打器件或太阳能电池)，以及(4)包括一个或多个具有一个或多个有机半导体层的电子部件(例如晶体管或二极管)的器件。术语器件还包括用于以下用途的涂料记忆存储器件、抗静电膜、生物传感器、电致变色器件、固体电解质电容器、可充电电池之类的能量存储器件和电磁屏蔽应用。
术语“基板”表示工件，该工件可以是刚性的或挠性的，可包括一层或多层的一种或多种材料，这些材料可包括但不限于玻璃、聚合物、金属或陶瓷材料，或它们的组合。
除非有另外的说明，本文中所有的科技术语含义都与本发明所属领域的普通技术人员所理解的普遍含义相同。尽管可以用与本文所述类似或等价的方法和材料来实施或测试本发明的实施方式，但是下文描述了合适的方法和材料。除非引用了具体的段落，否则本文中所有的公开出版物、专利申请、专利和其它引用的参考文献都全文参考结合入本文中。在发生抵触的时候，以本文(包括定义部分在内)为准。另外，所述的材料、方法和实施例都仅仅是说明性的而不是限制性的。
在本文所述的范围内，许多关于特定材料、加工操作和电路的细节都是常规技术，可以在有机发光二极管显示器、光电检测器、光生伏打部件和半导体部件领域内的教科书和其它的来源中查到。
实施例在以下实施例中将进一步描述本文所述的理念，但是这些实施例并不会对权利要求书所述的本发明范围构成限制。
本文中揭示了用于有机组合物的容纳结构的一种实施方式。所述容纳结构可以通过例如用来制造有机电子器件的液体层施加技术形成。例如，所形成的容纳结构中下切层可以显著地比以正角度倾斜的上覆层短。所述容纳结构可以与有机电子器件或任意种类的导电聚合物器件相连地形成。
导电聚合物器件(例如有机电子器件)包括但不限于(1)将电能转化为辐射的器件(例如发光二极管、发光二极管显示器或二极管激光器)，(2)通过电子方法检测信号的器件(例如光电检测器，光电导管，光敏电阻，光电开关，光电晶体管，光电管，IR检测器)，(3)将辐射转化为电能的器件(例如光生伏打器件或太阳能电池)，以及(4)包括一个或多个具有一个或多个有机半导体层的电子部件(例如晶体管或二极管)的器件。本领域技术人员应能够意识到未来可能研制出的其它的有机电子器件和可能出现的其它种类的这些器件均可从本发明中获益。因此所有这些器件都是本发明所预期的。
因此，尽管本发明的实施方式可以与任意的导电聚合物器件联用，但是应当理解本发明出于解释说明和清楚的目的主要集中讲述有机电子器件。
图1是可用来实施本发明方面的示例性有机电子器件100的分解图，有机电子器件100包括阳极层101，阴极层106以及位于阳极层101和阴极层106之间的光活性层104。可以存在与阳极层101相邻的包含空穴传输材料的缓冲层103。可以存在与阴极层106相邻的包含电子传输材料的电子传输层105。电子传输层105本身可以由一个或多个层组成。例如，电子传输层105可包括电子传输层和由低功函数材料形成的层。所述电子传输层可以由例如BAlq3，Alq3等形成。所述低功函数层可以由例如氟化钙、氟化钡、氟化锂等形成。
根据器件100的应用，光活性层104可以是通过施加电压活化的发光层(例如在发光二级管或发光电化学电池中)，在施加或不施加偏压的条件下，对辐射能作出响应，产生信号的材料层(例如在光电检测器中)。光电检测器的例子包括光电导管、光敏电阻、光电开关、光电晶体管和光电管，以及光生伏打电池，例如Markus，John，Electronics and Nucleonics Dictionary，470和476(McGraw Hill，Inc.1966)所述的那些。气密封装108用来保护器件100，特别是保护光活性层104和阴极层106，可以用适用于该目的的任意材料制造。
器件100中的其它的层可以在考虑这些层的功能的前提下，由任意已知可用于这些层的材料制成。阳极层101包括可有效地注入正电荷载流子的电极。阳极层101可以由以下材料制成，该材料包含或由以下物质组成金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合金属氧化物。阳极层101可包含导电聚合物、聚合物掺混物或聚合物混合物。合适的金属包括第11族的金属，第4族、第5族和第6族的金属，以及第8族和第10族的过渡金属。如果阳极101是发光的，通常使用第12、13和14族金属的混合金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)。阳极101还可包含有机材料，特别是聚苯胺之类的导电聚合物，包括“FlexibleLight-Emitting Diodes Made From Soluble Conducting Polymer，”Nature，第357卷，第477-479页(1992年6月11日)所述的示例性材料。可以理解阳极101将会如下图3所讨论那样沉积在基板107上。当对阳极层101和阴极层106的电极通电的时候，器件100会发出光110。因此，阳极101和阴极106中的至少一种应至少是部分透明的，使得人们可观察到所产生的光。另外，出于相同的原因，基板107也应至少是部分透明的。
例如Y.Wang已经在Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第四版，第18卷，第837-860页，1996中总结了用于层120的空穴传输材料的例子。空穴传输分子和聚合物都可使用。常用的空穴传输分子包括，但不限于N.N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-[1，1’-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)，1，1-二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)，N，N′-二(4-甲基苯基)-N，N′-二(4-乙基苯基)-[1，1’-(3，3′-二甲基)联苯基]-4，4′-二胺(ETPD)，四-(3-甲基苯基)-N，N，N′，N′-2，5-苯二胺(PDA)，a-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙基氨基)-苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、二[4-(N，N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)，1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡咯啉(PPR或DEASP)，1，2-反-二(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)，N，N，N’，N′-四(4-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TTB)，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二-(苯基)联苯胺(α-NPB)和卟啉化合物(例如铜酞菁)。常用的空穴传输聚合物包括但不限于聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、聚(二氧噻吩)和聚苯胺。还可通过将例如上述的空穴传输分子掺杂入聚苯乙烯和聚碳酸酯之类的聚合物中，而制备空穴传输聚合物。
可以将任意有机电致发光(“EL”)材料用于本发明的显示器，这些材料包括，但不限于小分子有机荧光化合物，荧光和磷光金属络合物，共轭聚合物，以及它们的混合物。荧光化合物的例子包括但不限于芘、苝、红荧烯、香豆素、它们的衍生物以及它们的混合物。金属络合物的例子包括，但不限于金属螯合的oxinoid化合物，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；环金属化的铱和铂电致发光化合物，例如铱与苯基吡啶、苯基喹啉或苯基嘧啶配体的络合物(Petrov等人在美国专利第6,670,645号和公开的PCT申请WO 03/063555和WO 2004/016710中揭示)，以及例如公开的PCT申请WO 03/008424，WO 03/091688和WO 03/040257中所述的有机金属络合物，和它们的混合物。以下文献中描述了包含带电荷的基质材料和金属络合物的电致发光层Thompson等人的美国专利第6,303,238号，Burrows和Thompson的公开的PCT申请WO 00/70655和WO 01/41512。共轭聚合物的例子包括，但不限于聚(亚苯基亚乙烯基)，聚芴，聚(螺二芴)，聚噻吩，聚(对亚苯基)，它们的共聚物以及它们的混合物。
在本发明器件的一个实施方式中，所述光活性材料可以是有机金属络合物。在另一个实施方式中，所述光活性材料是环金属化的(cyclometalated)铱或铂的络合物。也可使用其它有用的光活性材料。Petrov等人在公开的PCT申请WO 02/02714中揭示了使用铱与苯基吡啶、苯基喹啉或苯基嘧啶配体的络合物作为电致发光化合物。在例如公开的申请US 2001/0019782，EP 1191612，WO02/15645和EP 1191614中描述了其它的有机金属络合物。Burrows和Thompson在公开的PCT申请WO 00/70655和WO 01/41512中描述了具有掺杂了铱金属络合物的聚乙烯基咔唑(PVK)活性层的电致发光器件。在以下文献中还描述了包含带电荷的基质材料和磷光铂络合物的电致发光层Thompson等人的美国专利第6,303,238号，Bradley等人的Synth.Met.(2001)，116(1-3)，379-383，以及Campbell等人的Phys.Rev.B，第65卷085210。
例如可用于电子传输层105、阴极层106等的电子传输材料的例子包括本发明实施方式的化合物。这些层可任选地包含聚合物。其它合适的材料包括金属螯合的oxinoid化合物，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；吡咯化合物，例如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)和3(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)；菲咯啉，例如4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DPA)和2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DDPA)；以及它们的混合物。
阴极层107包括能够有效地注入电子或负载荷子的电极。阴极107可以为任意的金属，或者是具有低于阳极101的功函数的非金属。示例性的用于阴极107的材料包括碱金属，特别是锂；第2族金属(碱土金属)；第12族金属，包括稀土元素和镧系元素；以及锕系元素。可使用以下的材料，例如铝、铟、钙、钡、钐和镁，以及它们的组合。还可将含Li化合物和其它化合物(例如LiF和Li2O)沉积在有机层和阴极层之间，以降低体系的工作电压。
已知有机电子器件中具有其它有用的层。例如在阳极101和缓冲层103之间可以存在一个层(未显示)以促进层的正电荷传输和/或带隙匹配，或者作为保护层。还可使用本领域已知的其它的层等。另外，上述层中任意的层可包括两个或更多个亚层，或者形成层叠结构。或者可以对以下层中的一部分或全部进行处理，特别是表面处理，以增大载荷子传输效率或器件的其它物理性质阳极层101，缓冲层103，光活性层104，电子传输层105，阴极层106和其它的层。各组成层的材料的选择优选是通过对高器件效率的目标与操作寿命问题、制造时间和复杂性因素、以及本领域技术人员所理解的其它问题进行权衡而得到。应当理解本领域普通技术人员有能力确定最佳组成、组成结构和组成种类。
本发明的一个实施方式可采用液相沉积，使用合适的溶剂在合适的基板107上依次沉积单独的层。可使用玻璃和聚合物膜之类的基板。所述液体可以为溶液、分散体或乳液的形式。通常的液体沉积技术包括但不限于，连续沉积技术，例如旋涂法、照相凹版涂敷、幕涂、浸涂、狭缝模头涂敷、喷涂和连续喷嘴涂敷；以及不连续沉积技术，例如喷墨印刷、照相凹版印刷和丝网印刷；任意常规的涂敷或印刷技术，包括但不限于旋涂法、浸涂法、辊到辊技术、喷墨印刷、丝网印刷、照相凹版印刷等。
各层的相对厚度会影响器件100中电子-空穴复合区的位置，(从而影响器件100的发射光谱)。因此应当对电子传输层105的厚度进行选择，使得电子-空穴复合区在发光层内。所需的层厚度比取决于所用材料的实际性质。
如上所述，结合图1对示例性的有机电子器件100的讨论仅仅是说明性的，可以以任意的方式在符合本发明实施方式的前提下构造有机电子器件。在一些有机电子器件(所谓的有源矩阵有机电子器件显示器)中，电流的通过会独立地激发单独沉积的光活性有机膜，使独立的像素发光。在其它的有机电子器件(所谓的无源矩阵有机电子器件显示器)中，沉积的光活性有机膜会被电接触层的行行列列所激发。
如上所述，有机电子器件显示器等的像素会被容纳结构分隔，这些容纳结构也被称为“井”。图2A是可以实施本发明方面的示例性容纳结构230的截面图。容纳结构230由下切层210和上覆层220形成。应当理解结合图1讨论的任意的层101-108都可用作下切层210和/或上覆层220。下切层210和上覆层220限定了容纳结构230，该容纳结构230是用来接收液体形式的活性有机组合物(图2A中未显示)的容积。
在一个实施方式中，容纳结构230的形状是通过依照共同转让的美国专利申请第10/910,496号(2004年8月3日提交，其内容全文参考结合入本文中)所述，通过沉积具有不同的曝光和显影响应性质的多层可光致图案化材料(例如正作用光刻胶或负作用光刻胶等)，以提供较短的凹陷结构而形成的。另外，一种可能的实施方式包括较高的上覆层220。上覆层220限定了壁A-B，壁A-B与下切层210表面形成的底板C一起限定出容纳结构230。壁A-B可以是“以正角度倾斜的”。也即是说，距离下切层210的底板C的距离越远，上覆层220的壁A-B之间的间隔通常越大。
应当理解壁A-B对应于图2A-B中所示的截面图。在实际中，容纳结构230可具有任意的三维形式，例如呈倒置的截顶圆锥形。在这样的构型中，容纳结构230可以由单独的侧面、或者任意的侧面加上图2A-B所示的底板C和壁A-B组成，或者仅仅由单独的侧面、或者任意的侧面组成。如图2A所示，壁A和底板C形成角度θ1。类似地，壁B和底板C形成角度θ2。在一些实施方式中，在上述实施方式中形成的容纳结构230为倒置的截顶圆锥形，θ1和θ2基本相等。因此，术语“以正角度倾斜”还可表示大于90度的θ1和θ2。
可以看出上覆层220的高度h1显著大于下切层210的高度h2。因此，可以在实现下切层210的有益效果的同时容纳沉积在容纳结构230中的有机组合物。
在一个实施方式中，可以使任意的壁A-B和/或底板C变成可浸润性的或不可浸润性的，以使得容纳结构230能够最佳地应用于预期用途。例如可以对这些壁A-B和/或底板C进行改良，使得容纳结构230能够接收活性有机组合物，使得溢出容纳结构230的有机组合物的量最少，同时能够促进干燥，得到规则、平滑的有机组合物表面。在一个这样的实施方式中，可以使得所有的容纳结构230的壁A-B(不包括底板C)成为不可浸润性的。“不可浸润性的”表示所述液体有机组合物的接触角大于45度，在一个实施方式中大于90度。得到这样的不可浸润状态的方式包括例如用CF4等离子体进行处理。但是在其它的实施方式中，容纳结构230，包括容纳结构230的底板C在内，保持能够被有机组合物浸润。
参见图2B，可以看到下切层210使得活性有机组合物能够铺展到容纳结构230的壁A-B的底部。在一个实施方式中，可对壁A-B以及底板C形成的角度(例如上文结合图2A讨论的角度θ1和θ2)进行选择，使得即使壁A和B已经进行了表面处理，使得其本身为不可浸润性的(如上所述)，它们仍可以被容纳结构230中的有机组合物240浸润。在一个可能的实施方式中，可对下切层210的高度h2进行选择，以提供液体在干燥过程中发生累积的区域，使得在干燥时期的最后，容纳结构230的下切层210部分完全被干燥的有机组合物240填充。可以理解通过使用这样的构型，在通过例如印刷法或气相沉积法施用随后的层的时候，会限制降低器件性能的、物理上和组成上的不均匀结构的形成，这些不均匀结构例如是孔隙等。因此，还应理解可对下切层210的高度h2进行选择，使得对各种例如有机组成、层种类等造成这样的影响。
图3显示了根据一个实施方式的用来制造这样的有机电子器件的示例性方法300。在步骤301，提供了下切层。应当理解下切层可对应于上文关于图1所讨论的任意的层101-108，可通过任意种类的液体施用方法提供。
在步骤303，将上覆层施用在下切层上以形成一个容积，例如图2A-B的容纳结构230。在步骤303中可进行任意数量的步骤。例如可以首先将上覆层沉积在下切层上并使其干燥。然后可以蚀刻上覆层形成容积。因此通过步骤303，由形成在上覆层内的壁和下切层表面形成的底板限定出了一个容积。
在任选的步骤305，可以使限定所述容积的表面中的一部分变成可浸润性的或不可浸润性的。许多种类的因素都会影响是否进行任选的步骤305，以及如果进行该步骤的话，进行到何种程度。例如，一些因素可包括关于制得的有机电子器件所用于的最终用途的设计问题。其它因素包括将要沉积在所述容积中的有机组合物的特性。另外，还可考虑上覆层材料和下切层材料的特征。因此，任意数量和种类的因素都会影响是否使具体表面变成可浸润性或不可浸润性的决定。
在步骤307，将液体有机组合物引入由下切层和上覆层形成的容积中，最后使其干燥。可以将任意数量的另外的处理步骤用于图3的方法。例如，根据方法300制造的有机电子器件可具有任意的或全部的关于以上图1的示例性有机电子器件100所述的层101-108。
在以上说明书中，参照具体的实施方式描述了概念。但是本领域普通技术人员能够理解，可以在不背离以下权利要求书所限定的本发明范围的前提下进行各种改变和变化。因此，这些说明和附图都是说明性的而不是限制性的，所有这些改变都包括在本发明的范围内。
以上描述了许多示例性的非限制性方面和实施方式。通过阅读这些说明，普通技术人员可以理解能够在不背离本发明范围的前提下实施其它的方面和实施方式。
以上参照具体实施方式
描述了优点、其它益处和解决问题的方法。但是这些优点、益处、解决问题的方法和任意的能够产生任何优点、益处或解决方法或使其更加显著的特征并不构成任意的或所有的权利要求的关键特征、所需特征或主要特征。
应当理解为了清楚起见，独立的实施方式中描述的某些特征还可在单独的实施方式中以组合的方式提供。相反的，为了简洁的需要在单独的实施方式中描述的各种特征也可以独立地或以任意的再组合的方式提供。另外所引用的数值范围包括该范围内的所有数值。
权利要求
1.一种用于有机组合物的容纳结构，该容纳结构包括下切层；上覆层，所述下切层和上覆层限定了用来接收液体形式的所述有机组合物的容积。
2.如权利要求1所述的容纳结构，其特征在于，所述下切层具有第一高度，所述上覆层具有显著大于所述第一高度的第二高度。
3.如权利要求2所述的容纳结构，其特征在于，所述第一高度是预先确定的，使得在所述有机组合物干燥之后，下切层限定的容积部分完全被所述有机组合物填充。
4.如权利要求1所述的容纳结构，其特征在于，所述下切层是由具有不同的曝光和显影响应性质的多层可光致图案化的材料形成的。
5.如权利要求1所述的容纳结构，其特征在于，使得限定所述容积的下切层和上覆层的表面变成不可浸润性的。
6.如权利要求1所述的容纳结构，其特征在于，所述容积至少部分地由上覆层的壁限定，所述壁具有角度，使得壁能够被所述液体组合物浸润。
7.如权利要求6所述的容纳结构，其特征在于，对所述壁进行表面处理，使得壁成为不可浸润性的。
8.如权利要求1所述的容纳结构，其特征在于，所述上覆层包括限定所述容积的一部分的壁，所述壁相对于下切层以正角度倾斜。
9.一种用来形成导电聚合物器件的方法，该方法包括提供下切层；在下切层上施加上覆层，使得下切层和上覆层限定用来接收液体形式的有机组合物的容积；将液体形式的有机组合物引入所述容积。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，限定所述容积，使得在干燥后，所述有机组合物完全填充下切层限定的容积部分。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述下切层具有第一高度，所施加的上覆层具有显著大于所述第一高度的第二高度。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述提供下切层的步骤还包括施加具有不同的曝光和显影响应性质的多层可光致图案化的材料。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述多层可光致图案化的材料通过沉积法施加。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包括使限定了所述容积的下切层和上覆层的表面变成不可浸润性的。
15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述容积至少部分地被上覆层的壁所限定，所述壁具有角度，使得壁可以被所述液体组合物浸润。
16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述上覆层包括限定一部分所述容积的壁，所述壁相对于下切层以正角度倾斜。
17.一种有机电子器件，该有机电子器件包括具有第一高度的下切层；具有第二高度的上覆层，所述第二高度显著大于第一高度，所述上覆层与下切层相邻；由形成在上覆层中的以正角度倾斜的壁和下切层的表面限定出的容积；以液体形式引入所述容积中的有机组合物。
18.一种组合物，其包含如权利要求1所述的容纳结构。
19.一种有机电子器件，其具有包括如权利要求1所述的容纳结构的活性层。
20.一种可用来制造有机电子器件的制品，该制品包括如权利要求1所述的容纳结构。
全文摘要
在一个实施方式中，提供了用于有机组合物的容纳结构。所述容纳结构包括下切层和上覆层，所述下切层和上覆层限定了用来接收液体形式的有机组合物的容积。
文档编号H01J63/04GK101091231SQ200580045258
公开日2007年12月19日 申请日期2005年12月29日 优先权日2004年12月30日
发明者C·D·朗, S·C·德拉沃, P·A·桑特, D·D·沃克, S·索里奇, M·斯坦纳 申请人:E.I.内穆尔杜邦公司