专利名称：基板处理装置及方法
技术领域：
本发明涉及基板处理装置及方法，尤其涉及利用等离子进行基板处理的装置及方法。
背景技术：
为制造非晶硅太阳电池(amorphous silicon solar cell)、微晶太阳电池 (microcrystalline solar cell) > 薄月莫多晶太P曰电池(thin filmpolycrystalline solar cell)、薄膜半导体装置(thin film semiconductordevice)、光传感器(opticals ensor)、 半导体保护膜(semiconductorprotective film)及显示装置等各种电子元件，需要在基板上形成薄膜的沉积工艺。现有技术中，为了完成上述沉积工艺，使用等离子化学气相沉积 (plasmachemical vapor deposition)装置。一般的等离子化学气相沉积装置通过电容耦合等离子放电产生等离子。在这些沉积装置的处理室内部相隔一定间距设置两个平板电极。两个电极中的一个接地并作为放置基板的基座使用。另一个电极与基座相对而设并连接于高频电源。在沉积工艺中，为了提高生产性并节省费用，提高薄膜的沉积率尤为关键。目前， 为了提高提高薄膜沉积率施加30-300MHZ的超高频(VHF，very highfrequency)电极。但是，若在大面积太阳电池板(large area solar panel)等大型基板上利用超高频进行等离子工艺，则将大幅降低基板的不同区域的沉积均勻度。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术之不足而提供一种可提高沉积均勻度及沉积率的基板处理装置及方法。本发明的另一目的在于，提供一种可以大面积太阳电池板等大型基板为对象完成沉积工艺的基板处理装置及方法。本发明的目的不受上述目的的限制，而本领域的技术人员应当通过下面的记载予以了解。本发明提供基板处理装置。本发明的基板处理装置，包括处理室；基座，位于上述处理室内并用于放置基板；喷头，向上述基板提供气体；高频电源，通过高频线与上述喷头的第一侧面连接；可变电容器，通过电线与和上述喷头的第一侧面相对的第二侧面连接； 而在上述电线中不提供高频电源。上述喷头单一提供，在上述喷头的第一侧面具备多个供电杆，而上述高频线具备各与上述供电杆连接的高频支线。上述供电杆沿上述喷头的第一侧面相互隔开而设。在上述喷头的第二侧面，多个连接杆沿上述喷头的第二侧面相互隔开而设，而上述电线具有分别与多个连接杆连接的支电线。上述供电杆和上述连接杆一对一对应，且相对而设。基板处理装置在上述高频线和上述支线之间的区间，还包括与上述高频线连接的高频匹配机。另外，还包括与上述电线连接的可变感应器。在另一实施例的基板处理装置中，多个上述喷头在相同高度相互隔开而设；在上述喷头的一侧面各提供单一供电杆；在上述喷头的第二侧面各提供单一连接杆；上述高频线具有分别与上述供电杆连接的高频支线；上述电线具各与上述连接杆连接的支电线。上述供电杆和上述连接杆一对一对应，且相对而设。基板处理装置还包括位于上述喷头之间，且电绝缘上述喷头的绝缘部件。还包括与上述电线连接的可变感应器。上述基座的上面和上述喷头的底面之间的间距为10_20mm。另外，本发明提供基板处理方法。本发明的基板处理方法，通过连接于喷头的第一侧面的供电杆向上述喷头施加高频电力，调节与和上述喷头的第一侧面相对的第二侧面连接的可变电容器的大小并由上述喷头向基板供应等离子，而且，在向上述基板供应等离子的时间内，上述可变电容器的容量在第一工艺时间内维持第一大小，而在第二工艺时间内维持与上述第一大小不同的第二大小。在上述可变电容器的容量维持上述第一大小的时间内，上述喷头的第一区域的等离子密度高于上述喷头的第二区域，而在维持上述第二大小的时间内，上述喷头的第一区域的等离子密度低于上述喷头的第二区域。上述第一工艺时间和上述第二工艺时间的工艺时间各不相同。上述第一区域与上述喷头的一侧面相邻，而上述第二区域与上述喷头的第二侧面相邻。上述可变电容器的容量，在上述第一大小和上述第二大小之间反复交替。上述供电杆沿上述喷头的第一侧面相隔而设多个，而上述高频电力同时施加于上述供电杆。上述高频电力为30-60MHZ。在向上述基板供应等离子的时间内，上述喷头所处的处理室内部压力为l-10Torr。在设有上述可变电容器并与上述喷头的第二侧面连接的电线中不提供高频电源。 上述喷头单一提供，而上述供电杆提供多个，而且，在沿上述喷头的第一侧面相互隔开的地点施加上述高频电力。本发明另一实施例的基板处理装置，包括处理室；基座，位于上述处理室内并用于放置基板；喷头，位于上述处理室内并向上述基板供应气体；高频电源，通过高频线与上述喷头的第一侧面连接；高频匹配机，在上述高频电源和上述喷头之间的区间设置于上述高频线；及可变电容器及可变感应器中至少一个，与和上述喷头的第一侧面相对的第二侧面的电线连接；而在上述电线中不提供高频电源。上述喷头单一提供，而上述供电杆提供多个，并沿上述喷头的第一侧面相隔而设， 而上述高频线具有分别与上述供电杆连接的高频支线。根据本发明，可在基板的整个区域以均勻的厚度形成沉积膜。另外，本发明因可根据电极的区域调节所生成的等离子的密度，从而可在大面积太阳电池板等大型基板上以均勻的厚度形成沉积膜。
图1为本发明的基板处理装置平面图；图2为图1所示的基板处理装置的斜视图3为图1所示的基板处理装置内部结构概略剖面图；图4为本发明一实施例的喷头斜视图；图5为随所施加的电力频率改变的等离子密度曲线图；图6为随可变电容器容量改变的等离子密度曲线图；图7为本发明另一实施例的基板处理装置平面图；图8为图7所示的基板处理装置内部结构概略剖面图；图9为图8所示的喷头的斜视图。*附图标记*100 处理室200 基座300:喷头400:电源供应部410:高频电源420:供电杆430 高频匹配机440 高频线500 相位变化部件 510 连接杆520:电线530:可变电容器540 感应器600 气体分配部件
具体实施例方式本发明的实施例可变形为各种形式，而本发明的范围不受下述实施例的限制。本实施例的目的是更完整地向本领域技术人员说明本发明。因此，为了便于说明，附图中的结构形状是夸张表示的。图1为本发明的基板处理装置平面图；图2为图1所示的基板处理装置的斜视图； 图3为图1所示的基板处理装置内部结构概略剖面图。如图1至图3所示，基板处理装置1实施对基板S的沉积工艺。基板处理装置1， 包括处理室100、基座200、喷头300、电源供应部400、相位变化部件500及气体分配部件 600。处理室100提供完成沉积工艺的空间。处理室100包括主体110和盖子120。主体110具有上面开放的内部空间111，而盖子120盖住主体110开放的上面，以从外部密闭主体内部111。在主体110的一侧面形成开口部，用于基板S的搬入/搬出，而开口部通过槽阀130开闭。槽阀130在向处理室100内部搬入基板S时，及从处理室100搬出基板S 时，开放开口部。槽阀130在处理室100内进行基板处理工艺时闭合开口。在主体110的底面形成排气孔112，而排气孔112与排气部件140连接。排气部件140在工艺过程中对处理室100内部进行减压以维持工艺压力，而且，向处理室100外部排出工艺所产生的反应副产物。排气部件140包括排气泵141及连接排气孔112和排气泵141的排气管142。基座200位于处理室100内部并支撑基板S。用于等离子工艺处理中的基板S可以是太阳电池板(solarpanel)。另外，基板S为大面积基板，宽度和高度可超过1米(m)。 例如，基板S为第五代(1，100XI，300mm)以上。基座200的上面210大致呈矩形形状，而其面积大于基板S的面积。基座200可升降以改变上面210的高度。在本实施例中，基座 200在装载/卸载基板S时上升，以使上面的高度高于完成基板S的工艺时的位置。基座 200与相对而设的两个电极中的一个电极连接，以产生等离子。基座200可接地。在基座200上，举升孔(未图示)可贯通基座200的上面及下面而形成。举升孔中具备举升销(未图示)，而举升销随举升孔而升降，向基座200上装载/下载基板S。在基座200内部，可具有加热器(未图示)。加热器对基板S进行加热使得基板S的温度维持工艺温度。在基座200的上部设置喷头300。喷头300与相对而设的两个电极中的一个电极连接。图4为本发明一实施例的喷头斜视图。如图1至图4所示，喷头300为大致呈正六面体形状的单块，而在其内部形成供工艺气体流入的流入空间301。喷头300的上面及底面与基座的上面对应，或面积更大。在喷头300的上面形成供应孔302。供应孔302连接于气体分配部件600以形成向流入空间301 供应工艺气体的通道。喷头300的底面与基座200的上面平行，并与基座200的上面保持一定间隔。在本实施例中，喷头300的底面和基座200的上面保持10-20mm的间距。一般而言，等离子放电所需的放电电压与处理室100内部的工艺压力和两个电极间的间距成比例。因此，若工艺压力升高，则用于产生等离子的放电电压的大小也随之变大。但是，在现实中，增加放电电压的大小存在一定的限制。考虑到这些现实中的限制，本发明将基座200 和喷头300的间距保持在10-20mm。这样，即使提高工艺压力，因两个电极200、300之间的间距保持最小间距，因此，在高工艺压力条件下，也能施加等离子放电所需的放电电压。可在喷头300的底面的表面，可进行阳极氧化(Anodize)处理，以防止等离子产生的电弧(arc)。在喷头300的底面，形成喷射孔303。喷射孔303相互隔开而设并均勻形成于喷头300的底面，将供于流入空间301的工艺气体供给基板S。在喷头300的流入空间301，可具备气体分散板310。气体分散板310与喷头300 的内侧面相隔而设，并与喷头300的底面对齐。气体分散板310为单一板，但也可在同一高度相隔而设多个板。气体分散板310分散所流入的气体，以使流入流入空间301的工艺气体均勻分散至流入空间301的各区域。被分散的气体可通过各喷射孔303均勻供应至基板 S。在气体分散板310上，可形成多个贯通孔(未图示)，以使工艺气体通过贯通孔从气体分散板310的上部直接流动至下部。在喷头300的第一侧面300a，连接电源供应部400。电源供应部400向喷头300 施加高频电力。电源供应部400，包括高频电源410、供电杆420、高频匹配机430及高频线440。高频电源410产生高频电力。高频电源410可使用RF电源。供电杆420连接于喷头300的第一侧面300a。供电杆420为杆(rod)状导电体， 并与喷头300电连接。在本实施例中，供电杆420沿喷头300的第一侧面300a相互隔开设置多个，且在同一高度一列排开。各供电杆(420a至420d)(以下同，即在420a至420d中都要加括号)向喷头300的第一侧面300a施加高频电力。因供电杆420a至420d沿喷头 300的第一侧面300a的长度方向以均勻的间隔施加高频电力，因此，可向喷头300的整个区域均勻施加高频电力。高频线440电连接高频电源410和供电杆420a至420d。在本实施例中，高频线 440包括高频主线441和高频支线442。高频主线441上设置高频电源410以施加高频电力。高频支线44 至442d的每一端与高频主线441的分支端连接，而另一端分别与供电杆420a至420d连接。高频支线44 至442d与供电杆420a至420d—对一连接。因此， 高频电力可同时施加于供电杆420a至420d。高频匹配机430设置于高频主线441以最大限度地减少高频电力的电力损失。在喷头300的第二侧面300b，连接相位变化部件500。喷头300的第二侧面300b 与第一侧面300a相对而设。相位变化部件500，包括连接杆510、电线520、可变电容器530
及感应器M0。连接杆510连接于喷头300的第二侧面300b。连接杆510为杆状导电体，并与喷头300电连接。在本实施例中，连接杆510沿喷头300的第二侧面300b相互隔开设置多个， 且在同一高度一列排开。各连接杆(510a至510d)(以下同，即在510a至510d中都要加括号)与供电杆420a至420d —对一对应并相对而设。施加至喷头300的高频电力传递至各连接杆510a至510d。连接杆510a至510d与电线520连接。电线520包括主电线521 和多个支电线522。主电线521中设有可变电容器530和感应器540且末端接地。支电线 522a至522d的各一端与连接杆510a至510d连接，而另一端与主电线521的分支端连接。 支电线52 至522d与连接杆510a至510d —对一连接。可变电容器530可通过调节相对而设的电极板之间的间距调节可存储的电压和电荷的容量。感应器540可以是固定感应器或可变感应器。气体分配部件600向喷头300的流入空间301供应工艺气体。气体分配部件600， 包括外壳610、流入端口 620及连接管630。外壳610呈薄板状并具有内部空间611。外壳610位于喷头300的上部，并与喷头300平行。外壳610的上面连接有流入端口 620。流入端口 620呈管状并贯通处理室100的盖子120与外壳610连接。工艺气体通过流入端口 620流入至外壳610的内部空间620。连接管630位于外壳610和喷头300之间，并连接外壳610的内部空间611和喷头300的流入空间301。连接管630相互隔开而设多个。在本实施例中，连接管630可排列成从上部俯视时具备多个行和列的格子状。根据上述结构，保存于处理室100外部的工艺气体通过流入端口 620供应至外壳610的内部空间611，并在外壳610的内部空间611短暂停留之后，通过连接管630供应至喷头300的流入空间301。下面，说明利用具备上述结构的基板处理装置进行对基板的沉积工艺的过程。在基板S装载至基座200的上面210之后，处理室100内部被密闭。基座200的上面和喷头300的底面保持10-20mm的间距。排气部件140将处理室100内部的空气排出至外部以对处理室100内部进行减压。在本实施例中，通过排气部件140的减压，处理室 100内部的压力维持在1-lOTorr。较之在等离子沉积工艺中处理室100内部压力一般维持在ITorr以下的情况，这属于相对高压的状态。若处理室100内部压力低于lTorr，则所产生的等离子因平均自由行程(Mean Free Path)变长，在薄膜中产生离子冲突所导致的损伤 (Damage)。但是，若处理室100内部压力超过lTorr，则因等离子的平均自由行程变短，可预防离子冲突所导致的损伤。因此，可提高沉积而成的薄膜的质量。若处理室100内部的压力维持上述压力范围，则从气体分配部件600向喷头300 的流入空间301供应工艺气体。位于喷头300的流入空间301内的工艺气体，通过喷射孔 303供应至基座200和喷头300之间的空间。在供应工艺气体的同时，向喷头300施加高频电力。高频电力通过连接于喷头300 的第一侧面300a的供电杆420施加至喷头300。在本实施例中，所施加的高频电力维持 30-60Mhz的频率。通过所施加的高频电力，停留在基座200和喷头300之间空间的工艺气体被解离呈等离子状态。
图5为随所施加的电力频率改变的等离子密度曲线图。如图5所示，较之低频电力B，所施加的高频电力A可在整体上产生高密度的等离子。但是，通过高频电力A所产生的等离子，在不同电极的区域存在密度差异。这样的密度差异导致沉积于基板的薄膜厚度的不均勻。为解决因施加高频电力所导致的等离子的密度差异，本发明调节连接于喷头的第二侧面的可变电容器的容量大小。根据可变电容器的容量变化，可改变产生相对高的密度的等离子的区域。图6为随可变电容器容量改变的等离子密度曲线图。如图3及图6所示，随可变电容器530的容量大小的变化发生频率相位移动而产生的等离子密度高的区域的位置发生改变。在本实施例中，若可变电容器530的容量维持第一大小A，则喷头300的第一区域Xl的等离子密度高于第二区域X2。另外，若可变电容器 530的容量维持第二大小B，则喷头300的第二区域X2的等离子密度高于第一区域Xl。第一大小A和第二大小B相互不同。喷头300的第一区域Xl为与喷头300的第一侧面300a 相邻的区域，而第二区域X2为与喷头300的第二侧面300b相邻的区域。向基板S供应等离子的第一工艺时间内，可变电容器530维持第一大小A，而在第二工艺时间内维持第二大小B。因此，进行第一工艺时间和第二工艺时间的时间内，等离子在喷头300的全部区域产生均勻的密度(A+B)，而在基板S的全部区域沉积形成均勻厚度的薄膜。在向基板S供应等离子的时间内，可变电容器530的容量可交替重复第一大小A 和第二大小B。另外，第一工艺时间可小于或大于第二工艺时间。这些工艺条件，可根据产生相对高密度的等离子的位置及所产生的等离子的密度差异，由使用者进行各种变更。在本实施例中，供电杆420沿喷头300的第一侧面300a的长度方向相互隔开设置多个，并向各供电杆420同时施加高频电力。。因相隔一定距离同时向喷头300施加多个高频电力，因此，等离子可沿喷头300的第一侧面300a的长度方向以均勻的密度产生。图7为本发明另一实施例的基板处理装置平面图；图8为图7所示的基板处理装置内部结构概略剖面图；图9为图8所示的喷头的斜视图。如图7至图9所示，与上述实施例不同，具备多个喷头300。喷头(300a至300d) (以下同，即在300a至300d中都要加括号)在相同高度沿第一方向11相互隔开设置，而各喷头300a至300d的长度方向与第二方向12平行。若从上部俯视，则第二方向12为第一方向11的垂直方向，而在各喷头300a至300d中，与第二方向12平行的侧面的宽度比与第一方向11平行侧面的宽度大。垂直于第一方向11及第二方向12的方向称之为第三方向13。喷头300a至300d大小及形状相同。各喷头300a至300d的底面面积小于基座200 的上面，而由多个喷头300a至300d相互组合形成与基座200的上面对应的底面。在喷头 300a至300d的内部，分别形成流入空间(301a至301d)(以下同，即在301a至301d中都要加括号)，而在其底面，相互隔开且均勻形成喷射孔303a至303d。在喷头300a至300d的上面，分别连接连接管630以向流入空间301a至301d供应工艺气体。在与喷头300a至300d的第一方向11平行的第一侧面(Al至A4)(以下同，即在 Al至A4中都要加括号)，分别连接供电杆420a至420d。各喷头300a至300d连接单一的供电杆420a至420d。供电杆420a至420d通过高频线440与高频电源410连接，以将高频电源401所产生的高频电力施加至各喷头300a至300d。在与喷头300a至300d的第一侧面Al至A4平行的第二侧面(Bi至B4)(以下同，即在Bl至B4中都要加括号)分别链接单一的连接杆(510a至510d)(以下同，即在510a至510d中都要加括号)。连接杆510a至 510d通过电线520与可变电容器530连接。在各喷头300a至300d中，供电杆420a至420d 和连接杆520a至520d —对一对应并相对而设。在相邻的喷头300a至300d之间，均具有绝缘部件(330a至330c)(以下同，即在 330a至330c中都要加括号)。绝缘部件330a至330c设于相邻喷头300a至300d相对而设的侧面之间。绝缘部件330a至330c由绝缘材料制作而成，以电绝缘相邻的喷头300a至 300d。如图1所示的喷头300，若通过多个供电杆420a至420d同时向单一喷头300施加高频电力，则所施加的高频电力，在传递至连接杆510a至510d的过程中，有可能产生干扰。 但是，在本实施例中，因在每个喷头300a至300d分别具有单一供电杆420a至420d，并在相邻的喷头300a至300d之间具有绝缘部件330a至330d，以电绝缘各喷头300a至300d，因此，防止施加至喷头300a至300d的高频电力与施加至相邻喷头300a至300d的高频电力相互干扰。施加于各喷头300a至300d的高频电力，解离停留于喷头300a至300d和基座200 之间的工艺气体产生等离子。所产生的等离子的密度，在第二方向12根据喷头300a至300d 的区域存在密度的差异。在本实施例中，若可变电容器530的容量维持第一大小，则喷头 300a至300d的第一区域所产生的等离子密度高于第二区域所产生的等离子密度。另外，若可变电容器530的容量维持第二大小，则喷头300a至300d的第二区域所产生的等离子密度高于第一区域所产生的等离子密度。可变电容器530在第一工艺时间内维持第一大小， 而在第二工艺时间内维持第二大小。因此，经过第一工艺时间和第二工艺时间的时间内，喷头300a至300d的第一区域及第二区域所产生的等离子的整体密度均勻。另外，因向沿第一方向11设置的多个喷头300a至300d同时施加高频电力，并通过绝缘部件330a至330c 防止施加至相邻喷头300a至300d的高频电力之间的干扰，因此，在第一工艺时间及第二工艺时间内，沿第一方向11形成均勻密度的等离子。这样，经过第一工艺时间和第二工艺时间的时间内，在喷头300a至300d的第一方向11及第二方向12产生均勻密度的等离子，从而确保以均勻厚度在基板上沉积薄膜。在上述实施例中，通过可变电容器的容量大小的变化所形成的等离子的密度，根据喷头的区域的不同而不同，但等离子的密度可根据可变感应器的容量大小变化，随喷头区域的不同而不同。另外，在上述实施例中，一同设置可变电容器和可变感应器，但也可设置可变电容器及可变感应器中的某一个。另外，可变电容器可与固定电容器一同设置，而可变感应器可与固定电容器一同设置。以上的详细说明是对本发明的示例。另外，上述内容为本发明的较佳实施方式，而本发明可在各种其他组合、变更及环境中使用。即，可在与本说明书中的发明概念范围、公开的内容相同的范围及/或本领域技术或知识范围内进行变更或修改。上述实施例是实现本发明技术思想的最佳形式，但可在本发明的具体应用领域及用途中进行各种变更。因此， 上述对本发明的详细说明不是对本发明的限制。另外，所附权利要求书也包括其他实施方式。
权利要求
1.一种基板处理装置，包括 处理室；基座，位于上述处理室内并用于放置基板； 喷头，位于上述处理室内并向上述基板供应气体； 高频电源，通过高频线与上述喷头的第一侧面连接； 可变电容器，通过电线与和上述喷头的第一侧面相对的第二侧面连接； 而在上述电线中不提供高频电源。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于上述喷头单一提供，在上述喷头的第一侧面具有多个供电杆，而上述高频线具有分别与上述供电杆连接的高频支线。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于上述供电杆沿上述喷头的第一侧面相互隔开而设。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于在上述喷头的第二侧面，多个连接杆沿上述喷头的第二侧面相互隔开而设，而上述电线具有分别与多个连接杆连接的支电线。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于上述供电杆和上述连接杆一对一对应，且相对而设。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于基板处理装置在上述高频线和上述支线之间的区间，还包括与上述高频线连接的高频匹配机。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于还包括与上述电线连接的感应ο
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于 多个上述喷头在相同高度相互隔开而设；在上述喷头的一侧面分别设有单一供电杆，而在上述喷头的第二侧面分别设有单一连接杆；上述高频线具备各与上述供电杆连接的高频支线； 上述电线具有分别与上述连接杆连接的支电线。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于上述供电杆和上述连接杆一对一对应，且相对而设。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于还包括位于上述喷头之间，且电绝缘上述喷头的绝缘部件。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于还包括与上述电线连接的感应ο
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于上述基座的上面和上述喷头的底面之间的间距为10-20mm。
13.—种基板处理方法，通过连接于喷头的第一侧面的供电杆向上述喷头施加高频电力，调节与和上述喷头的第一侧面相对的第二侧面连接的可变电容器的大小并从上述喷头向基板供应等离子，而且，在向上述基板供应等离子的时间内，上述可变电容器的容量在第一工艺时间内维持第一大小，而在第二工艺时间内维持与上述第一大小不同的第二大小。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于在上述可变电容器的容量维持上述第一大小的时间内，上述喷头的第一区域的等离子密度高于上述喷头的第二区域， 而在维持上述第二大小的时间内，上述喷头的第一区域的等离子密度低于上述喷头的第二区域。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于上述第一工艺时间和上述第二工艺时间的工艺时间各不相同。
16.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于上述第一区域与上述喷头的一侧面相邻，而上述第二区域与上述喷头的第二侧面相邻。
17.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于上述可变电容器的容量，在上述第一大小和上述第二大小之间反复交替。
18.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于上述供电杆沿上述喷头的第一侧面相隔而设多个，而上述高频电力同时施加于上述供电杆。
19.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于上述高频电力为30-60MHZ。
20.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于在向上述基板供应等离子的时间内，上述喷头所处的处理室内部压力为1-lOTorr。
21.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于在设置上述可变电容器并与上述喷头的第二侧面连接的电线中不提供高频电源。
22.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于上述喷头单一提供，而上述供电杆提供多个，而且，在沿上述喷头的第一侧面相互隔开的地点施加上述高频电力。
23.—种基板处理装置，包括处理室；基座，位于上述处理室内并用于放置基板；喷头，位于上述处理室内并向上述基板供应气体；高频电源，通过高频线与上述喷头的第一侧面连接；高频匹配机，在上述高频电源和上述喷头之间的区间设置于上述高频线；及可变电容器及可变感应器中至少一个，与和上述喷头的第一侧面相对的第二侧面连接电线连接；而在上述电线中不提供高频电源。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于上述喷头单一提供，而上述供电杆提供多个，并沿上述喷头的第一侧面相隔而设，而上述高频线具有分别与上述供电杆连接的高频支线。
全文摘要
本发明提供基板处理装置及方法。基板处理装置，所述基板设置于位于处理室内的基座上，而由喷头向基板供应气体。高频电源通过高频线与喷头的第一侧面连接，而可变电容器通过电线与喷头的第一侧面相对的第二侧面连接。电线中不提供高频电源。
文档编号H01J37/32GK102456532SQ201110339328
公开日2012年5月16日 申请日期2011年11月1日 优先权日2010年11月1日
发明者具教旭, 安德烈·乌沙科夫, 尹沧老, 朴根怜 申请人:细美事有限公司