用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置的制作方法

文档序号:3248220阅读:150来源:国知局
专利名称:用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种研磨台间清洗装置,具体涉及一种用于化学机械 研磨装置的研磨台间清洗装置。
技术背景CMP设备是半导体行业用化学机械研磨装置的縮写。目前所使用的化学 机械研磨装置如图1所示,位于设备中心位置的十字金属轴13用于承载研 磨头(HEAD) 11和其上的压力控制系统部件的重量,并且可以使研磨头11进 行最大角度为235°的旋转,从而实现研磨头11在研磨台12上进行CMP工 艺。由于CMP设备在作业时需要用到药液,在化学机械研磨装置上设有研 磨台间清洗装置(Interplaten)lO,用于对研磨台12的周边进行清洗。研 磨台间清洗装置10 —端固定于十字金属轴13,每台化学机械研磨装置设置 四套研磨台间清洗装置10。如图2、图3所示,研磨台间清洗装置10的上 表面设置有凹槽3,凹槽3内设有五个第一喷嘴1。根据工艺的需要,在设 备故障时,五个第一喷嘴1可喷出纯水以冲洗制品表面,并保持制品湿润。 研磨台间清洗装置10的底部两端则各设有两个第二喷嘴2,定时对研磨台 (Platen) 12的底部进行冲洗。研磨台间清洗装置10底部设有供水液路4, 用于为第二喷嘴2供水。然而,由于研磨台12的高速旋转,会使药液流入研磨台间清洗装置的
凹槽3中,而研磨台间清洗装置10本身并没有清洗设备对其内部进行定时 冲洗,因此很容易在研磨台间清洗装置的凹槽3内形成药液结晶。此结晶 会导致凹槽3内的五个第一喷嘴1发生堵塞,使其失去作用,并进而引起 颗粒超标和制品划伤,影响制品的成品率。此外,研磨台12的高速旋转, 还会使会使药液溅射到中心位置的十字金属轴13上并凝结成结晶,设备作 业时的震动同样很容易使结晶掉落到研磨台上造成制品的划伤和成品率下 降,影响制品的成品率。目前的解决方法是作业人员每隔两周做一次维护,维护时对研磨台间 清洗装置10、十字金属轴13及其周围的凝结物进行清扫。但此种维护方法 费时费力,而且容易引起颗粒超标,不利于设备的长时间连续作业。实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于化学机械研磨装置的研 磨台间清洗装置,它可以对研磨台间清洗装置本身进行在线清洗。为解决上述技术问题,本实用新型用于化学机械研磨装置的研磨台间 清洗装置的技术解决方案为包括底座、设置于底座上表面的凹槽,设置于凹槽内的第一喷嘴,设 置于底座两端的第二喷嘴,以及第二喷嘴的供水液路,底座一端固定于化学机械研磨装置的十字金属轴,其特征在于所述凹槽靠近十字金属轴的一端延伸至底座的外壁,此端设置有第三喷嘴;所述凹槽远离十字金属轴的一端的侧壁上设置有第四喷嘴;
所述底座内部设有第三喷嘴的供水液路和第四喷嘴的供水液路;第三 喷嘴的供水液路一端与第三喷嘴连接,另一端与第二喷嘴的供水液路连通; 第四喷嘴的供水液路一端与第四喷嘴连接,另一端与第二喷嘴的供水液路连通o进一步,所述第三喷嘴与地面成45±10°的夹角。 进一步,所述第四喷嘴与地面的夹角为0±2°。 本实用新型可以达到的技术效果是1、 可以对研磨台间清洗装置的凹槽及凹槽内的喷嘴,以及化学机械研 磨装置的十字金属轴进行在线清洗,提高了化学机械研磨装置的自清洁能 力,有效地防止了药液在设备内结晶,降低了颗粒超标和制品划伤的可能 性,提高了制品的成品率。2、 可减少设备维护作业的频度和时间,提高设备的生产效率。3、 利用设备原有的控制气路和供水液路,成本低廉,简单易行。


以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明 图1是化学机械研磨装置的俯视图;图2是现有技术研磨台间清洗装置的俯视图; 图3是现有技术研磨台间清洗装置的主视图;图4是本实用新型用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置的示意图;图1至图3中,1第一喷嘴,2第二喷嘴,3凹槽,4第二喷嘴的供水
液路,7底座,IO研磨台间清洗装置,ll研磨头,12研磨台,13十字金属 轴;图4中,1第一喷嘴,2第二喷嘴,4第二喷嘴的供水液路,5第三喷 嘴,6第四喷嘴,7底座,8第四喷嘴的供水液路,9第三喷嘴的供水液路, 31凹槽。
具体实施方式
如图4所示,本实用新型包括底座7,底座7上表面设置有凹槽31, 凹槽31内设置有五个第一喷嘴1,底座7两端各设置有两个第二喷嘴2, 底座7的内部设置有第二喷嘴的供水液路4,底座7 —端固定于化学机械研 磨装置的十字金属轴。凹槽31远离十字金属轴13的一端的侧壁上设置有第四喷嘴6,第四喷 嘴6与地面的夹角为0±2°。第四喷嘴6方向最好与地面平行。第四喷嘴6 用于对凹槽31内及凹槽31内的五个第一喷嘴1进行冲洗,以防止药液在 凹槽31内形成结晶,从而提高了研磨台间清洗装置的自洗净能力。凹槽31靠近十字金属轴13的一端延伸至底座7的外壁,在距离底座7 的外壁30土5mm处以与地面成45±10°的倾角设置有第三喷嘴5,第三喷嘴 5用于冲洗设备中心位置的十字金属轴13,可防止药液在十字金属轴13上 形成结晶。在底座7内部设置有第四喷嘴的供水液路8和第三喷嘴的供水液路9, 第四喷嘴的供水液路8的长度为50mm,直径为8士lmm;第三喷嘴的供水液 路9的长度为30mm,直径为8土lram。第四喷嘴的供水液路8—端与第四喷 嘴6连接,另一端与第二喷嘴的供水液路4连通;第三喷嘴的供水液路9一端与第三喷嘴5连接,另一端与第二喷嘴的供水液路4连通。由于第三 喷嘴5与第四喷嘴6的供水与底座7底部两端的四个第二喷嘴2共用供水 线及控制气路,因此第三喷嘴5和第四喷嘴6与这四个第二喷嘴2的喷水 频率一致,为每30分钟1次,持续时间120秒。
权利要求1. 一种用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置,包括底座、设置于底座上表面的凹槽,设置于凹槽内的第一喷嘴,设置于底座两端的第二喷嘴,以及第二喷嘴的供水液路,底座一端固定于化学机械研磨装置的十字金属轴,其特征在于所述凹槽靠近十字金属轴的一端延伸至底座的外壁,此端设置有第三喷嘴;所述凹槽远离十字金属轴的一端的侧壁上设置有第四喷嘴;所述底座内部设有第三喷嘴的供水液路和第四喷嘴的供水液路;第三喷嘴的供水液路一端与第三喷嘴连接,另一端与第二喷嘴的供水液路连通;第四喷嘴的供水液路一端与第四喷嘴连接,另一端与第二喷嘴的供水液路连通。
2、 根据权利要求1所述的用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装 置,其特征在于所述第三喷嘴与地面成45±10°的夹角。
3、 根据权利要求1所述的用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置,其特征在于所述第四喷嘴与地面成0±2°的夹角。
4、 根据权利要求1所述的用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装 置,其特征在于所述第三喷嘴距离底座的外壁30士5mm。
5、 根据权利要求1所述的用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装 置,其特征在于所述第三喷嘴的供水液路的长度为30mm,直径为8士lmm。
6、 根据权利要求1所述的用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装 置,其特征在于所述第四喷嘴的供水液路的长度为50mm,直径为8士lmm。
专利摘要本实用新型公开了一种用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置,包括底座、设置于底座上表面的凹槽,设置于凹槽内的第一喷嘴,设置于底座两端的第二喷嘴,以及第二喷嘴的供水液路,底座一端固定于化学机械研磨装置的十字金属轴,其中凹槽靠近十字金属轴的一端延伸至底座的外壁,此端设置有第三喷嘴;凹槽远离十字金属轴的一端的侧壁上设置有第四喷嘴;底座内部设有第三喷嘴的供水液路和第四喷嘴的供水液路。本实用新型可以对研磨台间清洗装置的凹槽及凹槽内的喷嘴,以及化学机械研磨装置的十字金属轴进行在线清洗,提高了化学机械研磨装置的自清洁能力,可降低颗粒超标和制品划伤的可能性,提高制品的成品率。
文档编号B24B37/04GK201079923SQ20072014419
公开日2008年7月2日 申请日期2007年9月21日 优先权日2007年9月21日
发明者牛晓翔, 瞿治军 申请人:上海华虹Nec电子有限公司
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