专利名称：真空多功能连续镀膜装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电子机械技术领域，尤其涉及一种高真空多功能离子東溅 射与电子東蒸发连续镀膜装置。
背景技术：
柔性高分子和炭质材料带状物、金属薄带等基体带上镀制的复合膜产品，
在现代工业和高技术领域用途广泛。例如电子通讯、网络器件、电磁干扰防 治(MEI)领域中应用广泛的磁性复合膜，要求于高真空环境下，在金属薄带 (10pm 25)am)上致密镀制2 ~ 8层的Fe、 Ni、 Zr、 Cr、 Co、 Hf、 Mo、 Td、
Si、 B等及其化合物薄膜，单层薄膜的成分及厚度偏差<5%;再如氢能源利 用中普遍釆用的载体催化剂，通常是在高真空环境下，在炭质材料带状物上镀 制稀贵金属合金催化剂复合膜，薄膜的成分及厚度偏差< 5 % 。
首先，加工这些多层膜或复合膜产品， 一般需要在高真空环境下，釆用离 子東溅射、磁控溅射、电子東蒸发镀膜等多种技术，目前多釆用多种镀膜装置 分别镀制或多真空室连接的装置来依序完成镀膜，存在以下缺陷1、对于多种 镀膜装置分别镀制的方式，在变换装置时，中间产品频繁暴露于大气环境，破 坏了中间膜层质量，同时频繁的泵抽及升降温度过程，加长了工艺流程，降低 了加工效率；2、对于多真空室连接装置的方式，由于设置了多个真空室，势必 需在多个真空室中设置泵抽、气路、检测、加热烘烤、电控等单元，制造成本 较高，也降低真空室容积利用率。
其次，这些多层膜或复合膜产品的载体需要特定的基体带，如高分子材料、 石墨纤维布及金属薄带材等。由于不同张力基体带在不同卷绕速度的连续镀膜 过程中，需保证达到无斜拉伸、平整度以及与膜层接触面无损伤的要求，而目 前公开的有采用磁粉离合器以及增设光电或无线电检测的张力传感轴等实现自 动张力控制，均难以实现宽幅(幅宽300mm以上)宽张力范围基体带、宽卷绕 速度范围镀膜时的控制精度需要以及保证膜层质量。
再者，镀制这些多层膜或复合膜产品所釆用的离子束溅射技术，可在低温 (<200°C)下准确可控的离子/原子到达比，易获得多种不同组分和结构的合成 膜，对所有衬底有好的结合力，有效地控制超微粒子的大小和分布。但由于离 子束聚焦束斑能量密度较大，难以准确控制镶嵌型靶材的离子/原子到达比进而 影响复合膜的组分和结构控制；离子東聚焦束斑对靶材固定部分的溅射，将缩 短靶材的使用寿命，降低靶材的利用率，特别对于贵重金属靶材以及难加工类靶材而言，将大幅增加多层膜或复合膜产品的生产成本。而目前公开的如专利
号为99243973.6的"溅射靶"，釆用的溅射靶材横截面形状为曲线形，可提高40 ~ 80%的靶材利用率，但随着靶材成分的变化，靶材实际消耗曲线也会显著变化， 使得曲线形溅射靶材加工工艺趋于复杂并增大加工难度及成本。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种高真空多功能离子東溅射与电子東蒸发连续 镀膜装置，它能在不破坏高真空条件下，在单真空室内具有多种镀膜及连续镀 膜功能，从而可实现对基体或基体带进行单一或多种、间断或连续镀膜，尤其 对同一个基体或基体带连续完成离子東溅射镀膜或电子東蒸发镀膜中的一个或 多个镀膜过程，并且可实现镀膜过程中间断或全时的离子東辅助增强沉积；它 能将溅射靶材特别是贵重金属靶材和难加工类靶材利用率提高60% ~ 100%，还 可通过镶嵌型靶获得特殊功能的包覆型复合膜产品。
为实现上述目的，本实用新型釆取以下设计方案
真空镀膜室为单室结构，离子東溅射源和电子東蒸镀源的发生器设置在真 空镀膜室外，二者通入镀膜室的入口对应设置有离子東溅源射挡板和电子束蒸 镀源挡板；恒张力可逆卷绕单元的收/放卷轴及随动过渡轴固定于镀膜室内的连 接支撑装置上，对应的传感、驱动、控制设置在镀膜室外。真空镀膜室可釆用 卧式、简形(亦可为其它形状)、前开门、双层水冷、全不锈钢结构。
恒张力可逆卷绕单元的收/放卷轴通过力矩传感限制器与伺服电机传动连 接，恒张力可逆卷绕单元的随动过渡轴连接有调速编码器，力矩传感、伺服电 机和调速编码器都与PLC可编程控制器电控连接，可分别设定张力、速度，并 实现宽幅、宽张力范围内恒定控制张力、速度；离子東溅镀单元的靶位与由步 进电机驱动的双向转动组件连接，该双向转动组件又与由另一步进电机驱动的 轴向往复摆动组件连接，两组步进电机也与PLC可编程控制器电控连接，提高 贵重金属靶材以及难加工类靶材的利用率，大幅降低多层膜或复合膜产品的生 产成本。
泵抽单元位于机架台后部并与真空镀膜室后部金属密封连接；循环冷却水 流报警单元置于机架台内后部，与各个所需循环冷却水的单元电连接，提供其 它单元所需循环冷却水并监控流量。
在本装置的真空镀膜室内安置有真空测量器及烘烤加热器。 真空镀膜室设有离子東辅助增强/清洗源，室内对应设置离子東辅助沉积/ 清洗源挡板；镀膜室设有旋摆/移动溅镀靶台，室内对应设置旋摆/移动溅镀靶台 挡板；镀膜室设有水冷/加热转台，室内对应设置水冷/加热转台挡板。通过使用 各挡板，可在单室结构的镀膜室内完成不同的搡作。离子東溅射源发射端正对旋摆/移动溅镀靶台上的靶材，发射高能离子轰击 旋摆/移动溅镀靶台上的靶材，使溅射出的靶材物质沉积到可逆双向卷绕单元上
的基体带以及水冷/加热转台上的基体表面而成膜；离子束辅助增强/清洗源发射
端正对恒张力可逆卷绕单元上的基体带以及水冷/加热转台上的基体，实现基体 的镀膜前清洗功能，并实现基体镀膜的辅助增强功能，提高成膜质量。 所述的旋摆/移动溅镀靶台可实现靶位的轴向摆动和双向转动，并可满足单
项或多项镀膜的需要；在进行离子東溅射源镀膜时，旋摆/移动溅镀靶台可自动 移入到真空镀膜室的中轴处(轴向初始位置)，电子東蒸发源挡板可关闭，防 止污染蒸发坩锅内膜料；在进行电子東蒸发源镀膜时，旋摆/移动溅镀靶台可自 动移出至真空镀膜室的左侧室壁附近，并可关闭旋摆/移动溅镀靶台挡板，既避 免影响电子東蒸发源镀膜，又可防止旋摆/移动溅镀靶台上的靶材受到污染，保 证成膜质量。
水冷/加热转台为互换结构的，实现镀膜基体宽温度控制范围。在真空镀膜 室内水冷/加热转台挡板处设有膜厚监控单元，可手动或自动控制水冷/加热转台 挡板，实现设定膜厚的实时监控。
气路单元分别釆用单气路接通离子東溅射源及离子東辅助沉积/清洗源供 气；釆用单气路或两条以上气路或经混气罐通入真空镀膜室内的匀气装置。真 空镀膜室上还带有与其它设备连接的接口。
本实用新型的优点和效果
1、 与单一功能的真空镀膜装置相比较增加了功能，保证了中间膜层质量，缩短 了工艺流程，提高了加工效率。
2、 与多真空室多功能的真空镀膜装置相比较，减少了真空室个数，降低了制造 成本，提高了真空室容积利用率。
3、 有利于连续镀膜工艺，有助于实现宽幅(幅宽300mm以上)宽张力范围基 体带、宽卷绕速度范围镀膜时的控制精度需要以及保证膜层质量。
4、 有助于获得多种不同组分和结构的合成膜，对所有衬底具有良好结合力，有 效地控制超微粒子的大小和分布。
5、 实现贵重金属靶材以及难加工类靶材的利用率提高60%~100%,有利于通 过镶嵌型靶获得包覆型复合膜产品，大幅度降低镀膜产品的生产成本。
6、 实现镀膜基体宽温度控制范围(l(TC ~ 800°C )。
7、 实现设定膜厚的实时监控。
8、 真空镀膜室预留的接口配合旋摆/移动溅镀靶台，还可用于后续的准分子激光 溅射(PLD)镀膜。
5本实用新型的实施例结合附图加以说明，其中
图l是本实用新型的正视结构示意图2是本实用新型的俯视结构示意图3是本实用新型的旋摆/移动溅镀靶台单元结构示意图4是本实用新型的恒张力可逆卷绕单元结构示意图5是本实用新型的气路单元示意图。
图中机架台l;真空镀膜室2;泵抽3;真空测量器4;旋摆/移动溅镀靶 台5，旋摆/移动溅镀靶台挡板5'， PLC可编程控制器5-1，连接支撑装置5-2, 步进电机5-3、 5-3'，传动减速装置5-4、 5-4'，靶位轴向往复摆动组件5-5,靶 位双向转动组件5-6,乾轴组件5-7,靶位5-8,法兰5-9，输出电脉冲5-10、 5-10', 真空镀膜室壁5-11，丝杆5-12,导轨5-13;气路单元6，离子東溅射源气路6-l， 离子束辅助沉积/清洗源气路6-2，反应供气路6-3、 6-4,质量流量计6-5、 6-6、
6- 7、 6-8，混气罐6-9;恒张力可逆卷绕单元7,直流伺服电机7-2、 7-2'，力矩 传感限制器7-3、 7-3'，传动减速装置7-4、 7-4',调速编码器7-5、 7-5',连接支 撑装置7-6,随动过渡轴7-7、 7-7',收/放卷轴7-8、 7-8'，镀膜基台7-9,输出电 脉冲7-10、 7-10'，力矩限制信号7-11、 7-ll',基体带实际运动速度信号7-12、
7- 12',真空镀膜室壁7-13;离子東溅射源8，离子東溅射源挡板8';离子束辅 助增强/清洗源9，离子東辅助增强/清洗源挡板9，；电子束蒸镀源IO,电子東蒸 镀源挡板10';烘烤加热器ll;水冷/加热转台12,水冷/加热转台挡板12';膜 厚监控器13;循环冷却水流报警单元14;法兰接口 15;盲板16;引线法兰17。
具体实施方式
如图1及图2所示，本实用新型真空多功能连续镀膜装置，由机架台1、真 空镀膜室2、泵抽3、真空测量4、旋摆/移动溅镀靶台5、旋摆/移动溅镀靶台挡 板5'、气路6、恒张力可逆卷绕7、离子束溅射源8、离子東溅射源挡板8'、离 子束辅助增强/清洗源9、离子東辅助增强/清洗源挡板9，、电子東蒸镀源IO、电 子東蒸镀源挡板10'、烘烤ll、水冷/加热转台12、水冷/加热转台挡板12'以及 控制上述各单元电源开关的电控(可釆用分体控制柜分别控制，亦可由现有技 术将所有电控部分集中于整体控制柜)组成，并配有膜厚监控13、循环冷却水 流报警14、法兰接口 15、盲板16、引线法兰17等单元。
本实用新型真空多功能连续镀膜装置设有卧式、简形(亦可为其它形状)、 前开门、双层水冷、全不锈钢结构、独立单室的真空镀膜室2，固定在机架台1 上，泵抽单元3位于机架台1后部，循环冷却水流报警14置于机架台1内后部； 真空镀膜室2内安置有恒张力可逆卷绕7、真空测量4及烘烤11,以及离子東 溅射源8、离子東溅射源挡板8'、离子東辅助增强/清洗源9、离子東辅助增强/清洗源挡板9'、电子束蒸发源IO、电子東蒸发源挡板10'、旋摆/移动溅镀靶台 5、旋摆/移动溅镀靶台挡板5'、水冷/加热转台12、水冷/加热转台挡板12';气 路单元6置于机架台1内部，从真空镀膜室2侧下部接入；法兰接口 15、盲板 16、引线法兰17置于真空镀膜室2的侧部。
所述的恒张力可逆卷绕7、电子東蒸发源IO、电子東蒸发源挡板10'、旋摆 /移动溅镀靶台5、旋摆/移动溅镀靶台挡板5'、离子東溅射源8、离子東溅射源 挡板8'、离子束辅助沉积/清洗源9、离子東辅助增强/清洗源挡板9'、水冷/加热 转台12、水冷/加热转台挡板12，均设有电源控制开关，既可手动控制，也可利 用计算机技术实现自动控制，如前所述，可釆用分体控制柜独立控制，也可开 发研制一体机控制。
所述的真空镀膜室2的上侧面带有引线法兰17,还留有易拆卸的法兰接口 15并配以相应的盲板16,用于与其它设备连接。
所述的离子東溅射源8、离子東溅射源挡板8'置于真空镀膜室2后下部， 发射高能离子轰击旋摆/移动溅镀靶台5上的靶材，使溅射出的靶材物质沉积到 恒张力可逆卷绕7上的基体带以及水冷/加热转台12上的基体表面而成膜。
所述的离子東辅助增强/清洗源9、离子東辅助增强/清洗源挡板9，置于真 空镀膜室2侧部，发射高能离子轰击恒张力可逆卷绕7上的基体带以及水冷/加 热转台12上的基体，实现基体的镀膜前清洗功能，并实现基体镀膜的辅助增强 功能，提高成膜质量。
所述的水冷/加热转台12通过手动方式互换，可将转台上的基体加热到高达 800°C,实现镀膜基体宽温度范围的控制。
所述的真空镀膜室2内设有膜厚监控单元，既可手动控制，也可自动控制 水冷/加热转台挡板12',实现设定膜厚的实时监控。
所述的真空镀膜室2内设有真空测量4单元及烘烤11单元，烘烤11可对 恒张力可逆卷绕7上的基体带加热到高达500°C。
本实用新型可满足单项或多项镀膜的需要。在进行离子東溅射源8镀膜时， 旋摆/移动溅镀靶台5可自动移入到真空镀膜室2的中轴处(轴向初始位置)， 电子束蒸发源挡板10，可关闭，防止污染蒸发坩锅内膜料；在进行电子束蒸发源 IO镀膜时，旋摆/移动溅镀靶台5可自动移出至真空镀膜室2的左侧室壁附近， 并可关闭旋摆/移动溅镀靶台挡板5，，既避免影响电子束蒸发源10镀膜，又可 防止旋摆/移动溅镀靶台5上的靶材受到污染。
如图3所示，本实用新型所述的旋摆/移动溅镀靶台5置于真空镀膜室2外 部，由PLC可编程控制器5-1、连接支撑装置5-2、步进电机5-3、 5-3'、传动减 速装置5-4、 5-4'、靶位轴向摆动组件5-5、靶位双向转动组件5-6、靶轴组件5-7、 靶位5-8、法兰5-9、输出电脉冲5-10、 5-10'组成。可实现靶位的轴向摆动和双向转动，提高贵重金属靶材以及难加工类靶材的利用率60%~100%,有利于通
过镶嵌型靶获得包覆型复合膜产品，大幅度降低镀膜产品的生产成本。
所述的步进电机5-3与传动减速装置5-4驱动连接，传动减速装置5-4通过 丝杆连接控制靶位轴向摆动组件5-5,均固定于连接支撑装置5-2上。步进电机 5-3'、传动减速装置5-4'、靶位双向转动组件5-6固定于靶位轴向摆动组件5-5 上，步进电机5-3'与传动减速装置5-4'驱动连接，传动减速装置5-4'通过直联控 制靶位双向转动组件5-6后，并进而控制靶轴组件5-7及靶位5-8。
所述的PLC可编程控制器5-1根据写入的工艺参数(含靶位5-8双向转 动的角度c^和a逆以及频率/)输出电脉冲5-10',控制步进电机5-3',通过传动 减速装置5-4'以及靶位双向转动组件5-6驱动靶轴组件5-7,实现靶位5-8在设 定转动角度a及频率/情况下的双向转动，当关闭靶位双向转动组件5-6后，通 过相同控制步骤，实现靶位5-8表面与聚焦离子東中心线之间的夹角迅速恢复 到原始设计角度(即复位于转向初始位置)。
同样，所述的PLC可编程控制器5-1还根据写入的工艺参数(含靶位5-8 轴向摆动的摆动距离丄正和丄^以及速度v)输出电脉冲5-10,控制步进电机5-3， 通过传动减速装置5-4驱动连接支撑装置5-2上的靶位轴向摆动组件5-5后，进 而控制靶位轴向摆动组件5-5上的靶轴组件5-7，同时实现靶位5-8在设定摆动 距离丄及速度v情况下的轴向摆动，当关闭靶位轴向摆动组件5-5后，通过相 同控制步骤，实现靶位5-8中心与离子束聚焦東斑中心迅速重合(即复位于轴 向初始位置)。
此外，可将旋摆/移动溅镀靶台5及旋摆/移动溅镀靶台挡板5，设计为在进 行离子東溅射源8镀膜时，旋摆/移动溅镀靶台5可自动移入到真空镀膜室2的 中轴处(轴向初始位置)，电子東蒸发源挡板10，可关闭，防止污染蒸发坩锅内 膜料；在进行电子東蒸发源IO镀膜时，旋摆/移动溅镀靶台5可自动移出至真空 镀膜室2的左侧室壁附近，并可关闭旋摆/移动溅镀靶台挡板5'，既避免影响电 子東蒸发源IO镀膜，又可防止旋摆/移动溅镀靶台5上的靶材受到污染，保证成 膜质量。
如图4所示，本实用新型所述的恒张力可逆卷绕7单元对称置于真空镀膜 室2上部，由PLC可编程控制器5-1、直流伺服电机7-2、 7-2'、力矩传感限制 器7-3、 7-3'、传动减速装置7-4、 7-4'、调速编码器7-5、 7陽5'、连接支撑装置7-6、 随动过渡轴7-7、 7-7'、收放卷轴7-8、 7-8'、镀膜基台7-9、输出电脉冲7-10、 7-10'、力矩限制信号7-11、 7-ll'、基体带实际运动速度信号7-12、 7-12'组成。 可同时实现基体带卷绕过程中设定张力下对设定速度的可逆双向恒定控制以及 设定速度下对设定张力的恒定控制。
所述的收放卷轴7-8、 7-8'及随动过渡轴7-7、 7-7'固定于连接支撑装置7-6上，收放卷轴7-8、 7-8'位于镀膜基台7-9两侧，两个随动过渡轴7-7、 7-7'分别 位于收放卷轴7-8、 7-8'与镀膜基台7-9之间，其上设置调速编码器7-5、 7-5'。 由PLC可编程控制器5-1控制的直流伺服电机7-2、 7-2'与传动减速装置7-4、 7-4'驱动连接，并置于真空镀膜室2后部，传动减速装置7-4、 7-4'驱动连接支撑 装置7-6上的收放卷轴7-8、 7-8'实现同步可逆双向转动，带动基体带同步可逆 双向运动。PLC可编程控制器5-l获得随动过渡轴7-7、 7-7'上调速编码器7-5、 7-5'输出的基体带实际运动速度信号7-12、 7-12'与设定运动速度值的差异，同时 也获得力矩传感器信号，根据已写入程序，实时输出电脉冲7-10、 7-10'以及力 矩限制信号7-11、 7-ll'分别控制直流伺服电机7-2、 7-2'和力矩限制器7-3、 7國3', 通过传动减速装置7-4、 7-4'驱动连接支撑装置7-6上的收放卷轴7-8、 7-8'。达 到分别设定张力、速度，并恒定控制张力、速度的目的。
如图5所示，本实用新型所述的气路6单元釆用单气路6-l、 6-2及质量流 量计6-5、 6-6分别对离子東溅射源8及离子東辅助沉积/清洗源9供气，并釆用 单气路6-3、 6-4及质量流量计6-7、 6-8或两条以上气路或经混气罐6-9通入真 空镀膜室2内。
本实用新型可用于在长基体带上镀制合成膜、包覆型复合膜和多层膜，同 样也可在短小基体或静止基体上镀制合成膜、包覆型复合膜和多层膜。其工作 过程为将拟镀膜的基体带缠放于恒张力可逆卷绕7单元上(或将拟镀膜的基 体固定于水冷/加热转台12上)，抽真空，启动恒张力可逆卷绕7单元走带(或 开启水冷/加热转台12自转)，打开控制离子東溅射源8和旋摆/移动溅镀靶台 5的电源控制开关(按预先设定的方案排定顺序)，或电子東蒸发源IO的电源控 制开关(按预先设定的方案排定顺序)，以便进行相关膜系的镀膜。离子東溅射 或电子東蒸发时在基体带行走状态或基体勻速转动状态下，膜厚偏差小于5%。
本实用新型真空多功能连续镀膜装置，主要用于开发纳米粒径的复合薄膜 及化合物功能薄膜且同时可以进行连续制备，提高加工效率。
适用于本实用新型具体实施方式
的基体带，包括高分子柔性材料、石墨纤 维布及金属薄带材等，具有一定可卷绕度并且还具备一定的抗拉强度。
本装置还可用于其它功能薄膜——如金属及合金薄膜、氧化物薄膜、半 导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、铁磁薄膜、磁性薄膜及光学薄膜等的研制开 发。
权利要求1、一种真空多功能连续镀膜装置，其特征在于真空镀膜室为单室结构，离子束溅射源和电子束蒸镀源的发生器设置在真空镀膜室外，二者通入镀膜室的入口对应设置有离子束溅射源挡板和电子束蒸镀源挡板；恒张力可逆卷绕单元的收/放卷轴及随动过渡轴固定于镀膜室内的连接支撑装置上，对应的传感、驱动、控制设置在镀膜室外。
2、 根据权利要求l所述的真空多功能连续镀膜装置，其特征在于恒张力 可逆卷绕单元的收/放卷轴通过力矩传感限制器与伺服电机传动连接，恒张力可 逆卷绕单元的随动过渡轴连接有调速编码器，力矩传感、伺服电机和调速编码 器都与PLC可编程控制器电控连接；离子東溅镀单元的靶位与由步进电机驱动 的双向转动组件连接，该双向转动组件又与由另一步进电机驱动的轴向往复摆 动组件连接，两组步进电机也与PLC可编程控制器电控连接。
3、 根据权利要求2所述的真空多功能连续镀膜装置，其特征在于泵抽单 元位于机架台后部并与真空镀膜室后部金属密封连接；循环冷却水流报警单元 置于机架台内后部，与各个所需循环冷却水的单元电连接。
4、 根据权利要求2所述的真空多功能连续镀膜装置，其特征在于所述的 真空镀膜室内安置有真空测量器及烘烤加热器。
5、 根据权利要求2所述的真空多功能连续镀膜装置，其特征在于真空镀 膜室设有离子東辅助增强/清洗源，室内对应设置离子束辅助沉积/清洗源挡板； 镀膜室设有旋摆/移动溅镀靶台，室内对应设置旋摆/移动溅镀靶台挡板；镀膜 室设有水冷/加热转台，室内对应设置水冷/加热转台挡板。
6、 根据权利要求2所述的真空多功能连续镀膜装置，其特征在于离子東 溅射源发射端正对旋摆/移动溅镀靶台上的靶材；离子東辅助增强/清洗源发射 端正对恒张力可逆卷绕单元上的基体带以及水冷/加热转台上的基体。
7、 根据权利要求2所述的真空多功能连续镀膜装置，其特征在于水冷/加热转台为互换结构的，在真空镀膜室内水冷/加热转台挡板处设有膜厚监控单 元。
8、 根据权利要求l所述的真空多功能连续镀膜装置，其特征在于气路单 元分别釆用单气路接通离子束溅射源及离子東辅助沉积/清洗源供气；釆用单气 路或两条以上气路或经混气罐通入真空镀膜室内的勾气装置。
9、 根据权利要求2所述的真空多功能连续镀膜装置，其特征在于真空镀 膜室上还带有与其它设备连接的接口。
专利摘要本实用新型属于电子机械技术领域，涉及一种高真空多功能离子束溅射与电子束蒸发连续镀膜装置。本装置的真空镀膜室为单室结构，离子束溅射源和电子束蒸镀源的发生器设置在真空镀膜室外，二者通入镀膜室的入口对应设置有离子束溅源射挡板和电子束蒸镀源挡板；恒张力可逆卷绕单元的收/放卷轴及随动过渡轴固定于镀膜室内的连接支撑装置上，对应的传感、驱动、控制设置在镀膜室外。本实用新型结构紧凑，在单真空室内具有多种镀膜及连续镀膜功能，并可实现镀膜过程中间断或全时的离子束辅助增强沉积，能将溅射靶材特别是贵重金属靶材和难加工类靶材利用率提高60％～100％，还可通过镶嵌型靶获得特殊功能的包覆型复合膜产品。
文档编号C23C14/56GK201317807SQ200820200000
公开日2009年9月30日 申请日期2008年11月18日 优先权日2008年11月18日
发明者滨 杨 申请人:昆明理工大学