成膜装置、基板处理装置及成膜方法

专利名称：成膜装置、基板处理装置及成膜方法
技术领域：
本发明涉及一种通过反复将相互反应的至少2种反应气体 依次供给到基板表面的循环、沉积反应生成物而形成薄膜的成 膜装置、基板处理装置、成膜方法，以及存储实施该方法的程 序的存储媒介。
背景技术：
在半导体制造工艺的薄膜沉积技术中，公知有所谓原子层 沉积(ALD, Atomic Layer Deposition )或分子层;冗积(MLD, Molecular Layer Deposition )。在这样的薄膜沉积技术中，在 真空条件下，使第l反应气体吸附在半导体晶圆(以下称为晶 圆)的表面上，接下来，在该晶圆表面上吸附第2反应气体， 通过在该晶圆表面上的第l及第2反应气体的反应，形成一层以 上的原子层或分子层。此外，反复进行多次这样的气体交互吸 附，在晶圆上沉积膜。该技术在可通过气体交互供给的次数来 高精度地控制膜厚这点上，以及沉积膜在晶圓上能具有优异的 均匀性这点上具有优势。因此，该沉积方法有望成为可更为精 细化地加工半导体器件的薄膜沉积技术。
这样的成膜方法能够较好地适用于对例如栅绝缘体所使用 的电介质膜进行成膜的情况。栅绝缘体以氧化硅膜(SiOJ莫) 成膜的情况下，第l反应气体(原料气体)可使用例如双叔丁基氨基硅烷(以下，称为BTBAS)气体等，第2反应气体(氧 化气体)可使用臭氧气体等。
为了实施该成膜方法，可考虑使用具有真空容器和位于该 真空容器上部中央的簇射头的单片式成膜装置。在该成膜装置 中，从上部中央供给反应气体，从处理容器底部排出未反应的 反应气体和反应副生成物。鉴于使用该真空容器时，需要较长 时间来通过吹扫气体进行气体置换，且循环次数也会达到数百 次，将花费较长的处理时间。因此，人们需要一种可实现高生 产率的成膜装置及成膜方法。
基于这样的背景，提出过具有真空容器和旋转台的成膜装 置，沿着旋转台的旋转方向保持多片基板。
下面举出的专利文献l公开了 一种将处理腔室形成为扁平 的圆筒状的沉积装置。该处理腔室被分割为两个半圆区域。各 区域在各区域的上部具有环绕该区域设置的排气口。此外，处 理腔室在两个区域之间具有沿着处理腔室的径向导入分离气体 的气体注入口。根据该结构，不同的反应气体被供给到各自的 区域，并由不同的排气口从上侧排气，此外，通过旋转台旋转 来使由旋转台载置的晶圆交互穿过两个区域。此外，被供给分 离气体的分离区域具有高度低于被供给原料气体的区域的顶 部。
专利文献2公开了一种处理腔室，具有晶圆支承构件(旋 转台)，其支承多片晶圓，且能水平旋转；第1及第2气体喷出 喷嘴，其与晶圓支承构件相对，在晶圆支承构件旋转方向上等 角度(圆心角)间隔配置；吹扫气体喷嘴，其配置在第1及第2 气体喷出喷嘴之间。气体喷出喷嘴沿晶圆支承构件的径向延伸。 晶圆的上表面比晶圆支承构件表面高出晶圆的厚度，气体喷出 喷嘴和晶圆支承构件上的晶圓的间隔为约0.1 m m以上。真空排气装置与位于晶圓支承构件外端和处理腔室内壁之间的部位相 连接。根据该结构的处理容器，吹扫气体喷嘴释放吹扫气体而
形成气帘，防止第1反应气体和第2反应气体混合。
专利文献3公开一例通过多个分隔壁分隔出多个处理区域 的处理腔室。分隔壁的下侧以与分隔壁间隔很小间隙的方式设 置有载置多片晶圆的圆形的旋转基座。
专利文献4公开一例处理腔室，具有四个扇形的气体供 给板，其具有90度的顶角，按照相应侧边间为90度的角度间隔 配置；排气口，其配置在两个相邻的气体供给板间，用于对处 理容器内排气；基座，其支承多片晶圆，并与气体供给板相对。 四个气体供给板分别释放砷化氢(AsH3)气体、氬(H2)气体、 三甲基镓(TMG)气体和H2气体。
专利文献5公开的是一例处理腔室，具有圆形的板，其 被分隔壁分为四个区域，四个区域分别设置有基座；四个喷管， 彼此连接成十字形；两个排气口，其分别与四个基座接近配置。 该处理腔室中，四片晶圆分别搭载于四个基座上，四个喷管分 别释放原料气体、吹扫气体、原料气体、另一种吹扫气体，同 时使四个喷管在圆形的板的上方以十字形的中心为旋转中心旋 转。边使喷管单元水平旋转，以使喷管依次位于四个载置区域， 边从旋转台周围以真空方式排气。
此外，专利文献6(专利文献7、 8)公开一种成膜装置， 该装置使靶(晶圆)交互吸附多种气体，适用于原子层CVD。 该装置中，从上方向基座供给源气体和吹扫气体，并使保持晶 圆的基座旋转。在该文献第0023、 0024、 0025段中写到，分 隔壁从腔室中心起沿径向延伸，在分隔壁的底部设置有用于供 给源气体或吹扫气体的气体喷出孔。此外，作为吹扫气体，从 气体喷出孔喷出惰性气体，形成气帘。关于排气，在文中第0058
ii段有所记载，源气体从排气管道30a排气，吹扫气体从排气管 道30b排气。
专利文献9公开有一种用于在成膜装置的基座上所形成的 基板载置区域载置晶圆等基板的升降销。该升降销具有进行上 下驱动的机构，通过其上下驱动将晶圆等基板载置于基板载置区域。
专利文献l 专利文献2 专利文献3
要求l
专利文献4 专利文献5 专利文献6
美国专利公报7， 153， 542号图6(a)、(b) 曰本净争开2001-254181号/>才艮图l及图2 日本特许第3144664号7>才艮图l、图2、权利
日本特开平4-287912号/>报
美国专利公报6， 634, 314号
曰本斗争开2007-247066号7>才艮0023~0025、
0058段，图12及图18
专利文献7 专利文献8 专利文献9
美国专利公开公报2007-218701号 美国专利公开公报2007-218702号 美国专利公报6， 646, 235号 但是，专利文献l记载的装置中，反应气体和分离气体向 下供气，从设在腔室上部的排气口向上排气，因此，有可能会 使腔室内的微粒被向上的气流吹起，落在晶圆上，污染晶圆。
此外，专利文献2记载的技术中，气帘不能完全防止这些 反应气体的混合，气体也会被晶圆支承构件的旋转朝旋转方向 带动，而导致反应气体之一穿过气帘流动而与其他的反应气体 混合。此外，旋转着的晶圓支承构件的中心附近不会给气体造 成较大的离心力，因此，从第l (第2)气体喷出喷嘴喷出的第 l(第2)反应气体会穿过晶圆支承构件的中心部，和第2(第l) 反应气体接触。 一旦反应气体在腔室内混合，则不能按预期进
12行MLD (或ALD)模式的薄膜沉积。
专利文献3所记载的装置中，在处理腔室，导入处理区域 之一的处理气体往往会穿过分隔壁下侧的间隙，向相邻的处理 区域扩散，与导入该相邻处理区域的其他处理气体混合。此外， 处理气体往往会在排气腔室混合，使晶圆同时暴露在两种处理 气体之中。因此，采用该处理腔室，无法合适地实施MLD( ALD )
模式下的薄膜沉积。
专利文献4公开的内容中，没有提供任何实际的防止两种 原料气体(AsH3、 TMG)混合的方法。由于没用防止方法，
因此，往往会导致两种反应气体穿过基座中心附近或H2气体的
供给板而混合。此外，排气口配置在相邻的两个气体供给板之 间，因此，将气体向上排气，会从基座表面吹起微粒，导致晶 圆污染。
专利文献5公开的处理腔室中，在一个喷管经过四个区划 区域之一后，无法在短时间内吹扫该区域。此外，四个区划区 域之一内的反应气体可能会容易流入相邻的区划区域。因此， 难于进行MLD (ALD)模式下的薄膜沉积。
根据专利文献6公开的技术，源气体会从位于吹扫气体分 隔室两侧的源气体分隔室流入吹扫气体分隔室，源气体与吹扫 气体在吹扫气体分隔室内相互混合。其结果是，可能在吹扫气 体分隔室内生成反应生成物，向晶圆上落下微粒。
专利文献9公开的技术中，基板载置区域通常比晶圆等基 板大，因此，在使基座旋转时，可能会因离心力使晶圆等基板 在基板载置区域内移动，与基板载置区域的壁面接触，导致晶 圓等破损
发明内容
本发明的概括性目的在于提供解决上述问题的新的改良的 有用的成膜装置、基板处理装置、成膜方法，以及存储有实施 该方法的程序的存储介质。
本发明的具体目的在于通过防止成膜的基板的破裂或破 缺，在防止产生次品的同时，还防止微粒等的产生，能在洁净 的环境内进行成膜。
为了实现上述目的，根据本发明的一技术方案，提供一种 成膜装置，在该成膜装置中，在容器内，实施依次向基板供给 相互反应的至少两种反应气体的循环，在该基4反上生成反应生
成物的层，以沉积膜，该成膜装置具有旋转台，其以可旋转 的方式设在容器中；基板载置区域，其设在旋转台的一个面， 用于载置基板；第l反应气体供给部，其向该旋转台的一个面 供给第l反应气体；第2反应气体供给部，其在旋转台的旋转方 向上远离第l反应气体供给部，且向该旋转台的一个面供给第2 反应气体；分离区域，其在旋转方向上，位于被供给第l反应 气体的第l处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域之 间，隔开第l处理区域和第2处理区域；中央区域，为了将第l 处理区域和第2处理区域隔离开，该中央区域位于容器的大致 中央，且具有沿旋转台的一个面喷出第l分离气体的喷出孔； 排气口 ，其用于将反应气体与向分离区域两侧扩散的分离气体
及从中央区域喷出的分离气体一起排出；分离气体供给部，其 设在分离区域，用于供给分离气体；顶面，其设在分离区域， 位于分离气体供给部的旋转方向两侧，在该顶面和所述旋转台 之间形成狭窄的空间，用于分离气体从该分离区域流到处理区 域侧；升降机构，其用于对设置在基板载置部上的基板进行升 降，升降机构相对于旋转台不仅能在上下方向上，还能在旋转 台的径向上移动。
14此外，根据本发明的另一个技术方案，提供一种成膜装置， 在该成膜装置中，在容器内，实施依次向基板供给相互反应的 至少两种反应气体的循环，在该基板上生成反应生成物的层，
以沉积膜，该成膜装置具有旋转台，其设在容器内；多个基 板载置部，其设在旋转台上，用于在旋转台的同一个圆周上载 置基板；第l反应气体供给部，其设在容器内的形成基板载置 部的一侧，用于供给第l反应气体；第2反应气体供给部，其设 在容器内形成有基板载置部的一侧，且位于远离第l反应气体 供给部的位置，用于供给第2反应气体；第l分离气体供给部， 其设置于由第l反应气体供给部供给第l反应气体的第l处理区 域和由第2反应气体供给部供给第2反应气体的第2处理区域之 间，并供给第l分离气体，用于将该第l处理区域和该第2处理 区域隔离开；输送口，其由设在容器侧壁的闸阀开闭，以从容 器外部向容器的内部输送基板；基板保持臂，其在输送口输送
基板，基板保持臂由两根棒状的保持部构成， 一个保持部上设 有用于保持基板的至少一个基板保持部，在另一个保持部上， 用于保持基板的至少两个基板保持部设在不同的位置上。
此外，根据本发明的另一个技术方案，提供一种基板处理 装置，其具有真空输送室，其内部配置有基板输送部；上述 成膜装置，其与真空输送室气密地相连；预备真空室，其与真 空输送室气密地相连，可在真空气氛和大气气氛之间切换气氛。
此外，根据本发明的另一个技术方案，提供一种成膜方法， 通过多次进行依次向基板表面供给相互反应的至少两种反应气 体，沉积反应生成物，形成薄膜，该成膜方法中，从真空容器 的外部经输送口输送基板，在为了在真空容器内部的旋转台上 载置基板而设置的基板载置部处，将基板载置于离旋转台的中 心最远的位置，使旋转台旋转，从在真空容器内相互分离设置的第l反应气体供给部及第2反应气体供给部，向旋转台的形成 有基板载置部的面，供给第1反应气体及第2反应气体，并从设 置在第l反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的分离气 体供给部供给分离气体，进行成膜。
此外，根据本发明的其它技术方案，提供一种成膜方法， 通过多次进行依次向基^反表面供给相互反应的至少两种反应气 体的循环，沉积反应生成物，形成薄膜，该成膜方法中，为了 对从真空容器外部经输送口输送来的基板进行载置，在旋转台 上形成有凹状的基板载置部，在该基板载置部上所设置的升降 机构上载置基板；在将基板载置于升降机构上后，使升降机构 下降，将基板移动到比旋转台的表面低的位置；在使基板移动 后，通过使升降机构沿旋转台径向向旋转台外侧移动，使基板 与基板载置部的壁面接触或接近；在使升降机构向旋转台径向 外侧移动后，使升降机构下降，将基板载置于基板载置部的底 部；在将基板载置于基板载置部的底部后，使旋转台旋转；从 在真空容器内相互分离设置的第l反应气体供给部及第2反应 气体供给部，向旋转台的形成有基板载置部的面供给第l反应 气体及第2反应气体，并从设置在第1反应气体供给部和第2反 应气体供给部之间的分离气体供给部供给分离气体，进行成膜。
根据本发明的又一技术方案，提供一种成膜方法，在从真 空容器外部经输送口将基板输送至所述真空容器后，通过多次 进行依次向基4反表面供给相互反应的至少两种反应气体，沉积 反应生成物，形成薄膜，该成膜方法中，使用具有两根用于保 持基板的棒状保持部的基板保持臂，将基板输送至为了载置基 板而在旋转台上形成为凹状的基板载置部的正上方，该基板载 置部在一个保持部上，设有至少一个用于保持基板的基板保持 部，在另一个保持部上，设有至少两个用于保持基板的基板保持部；在输送基板后，通过使基板保持臂下降，将基板移动到 比旋转台的表面低的位置；在使基板下降后，通过使基板保持 臂沿旋转台的径向向旋转台的外侧移动，使基板与基板载置部 的壁面接触或接近；在使基板和基板载置部的壁面接触或接近 后，使基板保持臂下降到基板和基板载置部的底部接触的位置； 在使基板保持臂下降后，使旋转台旋转；从在真空容器内相互 分离设置的第1反应气体供给部及第2反应气体供给部，向旋转 台的形成有基板载置部的面，供给第1反应气体及第2反应气 体，并从设置在第l反应气体供给部和第2反应气体供给部之间 的分离气体供给部供给分离气体。
根据本发明，在向基板表面依次供给相互反应的多种反应 气体，沉积由反应生成物形成的层，以此来形成薄膜的情况下， 可防止被成膜的基板的破裂或破缺。由此，不仅可防止出现次 品，还可防止出现微粒等，从而能在洁净的气氛下进行成膜。 因此，能极力地减少混入污染，能不混入杂质地进行高品质的 薄膜成膜。


图l是本发明一实施例的成膜装置的纵剖视图。 图2是表示成膜装置内部概略结构的立体图。 图3是成膜装置的横剖俯视图。
图4A及4B是表示成膜装置的处理区域及分离区域的纵剖 视图。
图5是表示成膜装置局部的纵剖视图。 图6是成膜装置的局部剖视立体图。 图7是表示分离气体或吹扫气体流动方式的图。 图8是成膜装置的局部剖视立体图。
17图9是成膜装置的旋转台的概略剖视图。
图10A~ IOD是表示在成膜装置的旋转台上载置晶圓的顺 序的概略剖视图。
图ll是在成膜装置的旋转台上载置有晶圆的状态下的俯 视图。
图12是第l反应气体及第2反应气体通过分离气体隔离开 并被排气的状况的图。
图13A是用于说明在分离区域所使用的凸状部的尺寸例的 俯视图。
图13B是用于说明在分离区域所使用的凸状部的尺寸例的 剖视图。
图14是表示分离区域的其它例子的纵剖视图。
图15A~ 15C是表示在分离区域所使用的凸状部的其它例
子的纵剖视图。
图16A~ 16G是表示反应气体供给部件的气体喷出孔的其
它例子的仰视图。
图17是表示本发明的其它实施例的成膜装置的俯视图。 图18是表示本发明的又 一 实施例的成膜装置的俯视图。 图19是表示本发明的又一实施例的成膜装置的内部的概
略结构的立体图。
图2 0是表示本发明的又 一 实施例的成膜装置的俯视图。 图21是表示本发明的又 一 实施例的成膜装置的剖视图。 图22A~ 22D是表示在旋转台上载置晶圓的顺序的概略剖视图。
图23A及23B是表示在旋转台上载置晶圆的顺序的概略俯 视图。
图24是成膜装置的其它结构的旋转台的概略剖视图。图25是表示使用本发明的成膜装置的基板处理系统的一
例的概略俯一见图。
具体实施例方式
参照

本发明的实施例。
如图l (为沿图3中I-I线的剖视图)所示，本发明一实施 例的成膜装置具有真空容器l，其俯视形状为大致呈圓形的 扁平状；旋转台2，其设于该真空容器l内，在该真空容器l的 中心具有旋转中心。真空容器1为顶板11能与容器主体12分离 开的结构。顶板ll通过真空容器l内部的负压状态，经由密封 构件例如O型密封圈13被压在容器主体12上，并维持真空容器l 的气密状态。另一方面，当需要使顶板11和容器主体12分离开 时，通过未图示的驱动机构将顶板ll向上抬起。
;旋转台2/人中心部固定在圓筒形状的芯部21上，该芯部21 固定在沿竖直方向延伸的旋转轴2 2的上端。旋转轴2 2贯穿容器 主体12的底面部14,其下端安装在驱动部23上，该驱动部23 使该旋转轴2 2绕竖直轴旋转，在本例中是绕顺时针方向旋转。 旋转轴22及驱动部23收纳于上表面开口的筒状的壳体20内。该 壳体20经设于其上面的凸缘部分20a气密地安装在真空容器l 的底面部14的下表面上，这样，将壳体20内部气氛和外部气氛 隔离开。
如图2及3所示，在旋转台2的上表面上，形成有多个(图 中例子为5个)用于分别收纳晶圆W的圆形凹部24。但是，图3 中仅表示1片晶圆W。凹部24在旋转台2上等间隔配置。图4A 是从第l反应气体喷嘴31到第2反应气体喷嘴32延伸为圓弧的 投影剖视图。如图4A所示，凹部24比晶圓W的直径稍大，例如， 具有4mm大小的直径和与晶圆W厚度相等的深度。因此，晶圓
19W载置在凹部24上时，晶圆W的表面和旋转台2上除凹部24外 的区域的表面等高。假设晶圓W和其它区域间有较大高度差， 则该高度差会使气体的流动产生湍流，使晶圓W上的膜厚均匀 性受到影响。因此，2个表面等高。"等高，，在这里意味着高度 差在约5mm以下，但该差应在加工精度允许范围内尽可能地接 近零。凹部24的底上形成有3个通孔(未图示)，3个升降销(参 照图8)穿过这些通孔升降。升降销支承晶圆W的反面，使晶圆 W升降。
凹部24是晶圆W的收纳区域，对晶圆定位，防止晶圆W在 旋转台2旋转而产生的离心力作用下飞出。但是，晶圆W的收纳 区域不限于凹部24,可以由在旋转台2上按规定角度间隔配置、 对晶圆W的端部加以保持的导向构件构成。例如，晶圓W的收 纳区域可以由静电卡盘构成。此时，该利用吸附载置晶圓W的 区域是基板载置部。
参照图2及3，在旋转台2的上方具有第l反应气体喷嘴31、 第2反应气体喷嘴32及分离气体喷嘴41、 42,它们按规定角度 间隔沿径向延伸。采用该结构，凹部24能通过喷嘴31、 32、 41 及42下方。图示的例子中，第2反应气体喷嘴32、分离气体喷 嘴41、第1反应气体喷嘴31及分离气体喷嘴42以该顺序按顺时 针配置。这些气体喷嘴31、 32、 41、 42贯穿容器主体12周壁部， 作为气体喷嘴31、 32、 41、 42端部的气体导入件31a、 32a、 41a、 42a安装在壁的外周壁上并受其支承。气体喷嘴31、 32、 41、 42在图示的例子中被从容器1的周壁部导入容器1内，但它 们也可以A人环状的突出部5 (后述)导入。此时，可以设置在 突出部5的外周面和顶板11的外表面上开口的L形导管，在容器 l内，在L形的导管的一个开口上连接气体喷嘴31 ( 32、 41、 42),在容器l外部，在L形导管的另 一个开口上连接气体导入件31a ( 32a、 41a、 42a )。
虽未图示，反应气体喷嘴31与作为第1反应气体的双叔丁 基氨基硅烷(BTBAS)的气体供给源相连，反应气体喷嘴32 与作为第2反应气体的臭氧(03)的气体供给源相连。
反应气体喷嘴31、 32上，在喷嘴长度方向上隔开间隔地排 列有用于向下方侧喷出反应气体的喷出孔33。在本实施方式 中，喷出孔33具有约0.5mm的口径，在反应气体喷嘴31、 32 的长度方向上以约10mm的间隔排列。反应气体喷嘴31、 32分 别是第1反应气体供给部件和第2反应气体供给部。此外，反应 气体喷嘴31的下方区域是用于使B T B A S气体吸附在晶圆上的 第l处理区域Pl,反应气体喷嘴32的下方区域是用于使Os气体 吸附在晶圆上的第2处理区域P2。
另一方面，分离气体喷嘴41、 42与氮气(N2)的气体供给 源(未图示)相连。分离气体喷嘴41、 42具有用于向下方侧喷 出分离气体的喷出孔40。喷出孔40沿长度方向按规定间隔配 置。在本实施方式中，喷出孔40具有约0.5mm的口径，沿分离 气体喷嘴41、 42的长度方向按约10mm的间隔排列。
分离气体喷嘴41、 42设置在分离区域D,从而将第l处理区 域P1和第2处理区域P2隔离开。各分离区域D中，如图2~图4 所示，在真空容器l的顶板ll上设有凸状部4。凸状部4具有扇 形的上表面形状，其顶部位于容器l的中心，圆弧沿着容器主 体12内周壁的附近配置。此外，凸状部4具有将凸状部4分割为 两部分的沿径向延伸的槽部43。槽部43中收纳有分离气体喷嘴 41 ( 42)。分离气体喷嘴41 ( 42)的中心轴和扇形的凸状部4 的一个边之间的距离大致等于分离气体喷嘴41 (42)的中心轴 和扇形的凸状部4的另一个边之间的距离。另外，槽部43在本 实施例中将凸状部4二等分，但在其它实施例中，可以是例如以凸状部4的靠旋转台2旋转方向上游侧更宽的方式形成槽部 43。
采用上述结构，如图4A所示，分离气体喷嘴41 ( 42)两侧 具有平坦且4交^[氐的顶面44 (第l顶面)，在4交^f氐顶面44的两侧具 有较高的顶面45 (第2顶面)。凸状部4 (顶面44)形成有分离 空间，该分离空间是阻止第l及第2反应气体进入凸状部4和旋 转台2之间从而阻止两种反应气体混合的狭窄的空间H。
参照图4 B来看，沿着旋转台2的旋转方向从反应气体喷嘴 32流到凸状部4的03气体被阻止进入该空间，此外，沿与旋转 台2的旋转方向相反的方向从反应气体喷嘴31流到凸状部4的 BTBAS气体也被阻止进入该空间。"气体被阻止进入"，是指从 分离气体喷嘴41喷出的分离气体，也就是N2气体扩散到第l顶 面44和旋转台2表面之间，在本例中是吹入与该第l顶面44相邻 的第2顶面45的下方侧空间，由此来自第2顶面45下方侧空间的 气体不会进入该空间。此外，"气体无法进入"不仅是指完全无 法从第2顶面45下方侧空间进入到凸状部4下方侧空间的情况， 也包含即^更有部分反应气体进入，该反应气体也不会向分离气 体喷嘴41进一步推进，由此不会发生混合的情况。即，只要能 起到该作用，分离区域D就能将第1处理区域P1和第2处理区域 P2隔离开。此外，吸附在晶圓上的气体当然会通过分离区域D 内。因此，气体被阻止进入仅意味着气相中的气体被阻止进入。
参照图l、图2及图3，顶板ll的下表面设置有环状的突出 部5，该突出部5的内周缘和芯部21的外周面相对。突出部5在 芯部21的外侧区域和旋转台2相对。此外，突出部5和凸状部4 形成为一体，凸状部4的下表面和突出部5的下表面形成一个平 面。即，突出部5的下表面距旋转台2的高度同凸状部4的下表 面(顶面44)距旋转台2的高度相等。这一高度是后面将会提
22到的高度H。但是，突出部5和凸状部4并不一定要一体，分体 也可以。另外，图2及图3表示凸状部4还留在容器1内但顶板11 被拆下的容器l的内部结构。
在本实施例中，分离区域D的形成方式如下，在构成凸状 部4的扇形板上形成槽部43，并将分离气体喷嘴41 (42)配置 在槽部43中。但也可以将两个扇形板配置在分离气体喷嘴41 (42)的两侧地将这两个扇形板通过螺4丁安装在顶板11的下表 面。
本实施例中，分离气体喷嘴41 ( 42)是朝正下方的、例如 口径为0.5mm的喷出孔，沿喷嘴的长度方向隔开10mm间隔地 排列。此外，反应气体喷嘴31、 32也可采用朝正下方的、例如 口径为0.5mm的喷出孔，沿喷嘴长度方向隔开例如10mm间隔 地排列。
在本实施例中，在容器l内处理直径约300mm的晶圆W的 情况下，凸状部4的沿距4t转台旋转中心140mm的内侧圓弧li (图3)在周向上的长度为例如140mm,沿与旋转台2的凹部24 的最外部相对应的外侧的圓弧lo(图3)在周向上的长度为例如 502mm。此外，沿外侧的圆弧lo的乂人凸状部4的 一侧壁到与槽 部43接近的侧壁在周方向上的长度为约246mm。
此外，凸状部4的下表面，也就是顶面44到旋转台2的表面 的高度h(参照图4A)例如为从约0.5mm到约10mm，最好是 约4mm。》匕夕卜，S走4争台2的專争速i殳定为例3口lrpm ~ 500rpm。 为了确保分离区域D的分离功能，也可以根据处理容器1内的压 力或旋转台2的转速等，例如通过实验等，设定凸状部4的大小 和凸状部4下表面(第1顶面44)到旋转台2的表面的高度h。另
外，分离气体在本实施方式中采用N2气体，但只要分离气体对
氧化硅的成膜不构成影响，也可以采用He或Ar气体等惰性气体
23或氢气等。
图5是表示沿图3中A-A线剖切得到的剖视图的一半，图中 表示凸状部4和与凸状部4形成为 一体的突出部5。参照图5来 看，凸状部4在其外缘具有折曲为L形的折曲部46。由于凸状部 4安装在顶板11上且可连同顶板11一起和容器主体12分离开， 因此，折曲部46和旋转台2之间、及折曲部46和容器主体12之 间存在些许间隙，但折曲部46基本上填满旋转台2和容器主体 12之间的空间，能防止来自反应气体喷嘴31的第l反应气体 (BTBAS)和来自反应气体喷嘴32的第2反应气体(臭氧)穿 过该间隙混合。折曲部46和容器主体12之间的间隙、及折曲部 46和旋转台2之间的些许间隙为与从上述旋转台到凸状部4的 顶面44的高度h大致相同的尺寸。图示的例子中，折曲部46的 与旋转台2的外周面相对的侧壁构成分离区域D的内周壁。
再次参照沿图3所示I-I线的剖视图即图l来看，容器主体12 在与旋转台2外周面相对的容器主体12的内周部上具有凹槽 部。以下，将该凹槽部称为排气区域6。排气区域6的下方设有 排气口61(另一个排气口62参照图3),该排气口61经由另一个 排气口62也能使用的排气管63与真空泵64相连。此外，排气管 63上设有压力调整器65。可对应于相对应的排气口 61、 62,设 置多个压力调整器65。
再次参照图3来看，从上方来看，排气口61配置在第1反应 气体喷嘴31和相对于第1反应气体喷嘴31位于旋转台2的顺时 针旋转方向下游的凸状部4之间。釆用该结构，排气口61实质 上可专用于排出来自第1反应气体喷嘴31的BTBAS气体。另一 方面，从上方来看，排气口62配置在第2反应气体喷嘴32和相 对于第2反应气体喷嘴3 2位于旋转台2的顺时针旋转方向下游 的凸状部4之间。采用该结构，排气口62实质上可专用于排出来自第2反应气体喷嘴32的03气体。因此，这样构成的排气口 61、 62可辅助分离区域D来防止BTBAS气体和03气体混合。
在本实施方式中，容器主体12上设有两个排气口 ，但在其 它实施方式中，也可设置三个排气口。例如，可在第2反应气 体喷嘴32和相对于第2反应气体喷嘴32位于旋转台2顺时针旋 转方向上游的分离区域D之间，追加设置一个排气口。此外， 还可进一步在某处追加设置排气口。在图示例子中，通过将排 气口61、 62设在比旋转台2低的位置上，从真空容器l内周壁和 旋转台2周缘之间的间隙排气，但排气口61、 62也可设在容器 主体12的侧壁上。此外，在将排气口61、 62设在容器主体12 侧壁上时，排气口61、 62的位置可以比41转台2高。在该情况 下，气体沿旋转台2的表面流动，流向位置比旋转台2的表面高 的排气口61、 62。因此，从容器l内的微粒不被吹起这点上， 与排气口设在例如顶板ll上相比更为有利。
如图l、图2及图6所示，旋转台2和容器主体12的底部14 之间的空间设有用作加热部的环状的加热单元7，这样，经由 旋转台2,将旋转台2上的晶圆W加热到工艺制程程序决定的温 度。此外，罩部件71设置为在旋转台2的下方和旋转台2的外周 附近围绕加热单元7 ，设置加热单元7的空间被从加热单元7外 侧的区域区划出来。罩部件71在上端具有凸缘部71a，为了防 止气体流入罩部件71内，将凸缘部71a配置为使旋转台2下表面 和凸缘部之间保持微小间隙。
再次参照图l来看，底部14在环状的加热单元7的内侧具有 隆起部。隆起部的上表面，在旋转台2和隆起部之间及在隆起 部和芯部21之间接近，在隆起部的上表面和旋转台2之间、及 隆起部的上表面和芯部21的里侧表面之间留有些许间隙。此 外，底部14具有旋转轴22穿通的中心孔。该中心孔的内径比旋
25转轴22的直径稍大，具有穿过凸缘部20a与壳体20连通的间隙。 吹扫气体供给管72和凸缘部20a的上部相连。此外，为了吹扫 用来收纳加热单元7的区域，多个吹扫气体供给管73按规定的 角度间隔与加热单元7下方区域相连。
采用这样的结构，通过旋转轴22和底部14中心孔之间的间 隙、芯部21和底部14的隆起部之间的间隙、及底部14的隆起部 和旋转台2的下表面之间的间隙，N2吹扫气体从吹扫气体供给 管72流向加热单元空间。此外，N2气体从吹扫气体供给管73 流向加热单元7下侧的空间。此外，该N2吹扫气体穿过罩部件 71的凸缘部71a和旋转台2的下表面之间的间隙流入排气口 61。 N2吹扫气体的这种方式的流动，在图7中以箭头加以表示。N2 吹扫气体作为分离气体发挥作用，其功能在于，防止第1(第2) 反应气体在旋转台2下方的空间回流而与第2 (第l)反应气体 混合。
参照图7来看，分离气体供给管51和容器l的顶板ll的中心 部相连，从而，作为分离气体的N2气体被供向顶板11和芯部21 之间的空间52。供到该空间52的分离气体穿过突出部5和旋转 台2之间的狭窄间隙50，沿着旋转台2的表面流动，到达排气区 域6。该空间53和间隙50被分离气体充满，因此，反应气体 (BTBAS、 03)不会经由旋转台2的中心部混合。即，本实施 方式的成膜装置为了将第1处理区域P1和第2处理区域P2隔离 开，设置中心区域C,该中心区域C由旋转台2的旋转中心部和 容器1区划出来，具有将分离气体向旋转台2的上表面喷出的喷 出口。另外，在图示的例子中，喷出口相当于突出部5和旋转 台2之间的狭窄的间隙50。
此外，如图2、图3及图8所示，容器主体12的侧壁上形成 有输送口 15。晶圆W经输送口 15通过外部的输送臂10向真空容
26器l中输送或从真空容器l送出。该输送口15上设有闸阀(未图
示)，从而进行该输送口 15的开闭。旋转台2上作为晶圆收纳区 域的凹部24和输送口 15对准，打开闸阀后，通过输送臂10向真 空容器l内输送晶圆W,并将晶圆W从输送臂10放置于凹部24。 为了使晶圆W从输送臂10向凹部24下降，此外，为了将晶圆W 从凹部24上顶起，设有升降销16(图8),升降销通过升降机构
(未图示)，穿过在旋转台2的凹部24上形成的通孔进行升降。 此外，在本实施方式的成膜装置上，设有对装置整体的动 作进行控制的控制部IOO。该控制部100具有由例如计算机构成 的工艺控制器100a、用户接口部100b及存储装置100c。用户接 口部100b具有显示器，其用于显示成膜装置的工作状况；键 盘或触摸屏(未图示)，供成膜装置的操作者选择工艺制程程序， 或由工艺管理者改变工艺制程程序的参数；等。
存储装置100c存储有使工艺控制器100a实施各种工艺的 控制程序、工艺制程程序及各种工艺的参数等。此外，这些程 序具有用于进行例如后述的动作的步骤群。这些控制程序和工 艺制程程序根据来自用户接口部100b的指令，被工艺控制器 100a读取出来并进行实施。此外，这些程序存储在计算机可读 的存储介质100d中，但也可以通过与之对应的输入输出装置
(未图示)装入存储装置100c。计算机可读的存储介质100d 可以是硬盘、CD、 CD-R/RW、 DVD-R/RW、软盘、半导体 存储器等。此外，程序也可通过联网线路向存储装置100c中下 载。
接下来，对本实施方式的成膜装置的动作进行说明。首先， 旋转旋转台2，使凹部24对准输送口 15,打开闸阀(未图示)。 然后，通过输送臂10经由输送口 15向容器1移送晶圆W。晶圆 W通过升降销16进行取送，在将输送臂10从容器1中拔出后，通过由升降机构(未图示)驱动的升降销16，将晶圆W放入凹 部24。上述一连串动作反复进行五次，将五片晶圓W搭载于旋 转台2上。接下来，通过真空泵64将真空容器1内抽到预先设定 的压力。使旋转台2开始沿从上方观察时顺时针的方向旋转。 旋转台2通过加热单元7预先加热到少见定的温度(例如300。C ), 晶圆W通过载置在旋转台2上而受到加热。在晶圆W受到加热， 通过温度传感器(未图示)确认被保持在规定的温度后，通过 第1反应气体喷嘴31向第l处理区域供给第l反应气体 (BTBAS)，通过第2反应气体喷嘴32向第2处理区域P2供给第 2反应气体(03)。此外，供给分离气体(N2)。
本发明中，参照图9对本实施例的晶圓W的移送进行具体说明。
如图9所示，在本实施例中，旋转台2的凹部24中设有升降 销移动部201,该升降销移动部201用于使移送晶圆W的升降销 16沿上下方向及径向移动。升降销移动部201通过控制轴202, 受来自图3所示控制部100的控制信号控制其动作。升降销移动 部201不仅能使三根升降销16升降，还能使三根升降销16同时 沿径向移动。可以仅使升降销16沿上下方向移动及沿径向移 动，还可以使升降销16和升降销移动部201 —体沿上下方向移 动及沿径向移动。此外，可以仅使升降销16沿上下方向移动， 使升降销16和升降销移动部201 —体沿径向移动，还可以使升 降销16和升降销移动部201 —体沿上下方向移动，仅使升降销 16沿径向移动。
接下来，参照图IO,说明本实施例的晶圓W的移送的顺序。 本实施例中，晶圓W的直径为300mm ,凹部24的直径为 304mm。因此，凹部24比晶圆W直径大4mm。
图IOA是表示通过输送臂IO将晶圆W载置于在旋转台2的凹部24设置的三根升降销16上后的状态的图，即，是表示载置基板的工序结束后的状态的图。输送臂10在将晶圆W置于三根升降销16上后移动到输送口 15侧，因而并未图示。
然后，如图10B所示，使三根升降销16整体下降，使晶圆W与旋转台2的凹部24接近。然后，在使晶圓W下降到进入凹部24内后，停止动作(第l下降移动工序)。在该状态下，晶圆W位于比旋转台2的表面低的位置。
然后，如图10C所示，使晶圓W移动到晶圆W的外周与旋转台2的凹部24的壁面接触或接近的位置(水平移动工序)。晶圓W的外周与旋转台2的凹部24的壁面接触或接近的部分，是凹部24壁面上离旋转台2的中心最远的部分。晶圆W的移动通过使三根升降销16整体向旋转台2的径向外侧方向移动来进行。此时的升降销16的移动仅是沿旋转台2的径向的移动。旋转台2的凹部24的壁面可以为图示的锥状。在这种情况下，与使晶圓W和凹部24壁面接触相比，优选使晶圆W移动到与壁面接近的规定位置。然后，如图10D所示，通过使三根升降销16下降，使晶圓W与旋转台2的凹部24的底部接触、受到载置(第2下降移动工序)。通过以上动作，如图ll所示，将晶圆W载置在旋转台2的凹部24的底部。
晶圓W在沿旋转台2径向的外周方向上，和旋转台2的凹部24的壁面接触或接近。因此，即便旋转台2高速旋转，其离心力也不会使晶圆W和旋转台2的凹部24的壁面强力碰撞，因此，晶圓W发生破裂或出现破缺的可能性极低。因此，可以防止因晶圓W和旋转台2的凹部24的壁面接触而产生孩i粒，并可防止由此引起的装置内环境污染或向成膜的膜中混入杂质。
该晶圆W的移送是通过使旋转台2间歇地旋转而进行的，旋转台2的五个凹部24内分别载置晶圆W。接下来，通过真空泵64将真空容器1内抽为预设的压力，同时使旋转台2顺时针旋转并利用加热单元7加热晶圆W。详细而言，i走转台2^皮加热单元7预先加热到例如300°C ，晶圆W载置于该旋转台2上而被加热。通过未图示的温度传感器，确认晶圆W的温度为设定温度后，从第l反应气体喷嘴31及第2反应气体喷嘴32分别喷出BTBAS气体及Os气体，从分离气体喷嘴41、 42喷出作为分离气体的
N2气体。
在晶圆W穿过第1反应气体喷嘴31下方的第1处理区域P1时，BTBAS分子吸附在晶圓W的表面上，在晶圓W穿过第2反应气体喷嘴32下方的第2处理区域P2时，03分子吸附在晶圆W的表面上，通过Os氧化BTBAS分子。因此，晶圓W在旋转台2的旋转带动下，通过区域P1、 P2二者一次后，晶圆W表面上.形成一层氧化硅分子层。接下来，晶圆W交替多次穿过区域P1、P2,在晶圆W的上表面沉积有规定膜厚的氧化硅膜。在沉积规定膜厚的氧化硅膜后，停止供给BTBAS气体和臭氧气体，使旋转台2停止旋转。此外，晶圆W通过输入动作的反向动作，由输送臂10依次从容器1送出。
通过旋转台2的旋转，晶圓W交互穿过设有第1反应气体喷嘴31的第l处理区域P1和设有第2反应气体喷嘴32的第2处理区域P2。由此，BTBAS气体吸附于晶圆W，然后，03气体吸附于晶圆W,氧化BTBAS分子，形成一层或多层氧化硅分子层。从而，依次沉积氧化硅的分子层，形成规定膜厚的氧化硅膜。
此外，在上述成膜动作中，还从分离气体供给管51供给作为分离气体的N2气体，由此，从中心区域C，也就是从突出部5和旋转台2之间的间隙50沿着旋转台2的表面喷出N2气体。在本实施方式中，第2顶面45下方的空间，也就是配置反应气体喷嘴31(32)的空间，具有比中心区域C及第1顶面44和旋转台2
30之间的狭窄的空间低的压力。这是因为，与顶面45下方的空间相邻地设置排气区域6，该空间通过排气区域6直接排气。此外，也是因为，狭窄的空间形成为能利用高度h保持配置反应气体喷嘴31 ( 32)的空间之间或第l (第2)处理区域P1 ( P2)和狭窄的空间之间的压力差。
接下来，对气体从气体喷嘴31、 32、 41、 42向容器1内供给的流动方式，参照图12进行说明。图12是示意性地表示流动方式的图。如图所示，从第2反应气体喷嘴32喷出的部分03气体的一部分与旋转台2的表面(及晶圆W的表面)冲突，沿着该表面向与i走转台2的旋转方向相反的方向流动。接下来，该03气体被从旋转台2的旋转方向上游侧流出的N2气体推回，向旋转台2的周缘和真空容器1的内周壁方向改变方向。最后，03气体流入排气区域6 ，被通过排气口 6 2从容器1排气。
从第2反应气体喷嘴32喷出的03气体的剩余部分与旋转台2的表面(及晶圆W上表面)冲突，沿其表面向旋转台2的旋转方向的同向流动。该部分03气体主要受到,人中心区域C流出的N2气体和通过排气口 62的吸引力作用，向排气区域6流动。另一方面，该部分的03气体的少量部分向相对于第2反应气体喷嘴32而言位于旋转台2旋转方向下游侧的分离区域D流动，能进入顶面44和旋转台2之间的间隙。但是，该间隙的高度h"i殳定为谋求在成膜条件下阻止气体流入该间隙的高度，因此，能阻止03气体进入该间隙。即便有少量03气体流入该间隙，这些03气体也不会流入分离区域D的深处。流入间隙的少量03气体被从分离气体喷嘴41喷出的分离气体推回。因此，如图9所示，实质上在旋转台2的表面沿旋转方向流动的全部O 3气体都会流向排气区域6，被从排气口62排气。
同样地，从第1反应气体喷嘴31喷出、向与旋转台2的旋转方向相反的方向、沿旋转台2的表面流动的部分BTBAS气体，被防止流入相对于第l反应气体喷嘴31而言位于旋转方向上游侧的凸状部4的顶面44和旋转台2之间的间隙。即便少量BTBAS气体流入其中，也会被从分离气体喷嘴41喷出的N2气体推回。推回的BTBAS气体和来自分离气体喷嘴41的N2气体同从中心区域C喷出的N2气体一起，向旋转台2的外周缘和容器1的内周壁流动，经排气区域6通过排气口 6l排气。
从第1反应气体喷嘴31向下方侧喷出、向与旋转台2的旋转方向同向、沿旋转台2的表面(及晶圆W的表面)流动的BTBAS气体的其它部分不能流入相对于第l反应气体喷嘴31而言位于旋转方向下游侧的凸状部4的顶面44和;旋转台2之间。即i更少量BTBAS气体流入，其也会被从分离气体喷嘴42喷出的N2气体推回。推回的BTBAS气体，和来自分离区域D的分离气体喷嘴42的N2气体、从中心区域C喷出的N2气体一起，向排气区域6流动，由排气口61排气。
如上所述，分离区域D可以阻止BTBAS气体或Os气体流入分离区域D,或者能充分减少流入分离区域D的BTBAS气体或03气体的量，或者可将BTBAS气体或Os气体推回。仅吸附在晶圆W上的BTBAS分子和03分子被允许穿过分离区域D，以供膜的沉积。
此外，如图7及图12所示，由于从中心区域C向旋转台2的外周缘喷出分离气体，因此，第1处理区域P1的BTBAS气体(第2处理区域P2的Os气体)不会流入中心区域C。即便第l处理区域P1的少量BTBAS(第2处理区域P2的03气体)流入中心区域C，该BTBAS气体(03气体)也会被N2气体推回，可阻止第l处理区域P1的BTBAS气体(第2处理区域P2的03气体)穿过中心区域C流入第2处理区域P2 (第1处理区域P1)。此外，也可阻止第1处理区域P1的BTBAS气体(第2处理区域P2的Os气体)穿过旋转台2和容器主体12内周壁之间的空间而流入第2处理区域P2 (第1处理区域P1)。这是因为，折曲部46从凸状部4向下形成，折曲部46和旋转台2之间的间隙、及折曲部46和容器主体12内周壁之间的间隙在大小上和凸状部4的顶面44到旋转台2的高度h大致相等，从而实质上避免了两个处理区域之间连通。因此，BTBAS气体被从排气口 61排气，03气体被从排气口 62排气，这两种反应气体不会混合。此外，旋转台2下方的空间被从吹扫气体供给管72、 73供给的N2气体进行吹扫。因此，BTBAS气体不会穿过旋转台2下方而流入第2处理区域P2。
至此，成膜处理结束，通过与输入动作相反的动作，通过输送臂10依次将各晶圆送出。
本实施例的成膜装置的优选工艺参数如下-旋转台2的转速 1 ~ 500rpm (晶圆W的直径为300mm的情况下)
容器l的压力 1067 Pa ( 8 Torr),晶圓温度 350°C
■ BTBAS气体的流量 100 sccm
■ 03气体的流量 10000 sccm
,来自分离气体喷嘴41、 42的N2气体的流量 20000 sccm■来自分离气体供给管51的N2气体的流量 5000 sccm-旋转台2的转速 600转每分(由必要膜厚决定)
采用本实施方式的成膜装置，成膜装置在供给有BTBAS气体的第1处理区域和供给有03气体的第2处理区域之间，具有包含较低顶面44的分离区域D,因此，可防止BTBAS气体(03气体)流入第2处理区域P2(第1处理区域P1 ),以及防止BTBAS气体(03气体)和03气体(BTBAS气体)混合。因此，使载 置晶圆W的旋转台2旋转，让晶圆W穿过第1处理区域P1、分离 区域D、第2处理区域P2、及分离区域D, /人而切实地以MLD (ALD )模式实施氧化硅膜的沉积。此外，为了更为切实地防 止BTBAS气体(03气体)流入第2处理区域P2 (第l处理区域 Pl )而和03气体(BTBAS气体)混合，分离区域D还包含喷出 N2气体的分离气体喷嘴41、 42。此外，本实施方式的成膜装置 的真空容器1具有带喷出N2气体的喷出孔的中心区域C,因此， 可以防止BTBAS气体(03气体)穿过中心区域C流入第2处理 区域P2 (第1处理区域P1 )而和03气体(BTBAS气体)混合。 此外，BTBAS气体和03气体不会混合，因此，基本上不向旋转 台2沉积氧化硅，因而，可以减少微粒的问题发生。
另外，在本实施方式的成膜装置中，旋转台2具有五个凹 部24,可在一批次内对载置于对应的五个凹部24的5片晶圆W 进行处理，可以在五个凹部24中之一载置一片晶圆，也可以在 旋转台2上4又形成一个凹部24。
就本发明实施方式的成膜装置中使用的反应气体而言，还 可以釆用DCS ( 二氯硅烷)、HCD(六氯乙硅烷)、TMA (三 曱基铝)、3DMAS (三(二甲基氨基)硅烷)、TEMAZ[(四乙 基甲基氨基)锆]、TEMAH[(四乙基甲基氨基)铪[、Sr(THD) 2[(双四曱基曱基庚二酮酸)锶]、Ti ( MPD ) ( THD ) 2[(曱 基庚二酮双四曱基庚二酮酸)钛]、单氨基硅烷等。
越接近旋转台2外周缘，就作用有越大的离心力，例如， 在接近旋转台2外周缘的部分，BTBAS气体以更大的速度向分 离区域D移动。因此，在接近旋转台2外周缘的部分，顶面44 和旋转台2之间的间隙中流入BTBAS气体的可能性较高。因此， 如果使凸状部4的宽度(沿旋转方向的长度)越靠外周缘就越宽，则可以使BTBAS气体难以进入该间隙。从这一观点出发， 本实施方式中，如上所述，凸状部4优选具有扇形的上表面形状。
以下，再次例示凸状部4 (或顶面44)的尺寸。参照图13A 及图13B来看，顶面44在分离气体喷嘴41 (42)两侧形成狭窄 的空间，在顶面44上，作为与晶圆中心WO所穿过的路径相应 的圆弧的长度L,可以是晶圆W直径长度的约1/ 10~约1/ 1， 优选为约l/6以上。具体而言，在晶圆W直径为300mm时，该 长度L优选为约50mm以上。在该长度L较短时，顶面44和旋转 台2之间的狭窄空间的高度h必须低 一 些，以便能有效地防止反 应气体流入狭窄空间。但是，如果长度L过短，高度h高度极低， 则旋转台2可能会与顶面44碰撞，产生微粒而污染晶圆，或是 可能造成晶圓石皮损。因此，为了避免旋转台2和顶面44碰撞， 需抑制旋转台2振动，或是需要使旋转台2稳定旋转的方案。另 一方面，在既要使长度L较短，又要维持狭窄空间的高度h较大 的情况下，为了防止反应气体流入顶面44和旋转台2之间的狭 窄空间，就不得不降低旋转台2的转速，这在制造生产率这点 上明显不利。从这点来看，顶面44上的在与晶圆中心WO所穿 过的路径相应的圆弧上的长度L优选为约50mm以上。但是，凸 状部4或顶面4 4的尺寸不限于上述尺寸，也可以根据使用的工 艺参数或晶圆尺寸进行调整。此外，狭窄空间只要在高度上能 使分离气体从分离区域D流动到处理区域P1 (P2),如上述说 明所明示的，狭窄空间的高度h不仅可根据所使用的工艺参数 或晶圆尺寸，还可以根据例如顶面44的面积进行调整。
此外，在上述实施方式中，在设在凸状部4上的槽部43中 配置分离气体喷嘴41 (42)，在分离气体喷嘴41 (42)的两侧 配置较低的顶面44。但是，在其它实施方式中，如图14所示，
35可以在凸状部4的内部形成有沿旋转台2的径向延伸的流^各47 来代替分离气体喷嘴41,沿该流路47的长度方向形成多个气体 喷出孔40,进而从这些气体喷出孔40喷出分离气体(N2气体)。
分离区域D的顶面44不限于平坦面，可以如图15A所示地 弯曲为凹面状，或是如图15B所示地形成为凸面形状，或者如 图15C所示地构成为波浪形。
此外，凸状部4也可以是中空的，可以是在中空的内部导 入分离气体的结构。此时，可如图16A、 16B、 16C所示地配置 多个气体喷出孔33。
参照图16A来看，多个气体喷出孔33为分别倾斜的窄缝形 状。这些倾斜窄缝(多个气体喷出孔33)沿旋转台2的径向与 相邻的窄缝局部重叠。图16B中，多个气体喷出孔33都为圆形。 这些圆形的孔(多个气体喷出孔33)整体上看，配置成在旋转 台2径向上延伸且弯曲的线条。图16C中，多个气体喷出孔33 都具有圆弧状窄缝的形状。这些圆弧状窄缝(多个气体喷出孔 33)在旋转台2径向上按规定间隔配置。
此外，在本实施方式中，凸状部4具有大致为扇形的上表 面形状，但在其它实施方式中，也可以是图16D所示的具有长 方形或者正方形的上表面形状。此外，凸状部4也可以如图16E 所示，上表面整体为扇形，并具有凹状弯曲的侧面4Sc。此外， 凸状部4还可以如图16F所示，上表面整体上为扇形，并具有凸 状弯曲的侧面4Sv。再者，可以如图16G所示，凸状部4在旋转 台2 (图1 )旋转方向上游侧的部分为凹状的侧面4Sc,凸状部4 在旋转台2 (图1 )旋转方向下游侧的部分为平面状的侧面4Sf。 另外，在图16D 图16G中，虚线表示在凸状部4上形成的槽部 43(图4A、 4B)。在上述情况下，收纳在槽部43的分离气体喷 嘴41 (42)(图2)从容器l的中央部、例如突出部5 (图l)起延伸。
用于加热晶圆的加热单元7可以取代电阻发热体，采用加
热灯的结构。此外，加热单元7可以不^殳在^:转台2的下方侧， 而是设在旋转台2的上方侧，还可以同时i殳在上下两方侧。
处理区域P1、 P2及分离区域D在其它实施方式中可如图17 所示地配置。参照图17来看，与输送口15相比，用于供给第2 反应气体(例如03气体)的第2反应气体喷嘴32位于旋转台2 旋转方向上游侧，但也可以设置在输送口 15和分离气体供给喷 嘴42之间。即便这样配置，从各喷嘴及中心区域C喷出的气体 基本上也会按图17箭头所示方式流动，可防止两反应气体的混 合。因此，即便这样配置，也可以实现合适的MLD ( ALD )模 式的沉积。
此外，如上所述，可以以使2片扇形板位于分离气体喷嘴 41(42)两侧的方式，在顶板ll下表面通过螺栓安装扇形板， 从而构成分离区域D。图18是表示该结构的俯视图。此时，为 了有效地发挥分离区域D的分离作用，可考虑分离气体和反应 气体的喷出率确定凸状部4和分离气体喷嘴41 (42)之间的距 离以及凸状部4的尺寸。
在上述实施方式中，第1处理区域P1及第2处理区域P2相当 于是具有高于分离区域D顶面44的顶面45的区域。但是，第l 处理区域Pl及第2处理区域P2的至少其 一 也可以在反应气体供 给喷嘴31 (32)两侧具有与旋转台2相对且比顶面45低的其它 顶面。这是为了防止气体流入该顶面和旋转台2之间的间隙。 该顶面比顶面45低，可以是与分离区域D的顶面44等高。图19 表示这样结构的例子。如图所示，扇形的凸状部30配置在用于 供给03气体的第2处理区域P2，反应气体喷嘴32配置于在凸状 部30上形成的槽部(未图示)。换言之，该第2处理区域P2中，气体喷嘴为了供给反应气体而加以使用，但该区域P2也可以采 用和分离区域D相同的结构。另外，凸状部30也可以采用与图 16A 图16C所示例子的中空凸状部相同的结构。
此外，为了在分离气体喷嘴41 (42)两侧形成狭窄空间， 只要设置较低顶面(第l顶面)44即可，在其它实施方式中， 上述顶面、也就是说，比顶面45低、和分离区域D的顶面44大 致等高的较低顶面可以设在反应气体喷嘴31、 32两侧，延伸到 顶面44。换言之，可以在顶板ll的下表面上安装其它的凸状部 400来代替凸状部4。凸状部400为大致呈圆盘状的形状，和旋 转台2大致整个上表面相对，分别收纳气体喷嘴31、 32、 41、 42，具有四个沿径向延伸的槽400a,并在凸状部400的下方， 在凸状部400与旋转台2之间留有狭窄空间。该狭窄空间的高度 可以与上述高度h相同。如果使用凸状部400,则从反应气体喷 嘴31 (32)喷出的反应气体在凸状部400下方(或者狭窄空间 中)向反应气体喷嘴31 ( 32)两侧扩散，从分离气体喷嘴41 (42)喷出的分离气体，在凸状部400下方(或者狭窄空间中) 向分离气体喷嘴41 ( 42)两侧扩散。该反应气体和分离气体在 狭窄空间内汇流，通过排气口61 ( 62)排气。在这种情况下， 从反应气体喷嘴31喷出的反应气体也不会和从反应气体喷嘴 32喷出的反应气体混合，从而可以实施合适的ALD (或MLD ) 模式的沉积。
另外，也可以任意组合图16A 图16C所示的中空的凸状部 4,构成凸状部400,还可以不使用气体喷嘴31、 32、 41、 42 及槽400a，将反应气体及分离气体从相应的中空凸状部4的喷 出孔33分别喷出。
在上述实施例中，用来旋转旋转台2的旋转轴22位于容器1 的中央部。此外，为了防止反应气体穿过中央部彼此混合，由
38分离气体吹扫芯部21和顶板11之间的空间52。但是，容器l在 其它实施方式中也可以是图21所示的结构。参照图21来看，容 器主体12的底部14具有中央开口 ，在该开口中气密地安装收纳 箱80。此外，顶板ll具有中央凹部80a。支柱81载置于收纳箱 80的底面，支柱81的上端部伸到中央凹部80a的底面。支柱81 可防止从第l反应气体喷嘴31喷出的第l反应气体(BTBAS ) 和第2反应气体喷嘴32喷出的第2反应气体(03)经容器l的中 央部4皮此混合。
此外，以与支柱81同轴且围绕支柱81的方式设置旋转套筒 82。旋转套筒82受安装在支柱81外表面的轴承86、 88和安装在 收纳箱80内侧面的轴承87支承。此外，旋转套筒82的外表面安 装有齿轮部85。此外，环状的旋转台2的内周面安装在旋转套 筒82的外表面上。驱动部83收纳在收纳箱80内，从驱动部83 伸出的轴上安装有齿轮84。齿轮84和齿轮部85啮合。采用这样 的结构，旋转套筒8 2和旋转台2受驱动部8 3带动而旋转。
吹扫气体供给管74和收纳箱80底部相连，用于向收纳箱80 供给吹扫气体。从而，为防止反应气体流入收纳箱80内，可将 收纳箱80的内部空间压力维持在比容器l内部空间高。因此， 不会引起收纳箱80内的成膜，可以减少维护的频度。此外，吹 扫气体供给管75分别与从容器l上外面延伸到凹部80a内壁的 导管75a相连，向旋转套筒82上端部供给吹扫气体。由于有该 吹扫气体，所以BTBAS气体和Os气体不会经凹部80a内壁和旋 转套筒82外表面之间的空间混合。图21中图示两个吹扫气体供 给管75和一个导管75a,但供给管75和导管75a的数量可由以能 切实地防止BTBAS气体和03气体在凹部80a的内壁和旋转套 筒82外表面之间的空间附近混合来决定。
图21的实施例中，凹部80a的侧表面和旋转套筒82的上端部之间的空间相当于喷出分离气体的喷出孔，此外，由该分离
气体喷出孔、旋转套筒82及支柱81构成位于真空容器1中心部 的中心区域。
接下来，以别的实施例来对晶圓W移送方法进行说明。
该方法是被称为上装卡的方法，对于具体顺序，参照图22 及图23进行说明。本实施例所使用的晶圆W直径和上述实施例 相同，为300mm,凹部24的直径为304mm。这样，凹部24比 晶圆W大4mm。
如图22A所示，使用构成基板保持臂的作为棒状的保持部 的上装卡臂210、 211,将晶圆W输送到旋转台2的凹部24的正 上方(基板导入工序)。上装卡臂210、 211的上表面的情况表 示在图23A中。输送顺序中，上装卡臂和前述输送臂10相同， 打开未图示的闸阀，从外部通过上装卡臂210、 211穿过输送口 15将晶圆W移动至旋转台2的凹部24上。上装卡臂210上设置有 两个晶圆接触部210a、 210b,该晶圆接触部210a、 210b为用 于固定晶圆W的爪状的基板保持部。上装卡臂211上设有一个 爪状的作为基板保持部的晶圆接触部211a。使晶圓W和该三个 晶圓接触部210a、 210b、 211a接触，通过对晶圆W进行上装卡， 由上装卡臂210、 211保持晶圆W。上装卡臂210、 211能沿上下 方向及旋转台2的径向移动。此外，如将在后面说明的，可(在 图面上的垂直方向上)缩小或增大上装卡臂210、 211间隔。
在作为旋转台2上的凹部24缘部的圆周部分上，设有足够 深的臂用凹部212、 213、 214,使得在将晶圆W载置于旋转台2 的凹部24的底部时，晶圓4妄触部210a、 210b、 211a不和S走转 台2接触。臂用凹部212、 213、 214的深度比旋转台2的凹部24 深。
接下来，如图22B所示，通过使上装卡臂210、 211整体下降，使晶圆W在下降到进入旋转台2的凹部24内后停止(第l下 降移送工序)。该状态下，晶圆W的上表面比旋转台2的上表面
位置低。
接下来，如图22C所示，上装卡臂210、 211沿径向(向纸 面左侧)移动到使晶圆W的外周部和凹部24的壁面接触或接近 的位置(水平移送工序)。晶圆W的外周和旋转台2的凹部24的 壁面接触或接近的部分是凹部24的壁面上离旋转台2中心最远 的部分。此时的升降销16的移动仅是沿旋转台2的径向的移动。 此外，旋转台2的凹部24的壁面可以是如图所示的锥状。这种 情况下，与使晶圓W和凹部24壁面接触相比，优选使晶圆W位 于和凹部24壁面4妄近的少见定位置。
然后，如图22D所示，使上装卡臂210、 211进一步下降(第 2下降移送工序)。具体而言，晶圓W下降到和旋转台2的凹部 24的底部接触的位置停止。在该状态下，由于臂用凹部212、 213、 214足够: 果，因j^匕，晶圆才妄触部210a、 210b、 211a不会 和旋转台2接触。
图23A表示该状态下的旋转台2的上表面。晶圆W在旋转台 2径向外侧和旋转台2的凹部24接触或接近。
然后，如图23B所示，在使上装卡臂210、 211稍向下移动 后，增加上装卡臂210、 211的间隔。具体而言，通过使上装卡 臂210向图中的上方移动，使上装卡臂211向图中下方移动，增 大上装卡臂210、 211的间隔，使晶圓接触部210a、 210b、 211a 移动到离晶圆W足够远的位置。
然后，通过在使上装卡臂210、 211上升后，再向径向外侧 (左方)移动，至此晶圆W的载置结束。
在上述实施例中，不必设置升降销16。此外，由于晶圓W 在旋转台2的外侧的位置，和旋转台2的凹部24的壁面接触或接近，因此，即便旋转台2高速旋转，也不会因离心力而使晶圆W 和旋转台2的凹部24的壁面强力撞击。因此，晶圓W发生破裂 或产生破缺的可能性极低。由此，可以防止因晶圆W和旋转台2 的凹部24的壁面间4妄触产生的出现孩i粒的情况，可以防止由此 引起的装置内的环境污染和向成膜的膜中混入杂质。
另外，在本实施例中，上装卡臂210、 211上所设置的晶圆 接触部210a、 210b、 211a设有三个，但也可以i殳置四个或更 多。
此外，如图24所示，在本实施例中，成膜装置的旋转台2 可以是如下构造，即，作为基板载置部的凹部24的形状为在 凹部24的位于旋转台2外周侧的侧面24a上，作为凹部24入口的 上部24c比凹部24的底面24b更向旋转台2的旋转中心侧突出。 采用该构造，可以防止在旋转台2旋转时，晶圆W在离心力作用 下从凹部24飞出。该作为基^反载置部的凹部24的构造可以适用 于本实施方式的所有的旋转台2。
本发明不限于使用两种反应气体，也可以适用于将三种以 上反应气体依次向基板上供给的情况。在该情况下，例如按第 l反应气体喷嘴、分离气体喷嘴、第2反应气体喷嘴、分离气体 喷嘴、第3反应气体喷嘴及分离气体喷嘴的顺序，在真空容器l 的周向上配置各气体喷嘴，包含各分离气体喷嘴的分离区域可 以以上述的实施方式那样构成。
本发明实施方式的成膜装置可组装在基板处理装置上，其 一例示意性地表示在图25中。基板处理装置包括大气输送室 102，其设有输送臂103;加载互锁真空室(准备室)105,其 可在真空和大气压之间切换内部气氛；输送室106,其设置有 两个输送臂107a、 107b;及本发明实施方式的成膜装置108、 109。此外，该处理装置中还包含用于载置例如FOUP等晶圓盒
42101的盒台(未图示)。晶圆盒101可被送到盒台之一，与盒台 和大气输送室102之间的送入送出口相连。4妄下来，通过开闭 机构(未图示)打开晶圓盒(FOUP) 101的盖，由输送臂103 从晶圆盒101取出晶圆。接下来，向加载互锁真空室104 ( 105 ) 输送晶圆。加载互锁真空室104 ( 105)被排气后，通过输送臂 107a(107b)，穿过真空输送室106，向成膜装置108、 109输 送加载互锁真空室104 ( 105 )内的晶圓。成膜装置108、 109 中，以上述方法在晶圆上沉积膜。基板处理装置具有两个能同 时收纳五片晶圓的成膜装置108、 109，因此可高效地进行ALD (或MLD)模式成膜。
但本发明并不限于上述具体公开的实施例，只要不脱离本 发明的涵盖范围，还可以实施各种变型例和改良例。
权利要求
1.一种成膜装置，在容器内，实施依次向基板供给相互反应的至少两种反应气体的循环，在该基板上生成反应生成物的层，以沉积膜，其特征在于，该成膜装置包括旋转台，其以能旋转的方式设在所述容器中；基板载置区域，其设在所述旋转台的一个面上，用于载置所述基板；第1反应气体供给部，其向所述旋转台的所述一个面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其在所述旋转台的旋转方向上远离所述第1反应气体供给部，且向所述旋转台的所述一个面供给第2反应气体；分离区域，其在所述旋转方向上，位于被供给所述第1反应气体的第1处理区域和被供给所述第2反应气体的第2处理区域之间，分离所述第1处理区域和所述第2处理区域；中央区域，为了将所述第1处理区域和所述第2处理区域隔离开，该中央区域位于所述容器的大致中央，且具有沿所述旋转台的所述一个面喷出第1分离气体的喷出孔；排气口，其用于将所述反应气体与扩散到所述分离区域两侧的分离气体及从所述中央区域喷出的分离气体一起排出；分离气体供给部，其设在所述分离区域，用于供给分离气体；顶面，其设在所述分离区域，位于所述分离气体供给部的所述旋转方向两侧，在该顶面和所述旋转台之间形成狭窄的空间，用于使分离气体从该分离区域流到处理区域侧；升降机构，其用于对设置在所述基板载置部上的所述基板进行升降，所述升降机构相对于所述旋转台不仅能在上下方向上移动，还能在旋转台的径向上移动。
2. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，所述升 降机构包含三根以上的升降销。
3. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，该成膜 装置还包括顶板，其在通过所述分离气体供给部供给第l分离气体的 分离区域，与所述旋转台的形成基板载置部的面相对设置；第2分离气体供给部，其用于从所述旋转台的中央区域， 供给用于将所述第l反应气体和所述第2反应气体隔离开的第2 分离气体；排气口，其设置在比旋转台低的位置，用于将所述第l反 应气体、所述第2反应气体、所述第l分离气体及所述第2分离 气体经所述旋转台的周缘和所述容器内周壁之间的间隙排气。
4. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，该成膜 装置还具有在成膜时使所述旋转台旋转的旋转机构。
5. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，所述基 板载置部以凹状形成在所述旋转台的表面上，所述旋转台的表面和载置于所述基板载置部的所述基板的 表面在同一高度，或者基板表面比旋转台的表面低。
6. 根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，在所述 旋转台的外周侧，相比于所述凹状的底面而言，所述基板载置 部的上部向与所述外周侧相反的方向突出。
7. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，在所述 容器的侧壁上设置有由闸阀开闭的输送口 ，以从所述容器的外 部向所述容器的内部输送所述基板。
8. 根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述输 送口处的所述基板的输送是通过输送臂进行的。
9. 根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，通过使 所述升降销沿所述旋转台的径向移动，在所述旋转台的基板载 置部，将所述基板载置在离旋转台的中心最远的位置。
10. —种成膜装置，在容器内，实施依次向基板供给相互 反应的至少两种反应气体的循环，在该基板上生成反应生成物 的层，以沉积膜，其特征在于，该成膜装置包括旋转台，其设在所述容器内；多个基板载置部，其设在旋转台上，用于在所述旋转台的 同 一个圓周上载置所述基板；第l反应气体供给部，其设在所述容器内的形成有所述基 板载置部的一侧，用于供给第l反应气体；第2反应气体供给部，其设在所述容器内的形成有所述基 板载置部的 一侧，且位于远离所述第l反应气体供给部的位置， 用于供给第2反应气体；第l分离气体供给部，其设置于由第l反应气体供给部供给 第l反应气体的所述第l处理区域和由第2反应气体供给部供给 第2反应气体的所述第2处理区域之间，并供给第l分离气体， 用于将所述第1处理区域和所述第2处理区域隔离开；输送口，其由设在所述容器侧壁的闸阀开闭，以从所述容 器的外部向所述容器的内部输送所述基板；基板保持臂，其在所述输送口输送所述基板，所述基板保持臂由两根棒状的保持部构成， 一个保持部上 设有用于保持所述基板的至少一个基板保持部，在另 一个保持 部上，用于保持所述基板的至少两个基板保持部设在不同的位 置上。
11. 根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，该成 膜装置还包括顶板，其在由所述分离气体供给部供给第l分离气体的分离区域，与所述旋转台的形成基板载置部的面相对设置；第2分离气体供给部，其用于从所述旋转台的中心区域供 给用于将所述第l反应气体和所述第2反应气体隔离开的第2分 离气体；排气口，其设在比所述旋转台低的位置，用于将所述第l 反应气体、所述第2反应气体、所述第l分离气体及所述第2分 离气体经所述旋转台周缘和所述容器内周壁之间的间隙排气。
12. 根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，该成 膜装置还具有用于改变所述基板保持臂的'两根棒状保持部之间 间隔的才几构。
13. 根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，所述 基板保持部具有爪状部，在所述旋转台的所述基板载置部的缘 部，对应于所述爪状部，设有比所述基板载置部深的凹状区域。
14. 根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，该成 膜装置还具有用于在成膜时使所述旋转台旋转的旋转机构。
15. 根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，所述 基板载置部在所述旋转台的表面形成为凹状，所述旋转台的表面和载置于所述基板载置部的所述基板的 表面在同一高度，或者基板表面比旋转台的表面低。
16. 根据权利要求15所述的成膜装置，其特征在于，在所 述旋转台的外周侧，相比于所述凹状的底面，所述基板载置部 的上部向与所述外周侧相反的方向突出。
17. 根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，通过 使所述基板保持臂沿所述旋转台的径向移动，在所述旋转台的 基板载置部，将所述基板载置在离所述旋转台的中心最远的位 置。
18. —种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括真空输送室，其内部配置有基板输送部； 权利要求l所述的成膜装置，其与所述真空输送室气密地 相连；预备真空室，其与所述真空输送室气密地相连，可在真空 气氛和大气气氛之间切换气氛。
19. 一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括真空输送室，其内部配置有基板输送部； 权利要求10所述的成膜装置，其与所述真空输送室气密地 相连；预备真空室，其与所述真空输送室气密地相连，可在真空 气氛和大气气氛之间切换气氛。
20. —种成膜方法，通过多次进行依次向基板表面供给相 互反应的至少两种反应气体的循环，层叠反应生成物，形成薄 膜，其特征在于，从真空容器的外部经输送口输送所述基板，在为了在真空 容器内部的旋转台上载置基板而设置的基板载置部处，将基板 载置于离所述旋转台的中心最远的位置；使所述旋转台旋转；从在所述真空容器内相互分离设置的第l反应气体供给部 及第2反应气体供给部，向旋转台的形成有基板载置部'的面供 给第1反应气体及第2反应气体，并从设置在第l反应气体供给 部和第2反应气体供给部之间的分离气体供给部供给分离气 体，进行成膜。
21. —种成膜方法，通过多次进行依次向基板表面供给相互反应的至少两种反应气体的循环，层叠反应生成物，形成薄 膜，其特征在于，为了对从真空容器外部经输送口输送来的所述基板进行载 置，在旋转台上形成有凹状的基板载置部，在该基板载置部上所设置的升降机构上载置所述基板；在将所述基板载置于所述升降机构上后，使所述升降机构 下降，将所述基板移动到比所述旋转台的表面低的位置；在使所述基板移动后，通过使所述升降机构沿所述旋转台 的径向向所述旋转台的外侧移动，使所述基板与所述基板载置 部的壁面4妄触或4妄近；在使所述升降机构向所述旋转台的径向外侧移动后，使所 述升降机构下降，将所述基板载置于所述基板载置部的底部；在将所述基板载置于所述基板载置部的底部后，使所述旋 转台旋转；从在所述真空容器内相互分离设置的第l反应气体供给部 及第2反应气体供给部，向旋转台的形成有基板载置部的面供 给第l反应气体及第2反应气体，并从设置于所述第l反应气体 供给部和所述第2反应气体供给部之间的分离气体供给部供给 分离气体，进行成膜。
22. —种成膜方法，在从真空容器外部经输送口将基板输 送至所述真空容器后，通过多次进行依次向基板表面供给相互 反应的至少两种反应气体的循环，层叠反应生成物，形成薄膜， 其特征在于，使用具有两根用于保持所述基板的棒状保持部的基板保持 臂，将基板输送至为了载置基板而在旋转台上形成为凹状的基 板载置部的正上方，该基板保持臂在一个保持部上，设有至少 一个用于保持基板的基板保持部，在另一个保持部上，设有至少两个用于保持基板的基板保持部；在输送所述基板后，通过使所述基板保持臂下降，将所述 基板移动至比所述旋转台的表面低的位置；在使所述基板下降后，通过使所述基板保持臂沿所述旋转 台的径向向旋转台的外侧移动，使所述基板与所述基板载置部 的壁面接触或接近；在使所述基板和所述基板载置部的壁面接触或接近后，使 所述基板保持臂下降到所述基板和所述基板载置部的底部接触 的位置；在使所述基板保持臂下降后，使所述旋转台旋转； 从在所述真空容器内相互分离设置的第l反应气体供给部 及第2反应气体供给部，向所述旋转台的形成有所述基板载置 部的面，供给第1反应气体及第2反应气体，并从设置在所述第 l反应气体供给部和所述第2反应气体供给部之间的分离气体 供给部供给分离气体。
全文摘要
本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法，成膜装置包含以可旋转的方式设置在在容器内的旋转台。第1及第2反应气体供给部分别向旋转台的一个面供给第1反应气体及第2反应气体。向位于被供给第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域之间的分离区域，从分离气体供给部喷出第1分离气体。分离区域设有顶面，在顶面和旋转台之间形成有用于使分离气体从分离区域向处理区域一侧流动的狭窄空间。在基板载置部设置有用于升降基板的升降机构。升降机构相对于旋转台而言，既能在上下方向上移动，又能沿旋转台的径向移动。
文档编号C23C16/455GK101665923SQ20091017212
公开日2010年3月10日 申请日期2009年9月4日 优先权日2008年9月4日
发明者本间学 申请人:东京毅力科创株式会社