专利名称：磁盘基板用研磨液组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁盘基板用研磨液组合物以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。
背景技术：
近年来，磁盘驱动器向着小型化和大容量化发展，要求高记录密度化。为了实现高记录密度化，需要缩小单位记录面积，提高变弱的磁信号的检测灵敏度，为此，用于进一步降低磁头的浮起高度的技术开发正在进展。为了应对磁头的低浮起化和确保记录面积，对于磁盘基板在平滑性和平坦性的提高(表面粗糙度、波纹、端面下垂的减少)和缺陷减少 (划痕、突起、凹坑等的减少)方面的要求变得严格。针对上述要求，提出了对作为研磨粒子的胶体二氧化硅的粒径分布进行规定的研磨液组合物以及含有胶体二氧化硅和阴离子性高分子的研磨液组合物(参照例如专利文献1 6)。在专利文献1中公开了一种使用了具有特定的粒径分布的胶体二氧化硅的研磨液组合物，其中记载了 根据该研磨液组合物，通过减小胶体二氧化硅的粒径，使其粒径分布变窄，可以减少存储硬盘用基板的表面粗糙度。在专利文献2中公开了一种具有磺酸基的聚合物玻璃基板用研磨液组合物，其中记载了 根据该研磨液组合物，通过添加具有磺酸基的聚合物，可以改善玻璃基板的表面粗糙度和基板污染。在专利文献3中公开了一种由作为研磨材的胶体二氧化硅、作为研磨阻力减少剂的聚丙烯酸铵盐、作为研磨促进剂的EDTA-Fe盐以及水构成的研磨用组合物，其能够防止研磨时的振动引起的倒角部的损伤和减少缺陷(划痕、凹坑)。在专利文献4中公开了一种含有具有特定粒度分布的圆球状的研磨粒子的研磨液组合物，其中记载了 根据该研磨液组合物，通过使用圆球状粒子，可以改善磁盘基板的表面粗糙度和表面波纹。在专利文献5和6中公开了一种含有金平糖状二氧化硅系微粒的研磨用组合物， 其中记载了 根据该研磨液组合物，通过使用金平糖状二氧化硅微粒，可以改善磁盘基板的生产率(研磨速度)。现有技术文献专利文献1 日本特开2004-204151号公报专利文献2 日本特开2006-167817号公报专利文献3 日本特开2001-155332号公报专利文献4 日本特开2008-93819号公报 专利文献5 日本特开2008-137822号公报专利文献6 日本特开2008-169102号公报
发明内容
发明所要解决的课题但是，为了实现更大的容量化，以往的研磨液组合物还不充分，需要在维持生产率的情况下(不会引起研磨速度下降)进一步减小研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。进而，伴随着大容量化，磁盘的记录方式从水平磁记录方式转向垂直磁记录方式。 水平磁记录方式中为了使磁化方向一致所必需的织构工序在垂直磁记录方式的磁盘制造工序中是不需要的，为了在研磨后的基板表面直接形成磁性层，对基板表面品质的要求特性变得更加严格。以往的研磨液组合物不能充分满足垂直磁记录方式的基板表面所要求的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。专利文献1的研磨液组合物尽管能够减少基板的表面粗糙度，但不能充分满足垂直磁记录方式的基板表面所要求的划痕和表面粗糙度。专利文献4的研磨液组合物尽管能够减少基板的表面粗糙度，但研磨速度不够充分，不能满足生产率。专利文献5和6的研磨液组合物尽管能够改善生产率，但不能充分减少垂直磁记录方式的基板表面所要求的表面粗糙度(特别是表面粗糙度的最大高度Rmax)和划痕。因此，本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下实现研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)的减少的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。用于解决课题的手段本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有胶体二氧化硅和水，其中，所述胶体二氧化硅的Δ CV值为0 10%，这里，八(^值是(^30与CV90的差值(Δ CV = CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述 CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述胶体二氧化硅的CV90值为1 35%，并且所述胶体二氧化硅的从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径为1 40nm。另外，本发明的另一个方案涉及一种磁盘基板的制造方法，其包含使用本发明的磁盘基板用研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。发明效果根据本发明的磁盘基板用研磨液组合物，可以优选地起到如下效果能够在不会大幅损害生产 率和表面粗糙度的情况下，制造划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)得以减少的磁盘基板、特别是垂直磁记录方式的磁盘基板。
具体实施例方式本发明是基于以下认识而完成的在含有胶体二氧化硅的磁盘基板用研磨液组合物中，通过使用特定的胶体二氧化硅，可以将研磨速度维持在不会损害生产率的水平，能够减少研磨后的基板的划痕、表面粗糙度，能够满足记录容量的大容量化的要求。具体地发现，除了以往作为控制对象的平均粒径以外，还着眼于表示粒径分布范围的变异系数的值(CV值)、以及不同的2个检测角下的CV值之差(△ CV值)，通过使用这三个参数来控制胶体二氧化硅，可以大幅减少研磨后的基板的划痕。S卩，本发明的一个方案涉及一种磁盘基板用研磨液组合物(以下也称作本发明的研磨液组合物)，其含有胶体二氧化硅和水，其中，所述胶体二氧化硅的Δ CV值为0 10%,这里，Δ CV值是CV30与CV90的差值(Δ CV = CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述胶体二氧化硅的CV90值为1 35%，并且所述胶体二氧化硅的采用动态光散射法在90°的检测角测得的平均粒径为1 40nm。另外，本发明的另一个方案是基于以下认识而得到的通过并用满足上述三个参数(平均粒径、CV90、以及ACV)的规定的胶体二氧化硅和阴离子性聚合物(具有阴离子性基团的水溶性高分子)，可以在维持研磨中的研磨速度的情况下，进一步减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。即，本发明的另一个方案涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有胶体二氧化硅、具有阴离子性基团的水溶性高分子和水，所述胶体二氧化硅的Δ CV值为0 10%，所述胶体二氧化硅的CV90值为1 35%，并且所述胶体二氧化硅的从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径为 1 40nm。可以推测通过少量添加具有阴离子性基团的水溶性高分子(优选为低分子量的水溶性高分子)，可以抑制研磨中产生的上述二氧化硅凝聚物的生成，并且可以减少研磨时的摩擦振动，从而防止二氧化硅凝聚物从研磨垫的开孔部脱落，由此可以显著减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。不过，本发明不受上述推测机理的限定。再者，本发明的又一个方案是基于以下认识而得到的除了 ACV值以外，通过着眼于圆球率、表面粗糙度、以及通过透射型电子显微镜观察而测定的平均粒径(S2)来控制胶体二氧化硅，可以进一步减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度。即，本发明的又一个方案涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有胶体二氧化硅和水，所述胶体二氧化硅满足全部下述(a) (c)的规定。(a)通过透射型电子显微镜观察而测定的圆球率为0. 75 1(b)由比表面积(SAl)和比表面积(SA2)算出的表面粗糙度(SA1/SA2)的值为1. 3 以上，所述比表面积(SAl)是通过钠滴定法测定的比表面积，所述比表面积(SA2)是由通过透射型电子显微镜观察而测定的平均粒径(S2)换算得到的比表面积(c)所述平均粒径(S2)为1 40nm根据本发明的研磨液组合物，可以起到如下效果能够在不损害生产率的情况下 (不会引起研磨速度下降)，制造划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)得以减少的磁盘基板、特别是垂直磁记录方式的磁盘基板。[ Δ CV 值] 本说明书中，胶体二氧化硅的ACV值是指变异系数(CV)的值(CV30)与变异系数的值(CV90)之差(Δ CV = CV30-CV90)，是表示通过动态光散射法测定的散射强度分布的角度依赖性的值，上述变异系数(CV)的值(CV30)是将从采用动态光散射法在30°的检测角(前方散射)测得的散射强度分布测定的粒径的标准偏差除以从采用动态光散射法在30° 的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，上述变异系数的值 (CV90)是将从采用动态光散射法在90°的检测角(侧方散射)测得的散射强度分布测定的粒径的标准偏差除以从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。Δ CV值具体地可以用实施例中记载的方法来测定。本发明人等发现，在胶体二氧化硅的Δ CV值与划痕数之间存在相关关系，并且在胶体二氧化硅的ACV值与非球状二氧化硅的含量之间存在相关关系。尽管划痕减少的机理还不清楚，但推测，胶体二氧化硅的一次粒子凝聚产生的50 200nm的二氧化硅凝聚体 (非球状二氧化硅)是引起划痕产生的物质，由于该凝聚体少，所以划痕可以减少。S卩，可以认为，通过着眼于ACV值，能够容易地检测以往难以检测的粒子分散液试样中的非球状粒子的存在，所以可以避免使用含有这种非球状粒子的研磨液组合物，其结果可以实现划痕的减少。这里，粒子分散液试样中的粒子是球状还是非球状，一般是采用以通过动态光散射法测定的扩散系数(D= r/q2)的角度依赖性为指标的方法(例如参照日本特开平 10-195152号公报)来判断。具体地说，在用相对于散射矢量q2的r/q2标绘而得到的曲线图中，所示的角度依赖性越小，则判断该分散液中的粒子的平均形状为圆球状，角度依赖性越大，则判断该分散液中的粒子的平均形状为非球状。即，这种以通过动态光散射法测定的扩散系数的角度依赖性为指标的现有方法是假定均勻的粒子在整个体系中分散，再来检测和测定粒子的形状或粒径等的方法。所以，很难检测出在球状粒子占绝大部分的分散液试样中所存在的一部分的非球状粒子。另一方面，根据动态光散射法，当在理论上测定200nm以下的圆球状粒子分散溶液时，散射强度分布与检测角无关，可得到大致恒定的结果，所以测定结果不依赖于检测角。但是，含有非球状粒子的圆球状粒子分散溶液的动态光散射的散射强度分布由于非球状粒子的存在，随着检测角的不同而有大的变化，越低角度的检测角，则散射强度分布变得越宽。因此认为，动态光散射的散射强度分布的测定结果变得依赖于检测角，通过测定作为 “通过动态光散射法测定的散射强度分布的角度依赖性”的指标之一的ACV值，可以测定球状粒子分散溶液中存在的很少的非球状粒子。此外，本发明不限定于上述机理。[散射强度分布]本说明书中，“散射强度分布”是指通过动态光散射法(DLS =DynamicLight Scattering)或准弹性光散射(QLS =Quasielastic Light Scattering)求出的亚微米以下的粒子的三个粒径分布(散射强度、体积换算、个数换算)中的散射强度的粒径分布。通常，亚微米以下的粒子在溶剂中作布朗运动，照射激光时，散射光强度随时间变化(波动)。 例如可以使用光子相关法(JIS Z8826)对该散射光强度的波动求出自相关函数，通过累积 (Cumulant)法解析而算出表示布朗运动速度的扩散系数(D)，再使用爱因斯坦-斯托克斯方程式子求出平均粒径(d 流体力学直径)。另外，粒径分布解析除了根据累积法的多分散性指数(Polydispersity Index, PI)以外，还有直方图法(Marquardt法)、拉普拉斯逆变换法(C0NTIN法)、非负最小二乘法(NNLS法)等。在动态光散射法的粒径分布解析中，通常广泛使用根据累积法的多分散性指数 (Polydispersity Index, PI) 0但是，在能够检出粒子分散液中少量存在的非球状粒子的检测方法中，优选的是由利用直方图法(Marquardt法)或拉普拉斯逆变换法(CONTIN法) 的粒径分布解析求出平均粒径(d50)和标准偏差，算出CV值(变异系数，Coefficient ofvariation,将标准偏差除以平均粒径再乘以100后得到的数值)，使用其角度依赖性 (Δ CV 值)。(参考资料)第12次散射研究会(2000年11月22日举办)文本，1、散射基础讲座“动态光散射法”(东京大学柴山充弘教授)第20次散射研究会(2008年12月4日举办)文本，5、基于动态光散射的纳米粒子的粒径分布测定(同志社大学森康维先生)[散射强度分布的角度依赖性]本说明书中，“粒子分散液的散射强度分布的角度依赖性”是指，在通过动态光散射法在不同的检测角下测定上述粒子分散液的散射强度分布时的对应于散射角度的散射强度分布的变动的大小。例如，如果30°的检测角与90°的检测角的散射强度分布的差较大，则可以说该粒子分散液的散射强度分布的角度依赖性大。因此，在本说明书中，散射强度分布的角度依赖性的测定包括根据求出以不同的2个检测角测定的散射强度分布得到的测定值的差(八喊)。作为散射强度分布的角度依赖性的测定中使用的2个检测角的组合，从提高非球状粒子的检测准确度的观点出发，优选前方散射与侧方或后方散射的组合。作为上述前方散射的检测角，从同样的观点出发，优选0 80°，更优选0 60°，进一步优选10 50°， 更进一步优选20 40°。作为上述侧方或后方散射的检测角，从同样的观点出发，优选 80 180°，更优选85 175°。本发明中，使用30°和90°作为求出ACV值的2个检测角。[胶体二氧化硅]本发明的研磨液组合物中使用的胶体二氧化硅可以是由硅酸水溶液生成的用公知的制造方法等得到的二氧化硅。作为二氧化硅粒子的使用形态，从操作性的观点出发，优选为浆料状。从在不损害生产率的情况下减少划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)的观点以及提高生产率的观点出发，本发明中使用的胶体二氧化硅的ACV值为0 10%，优选为 0.01 10%，更优选为0.01 7%，进一步优选为0. 1 5%。从在不损害生产率的情况下减少划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)的观点出发，本发明中使用的胶体二氧化硅的CV90值为1 35%，优选为5 34%，更优选为 10 33%。此外，本说明书中，CV90值如上所述，是将从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布测定的粒径的标准偏差除以从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布测定的平均粒径再乘以100后得到的变异系数(CV)的值。[平均粒径] 本说明书中的“胶体二氧化硅的平均粒径”是指，从采用动态光散射法测得的散射强度分布得到的平均粒径、或通过透射型电子显微镜观察而测定的平均粒径(S2)，在没有特别指出的情况下，“胶体二氧化硅的平均粒径”是指从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径。上述的平均粒径具体地可以用实施例中记载的方法得到。从在不损害生产率的情况下减少划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)的观点出发，本说明书中使用的胶体二氧化硅的平均粒径(从采用动态光散射法测得的散射强度分布得到的平均粒径)为1 40nm，优选为5 37nm，更优选为10 35nm。另外，从同样的观点出发，通过透射型电子显微镜观察而测定的平均粒径(S2)优选为1 40nm，更优选为5 37nm，进一步优选为10 35nm。[圆球率]本说明书中，胶体二氧化硅的通过透射型电子显微镜观察而测定的圆球率是指通过透射型电子显微镜得到的一个二氧化硅粒子的投影面积(Al)与将该粒子的周长设为圆周的圆的面积(A2)之比即“A1/A2”的值，并优选为本发明的研磨液组合物中的任意的50 100个胶体二氧化硅的“A1/A2”的值的平均值。胶体二氧化硅的圆球率具体地可以用实施例中记载的方法来测定。从在不损害生产率而减少划痕和表面粗糙度的观点出发，本发明的研磨液组合物中使用的胶体二氧化硅的圆球率优选为0. 75 1，更优选为0. 75 0. 95， 进一步优选为0. 75 0. 85。[表面粗糙度]本说明书中，胶体二氧化硅的表面粗糙度是指，通过钠滴定法测定的比表面积 (SAl)与由通过透射型电子显微镜观察而测定的平均粒径(S2)换算的比表面积(SA2)之比艮口“SA1/SA2”的值，具体地用实施例中记载的方法来测定。这里，通过钠滴定法测定的比表面积(SAl)是由对二氧化硅滴定氢氧化钠溶液时的氢氧化钠溶液的消耗量求出的二氧化硅的比表面积，可以说反映了实际的表面积。具体地说，二氧化硅表面的起伏或疙瘩状突起等越多，则比表面积(SAl)越大。另一方面，由通过透射型电子显微镜观察而测定的平均粒径(S2)算出的比表面积(SA2)是假定二氧化硅为理想的球状粒子来算出。具体地说，平均粒径(S2)越大，则比表面积(SA2)越小。比表面积表示每单位质量的表面积，关于表面粗糙度(SA1/SA2)的值，当二氧化硅是球状，并且二氧化硅表面具有越多的疙瘩状突起，则显示越大的值，当二氧化硅表面的疙瘩状突起越少而平滑，则显示越小的值，该值接近于1。从在不损害生产率的情况下减少划痕和表面粗糙度的观点出发，本发明的研磨液组合物中使用的胶体二氧化硅的表面粗糙度优选为1. 3以上，更优选为1. 3 2. 5，进一步优选为1. 3 2. 0。[ACV值的调整方法]作为胶体二氧化硅的ACV值的调整方法，可以列举出不会在研磨液组合物的制备中生成50 200nm的二氧化硅凝聚物(非球状二氧化硅)的下述方法。A)采用研磨液组合物的过滤的方法B)利用胶体二氧化硅制造时的工序管理的方法上述A)中，例如，通过利用离心分离或精密过滤器过滤(日本特开2006-102829 以及日本 特开2006-136996)除去50 200nm的二氧化硅凝聚物，可以降低ACV。具体地说，通过将适度稀释到二氧化硅浓度达到20重量％以下的胶体二氧化硅水溶液在由 stokes式算出的可除去50nm粒子的条件(例如10000G以上、离心管高度约为10cm、2小时以上)下进行离心分离的方法、或使用孔径为0. 05μm或0.1μm的膜滤器(例如ADVANTEC、 住友3M、Millip0re)进行加压过滤的方法等，由此可以降低ACV。
另外，胶体二氧化硅粒子通常可以如下得到1)将低于10重量％的3号硅酸钠和种粒(小粒径二氧化硅)的混合液(种液)加入至反应层中，加热至60°C以上，2)向其中滴加使3号硅酸钠通过阳离子交换树脂而得到的酸性的活性硅酸水溶液和碱(碱金属或季铵)，从而使PH恒定，使球状粒子生长，3)熟化后用蒸发法或超滤法进行浓缩(日本特开昭 47-1964、日本特公平1-23412、日本特公平4-55125、日本特公平4-55127)。但是，有大量报告指出，在相同的制造工艺中如果稍微改变工序，则也可能制造非球状粒子。例如，由于活性硅酸非常不稳定，所以如果有意添加Ca或Mg等多价金属离子，则能够制造细长形状的硅溶胶。进而，通过改变反应层的温度(如果超过水的沸点则蒸发，二氧化硅在气液界面处干燥)、反应层的PH(为9以下时二氧化硅粒子的连结容易发生)、反应层的Si02/M20(M是碱金属或季铵)、以及摩尔比(为30 60时选择性地生成非球状二氧化硅)等，可以制造非球状二氧化硅(日本特公平8-5657、日本特许2803134、日本特开2006-80406、日本特开 2007-153671)。因此，通过在上述B)的公知的球状胶体二氧化硅制造工艺中进行工序管理以避免形成局部生成非球状二氧化硅的条件，可以将ACV调整得较小。调整胶体二氧化硅的粒径分布的方法没有特别限定，可以列举出通过在其制造阶段的粒子的生长过程中添加可形成新的核的粒子来得到所期望的粒径分布的方法；以及通过混合具有不同粒径分布的2种以上的二氧化硅粒子来得到所期望的粒径分布的方法等。从提高研磨速度的观点出发，本发明的研磨液组合物中的胶体二氧化硅粒子的含量优选为0. 5重量％以上，更优选为1重量％以上，进一步优选为3重量％以上，更进一步优选为4重量％以上，另外，从进一步提高基板表面的平坦性的观点出发，上述含量优选为 20重量％以下，更优选为15重量％以下，进一步优选为13重量％以下，更进一步优选为10 重量％以下。即，上述二氧化硅粒子 的含量优选为0.5 20重量％，更优选为1 15重量％，进一步优选为3 13重量％，更进一步优选为4 10重量％。[具有阴离子性基团的水溶性高分子]从减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)的观点出发，本发明的研磨液组合物优选含有具有阴离子性基团的水溶性高分子(以下也称作阴离子性水溶性高分子)。据推测，该高分子可以减小研磨时的摩擦振动，防止二氧化硅凝聚体从研磨垫的开孔部脱落，可以减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。作为阴离子性水溶性高分子的阴离子性基团，可以列举出羧酸基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基、膦酸基等。其中，从减少划痕的观点出发，优选为具有羧酸基和/或磺酸基的阴离子性水溶性高分子。另外，这些阴离子性基团也可以是被中和的盐的形态。作为具有羧酸基和/或磺酸基的水溶性高分子，可以列举出具有选自由具有羧酸基的单体得到的结构单元和由具有磺酸基的单体得到的结构单元中的至少一种结构单元的(共)聚合物或其盐。作为具有羧酸基的单体，可以列举出例如衣康酸、(甲基)丙烯酸、马来酸等。作为具有磺酸基的单体，可以列举出例如异戊二烯磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、苯乙烯磺酸、甲代烯丙基磺酸、乙烯基磺酸、烯丙基磺酸、异戊烯磺酸、 萘磺酸等。阴离子性水溶性高分子中也可以含有由具有羧酸基的单体得到的结构单元和由具有磺酸基的单体得到的结构单元的各2种以上。其中，作为阴离子性水溶性高分子，从在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)的观点出发，优选具有由下述通式(1)表示的结构单元的聚合物。
权利要求
1.一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有胶体二氧化硅和水，其中，所述胶体二氧化硅的Δ CV值为O 10%，这里，八(^值是(^30与(^90之差的值即 ACV = CV30-CV90，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述胶体二氧化硅的CV90值为1 35%，并且所述胶体二氧化硅的从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径为1 40nm。
2.根据权利要求1所述的磁盘基板用研磨液组合物，其进一步含有具有阴离子性基团的水溶性高分子。
3.根据权利要求2所述的磁盘基板用研磨液组合物，其中，具有阴离子性基团的水溶性高分子是具有由下述通式(1)表示的结构单元的聚合物，— R ——υ—4—L (1)H I _ 2 COOXj式中，R是氢原子、甲基或乙基，X是氢原子、碱金属原子、碱土类金属原子(1/2原子)、 铵或有机铵。
4.根据权利要求2所述的磁盘基板用研磨液组合物，其中，具有阴离子性基团的水溶性高分子是具有由下述通式(2)表示的结构单元的聚合物， 式中，M是氢原子、碱金属原子、碱土类金属原子(1/2原子)、铵或有机铵，η为1或2。
5.根据权利要求2所述的磁盘基板用研磨液组合物，其中，具有阴离子性基团的水溶性高分子是苯乙烯/异戊二烯磺酸共聚物。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的磁盘基板用研磨液组合物，其中，所述胶体二氧化硅满足下述(a) (c)的规定(a)通过透射型电子显微镜观察而测定的圆球率为0.75 1 ；(b)由比表面积SAl和比表面积SA2算出的表面粗糙度即SA1/SA2的值为1.3以上，所述比表面积SAl是通过钠滴定法测定的比表面积，所述比表面积SA2是由通过透射型电子显微镜观察而测定的平均粒径S2换算得到的比表面积；(c)所述平均粒径S2为1 40nm。
7.—种磁盘基板的制造方法，其包含使用权利要求1 6中任一项所述的磁盘基板用研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。
8.根据权利要求7所述的磁盘基板的制造方法，其中，基板是镀覆有M-P的铝合金基板。
全文摘要
本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔCV值为0～10％的胶体二氧化硅和水，所述ΔCV值是CV30与CV90之差的值(ΔCV＝CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。
文档编号B24B37/04GK102209765SQ200980144360
公开日2011年10月5日 申请日期2009年11月4日 优先权日2008年11月6日
发明者佐藤宽司, 土居阳彦, 大岛良晓, 山口哲史, 浜口刚吏 申请人:花王株式会社