专利名称：连续真空镀膜方法
技术领域：
本发明涉及一种真空镀膜方法，尤其涉及一种连续真空镀膜方法。
背景技术：
PVD镀膜由于其环保性及其所镀膜层极佳的耐磨性和化学稳定性以及具金属光泽的外观性，近年来得到了更广泛的应用与推广。目前PVD镀膜常用的方法有蒸镀、溅镀及阴极电弧镀，其中阴极电弧镀的沉积速率较快，形成的膜层的附着力较佳。为了形成多层或复合的PVD膜层，有时需要更换靶材或镀膜方式，因而需要对不同的镀膜设备多次抽真空及破真空(通常一次抽真空与一次破真空需耗时约2小时)，如此一来一方面加长了工艺流程，降低了加工效率，另一方面在更换靶材或变换镀膜设备时，镀膜中间产品频繁暴露于大气环境中，破坏了中间膜层的质量。为此，连续镀膜设备应运而生，以在不需要多次抽真空及破真空的状况下，实现多层膜或复合膜的制备。然而目前的连续镀膜方法中采用的镀膜方式为蒸镀或溅镀，存在镀膜的速率较慢、所镀膜层的附着力不高的问题。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种镀膜速率快，膜层的附着力高的连续真空镀膜方法。一种连续真空镀膜方法，其包括如下步骤提供一基体；将该基体装载于一连续真空镀膜机中，该连续真空镀膜机的镀膜室设有阴极电弧发射源；以阴极电弧镀的方式在该基体的表面沉积一镀膜层。相较于现有技术，所述的连续真空镀膜方法以阴极电弧镀的方式对基体进行连续镀膜，其一方面可避免多次抽真空及破真空，缩短了工艺流程，提高了加工效率，保证了膜层质量，另一方面利用了阴极电弧镀的沉积速率快的优点，可进一步提高镀膜的效率，同时以阴极电弧镀的方法形成的镀膜层于基体表面的附着力高，提高了镀膜质量。
图1是本发明一较佳实施方式的连续真空镀膜机的简单示意图。主要元件符号说明连续真空镀膜机10装载室1第一预抽室2第一缓冲室3镀膜室4真空腔4a
真空腔4b真空腔4c第二缓冲室5第二预抽室6卸载室具体实施例方式本发明ー较佳实施方式的连续真空镀膜方法包括如下步骤提供一基体。该基体的材质可为金属、陶瓷或玻璃。将该基体装载于ー连续真空镀膜机10中，以阴极电弧镀的方式在该基体的表面 沉积ー镀膜层。请參阅图1，所述连续真空镀膜机10包括依次连接的一装载室1，一第一预抽室2， 一第一缓冲室3，镀膜室4，一第二缓冲室5，一第二预抽室6，及一卸载室7。所述镀膜室4 可为单ー的真空腔结构或为若干个真空腔的串联结构。本发明较佳实施方式的镀膜室4包 括三个相互串联的真空腔如，4b，及如。该真空腔如，4b，及如中分别设置有阴极电弧发射 源。沉积所述镀膜层可包括如下步骤打开装载室1，将基体送入该装载室1中进行装载，然后关闭装载室1。打开第一预抽室2，将基体送入该第一预抽室2中，然后关闭第一预抽室2，进行空 气预抽达到要求的真空度。 打开第一缓冲室3，将基体送入该第一缓冲室3中。该第一缓冲室3与第一预抽室 2实现了气体隔离，消除了基体送入对镀膜室4的影响。基体依次进入真空腔如，4b，及如，进行镀膜层的沉积。该镀膜层可包括依次形成 于基体表面的结合层、保护层及颜色层。所述结合层可为一 Zr层，其于真空腔如中镀成。 所述保护层可为一 Zr-C-O层，其于真空腔4b中镀成。所述颜色层可为一 Ti-N-C层，其于 真空腔4c中镀成。镀制所述结合层的エ艺參数可为以锆(Zr)为靶材，接入靶材的电流为 100-500A，通入惰性气体氩气(Ar)的流量为450-550sCCm(标准状态毫升/分钟)，真空腔 4a的温度为130-170°C，沉积时间约1-2分钟。镀制所述保护层的エ艺參数可为以锆(Zr)为靶材，接入靶材的电流为 100-500A，通入惰性气体氩气(Ar)的流量为450-550sCCm，反应性气体乙炔(C2H2)的流量 为95-105SCCm、氧气(O2)的流量为45-55SCCm，真空腔4b的温度为130_170°C，沉积时间约 1-2分钟。镀制所述颜色层的エ艺參数可为以钛(Ti)为靶材，接入靶材的电流为 100-500A，通入惰性气体氩气(Ar)的流量为450-550sCCm，反应性气体乙炔(C2H2)的流量 为95-105SCCm、氮气(N2)的流量为45-55SCCm，真空腔如的温度为130_170°C，沉积时间约 1-2分钟。完成镀制所述镀膜层后，打开第二缓冲室5，将所述形成有镀膜层的基体送入该第 ニ缓冲室室5中。该第二缓冲室室5与第二预抽室6实现了气体隔离，消除了基体送出对镀膜室4的影响。打开第二预抽室6，将形成有镀膜层的基体由第二缓冲室5送入该第二预抽室6 中。对该第二预抽室6充入一定量的大气，达到一定的压强后将所述形成有镀膜层的基体送至卸载室7。形成有镀膜层的基体在卸载室7进行卸载，完成镀膜。相较于现有技术，所述的连续真空镀膜方法以阴极电弧镀的方式对基体进行连续镀膜，多层膜或复合膜可一次性镀成，可避免多次抽真空及破真空，缩短了工艺流程，提高了加工效率，保证了膜层质量；另一方面该连续真空镀膜方法利用了阴极电弧镀的沉积速率快的优点，可进一步提高镀膜的效率，同时以阴极电弧镀的方法形成的镀膜层于基体表面的附着力高，提高了镀膜质量。
权利要求
1.一种连续真空镀膜方法，其包括如下步骤 提供一基体；将该基体装载于一连续真空镀膜机中，该连续真空镀膜机的镀膜室设有阴极电弧发射源；以阴极电弧镀的方式在该基体的表面沉积一镀膜层。
2.如权利要求1所述的连续真空镀膜方法，其特征在于所述连续真空镀膜机包括依次连接的一装载室，一第一预抽室，一第一缓冲室，镀膜室，一第二缓冲室，一第二预抽室， 及一卸载室。
3.如权利要求2所述的连续真空镀膜方法，其特征在于所述镀膜室包括若干个相互串联的真空腔。
4.如权利要求3所述的连续真空镀膜方法，其特征在于所述镀膜室包括三个相互串联的真空腔。
5.如权利要求1所述的连续真空镀膜方法，其特征在于所述镀膜层包括依次形成于基体表面的结合层、保护层及颜色层。
6.如权利要求5所述的连续真空镀膜方法，其特征在于所述结合层为一ττ层。
7.如权利要求5所述的连续真空镀膜方法，其特征在于所述保护层为一灶-C-O层。
8.如权利要求5所述的连续真空镀膜方法，其特征在于所述颜色层为一Ti-N-C层。
9.如权利要求1所述的连续真空镀膜方法，其特征在于所述基体的材质为金属、陶瓷或玻璃。
全文摘要
本发明提供一种连续真空镀膜方法。该方法包括如下步骤提供一基体；将该基体装载于一连续真空镀膜机中，该连续真空镀膜机的镀膜室设有阴极电弧发射源；以阴极电弧镀的方式在该基体的表面沉积一镀膜层。
文档编号C23C14/56GK102337510SQ20101023473
公开日2012年2月1日 申请日期2010年7月23日 优先权日2010年7月23日
发明者张新倍, 戴龙文, 蒋焕梧, 陈文荣, 陈正士 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司