本发明涉及一种镀膜设备及方法，特别是一种单管直流溅射镀膜方法及其设备。
背景技术：
目前建筑玻璃LOWE镀膜的溅射方式主要有平面直流溅射，双管旋转交流溅射。在此两种方法中，平面溅射设备投资成本低，但溅射效率只有30％，且对非金属材料溅射效果不好；而双管旋转交流溅射效率高，但设备投资较高。
技术实现要素：
本发明所解决的技术问题是提供一种通过改进生产设备，可大幅度节省设备投资却不影响溅射效果的单管直流溅射镀膜方法及其设备。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:所使用设备包括：直流电源和单管旋转阴极；所述单管旋转阴极结构包括：阴极靶材，所述阴极靶材安装在一对旋转端头上，旋转端头连接在阴极盖板下方，阴极盖板一端设有电源接口，冷却水接口，控制回路接口和供气接口；电源接口上连接直流电源；阴极盖板内设有气体流量计，上部供气口，控制部分和旋转电机。本发明所采取的镀膜方法步骤为：1.本体真空达到8E-6mbar；2.打开直流电源，给单管旋转阴极通水通电；3.打开旋转；4.输入1500-2500SCCM氩气Ar，使其真空达到3～5E-3bar；5.点燃靶材；6.增加靶材功率到20至40KW之间；7.输入玻璃，进行镀膜。本发明的积极效果是：与双管交流溅射相比：节约投资，需要的端头，磁钢，靶材，靶材冷却设备只有双管交流溅射的一半，可节省设备投资50％；产品质量好，靶材利用效率更高。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。图1单管直流溅射镀膜玻璃设备示意图。图中：1直流电源2电源接口3冷却水接口4控制回路接口5旋转端头6阴极靶材7阴极盖板8供气接口9气体流量计10上部供气口11控制部分12旋转电机具体实施方式如图1所示，本发明设备主要由直流电源1和单管旋转阴极组成；其中，单管旋转阴极结构包括：阴极靶材6，所述阴极靶材6安装在一对旋转端头5上，旋转端头5连接在阴极盖板7下方，阴极盖板7一端设有电源接口2，冷却水接口3，控制回路接口4和供气接口8；电源接口2上连接直流电源1；阴极盖板7内设有气体流量计9，上部供气口10，控制部分11和旋转电机12。本发明所述的单管直流溅射方法如下：1.本体真空达到8E-6mbar；2.打开直流电源，给单管旋转阴极通水通电；3.打开旋转；4.输入1500至2500SCCM氩气Ar，使其真空达到3至5E-3bar；5.点燃靶材；6.增加靶材功率到20至40KW之间；7.输入玻璃，进行镀膜。下面给出实施例对本发明进行进一步说明：第一实施例：真空达到3E-3bar，靶材功率为20KW，工艺气体氩气输入量为1500sccm，产品为单银产品，该单银产品依次设置的浮法原片、基层过度层，第一介质层、由金属构成的第一阻挡层、银层、由金属构成的第二阻挡层、第二介质层和顶层。其中，第一介质层ZnO或ZnSnOx，,膜层厚度为5nm～20nm。采用单管直流溅射，第二介质层：ZnO或ZnSnOx，膜层厚度为10nm～25nm。采用单管直流溅射。其镀膜方法为：1.本体真空达到8E-6mbar；2.打开直流电源，给单管旋转阴极通水通电；3.打开旋转；4.输入1500SCCM氩气Ar，使其真空达到3E-3bar；5.点燃靶材；6.增加靶材功率到20kw；7.输入玻璃，进行镀膜。第二实施例：真空达到5E-3bar，靶材功率为40KW，工艺气体氩气输入量为2500sccm产品为单银产品，该单银产品依次设置的浮法原片、基层过度层，第一介质层、由金属构成的第一阻挡层、银层、 由金属构成的第二阻挡层、第二介质层和顶层。其中，第一介质层ZnO或ZnSnOx，,膜层厚度为5nm～20nm。采用单管直流溅射，第二介质层：ZnO或ZnSnOx，膜层厚度为10nm～25nm。采用单管直流溅射。其镀膜方法为：1.本体真空达到8E-6mbar；2.打开直流电源，给单管旋转阴极通水通电；3.打开旋转；4.输入2500SCCM氩气Ar，使其真空达到5E-3bar；5.点燃靶材；6.增加靶材功率到40kw；7.输入玻璃，进行镀膜。采用该设备及方法溅射出镀膜玻璃与双管溅射出镀膜玻璃对比如下：产品光学性能对比如下:可见光透过率DeltaT＝0.8％；可见光玻璃面DeltaR＝0.5％；可见光玻璃面色坐标DeltaE＝0.9；玻璃的辐射率基本无变化；后续工序对外观性能的影响，机械性能:与双管溅射对比无差别。