专利名称：一种光电材料的制备方法
技术领域：
本发明涉及的是光电材料领域，具体涉及ー种ZnO薄膜光电材料的制备方法。
背景技术：
不同的制备方法制备的ZnO薄膜其结构和发光特性有着很大的不同。ZnO薄膜常用的制备方法有物理和化学两大类，物理方法主要有溅射法、脉冲激光烧蚀法和蒸发法等；化学方法主要有化学汽相淀积法(CVD)和喷吐高温分解法等。但是这些方法生长的ZnO薄膜通常为多晶结构，缺陷较多，必须再通过高温退火改善薄膜的结构，使薄膜具有好的发光特性。若药制造出质量高的单晶材料，所用设备和衬底材料昂贵，成本太高；而传统的这些方法制备的ZnO用来制造激光器，也具有一定的缺陷。
发明内容
针对现有技术上存在的不足，本发明目的是在于提供一种光电材料的制备方法，它的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀，然后关闭真空室，先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8X 104Pa ； (4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。所述的制备方法(I)中衬底材料通过去离子水冲洗干净。所述的制备方法(3)中衬底需要加热时，在抽取真空的同时，使衬底达到预定的温度。本发明的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。
具体实施例方式为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式
，进ー步阐述本发明。本具体实施方式
采用以下技术方案它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀，然后关闭真空室，先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8X104Pa ;(4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。值得注意的是，所述的制备方法(I)中衬底材料通过去离子水冲洗干净。
值得注意的是，所述的制备方法(3)中衬底需要加热时，在抽取真空的同时，使衬底达到预定的温度。本具体实施方式
的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变 化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求
1.一种光电材料的制备方法，其特征在于，它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀，然后关闭真空室，先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8X104Pa ;(4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。
2.根据权利要求I所述的一种光电材料的制备方法，其特征在于，所述的制备方法(I)中衬底材料通过去离子水冲洗干净。
3.根据权利要求I所述的一种光电材料的制备方法，其特征在于，所述的制备方法(3)中衬底需要加热时，在抽取真空的同时，使衬底达到预定的温度。
全文摘要
本发明公开了一种光电材料的制备方法，具体涉及光电材料领域。它的制备方法为(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用；(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上，保持良好的面接触以便热传导均匀,然后关闭真空室,先打开电源，再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空；(3)开始使用分子泵工作，抽吸使其可达到系统的基础真空8×104Pa；(4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值，再引入氩气；(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射，最后进行溅射制备薄膜。它的薄膜质量高，性能优越，能够制造出质量高的激光器。
文档编号C23C14/34GK102851644SQ20121032895
公开日2013年1月2日 申请日期2012年9月7日 优先权日2012年9月7日
发明者郭荔辉 申请人:昆山铭佳利电子制品有限公司