一种真空镀膜装置及方法
【专利摘要】本发明公开了一种真空镀膜装置及方法，该方法包括：步骤一，将待蒸镀基板的膜面与掩膜板相对设置，待蒸镀基板的膜面上包括至少一个蒸镀区域，掩膜板的图形区尺寸小于任一蒸镀区域尺寸；步骤二，使掩膜板与第一蒸镀区域对位；步骤三，将掩膜板的图形区与蒸发源相对设置，在所述掩膜板和所述蒸发源之间对应设置蒸镀挡板，驱动待蒸镀基板与掩膜板之间相对移动，完成第一蒸镀区域的镀膜。本发明使用尺寸小于一个蒸镀区域的掩模板，通过控制掩膜板和蒸镀区域之间相对移动，分步完成一个蒸镀区域的蒸镀。既可以保证真空蒸镀所使用的掩膜板的小尺寸，同时能够满足大尺寸显示器模组的生产要求。
【专利说明】一种真空镀膜装置及方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜形成【技术领域】，特别涉及一种真空蒸镀装置及方法。
【背景技术】
[0002]目前，在光电及显示领域，特别是有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode, 0LED)、有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, OTFT)等器件制造领域，有机小分子真空蒸镀的不均匀性、蒸镀掩模板(Mask)强度及精确度的要求等因素制约了OLED显示技术往大尺寸方向的发展。现有技术的真空蒸镀装置中，蒸发源无论采用点蒸发源、线蒸发源、或面蒸发源等，一般均为一步式真空蒸镀，即各层薄膜均一次性蒸镀到整个基板上。
[0003]图1为现有技术的真空蒸镀装置的剖面结构示意图，包括:用于移动及承载基板I的基板驱动机构(图未不);用于移动及承载掩膜板3的掩模板驱动机构(图未不);用于对基板I和掩模板3进行对位的对位机构(图未示)；蒸发源4。其中，待蒸镀基板I膜面朝下，掩膜板3位于基板I下方，蒸发源4位于掩膜板3下方。基板I表面形成有图形区2 ；
[0004]图2为现有技术的基板结构的俯视图，包括:基板I ;形成在基板I表面的图形区2 ;基板上对位标记(Mark) 5。其中，基板上对位标记5位于图形区2外侧。
[0005]图3为现有技术的掩膜板结构的俯视图，包括:掩膜板图形区6 ;掩膜板边框区7 ；掩膜板上对位标记8。其中，掩膜板上对位标记8位于掩膜板边框区7，掩膜板图形区6与基板图形区2尺寸相同。
[0006]蒸镀时，基板驱动机 构将基板I移动至掩模板3上方；掩膜板上对位标记8与基板上对位标记5通过对位机构进行对位；打开蒸发源4，蒸镀气体向上蒸发至基板I表面，并沉积为与掩模板开口区图形一致的薄膜。
[0007]现有技术的一步式真空蒸镀装置主要存在以下缺陷:
[0008]随着基板的大尺寸化，一步式真空蒸镀难以在大尺寸范围内保证薄膜厚度的均匀性；
[0009]一步式真空蒸镀要求掩模板图形区与基板的图形区尺寸一致，由于掩模板强度及精确度的要求，随着基板的大尺寸化，掩模板的制作难度不断加大。
[0010]为了解决上述问题， 申请人:申请的一份申请号为201120238890.1的中国实用新型专利提供了一种真空蒸镀装置，可对大尺寸基板进行分步式真空蒸镀，缩小了蒸镀掩模板尺寸。虽然该专利在真空蒸镀时将大尺寸基板的蒸镀区域划分为若干个蒸镀子区域，进行分步式真空蒸镀以缩小蒸镀掩模板尺寸、在大尺寸范围内保证薄膜厚度的均匀性，但是在对每一个蒸镀子区域进行蒸镀时蒸镀掩膜板尺寸仍与其对应的蒸镀子区域的大小相同，蒸镀子区域的大小受到蒸镀掩膜板尺寸的限制，进而限制了可对应的显示器模组尺寸，由于掩膜板尺寸缩小限定了蒸镀子区域也较小，因此该专利所提供的真空蒸镀装置难以满足大尺寸显示器模组的生产要求。
【发明内容】
[0011]针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种蒸镀区域的尺寸不受掩膜板面积限制，能够满足大尺寸显示器模组的生产要求的真空镀膜装置及方法。
[0012]为实现上述目的，本发明的真空镀膜方法，包括:
[0013]步骤一，将待蒸镀基板的膜面与掩膜板相对设置，其中待蒸镀基板的膜面上包括至少一个蒸镀区域，掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸；
[0014]步骤二，使所述掩膜板与第一蒸镀区域对位；
[0015]步骤三，将掩膜板的图形区与蒸发源相对设置，在所述掩膜板和所述蒸发源之间对应设置蒸镀挡板，驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述第一蒸镀区域，完成所述第一蒸镀区域的镀膜。
[0016]进一步，所述待蒸镀基板的膜面上包括多个蒸镀区域，在步骤三之后还包括步骤四，重复上述的步骤二、三完成其他蒸镀区域的镀膜。
[0017]进一步，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向移动。
[0018]进一步，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿第二方向的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺 寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。
[0019]进一步，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向。
[0020]进一步，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿所述第二方向的尺寸也小于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸。
[0021]进一步，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向移动。
[0022]进一步，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿第二方向的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。
[0023]进一步，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向。
[0024]进一步，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿所述第二方向的尺寸也小于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸。
[0025]进一步，所述步骤三还包括:所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动过程中，在垂直于所述待蒸镀基板和所述掩膜板之间相对移动方向上实时校正所述第一蒸镀区域和所述掩膜板的图形区相对位置。
[0026]进一步，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板与所述第一蒸镀区域的对位标记以及所述掩膜板的图形区与所述第一蒸镀区域的校正标记。[0027]本发明的真空镀膜装置，包括蒸发源、掩膜板、蒸镀挡板和驱动机构，待蒸镀的基板、所述掩膜板、所述蒸镀挡板和所述蒸发源依次相对设置，所述基板的表面包括至少一个蒸镀区域，所述蒸发源和掩膜板间的位置相对固定，所述掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸，所述驱动机构用于在真空镀膜过程中驱动所述待蒸镀的基板和所述掩膜板之间相对移动，使透过所述掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述蒸镀区域，形成覆盖所述蒸镀区域的薄膜。
[0028]进一步，所述真空镀膜装置还包括在垂直于所述待蒸镀的基板和所述掩膜板相对移动方向上实时校正所述蒸镀区域和所述掩膜板的图形区相对位置的校正机构。
[0029]进一步，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板的图形区与所述蒸镀区域的校正标记。
[0030]进一步，所述真空镀膜装置还包括对所述掩膜板和所述蒸镀区域进行对位的对位机构。
[0031]进一步，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板与所述蒸镀区域进行对位的对位标记。
[0032]本发明使用尺寸小于基板表面一个蒸镀区域的掩模板，通过控制掩膜板和蒸镀区域之间相对移动，分步完成一个蒸镀区域的蒸镀，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个蒸镀区域，形成覆盖该蒸镀区域的薄膜。既可以保证真空蒸镀所使用的掩膜板的小尺寸，同时适用于基板上每个蒸镀区域很大的蒸镀情况，能够满足大尺寸显示器模组的生产要求。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]图1为现有技术的真空蒸镀装置的`剖面结构示意图；
[0034]图2为现有技术的基板结构的俯视图；
[0035]图3为现有技术的掩膜板结构的俯视图；
[0036]图4为本发明实施例的真空镀膜方法的流程示意图；
[0037]图5为本发明实施例的真空蒸镀装置的剖面结构示意图；
[0038]图6为本发明实施例中蒸镀挡板结构的俯视图；
[0039]图7为本发明实施例中基板结构的俯视图；
[0040]图8为本发明实施例中掩膜板结构的俯视图；
[0041]图9为本发明实施例在基板上蒸镀形成的线形像素的结构示意图。
【具体实施方式】
[0042]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本发明进行详细描述。
[0043]图4为本发明实施例的真空镀膜方法的流程图。参照图4，所述真空镀膜方法，包括:
[0044]步骤一，在待蒸镀基板的膜面下方设置掩膜板，其中待蒸镀基板的膜面上包括至少一个蒸镀区域，掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸；
[0045]步骤二，使所述掩膜板与第一蒸镀区域对位；[0046]步骤三，在掩膜板的图形区下方对应设置蒸镀挡板和蒸发源，驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述第一蒸镀区域，完成所述第一蒸镀区域的镀膜。
[0047]本实施例中待蒸镀基板的膜面上设置的蒸镀区域的个数可以根据实际情况任意选择，如果待蒸镀基板的膜面上的蒸镀区域为多个时，步骤三之后还包括步骤四，重复上述的步骤二、三完成其他蒸镀区域的镀膜。
[0048]步骤二中通过掩膜板与第一蒸镀区域上设置的对位标记是否重叠来判断掩膜板是否与第一蒸镀区域已经对位。如果掩膜板上的对位标记与基板的第一蒸镀区域所对应的对位标记重叠，则掩膜板已经与第一蒸镀区域对位，可以进行真空镀膜；否则，掩膜板没有与第一蒸镀区域对位，继续执行掩膜板与第一蒸镀区域对位操作，直到掩膜板与第一蒸镀区域对位后再进行真空镀膜。
[0049]步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体可以包括以下四种形式:
[0050]1、驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向移动；
[0051]2、驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向；
[0052]3、驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向移动；
[0053]4、驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向。
[0054]在真空镀膜过程中优选采用第一和第三种驱动方式，因为该两种驱动方式均只需要在一个方向移动就可以完成`在第一蒸镀区域的镀膜，实现起来更为简单。此外，第一种驱动方式与第三种驱动方式相比，由于仅需要驱动待蒸镀基板，可以简化相应的驱动机构。在采用第一和第三种驱动方式时，掩膜板的图形区在第一方向(驱动方向)的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，掩膜板的图形区在第二方向(垂直于第一方向)的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸。
[0055]通过限定掩膜板的图形区在两个方向的尺寸可以进一步缩小掩膜板的尺寸，例如可以使掩膜板图形区的长度和宽度均分别小于第一蒸镀区域的长度和宽度。在真空镀膜过程中如果采用上述更小尺寸掩膜板，仅在一个方向移动无法实现在第一蒸镀区域内的所有区域进行镀膜。为了能够在第一蒸镀区域内的所有区域完成镀膜，则需要采用第二和第四种驱动方式，并控制基板或掩膜板在两个方向按蛇形路线移动，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过所述第一蒸镀区域内的所有区域。
[0056]在真空镀膜过程中采用上述哪一种驱动方式，可根据实际需要进行任意选择。如果考虑驱动的简单实现可以采用第一和第三种驱动方式，如果为了能够使掩膜板制作起来更为简单则可以采用第二和第四种驱动方式。
[0057]待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动过程中，在与相对移动方向相垂直的方向上，所述基板与所述掩膜板之间可能会发生位置偏移，会影响到在待蒸镀基板的第一蒸镀区域的镀膜精度。为了能够进一步提高镀膜的精度，可以在所述待蒸镀基板与所述掩膜板的相对移动过程中，实时校正所述第一蒸镀区域和所述掩膜板的图形区在垂直于所述待蒸镀基板和所述掩膜板之间相对移动方向上的相对位置。通过在移动过程中判断第一蒸镀区域的校正标记和所述掩膜板的图形区的校正标记是否重叠，可以验证在与相对移动方向垂直的方向上第一蒸镀区域和所述掩膜板的图形区相对位置是否偏离。例如，当第一蒸镀区域的校正标记和掩膜板的图形区的校正标记不重叠时，则在与相对移动方向相垂直的方向上微调掩膜板或基板来校正。
[0058]需要说明的是本实施例中待蒸镀基板、掩膜板、蒸镀挡板和蒸发源的相对位置关系并不局限于如上所述的上、下方向，当待蒸镀基板、掩膜板、蒸镀挡板和蒸发源的工作表面沿竖向方向设置时，待蒸镀基板、掩膜板、蒸镀挡板和蒸发源之间则沿左、右方向依次设置。
[0059]本实施例的真空镀膜方法限定掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸，同时在真空镀膜过程中控制掩膜板与基板之间相对移动，分步完成一个蒸镀区域的蒸镀，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个蒸镀区域，形成覆盖该蒸镀区域的薄膜。既可以保证真空蒸镀所使用的掩膜板的小尺寸，使在蒸镀区域内镀膜的大小不受掩膜板图形区尺寸的限制，又能够满足大尺寸显示器模组的生产要求。[0060]本发明实施例的真空蒸镀装置的剖面结构示意图。参照图5，所述真空镀膜装置，包括掩膜板2、蒸镀挡板3、蒸发源4和驱动机构(图中未示出)，待蒸镀的基板1、掩膜板2、蒸镀挡板3和蒸发源4由上至下依次设置，基板I的表面包括至少一个蒸镀区域11，蒸发源4和掩膜板2间的位置相对固定，掩膜板的图形区21尺寸小于蒸镀区域11尺寸，所述驱动机构用于在真空镀膜过程中驱动基板I和掩膜板2之间相对移动，使透过掩膜板的图形区21的蒸发气体连续扫过整个蒸镀区域11，形成覆盖蒸镀区域的薄膜。
[0061]需要说明的是本实施例中待蒸镀基板、掩膜板、蒸镀挡板和蒸发源的相对位置关系并不局限于如上所述的上、下方向，当待蒸镀基板、掩膜板、蒸镀挡板和蒸发源的工作表面沿竖向方向设置时，待蒸镀基板、掩膜板、蒸镀挡板和蒸发源之间则沿左、右方向依次设置。
[0062]图6为本发明实施例中蒸镀挡板结构的俯视图。参照图6，在本实施例中，蒸镀挡板3包括4个可独立驱动的子挡板，所述4个子挡板能够围成所述蒸镀气体透过区。需要说明的是，子挡板的数目可以根据需要设置，例如，还可以设置为I个或2个等。
[0063]图7为发明实施例中基板结构的俯视图。基板I的表面上分成至少一个大小相同的蒸镀区域11、每个蒸镀区域外侧的对位标记12及校正标记13。在本实施例中，基板I的表面分为四个蒸镀区域11，每个蒸镀区域11外侧均包括左右对称的两个对位标记12。基板I上划分的蒸镀区域11的大小根据实际的镀膜需要预先确定，例如，生产55寸显示器模组则将基板上每个蒸镀区域11的尺寸设定为55寸。此外，基板I上所划分的每个蒸镀区域11的大小可以相同也可以不同。
[0064]图8为发明实施例中掩膜板结构的俯视图。掩膜板2包括掩膜板图形区21、掩膜板边框区22、对位标记23和校正标记24。其中，掩膜板上有两个对位标记23和两个校正标记24，其分别左右对称的设置在掩膜板边框区22。掩膜板图形区21的尺寸小于一个蒸镀区域11的尺寸，本实施例中掩膜板图形区21的横向尺寸等于蒸镀区域11横向的尺寸，掩膜板图形区21的纵向尺寸小于蒸镀区域11纵向尺寸。掩膜板图形区21的尺寸并不局限于本实施例中方式，也可以为掩膜板图形区21的横向尺寸小于蒸镀区域11横向的尺寸，掩膜板图形区21的纵向尺寸等于蒸镀区域11纵向尺寸，或者掩膜板图形区21的横、纵向尺寸均小于蒸镀区域11横、纵向尺寸。
[0065]真空镀膜装置上设置的对位机构(图中未示出)通过基板上对位标记12和掩膜板上对位标记23对所述掩模板和待蒸镀的蒸镀区域进行对位，具体的对位方式在上述真空镀膜方法中已经详细介绍，在此不再重述。
[0066]真空镀膜装置上设置的校正机构(图中未示出)通过基板上校正标记13和掩膜板上校正标记24对所述第一蒸镀区域和所述掩膜板的图形区在垂直于所述待蒸镀基板和所述掩膜板之间相对移动方向上的相对位置进行校正，具体的校正方式在上述真空镀膜方法中已经详细介绍，在此不再重述。
[0067]采用上述真空镀膜装置及真空镀膜方法在基板上蒸镀形成的线形像素的结构如图9所示。
[0068]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神范围， 其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
【权利要求】
1.一种真空镀膜方法，其特征在于，包括: 步骤一，将待蒸镀基板的膜面与掩膜板相对设置，其中待蒸镀基板的膜面上包括至少一个蒸镀区域，掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸； 步骤二，使所述掩膜板与第一蒸镀区域对位； 步骤三，将掩膜板的图形区与蒸发源相对设置，在所述掩膜板和所述蒸发源之间对应设置蒸镀挡板，驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述第一蒸镀区域，完成所述第一蒸镀区域的镀膜。
2.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述待蒸镀基板的膜面上包括多个蒸镀区域，在步骤三之后还包括步骤四，重复上述的步骤二、三完成除所述第一蒸镀区域之外的其他蒸镀区域的镀膜。
3.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向移动。
4.如权利要求3所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿第二方向的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。
5.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向。
6.如权利要求5所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿所述第二方向的尺寸也小于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸。
7.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向移动。
8.如权利要求7所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿第二方向的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。
9.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向。
10. 如权利要求9所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿所述第二方向的尺寸也小于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸。
11.如权利要求1-10任一项所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤三还包括:所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动过程中，在垂直于所述待蒸镀基板和所述掩膜板之间相对移动方向上实时校正所述第一蒸镀区域和所述掩膜板的图形区相对位置。
12.如权利要求11所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板与所述第一蒸镀区域的对位标记以及所述掩膜板的图形区与所述第一蒸镀区域的校正标记。
13.一种真空镀膜装置，包括蒸发源、掩膜板、蒸镀挡板和驱动机构，待蒸镀的基板、所述掩膜板、所述蒸镀挡板和所述蒸发源依次相对设置，所述基板的表面包括至少一个蒸镀区域，所述蒸发源和掩膜板间的位置相对固定，其特征在于，所述掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸，所述驱动机构用于在真空镀膜过程中驱动所述待蒸镀的基板和所述掩膜板之间相对移动，使透过所述掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述蒸镀区域，形成覆盖所述蒸镀区域的薄膜。
14.如权利要求13所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述真空镀膜装置还包括在垂直于所述待蒸镀的基板和所述掩膜板相对移动方向上实时校正所述蒸镀区域和所述掩膜板的图形区相对位置的校正机构。
15.如权利要求14所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板的图形区与所述蒸镀区域的校正标记。
16.如权利要求13所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述真空镀膜装置还包括对所述掩膜板和所述蒸镀区域进行对位的对位机构。
17.如权利要求16所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板与所述蒸镀区域进行对位的对位标记。
【文档编号】C23C14/24GK103695846SQ201310701253
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年12月18日 优先权日:2013年12月18日
【发明者】沐俊应, 马大伟, 王玉, 李元虎 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司