1.一种壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于具体制备步骤如下：
(1)将壳聚糖溶于溶剂中，制备母液；
(2)向母液中加入银化合物，银化合物与壳聚糖的重量比0.1％-20％，搅拌24h-72h后，静止4h-8h，得到壳聚糖/银化合物的混合溶液；
(3)将所述壳聚糖/银化合物的混合溶液置于导电成膜平板上；
(4)在导电成膜平板上施加垂直于导电成膜平板的直流电场，直流电场电压为3MV/m-20MV/m；
(5)待溶剂挥发后，获得壳聚糖Ag纳米复合膜。
2.根据权利要求1所述的壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于所述壳聚糖Ag纳米复合膜的Ag粒子的平均粒径小于5nm。
3.根据权利要求1所述的壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于所述壳聚糖Ag纳米复合膜含有100％的0价Ag粒子。
4.根据权利要求1所述的壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于所述的溶剂为无水甲酸、无水乙酸、无水乳酸中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于所述的银化合物选自硝酸银，硫酸银，氯化银，乙酸银，乳酸银、磷酸银中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于所述的母液中的壳聚糖与溶剂的质量比为0.01g/ml-1g/ml。
7.根据权利要求1所述的壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于所述导电成膜平板的上方设置有导电成膜平板的上板，所述导电成膜平板的下方设置有导电成膜平板的下板，所述的导电成膜平板的下板接地，所述的导电成膜平板的上板接电源负极。
8.根据权利要求1所述的壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于所述壳聚糖的脱乙酰度为50％-100％。
9.根据权利要求1所述的壳聚糖Ag纳米复合膜的制备方法，其特征在于所述壳聚糖的分子量在2000-200000g/mol。