1.一种方形钯纳米片，其特征在于，具有面心立方的结构，外露晶面为{100}，且直接生长在氧化石墨烯表面。
2.一种根据权利要求1所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，步骤为：
将退火处理后的片状氧化石墨烯与离子修饰剂、钯前驱体、还原剂、分散剂与溶剂混合，经反应后得到方形钯纳米片；
所述的退火处理的温度为60～120℃；
所述的离子修饰剂选自Br-。
3.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的钯前驱体选自氯钯酸钠，浓度为7×10-3～0.021mol/L。
4.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的还原剂选自抗坏血酸，浓度为8.5×10-3～0.017mol/L。
5.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的分散剂选自聚乙烯吡咯烷酮，浓度为1.14×10-4～2.27×10-4mol/L。
6.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的溶剂为超纯水，25℃下的电阻率为18MΩ*cm。
7.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的离子修饰剂为溴化钾，浓度为0.0021～0.125mol/L。
8.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为60～90℃。
9.根据权利要求2～8任一权利要求所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的片状氧化石墨烯经Hummers法制备得到。
10.根据权利要求9所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的退火处理的温度为60～100℃。