技术总结
本发明公开了一种方形钯纳米片，具有面心立方的结构，外露晶面为{100}，且直接生长在氧化石墨烯表面。还公开了该方形钯纳米片的制备方法，步骤为：将退火处理后的片状氧化石墨烯与离子修饰剂、钯前驱体、还原剂、分散剂与溶剂混合，经反应后得到方形钯纳米片；退火处理的温度为60～120℃；离子修饰剂选自Br‑。本发明提供了一种方形钯纳米片的制备方法，制备方法简单、可控，可制备得到形状规则，{100}晶面外露的面心立方结构的钯纳米片。
技术研发人员：张辉;姜一;颜聿聪;杨德仁
受保护的技术使用者：浙江大学
文档号码：201611146620
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.05.31