掩膜框架、掩膜设备的制作方法

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种掩膜框架、掩膜设备。

背景技术：

在采用真空蒸镀的方式制备显示屏时，首先需要将焊接在掩膜框架上的掩膜板与玻璃基板进行对准，也即将掩膜板上的多个开孔与玻璃基板上的多个像素位置进行对准，以使有机发光材料通过与其对应的开孔蒸镀到玻璃基板上的特定像素位置处，以在玻璃基板上形成多个OLED器件，以使由该玻璃基板所制成的显示屏可以正常显示。

目前，真空蒸镀工艺主要是在蒸镀腔室中完成的，该蒸镀腔室具有较高的温度、压力、磁场，这些因素均会导致掩膜框架、掩膜板在蒸镀过程中发生形变，从而使得预先对准的掩膜板上的多个开孔与玻璃基板上的多个像素位置发生相对移动，此时，有机发光材料将无法通过与其对应的开孔精准蒸镀至玻璃基板上的特定像素位置处，降低蒸镀后的玻璃基板上的各个像素的位置精度。

为解决上述问题，现有技术中，掩膜板在进入蒸镀腔室前需要进行张网处理，也即在将掩膜板焊接到掩膜框架上之前，会对掩膜板的四周施加拉力，以使掩膜板处于紧绷的状态，以此来防止掩膜板在受到高温作用时发生变形，此时，再将处于紧绷状态的掩膜板焊接至掩膜框架上，如图1所示，由于掩膜框架的四个横梁均受到焊接在其上的掩膜板4的拉力作用，该四个横梁会向内发生弯曲，待四个横梁不再向内弯曲时，掩膜板4施加给与其连接的横梁的拉力将等于该横梁自身的回复力。此时，再将焊接有掩膜板4的掩膜框架放置在蒸镀腔室中，以进行掩膜板4的多个开孔与玻璃基板上的多个像素位置进行对准等步骤。

然而，对掩膜板4进行张网处理后，虽然掩膜板4自身不会再发生形变，但是，与该掩膜板4连接的掩膜框架仍会受高温作用而发生膨胀，也就是说，在蒸镀的过程中，横梁自身的回复力会变大，而掩膜板4施加给与其连接的横梁的拉力是恒定不变的，此时，横梁自身的回复力大于掩膜板4施加给该横梁的拉力，掩膜框架的四个横梁分别会如图2所示的向外发生移动，很明显的，焊接在掩膜框架上的掩膜板4也会发生形变，从而使得掩膜板4上的多个开孔位置发生变化，此时，预先对准的掩膜板4上的多个开孔与玻璃基板上的多个像素位置发生相对移动，使得有机发光材料将无法通过与其对应的开孔精准蒸镀至玻璃基板上的特定像素位置处，降低蒸镀后的玻璃基板上的各个像素的位置精度。

技术实现要素：

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种提高蒸镀的像素位置精度的掩膜框架、掩膜设备。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种掩膜框架，具有主体结构，所述主体结构的第一侧面设置有摩擦结构，所述摩擦结构用于增加所述掩膜框架与用于承载所述掩膜框架的掩膜基台之间的摩擦力。

优选的是，所述主体结构的第一侧面上具有粗糙结构，所述粗糙结构用作所述摩擦结构。

优选的是，所述粗糙结构的摩擦系数为0.6。

优选的是，所述摩擦结构为凸起结构。

优选的是，所述摩擦结构与所述主体结构为一体成型结构。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种掩膜设备，包括上述的掩膜框架，以及与所述掩膜框架连接的掩膜板。

优选的是，所述掩膜设备还包括：

掩膜基台，用于承载所述掩膜框架；

所述掩膜基台上依次设置有所述掩膜框架、蒸镀基板，所述掩膜框架的第一侧面靠近所述掩膜基台；

所述掩膜基台背离所述掩膜框架的一侧还设置有蒸镀源。

优选的是，所述蒸镀源为热隔绝装置。

优选的是，所述蒸镀基板背离所述掩膜基台的一侧依次设置有冷板、高斯板。

优选的是，所述掩膜板包括精细金属掩膜板。

附图说明

图1为现有的掩膜框架的俯视图；

图2为现有的掩膜框架的俯视图；

图3为本实用新型的实施例1的掩膜框架的示意图；

图4为本实用新型的实施例1的掩膜框架的示意图；

图5为本实用新型的实施例1的掩膜框架的示意图；

图6为本实用新型的实施例1的掩膜框架的示意图；

图7为本实用新型的实施例2的掩膜设备的示意图；

其中附图标记为：1、摩擦结构；2、主体结构；3、掩膜框架；4、掩膜板；5、掩膜基台；6、蒸镀基板；7、蒸镀源；8、冷板；9、高斯板。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1：

如图3所示，本实施例提供一种掩膜框架3，该掩膜框架3具有主体结构2，主体结构2的第一侧面设置有摩擦结构1，摩擦结构1用于增加掩膜框架3与用于承载掩膜框架3的掩膜基台5之间的摩擦力。

具体的，当采用本实施例中的掩膜框架3进行蒸镀工艺时，由于掩膜框架3与掩膜基台5相接触的一侧(即本实施例中的主体结构2的第一侧面)设置有摩擦结构1，该摩擦结构1能够增大掩膜框架3与掩膜基台5之间的摩擦力，故当掩膜框架3受高温作用而向外发生膨胀时，该摩擦力能够有效地抵消驱使掩膜框架3向外发生膨胀的张力，从而避免因掩膜框架3发生变形所导致的掩膜板4上的多个开孔位置发生变化，以使预先对准的掩膜板4上的多个开孔与蒸镀基板6上的多个像素位置发生相对移动的问题，提高蒸镀的像素位置精度。

其中，作为本实施例的第一种优选方式，如图3所示，摩擦结构1为粗糙结构，且粗糙结构与主体结构2的第一侧面位于同一平面上，该粗糙结构主要是通过增大主体结构2的第一侧面的摩擦系数，以增加主体结构2的第一侧面与掩膜基台5的摩擦力的。

其中，粗糙结构可以通过对主体结构2的第一侧面进行磨砂处理得到，或者通过在主体结构2的第一侧面上镀一层摩擦系数为0.6的材料，当然，提高主体结构2的第一侧面的摩擦系数的方式并不局限于上述的两种，在此不做限定。

其中，作为本实施例的第二种优选方式，如图4所示，本实施例的摩擦结构1优选为凸起结构，该凸起结构设置在主体结构2的第一侧面，其通过减小主体结构2与掩膜基台5的接触面积，以增加掩膜框架3与掩膜基台5之间的摩擦力。

具体的，在将设置有凸起结构的主体结构2放置在掩膜基台5上时，只有凸起结构是与掩膜基台5相接触的，此时，主体结构2本身的所有重量会完全施加在凸起结构上，也即凸起结构所受到的压力即为主体结构2本身的重量，此时根据静摩擦公式F＝μmg(其中，μ为摩擦系数，mg为凸起结构所受到的压力)，掩膜框架3受到的压力增大，从而使得其与掩膜基台5之间的摩擦力增大。

进一步的，为简化本实施例中的掩膜框架3的制备工艺，优选的，摩擦结构1与主体结构2为一体成型结构。

其中，作为本实施例的第三种优选方式，如图5所示，本实施例中的摩擦结构1不仅为凸起结构，且该凸起结构与掩膜基台5相接触的表面还为粗糙结构，也就是说，本实施例中的摩擦结构1不仅能够通过减少掩膜框架3与掩膜基台5的接触面积，以增加施加在接触位置处的压力，从而增加掩膜框架3与掩膜基台5的摩擦力，其还能够通过增大掩膜框架3与掩膜基台5所接触的表面的摩擦系数μ以增加二者的摩擦力。

由此可以看出，当本实施例中的掩膜框架3上设置有摩擦结构1之后，掩膜框架3与掩膜基台5之间的摩擦力是足够大的，从而避免掩膜框架3在蒸镀过程中受热向外发生形变，进而避免因掩膜框架3发生变形所导致的掩膜板4上的多个开孔位置发生变化，以使预先对准的掩膜板4上的多个开孔与蒸镀基板6上的多个像素位置发生相对移动的问题，提高蒸镀的像素位置精度。

为便于理解本实施例的意图，本实施例以主体结构2的形状为中空结构的长方体为例；其中，主体结构包括四个横梁，即第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁，这四个横梁分别为图5中所示的a、b、c、d四个方块。

具体的，在采用本实施例中的掩膜框架3进行蒸镀工艺之前，由于第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁上都会焊接有掩膜板4，故第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁均会受到其连接的掩膜板4施加给其的拉力而向内发生弯曲，其中，该拉力会沿着四个横梁的中间位置向两端不断减小，也即四个横梁的两端所受拉力最小，中间位置受到的拉力最大。

当第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁不再向内弯曲时，第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁自身的回复力将等于掩膜板4所施加的拉力。此时，若将该掩膜框架3放置在掩膜基台5上以进行蒸镀工艺，虽然较高的蒸镀温度会促使掩膜框架3发生膨胀，也即第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁自身的回复力将增大，但是，由于第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁的第一侧面，也即第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁与掩膜基台5相接触的面均设置有摩擦结构1，该摩擦结构1能够增大掩膜框架3与掩膜基台5之间的摩擦力，故增大的摩擦力能够有效地抵消驱使掩膜框架3向外发生膨胀的张力，以阻止第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁向外发生运动，从而避免因第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁发生变形，所导致的掩膜板4上的多个开孔位置发生变化，以使预先对准的掩膜板4上的多个开孔与玻璃基板上的多个像素位置发生相对移动的问题，提高蒸镀的像素位置精度。

需要说明的是，由于第一横梁、第二横梁、第三横梁、第四横梁上不同位置受到的掩膜板4的拉力作用是不同的，优选的，如图6所示，本实施例中的摩擦结构1可以根据四个横梁所受到的拉力大小，按照由窄至宽，再到窄的形状进行设置，其中，四个横梁的中间位置设置的摩擦结构1的宽度最大，两端的宽度最小。当然，本实施例中的摩擦结构1也可以只设置在四个横梁的中间位置，即四个横梁受到掩膜板4所施加的拉力最大的位置处，在此不做限定。

实施例2：

如图7所示，本实施例提供一种掩膜设备，其包括实施例1中的掩膜框架3，与掩膜框架3连接的掩膜板4，用于承载掩膜框架3的掩膜基台，以及蒸镀基板6、蒸镀源7。其中，掩膜板4包括精细金属掩膜板4。

具体的，掩膜框架3、蒸镀基板6依次设置在掩膜基台上，掩膜基台背离掩膜框架3的一侧还设置有蒸镀源7；该掩膜框架3的第一侧面靠近掩膜基台，也即掩膜框架3中的摩擦结构1是与掩膜基台相接触的，从而增加掩膜框架3与掩膜基台的摩擦力，以使该摩擦力将驱使掩膜框架3向外发生膨胀的张力消除掉，进而避免因掩膜框架3发生变形所导致的掩膜板4上的多个开孔位置发生变化，以使预先对准的掩膜板4上的多个开孔与玻璃基板上的多个像素位置发生相对移动的问题，提高蒸镀的像素位置精度。

其中，本实施例优选的，蒸镀源7为热隔绝装置，其可有效降低蒸镀过程中的蒸镀温度，从而减少掩膜框架3受热发生膨胀的形变量。

进一步的，为使掩膜框架3上设置的掩膜板4完全贴附在蒸镀基板6上，以保证蒸镀的像素位置精度，优选的，蒸镀基板6背离掩膜基台的一侧依次设置有冷板8、高斯板9。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。