高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷Li5Mg8Ga5Si9O36及其制备方法与流程

文档序号:11801266阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开一种可低温烧结的低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li5Mg8Ga5Si9O36及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、MgO、Ga2O3和SiO2的原始粉末按Li5Mg8Ga5Si9O36的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在950℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1000~1050℃大气气氛中烧结4小时。本发明制备的陶瓷介电常数达到6.2~6.9,品质因数Qf值高达111000‑148000GHz,谐振频率温度系数小,有极大的应用价值。

技术研发人员:方亮;段炼;苏和平
受保护的技术使用者:桂林理工大学
文档号码:201610492981
技术研发日:2016.06.26
技术公布日:2016.11.23

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