技术特征：
技术总结
本发明公开了硫化铼的制备以及硫化镉/硫化铼复合材料。采用常压化学气相沉积法，以硫粉为硫源，以三氧化铼为铼源，在惰性气体保护下以及水辅助前提下，在云母片基底上生长二维单层二硫化铼；进一步，通过二次生长的方法，在长有二维单层二硫化铼的云母片基底上再次沉积硫化镉颗粒，得到在硫化铼表面生长有硫化镉颗粒的CdS/ReS2复合材料。本发明工艺简单、成本低、快速、高效可控，制备得到高质量单层硫化铼，硫化镉沉积在二维材料硫化铼上得到的CdS/ReS2复合材料更具有优异的光电性能，应用在光电器件上具有很高的响应率。
技术研发人员：张礼杰;刘曼曼;梁洁园;李肖肖;董幼青;邹超;杨云;黄少铭
受保护的技术使用者：温州大学
技术研发日：2017.12.08
技术公布日：2018.05.08