电致发光材料和器件的制作方法

专利名称：电致发光材料和器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及电致发光材料并且涉及电致发光器件。
当电流通过它们时发出光的材料是非常公知的，并且它们被用于广泛范围的显示应用。基于无机半导体体系的器件被广泛地采用。然而，这些遭受了以下缺点高的能量消耗、高的生产成本、低的量子效率和不能制造平板显示器。已经提出了有机聚合物可用于电致发光器件，但不能获得纯色；它们的制备昂贵并且具有相对低的效率。已经提出的另一种电致发光化合物是喹啉铝，但其需要掺杂剂以用于获得一定范围的色彩，并且其具有相对低的效率。
专利申请WO98/58037描述了一定范围的可用于具有改进性能并且给出更好结果的电致发光器件的过渡金属和镧系元素络合物。专利申请PCT/GB98/01773、PCT/GB99/03619、PCT/GB99/04030、PCT/GB99/04024、PCT/GB99/04028和PCT/GB00/00268描述了使用稀土螯合物的电致发光络合物、结构体和器件。美国专利5128587披露了一种由以下物质组成的电致发光器件夹在高功函的透明电极与低功函的第二电极中间的镧系稀土元素的有机金属络合物、介于电致发光层与透明的高功函电极之间的空穴传导层、和介于电致发光层与电子注入低功函阳极之间的电子传导层。需要该空穴传导层和电子传导层以改进器件的工作和效率。该空穴传输层起到了传输空穴并且阻隔电子的作用，由此防止电子移动到电极中而不与空穴重新结合。因此，载流子的重新结合主要发生在发射极层中。
我们现在进一步发现了一种电致发光的有机金属络合物。
根据本发明，提供了下式的络合物
其中M是钌、铑或铱；t为3并且n为1或2；M是钯或铂；t为2并且n为1；M是锇；t为3并且n为1或2；或者t为4并且n为1、2或3；R1、R2、R3和R4相同或不同，并且选自取代和未取代的烃基；取代和未取代的单环和多环的杂环基团；取代和未取代的烃氧基或羧基；氟烃基团(fluorocarbyl)；卤素；腈；氨基；烷基氨基；二烷基氨基；芳基氨基；二芳基氨基；和苯硫基；p、q、r和s独立地是0、1、2或3；条件是当p、q、r和s的任一个是2或3，它们中仅有一个可以不是饱和的烃基或卤素。
以上类型的优选化合物是其中M是铱的那些。n的优选数值为1。
根据本发明，提供了一种下式的选择性组成的络合物
其中M是钌、铑、钯、锇、铱或铂；n为1或2；R1、R2、R3和R4相同或不同，并且选自取代和未取代的烃基；取代和未取代的单环和多环的杂环基团；取代和未取代的烃氧基或羧基；氟烃基团；卤素；腈；氨基；烷基氨基；二烷基氨基；芳基氨基；二芳基氨基；和苯硫基；p、q、r和s独立地是0、1、2或3；条件是当p、q、r和s的任一个是2或3，它们中仅有一个可以不是饱和的烃基或卤素。
以上类型的优选化合物是其中M是铱的那些。n的优选数值为1。
在环取代的那些化合物中，R1、R2、R3和R4可以是取代或未取代的脂族或脂环族基团，其通常可以是C1-C12，并且在脂环族基团的情形中优选基于环戊基或环己基。在R1、R2、R3和R4是烷基的情况下，它们优选为C1-C4，尤其为甲基或乙基。R1、R2、R3和R4还可以是烷基或烷氧基，其中该烷基优选是C1-C12，更优选是C1-C4。因此，R1、R2、R3和R4中的至少一个的优选意义是甲基、乙基、正丙基、异丙基、仲丁基、叔丁基、环己基、甲氧基或乙氧基。在另一些可能中，R1、R2、R3和R4中的至少一个是取代或未取代的单环或多环的芳族、芳氧基或杂环结构。例如，R1、R2、R3和R4中的至少一个可以是苯基、甲苯基、氟苯基、联苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基或咔唑基。R1、R2、R3和R4中的至少一个的其它可能是氟、氯、甲基氨基、二甲基氨基、苄基氨基或二苄基氨基。
上式(I)的特定化合物是其中M是Ir、n为1并且p、q、r和s为0的化合物。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种制备如上定义的式(I)化合物的方法。
可以例如根据下面示出的方案使用钯(0)催化剂例如四(三苯基膦)钯通过2-溴吡啶与苯并[b]噻吩-2-硼酸或其取代衍生物(芳基硼酸容易由芳基锂或格氏试剂和三烷基硼酸盐制得)的Suzuki偶联而实现其中一种配体的合成 将苯并[b]噻吩-2-基-吡啶或其取代衍生物与三氯化铱加热得到了例如下面的络合物 以上络合物用强碱的进一步处理和(2-吡啶基)苯并咪唑或其取代衍生物的加入制得了式(I)的化合物，这些取代基具有与式(I)相同的含义。
在第一个步骤中，代替苯并[b]噻吩的是可以使用例如4-甲基苯并噻吩、5-甲基苯并噻吩、6-甲基苯并噻吩、7-甲基苯并噻吩、5，7-二甲基苯并噻吩、5-氯苯并噻吩或5-硝基苯并噻吩。代替2-溴吡啶的是可以使用例如2-氯-5-碘代吡啶、2-溴-5-碘代吡啶或2-氨基-5-碘代吡啶。
本发明还提供了一种电致发光器件，其包括(i)第一电极、(ii)上式(I)的电致发光材料的层、和(iii)第二电极。
该电致发光材料层的厚度优选为10-250nm，更优选20-75nm。
该第一电极可以充当阳极，该第二电极可以充当阴极，并且在阳极与电致发光化合物层之间优选有空穴传输材料层。
该空穴传输材料可以是用于电致发光器件的任何一种空穴传输材料。
该空穴传输材料可以是胺络合物，例如α-NBP、聚(乙烯基咔唑)、N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(TPD)、氨基取代的芳族化合物的未取代或取代的聚合物、聚苯胺、取代的聚苯胺、聚噻吩、取代的聚噻吩、未取代和取代的聚硅烷等。聚苯胺的例子是下式单体与至少另一种下式II的单体的聚合物 其中R处于邻或间位并且是氢、C1-18烷基、C1-6烷氧基、氨基、氯、溴、羟基或者基团 其中R是烷基或芳基，R’是氢、C1-6烷基或芳基。
作为选择，该空穴传输材料可以是聚苯胺。可用于本发明的聚苯胺具有以下通式
其中p为1-10，n为1-20，R如上定义，X是阴离子，优选选自Cl、Br、SO4、BF4、PF6、H2PO3、H2PO4、芳基磺酸根、芳烃二羧酸根、聚苯乙烯磺酸根、聚丙烯酸酯烷基磺酸根、乙烯基磺酸根、乙烯基苯磺酸根、纤维素磺酸根、樟脑磺酸根、纤维素硫酸根或者全氟化的聚阴离子。
芳基磺酸根的例子是对-甲苯磺酸根、苯磺酸根、9，10-蒽醌磺酸根和蒽磺酸根。芳烃二羧酸根的例子是邻苯二甲酸根，芳烃羧酸根的例子是苯甲酸根。
我们发现氨基取代的芳族化合物的未取代或取代的聚合物(例如，聚苯胺)的质子化聚合物难以蒸发或者不能蒸发。然而，我们惊奇地发现如果将氨基取代的芳族化合物的未取代或取代的聚合物脱质子化，则其可以容易地蒸发，即该聚合物是可蒸发的。
优选使用氨基取代的芳族化合物的未取代或取代聚合物的可蒸发的脱质子化聚合物。可以通过用碱例如氢氧化铵或者碱金属氢氧化物例如氢氧化钠或氢氧化钾处理将聚合物脱质子化而形成氨基取代的芳族化合物的脱质子化的未取代或取代聚合物。
可以通过形成质子化的聚苯胺并且脱质子化来控制质子化的程度。制备聚苯胺的方法描述于A.G.MacDiarmid和A.F.Epstein的论文，“Faraday Discussions，Chem Soc.(88 P319，1989)”中。
聚苯胺的电导率取决于质子化程度，当质子化程度为40-60％例如约50％时具有最大电导率。
优选地，该聚合物基本上完全被脱质子化。
聚苯胺可以由八聚体单元形成，即p为4，例如
聚苯胺可以具有1×10-1Siemen cm-1或更高的数量级的电导率。
该芳环可以是未取代的或者例如被C1-20烷基例如乙基取代。
聚苯胺可以是苯胺的共聚物，并且优选的共聚物是苯胺与邻-甲氧基苯胺、间-氨基苯磺酸(m-sulphanilic acid)或邻-氨基苯酚，或者邻-甲苯胺与邻-氨基苯酚、邻-乙基苯胺、邻-苯二胺或与氨基蒽的共聚物。
可使用的其它氨基取代的芳族化合物的聚合物包括取代或未取代的聚氨基萘、聚氨基蒽、聚氨基菲等，和任何其它缩合的聚芳族化合物的聚合物。聚氨基蒽和制备它们的方法披露于美国专利6,153,726中。该芳环可以是未取代的或者例如被如上定义的基团R取代。
其它的空穴传输材料是共轭聚合物，并且可使用的共轭聚合物可以是在US5807627、WO90/13148和WO92/03490中披露或提及的任何一种共轭聚合物。
优选的共轭聚合物是聚(对-亚苯基亚乙烯基)(PPV)和包括PPV的共聚物。其它优选的聚合物是聚(2，5-二烷氧基亚苯基亚乙烯基)例如聚[2-甲氧基-5-(2-甲氧基戊氧基-1，4-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(2-甲氧基戊氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基]、聚[(2-甲氧基-5-(2-十二烷氧基-1，4-亚苯基亚乙烯基)]和其它的带有至少一个为长链增溶性烷氧基的烷氧基的聚(2，5-二烷氧基亚苯基亚乙烯基)、聚芴和低聚芴、聚亚苯基和低聚亚苯基、聚蒽和低聚蒽、聚噻吩和低聚噻吩。
在PPV中，亚苯基环可以任选地带有一个或多个取代基，例如各自独立地选自烷基优选甲基，或者烷氧基优选甲氧基或乙氧基。
在聚芴中，芴环可以任选地带有一个或多个取代基，例如各自独立地选自烷基优选甲基，烷氧基优选甲氧基或乙氧基。
可以使用任何的聚(亚芳基亚乙烯基)，包括其取代衍生物，并且聚(对-亚苯基亚乙烯基)中的亚苯基环可以被稠合的环体系例如蒽或萘环代替，以及每一聚(亚苯基亚乙烯基)结构部分中的亚乙烯基基团的数目可以例如增至7或更高。
这些共轭聚合物可以通过披露于US5807627、WO90/13148和WO92/03490中的方法制备。
空穴传输层的厚度优选为20nm-200nm。
还可以将氨基取代的芳族化合物的聚合物例如上面提及的聚苯胺与其它空穴传输材料组合用作例如在阳极与空穴传输层之间的缓冲层。其它的缓冲层可以由酞菁染料例如酞菁铜形成。
一些其它的空穴传输材料的结构式在附图的图4、5、6、7和8中示出，其中R、R1、R2、R3和R4可以相同或不同，并且选自氢，取代和未取代的烃基例如取代和未取代的脂族基团、取代和未取代的芳族、杂环和多环的环结构，氟碳基团(fluorocarbon)例如三氟甲基，卤素例如氟或苯硫基；R、R1、R2、R3和R4还可以形成取代和未取代的稠合的芳族、杂环和多环的环结构并且可与单体例如苯乙烯共聚。X是Se、S或O，Y可以是氢，取代或未取代的烃基例如取代和未取代的芳族、杂环和多环的环结构，氟碳基团例如三氟甲基，卤素例如氟，苯硫基或腈基。
R和/或R1和/或R2和/或R3和/或R4的例子包括脂族、芳族和杂环基团，烷氧基、芳氧基和羧基，取代和未取代的苯基、氟苯基、联苯基、萘基、芴基、蒽基和菲基，烷基例如叔丁基，以及杂环基团例如咔唑。
在阴极与电致发光材料层之间任选地有电子注入材料层。电子注入材料是当电流通过时将传输电子的材料。电子注入材料包括金属络合物例如金属喹啉盐(metal quinolate)例如喹啉铝、喹啉锂、喹啉锆，氰基蒽例如9，10-二氰基蒽，氰基取代的芳族化合物，四氰基醌二甲烷，聚苯乙烯磺酸盐或者具有在附图的图2或3中示出的结构式或者Mx(DBM)n的化合物，其中Mx是金属，DBM是二苯甲酰基甲烷，n为Mx的价态。例如Mx是铝、铬或钪。也可以使用席夫碱代替DBM结构部分。
与单独的层不同的是，可以将电子注入材料与电致发光材料混合并且与其一起共沉积。
任选地，可以将空穴传输材料与电致发光材料混合并且与其一起共沉积，并且可以将电子注入材料与电致发光材料混合。可以将空穴传输材料、电致发光材料和电子注入材料一起混合以形成一个层，这简化了结构。
第一电极优选是透明的基质例如导电性玻璃或塑料材料，其充当阳极；优选的基质是导电性玻璃例如铟锡氧化物涂覆的玻璃，但可以使用导电的或者包含导电层例如金属或导电性聚合物的任何玻璃。导电性聚合物和导电性聚合物涂覆的玻璃或塑料材料也可用作基质。
阴极优选是低功函的金属，例如铝、钡、钙、锂、稀土金属、过渡金属、镁以及它们的合金例如银/镁合金、稀土金属合金等；铝是优选的金属。可以将金属(例如，碱金属)氟化物例如氟化锂、氟化钾、氟化铯，或稀土金属或者它们的合金用作第二电极，例如通过在金属上形成金属氟化物层。
可以将铱络合物与基质材料混合。
可以将本发明的器件用作视频显示器、手机、便携式电脑和其中使用电子控制的视觉图像的任何其它应用中的显示器。本发明的器件可用于例如显示器的有源和无源的应用。
在已知的电致发光器件中，一个或两个电极可以由硅形成，并且电致发光材料以及介入的空穴传输材料和电子传输材料的层可以在硅基质上形成为像点。优选地，每一像点包括至少一个电致发光材料层和在其距离基质的远侧有与有机层接触的透明(至少半透明)的电极。
优选地，基质是晶体硅、多晶硅、无定形硅或连续颗粒状(grained)的硅，并且在电极或电致发光化合物沉积之前可以将基质的表面抛光或者整平以制得平整表面。作为选择，在另一些材料沉积之前可以将未平整的硅基质用导电性聚合物层涂覆以提供光滑的平整表面。
在一个实施方案中，每一像点包括与基质接触的金属电极。取决于金属和透明电极的相对功函，任一个可以充当阳极，而另一个构成阴极。
当硅基质是阴极时，铟锡氧化物涂覆的玻璃或半透明的金可以充当阳极，并且光射过该阳极。当硅基质充当阳极时，阴极可以由具有合适功函的透明电极形成；例如铟锌氧化物涂覆的玻璃，其中铟锌氧化物具有低的功函。阳极可以包含在其上形成的透明金属涂层以得到合适功函。这些器件有时被称为顶部发射器件或反向发射器件。
金属电极可以由多个金属层组成；例如沉积在基质上的较高功函的金属例如铝和沉积在较高功函金属上的较低功函的金属例如钙。在另一个例子中，另一个导电性聚合物层位于稳定金属例如铝的顶部。
优选地，电极还充当了每一像点后面的镜子，并且沉积在平整的基质表面上或者陷入平整的基质表面中。然而，作为选择，在基质的附近可以有光吸收黑层。
在仍然另一个实施方案中，通过暴露于合适的水溶液中而形成充当像点电极的底部触点的导电像点垫(pad)阵列而使底部导电性聚合物层的选择性区域不导电。
在以下实施例中阐述本发明。
实施例12-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶 在引入2-溴吡啶(2.57mL，27mmol)和乙二醇二甲醚(80mL，干燥并且脱气)之前，用氩气将装有回流冷凝器(带有气体入口)和橡胶隔片的两颈250mL圆底烧瓶冲洗。加入四(三苯基膦)钯(1.0g，0.87mmol)，并且在室温下将溶液搅拌10分钟。然后加入苯并噻吩-2-硼酸(5.0g，28.1mmol)，随后是无水碳酸氢钠(8.4g，100mmol)和水(50mL，脱气)。将隔片用玻璃塞替换，在80℃下将反应混合物加热16小时、冷却至室温并且在真空中除去挥发物。将有机物质用乙酸乙酯(3×100mL)萃取、用盐水清洗并且在硫酸镁上干燥。有机物质的除去得到了浅黄色固体。由乙醇重结晶得到了无色固体(3.9g，68％，两批)，熔点124-6℃。
四[2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶-C2，N’](μ-氯)二铱 将三氯化铱水合物(0.97g，3.24mmol)与2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶(2.05g，9.7mmol)混合、溶于2-乙氧基乙醇(70mL，在MgSO4上干燥并且蒸馏，脱气)和水(20mL，脱气)的混合物中，并且回流24小时。将溶液冷却至室温，并且将橙色沉淀收集在玻璃烧结体上。将沉淀用乙醇(60mL，95％)、丙酮(60mL)和己烷清洗。将其干燥并且在不进一步提纯的情况下使用。产率(1.5g，71％)。
双[噻吩-2-基-吡啶-C2，N’]-2-(2-吡啶基)苯并咪唑铱 在惰性气氛下将叔丁醇钾(1.12g，10mmol)和2-(2-吡啶基)苯并咪唑(1.95g，10mmol)加入到200mL Schlenk管中。加入2-乙氧基乙醇(在硫酸镁上干燥并且蒸馏，100mL)，并且在环境温度下将所得溶液搅拌10分钟。加入四[2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶-C2，N’](μ-氯)二铱(6.0g，4.62mmol)并且在惰性气氛下将混合物回流16小时。当冷却至室温时，分离出橙色/红色固体。通过过滤将固体收集，并且用乙醇(3×100mL)和二乙醚(100mL)清洗。在真空中干燥之后，通过用乙酸乙酯索氏萃取24小时而将材料提纯。通过高真空升华(3×10-7托，400℃)而实现进一步的提纯。产率(6.6g，89％，升华之前)。
元素分析计算的C，56.56；H，3.00；N，8.68发现的C，56.41；H，2.91；N，8.64实施例2-器件1使用预先蚀刻的ITO(铟锡氧化物)涂覆的玻璃片(10×10cm2)。通过使用Solciet机(ULVAC Ltd，Chigacki，Japan)真空蒸发通过在ITO上依次成型而制得该器件；每一像点的有效面积为3mm×3mm，层包括(1)ITO(100nm)/(2)CuPc(10nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)Liq化合物X(30:2nm)/(5)BCP(6nm)/(6)Zrq4(30nm)/(7)LiF(0.5nm)/Al。
器件结构示于

图1中。在化合物X是如上合成的双[噻吩-2-基-吡啶-C2，N’]-2-(2-吡啶基)苯并咪唑铱的情况下，CuPc是酞菁铜缓冲层，α-NPB如图8中那样，Liq是喹啉锂，BCP是bathocupron，Zrq4如图15中那样，LiF是氟化锂。
ITO电极通常与正极端子相连。在计算机控制的Keithly 2400源计量器上进行电流/电压研究。
测量电致发光性能，结果示于图11和12中。
实施例3-器件2如实施例2中那样制得器件，除了其具有以下结构之外(1)ITO(100nm)/(2)CuPc(10nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)CBP化合物X(30:2nm)/(5)BCP(6nm)/(6)Zrq4(30nm)/(7)LiF(0.5nm)/Al。
其中CBP如图15中那样。测量电致发光性能，结果示于图9和10中。
实施例4-器件3如实施例2中那样制得器件，除了其具有以下结构之外(1)ITO(100nm)/(2)CuPc(10nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)Al(dbm)3化合物X(30:2nm)/(5)BCP(6nm)/(6)Zrq4(30nm)/(7)LiF(0.5nm)/Al。
其中Al(dbm)3是二苯甲酰基甲烷铝。测量电致发光性能，结果示于图13和14中。
实施例5-器件4如实施例2中那样制得器件，除了其具有以下结构之外(1)ITO(110nm)/(2)络合物A(10nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)CBP化合物X(30:2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.5nm)/Al。
其中络合物A如图15中那样。测量电致发光性能，结果示于图16和17中。
实施例6-器件5如实施例2中那样制得器件，除了其具有以下结构之外(1)ITO(110nm)/(2)络合物A(10nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)BAlq2化合物X(30:2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.5nm)/Al。
其中BAlq2如图15中那样。测量电致发光性能，结果示于图18和19中。
实施例7-器件6如实施例2中那样制得器件，除了其具有以下结构之外(1)ITO(110nm)/(2)络合物A(10nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)络合物B化合物X(30:2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.5nm)/Al。
其中络合物B如图15中那样。测量电致发光性能，结果示于图20和21中。
权利要求
1.根据本发明提供了下式的络合物 其中M是钌、铑或铱；t为3并且n为1或2；M是钯或铂；t为2并且n为1；M是锇；t为3并且n为1或2；或者t为4并且n为1、2或3；R1、R2、R3和R4相同或不同，并且选自取代和未取代的烃基；取代和未取代的单环和多环的杂环基团；取代和未取代的烃氧基或羧基；氟烃基团；卤素；腈；氨基；烷基氨基；二烷基氨基；芳基氨基；二芳基氨基；和苯硫基；p、q、r和s独立地是0、1、2或3；条件是当p、q、r和s的任一个是2或3，它们中仅有一个可以不是饱和的烃基或卤素。
2.权利要求1的化合物，其中M是铱。
3.权利要求1或2的化合物，其中n为1并且t为3。
4.任一项前述权利要求的化合物，其中R1、R2、R3和R4的至少一个是取代或未取代的脂族或脂环族基团。
5.权利要求4的化合物，其中R1、R2、R3和R4的至少一个是烷基或烷氧基。
6.权利要求5的化合物，其中R1、R2、R3和R4的至少一个是甲基、乙基、正丙基、异丙基、仲丁基、叔丁基、环己基、甲氧基或乙氧基。
7.权利要求1-3任一项的化合物，其中R1、R2、R3和R4的至少一个是取代或未取代的单环或多环的芳族、芳氧基或杂环结构。
8.权利要求7的化合物，其中R1、R2、R3和R4的至少一个是苯基、甲苯基、氟苯基、联苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基或咔唑基。
9.权利要求1-3任一项的化合物，其中R1、R2、R3和R4的至少一个是氟、氯、甲基氨基、二甲基氨基、苄基氨基或二苄基氨基。
10.权利要求1的化合物，其中M是Ir，n为1，t为3并且p、q、r和s为0。
11.一种电致发光器件，其包括(i)第一电极、(ii)如任一项前述权利要求所述的电致发光材料的层、和(iii)第二电极。
12.权利要求11的器件，其中在第一电极与电致发光层之间有空穴传输材料层。
13.权利要求12的器件，其中空穴传输材料是芳族胺络合物。
14.权利要求12的器件，其中空穴传输材料是聚芳族胺络合物。
15.权利要求12的器件，其中空穴传输材料是选自以下物质的聚合物的薄膜α-NBP、聚(乙烯基咔唑)、N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(TPD)、聚苯胺、取代的聚苯胺、聚噻吩、取代的聚噻吩、聚硅烷和取代的聚硅烷。
16.权利要求12的器件，其中空穴传输材料是本文中的式(II)或(III)的或者附图的图4-8中的化合物的薄膜。
17.权利要求12的器件，其中空穴传输材料是苯胺的共聚物，苯胺与邻-甲氧基苯胺、间-氨基苯磺酸或邻-氨基苯酚，或者邻-甲苯胺与邻-氨基苯酚、邻-乙基苯胺、邻-苯二胺或与氨基蒽的共聚物。
18.权利要求12的器件，其中空穴传输材料是共轭聚合物。
19.权利要求18的器件，其中共轭聚合物选自聚(对-亚苯基亚乙烯基)(PPV)和包括PPV的共聚物、聚(2，5-二烷氧基亚苯基亚乙烯基)、聚(2-甲氧基-5-(2-甲氧基戊氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基)、聚((2-甲氧基戊氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基)、聚(2-甲氧基-5-(2-十二烷氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基)和其它的带有至少一个为长链增溶性烷氧基的烷氧基的聚(2，5-二烷氧基亚苯基亚乙烯基)、聚芴和低聚芴、聚亚苯基和低聚亚苯基、聚蒽和低聚蒽、聚噻吩和低聚噻吩。
20.权利要求12-19任一项的器件，其中电致发光化合物与空穴传输材料混合。
21.权利要求11-20任一项的器件，其中在阴极与电致发光化合物层之间有电子传输材料层。
22.权利要求21的器件，其中电子传输材料是金属喹啉盐。
23.权利要求22的器件，其中金属喹啉盐是喹啉铝、喹啉锆或喹啉锂。
24.权利要求21的器件，其中电子传输材料具有结构式Mx(DBM)n，其中Mx是金属，DBM是二苯甲酰基甲烷，n为Mx的价态。
25.权利要求24的器件，其中电子传输材料是氰基蒽例如9，10-二氰基蒽、聚苯乙烯磺酸盐或者在附图的图2或3中示出的结构式的化合物。
26.权利要求21-25任一项的器件，其中电子传输材料与电致发光化合物混合。
27.权利要求11-26任一项的器件，其中第一电极是透明的导电性玻璃电极。
28.权利要求11-27任一项的器件，其中第二电极选自铝、钡、稀土金属、过渡金属、钙、锂、镁以及它们的合金和银/镁合金。
29.权利要求11-28任一项的器件，其中第二电极选自具有在其上形成的金属氟化物层的金属。
30.权利要求29的器件，其中金属氟化物是氟化锂、氟化钾、氟化铯或者稀土氟化物。
31.一种电致发光组合物，其包含如权利要求1-10任一项中定义的化合物和电子传输或空穴传输基质。
32.根据权利要求31的组合物，其中该基质选自本文中的式(II)或(III)的或者如同附图的图4-8或15中的化合物。
33.根据权利要求31或32的组合物，其中该基质以0.1-20％的量存在。
34.一种下式的电致发光化合物 其中M是钌、铑、钯、锇、铱或铂；n为1或2；R1、R2、R3和R4相同或不同，并且选自取代和未取代的烃基；取代和未取代的单环和多环的杂环基团；取代和未取代的烃氧基或羧基；氟烃基团；卤素；腈；氨基；烷基氨基；二烷基氨基；芳基氨基；二芳基氨基；和苯硫基；p、q、r和s独立地是0、1、2或3；条件是当p、q、r和s的任一个是2或3，它们中仅有一个可以不是饱和的烃基或卤素。
全文摘要
电致发光器件包含掺入了铱与2－苯并[b]苯硫基和苯并咪唑配体的络合物例如双[噻吩－2－基－吡啶－C
文档编号C07D409/00GK101035877SQ200580021742
公开日2007年9月12日 申请日期2005年6月30日 优先权日2004年6月30日
发明者P·凯瑟加马纳森, S·加内沙姆鲁根, M·库马拉甫尔, A·帕斯潘, G·帕拉马斯沃拉, J·安蒂潘－拉拉 申请人:Oled-T有限公司