用于形成气态有机硅化合物的方法和设备的制作方法

专利名称：：用于形成气态有机硅化合物的方法和设备的制作方法
技术领域：
：本发明涉及用于形成气态有机硅化合物的方法和设备。
背景技术：
：已知陶瓷非晶碳化硅是由聚二甲基硅烷(PDMS)制备的。这种方法的描述可以在例如Cranstone等的"用于碳化硅纤维的聚硅烷前体的合成和表征(Synthesisandcharacterisationofpolysilaneprecursorsforsiliconcarbidefibers)"(J.MaterialResearch第10巻，第10期，第2659页，1995年10月)中找到。在这些之前的尝试中，焦点保持在将聚合物转化为液体，然后施加进一步的处理，通常在高温和/或压力下将液体转化为陶瓷碳化硅。典型地，碳化硅通过PDMS在高压釜中于高压下的热分解制备，分解通过称为Kumada重排的过程进行。这种分解的效率被称为陶瓷收率，并且在一些原料物质没有转化为碳化硅而是变成气体的情况下，发生陶瓷收率的损失。因此，差的陶瓷收率与来自聚合物的较高气体收率相关，常规地己将这种情况避免。Takamizawa等(美国专利4,461,908)已经报道了，可以在350。C至800°C的温度，由甲基聚硅垸制备甲基氢硅烷(methylhydrogensilane)，比如二甲基硅垸、1，1，2，2-四甲基乙硅垸和U,2,2，3，3-六甲基丙硅垸。
发明内容根据本发明的一个方面，提供一种用于由固体聚硅垸化合物制备具有所需摩尔比的气态有机硅化合物的混合物的方法，所述方法包括在保持预定压力的同时将固体聚硅烷热解的步骤，选择所述预定的压力以提供所需摩尔比的气态有机硅化合物。根据本发明的另一方面，提供一种用于制备气态有机硅化合物的混合物的方法，所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含3至5个硅原子的气态有机硅化合物，所述方法包括在保持的100至250psi的压力下，于350至50(TC的温度加热固体有机硅垸(例如，聚硅垸)化合物。根据本发明的另一方面，提供一种用于制备气态有机硅化合物的混合物的方法，所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含1或2个硅原子的气态有机硅化合物，所述方法包括在保持的600至900psi的压力下，于350至50(TC的温度加热固体有机硅垸(例如，聚硅烷)化合物。根据本发明的另一方面，提供一种设备，所述设备包括用于与容器的气体出口连接的气体控制板(gaspanel)，所述气体控制板包括阀门，所述阔门用于控制来自容器的气体出口的气体通过所述气体控制板的流量；和用于控制加热器的控制器，以在由阀门保持容器内部预定压力的同时，在预定的温度加热容器中的固体有机硅化合物，从而形成气态有机硅化合物的混合物。还提供一种方法，所述方法包括确定包含固体有机硅化合物的容器内部的温度；基于确定的温度控制加热器以在预定的温度加热固体有机硅化合物；和在加热固体的同时保持容器内部的预定压力，从而形成气态有机硅化合物的混合物。在示出本发明的示例性实施方案的附图中图1是显示在从聚二甲基硅烷(PDMS)放出气体的过程中温度和压力之间关系的图。图2是显示当从容器中移除气体和产生另外的气体时容器内部的气体压力的图。图3是根据本发明的一个实施方案的系统的流程图。图4是实例气体控制板布置的示意图。图5是实例气体容室(gascabinet)的图。具体实施例方式现在已经发现，可以在各种保持的压力下进行固体有机硅垸如聚硅垸的热解，以制备气态有机硅化合物的混合物，并且存在于制备的混合物中的气体的性质和相对摩尔量将受所选择的压力影响。在本申请中"固体有机硅烷"和"固体聚硅烷"是指在室温和室压下为固体的有机硅垸和聚硅烷化合物。在某些实施方案中，固体有机硅垸，例如聚硅烷在室温和室压下是固体。"热解化"或"热解"是指固体有机硅烷在基本上不含分子氧的气氛中通过加热的化学分解。"气态有机硅化合物"是指包含硅、碳和氢原子的化合物，所述化合物在20。C禾口20psi处于气相中;"保持的压力"是指保持压力基本上稳定，任选地在选定的压力或在选定的压力范围内的状态；"存在于制备的混合物中的气体的相对摩尔量"是指混合物中单独的气体的相对摩尔量，或混合物中一种或多种特定气体相对于一种或多种其它气体的相对摩尔量；固体有机硅烷化合物在一个实施方案中，固体有机硅烷化合物可以是具有Si-C键的硅基聚合物(Si-Si主链)，所述Si-C键在加热室内加热的过程中是热力学稳定的。在一个实施方案中，硅基聚合物具有包含至少一个硅原子和两个以上碳原子的单体单元。单体单元还可以包含其它元素，比如N、O、F，或它们的组合。在另一个实施方案中，聚合物化合物是聚硅烷或聚碳硅垸(polycarbosilane)。聚硅烷化合物可以是当热解时可以产生气态有机硅化合物的任何固体聚硅烷化合物，热解即为，固体聚硅烷在基本上不含分子氧的气氛中通过加热的化学分解。在一个实施方案中，固体聚硅垸化合物包含线型或支化聚硅链，其中每个硅被一个或多个氢原子、C,-Q垸基、苯基或-NH3基取代。在一个另外的实施方案中，线型或支化的聚硅链具有至少一个包含至少一个硅原子和一个或多个碳原子的单体单元。在另一个实施方案中，线型或支化聚硅链具有至少一个包含至少一个硅原子和两个以上碳原子的单体单元。固体有机硅烷化合物的实例包括硅基聚合物如聚二甲基硅烷(PDMS)和聚碳甲基硅垸(polycarbomethylsilane)(PCMS)，和其它非聚合物物种如三苯基硅垸或九甲基三硅氮垸(nonamethyltrisilazane)。PCMS是可商购的(Sigma-Aldrich)，并且其可以具有例如约800道尔顿至约2000道尔顿的平均分子量。PDMS也是可商购的(Gelest，Morrisville，RA.和StremChemical公司，Newburyport，M.A.)，并且其可以具有例如约1100道尔顿至约1700道尔顿的平均分子量。PDMS己知为能够产生聚碳硅烷的聚合物。将PDMS作为源化合物使用是有利的，原因在于(a)其在储存和传输中的操作非常安全，(b)其对空气和水气稳定，即当在工业环境中使用大量的化合物时的适宜特性，(c)在由暴露于CVD加工条件的PDMS产生的流出流中没有腐蚀性组分，和(d)PDMS通过其氢取代基的功效提供其自身的氢供给，并且在低至5(TC的温度得到致密的非晶SiC。在另一个实施方案中，固体有机硅烷源可以具有至少一种标记组分，该标记组分的种类、比例和浓度可以用于在所得到的膜中建立化学"指纹"，其可以通过标准实验室分析工具，例如次级离子质谱法(SIMS)、俄歇电子能谱法(AES)、X-射线光电子能谱法(XPS)来容易地测量。在一个实施方案中，固体有机硅烷源可以含有同位素标记，即非天然丰度相对量的包含于固体有机硅烷源中的原子物种的至少一种同位素，例如C"或C14。在此将其称为人造比(syntheticratio)的同位素。气态有机硅化合物的混合物在一个实施方案中，气态有机硅化合物的混合物包含选自气态硅烷、气态聚硅烷，或气态聚碳硅烷中的一种或多种气体。在另一个实施方案中，在混合物中基本上全部的产生的气态有机硅化合物含1至4个硅原子。气态硅垸表示包含单个硅原子的化合物，气态聚硅烷表示含2个以上硅原子的化合物，其中硅原子共价结合(例如Si-Si)，而气态聚碳硅烷表示含2个以上硅原子的化合物，其中硅原子中的至少2个通过非硅原子结合(例如Si-CH2-Si)。在另外的实施方案中，气态有机硅化合物可以是下式的气态聚碳硅烷Si(CH3)n(H)m-[(CH2)-Si(CH3)p(H)q]x-Si(CH3)n.(H)m,其中n、m、n'和m'独立地表示0至3的整数，条件是n+m=3且n'+m'=3，p和q独立地表示0至2的整数，条件是对于每个硅原子p+q二2，并且x是0至3的整数。气态硅烷和气态聚碳硅烷的实例包括三甲基硅垸、四甲基硅垸、[Si(CH3)(H)2]-CH2-[Si(CH3)2(H)]、[Si(CH3)2(H)]-CH2-[Si(CH3)2(H)]、[Si(CH3)3]-CH2-[Si(CH3)2(H)]、[Si(CH3)2(H)]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)3]、[Si(CH3)(H)2]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)(H)2]、[Si(CH3)(H)2]-CHr[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)2(H)]、[Si(CH3)2(H)]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)2(H)]、[Si(CH3)2(H)]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)2(H)]、[Si(CH3)(H)2]-CH2-[Si(CH3)2]-CHr[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)2(H)]、[Si(CH3)(H)2]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)(H)2]、禾口[Si(H)3]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)2]-CH2-[Si(CH3)(H)2]。方法从固体有机硅垸制备气态有机硅化合物的混合物是通过热解步骤实现的，所述热解步骤可以包括固体中一种或多种不同类型的反应。在一个实施方案中，不同类型的反应根据为热解步骤选择的温度而被促进。在固体有机硅烷源是聚硅烷的实施方案中，一种可能的反应导致固体聚硅烷内Si-Si交联的形成，该反应通常在至多约375。C发生。另一种可能的反应被称为Kumada重排，该反应典型地在介于约225。C至约35(TC之间的温度发生，其中Si-Si主链链变成Si-C-Si主链链。尽管此类型的反应通常用于制备非挥发性产物，但是Kumada重排可以制备挥发性聚碳硅垸低聚物。尽管通过Kumada重排生成的气态物种的量与非挥发性固体或液体聚碳硅垸的生成竞争，但是这种非挥发性固体或液体聚碳硅烷的生成，尽管对于总收率是有害的，可以证明气体放出过程的有用方面，原因在于在一些实施方案中任何留下的液体或固体物质转化为无害且安全的陶瓷材料，从而导致一旦加工结束时对材料的处理更安全。固体聚合物源在加热室中的加热可以通过电加热、UV辐射、IR辐射、微波辐射、X-射线辐射、电子束、激光束等进行。在一个实施方案中，在容器中将固体有机硅垸加热至合适的温度，例如100至650°C、300至450°C，或350至42(TC。较高的温度通常增加从聚硅化合物产生气态有机硅化合物的混合物的速率。固体有机硅化合物可以以粉末、粒料、棒或其它固体形式，以间歇或连续方式添加到加热容器中。在间歇式添加中，固体有机硅化合物可以以例如lmg至10kg的范围内的量添加，但还可以使用更大的量。在一个实施方案中，在已经加入固体有机硅化合物之后，任选地在真空下，对容器进行吹扫，以用惰性气体如氩气或氦气取代容器内的气体。可以在加热开始之前对容器进行吹扫，或容器内的温度可以在吹扫的过程中或在吹扫之前上升。应当保持吹扫过程中容器内的温度低于气态有机硅化合物的放出开始的温度，以将气态有机硅化合物的损失最小化。在一个实施方案中，容器以至多15(TC/小时的速率被加热，直至达到所需温度，将容器保持在该温度。在另一个实施方案中，将温度升高到第一个值，在该温度进行热解，然后为了一种或多种原因将温度改变，例如，为了改变有机硅化合物的混合物生成的速率，或为了改变容器内的压力。一旦溶剂达到合适的温度，就将容器内的压力保持在预定的压力或在预定的压力范围内，选择所述预定的压力或预定的压力范围以在制备的混合物中提供所需摩尔比的气态有机硅化合物。在一个实施方案中，对容器内压力的主要贡献者是通过该方法制备的气态有机硅化合物的混合物，而对压力的次要贡献者是在固体有机硅化合物的加热开始之前存在于容器中的气体，例如在任选的吹扫步骤的过程中引入的惰性气体。为了调节容器内的压力，可以改变容器的温度，或可以将气体从系统中移除。温度通过例如使存在于容器内的气体膨胀和通过提高从固体聚硅化合物产生新的气态有机硅物种的速率来影响容器内的压力。因而，温度的改变可以用于升高或降低容器内的压力。容器内的压力还可以通过从其中释放气体来降低。通常，保持在高压有利于含有较低数目的硅原子的气态有机硅物种的生成，而保持在较低压力有利于含有较高数目的硅原子的气态有机硅物种的生成。现在己经发现这种以前不知道的关系，本领域技术人员可以通过非发明的试验确定保持怎样的压力，以制备具有所需相对量的气态物种的气态有机硅化合物的混合物。容器内的总压力和用来控制容器内压力的装置也可以受到所使用容器的体积的影响。在一个实施方案中，当将一部分气态有机硅化合物从容器中移除时，较大容器的使用将促进容器内更稳定的压力，连同对于从容器中移除的气体更稳定的出口压力。在一个实施方案中，将压力保持在50至900psi。在另一个实施方案中，将压力保持在100至250psi或600至900psi，各个压力范围促进生成不同的气态有机硅物种的混合物。当在较低压力例如100至250psi进行根据本发明方法的气态有机硅化合物的制备时，促进较大分子量气态化合物的生成。因此，在一个实施方案中，在100至250psi压力将固体聚硅院热解生成包含至少50-摩尔％的含3或4个硅原子的气态有机硅化合物的气态有机硅化合物的混合物。相反地，当在较高压力例如600至900psi进行根据本发明方法的气态有机硅化合物的制备时，促进较大分子量气态化合物的生成。因此，在一个实施方案中，在600至900psi压力热解生成包含至少50-摩尔％的含1或2个硅原子的气态有机硅化合物的气态有机硅化合物的混合物。气体混合物的释放和加工一旦容器内的压力达到选定压力范围内的值，就可以在确保容器内的压力保持在选定的压力范围内的同时，将容器内的一部分气体释放。在一个实施方案中，将释放的气体进一步加工，例如，气体混合物可以用在沉积加工中，混合物可以与其它气体混合，或可以将气体混合物储存起来。例如，容器可以配置有安全阀和储罐，使得容器内的压不能升至高于由安全阀设定的压力，从而有效地确定容器中的最大压力。储罐的体积，其可以为例如20至50升，将由安全阀的压力设定和气态有机硅化合物的预计用途的气体流量要求所确定。在一个另外的实施例中，气态有机硅化合物的混合物可以与一种或多种另外的气体混合。所述一种或多种另外的气体可以己经以气体形式得到并且在容器外部与生成的气体混合物混合，或所述气体可以通过加热生成，任选地在容器中与固体聚硅化合物、包含任意数目的元素如N、O、F、B、P，或它们的组合的固体或液体源一起加热而生成。例如，反应气体可以通过加热以下各项制备含有磷的固体源，比如三苯基膦(C6Hs)3P;含有氮的固体源，比如三(吡唑-l-基)甲垸；或含有硼的固体源，比如硼垸叔丁胺(CH3)3CNH2:BH3、三乙醇胺硼酸盐B(OCH2CH2)3N、硼烷二甲胺(CH3)2NH:BH3，或三苯基硼B(C6H5)3。在另一个实施例中，反应气体可以通过加热以下各项制备含有氟的液体源，比如二氟代苯(C6H4F2);含有磷的液体源，比如三乙基膦(C2Hs)3P、二甲基苯基膦(CH3)2(C6H5)P，或三(三甲基甲硅烷基)膦[(CH3)3Si]3P;或含有硼的液体源，比如三(三甲基甲硅垸氧基)硼[(CH3)3SiO]3B。在又一实施例中，反应气体可以是氮基气体，比如NH3、N2或NCls;氧基气体，比如CO、02、03、C02;氟基气体，比如CF4、C4F8、CH2F2、NF3、C2F6、C3F8、CHF3、C2F4、C3F6，或它们的组合；硼基气体，比如BKb、B2H6、BC13、B2C16;或磷基气体，比如PH3或PCl3。在一个实施方案中，反应气体还可以包含A1、B、Ge、Ga、P、As、N、In、Sb、S、Se、Te、In和Sb。设备和控制方法以上主要在气体制备方法的范围内描述了本发明的实施方案。如下面更详细地描述的，其它实施方案包括，例如，设备和相关控制方法。从以上描述变得明显的是，本发明的实施方案从固体有机硅垸制备气体或气体混合物。气体可以被用作，例如，向某种沉积设备如CVD或PECVD沉积设备的输入物。包括各种物理硬件组件的装置和气体容室、用于得到气体的控制方法，和控制方法的相关软件实现都在下面描述。图3是根据本发明的一个实施方案的系统的方框图。大体上，图3中显示的整个系统包括产生气体的气体源、和沉积设备。如所显示的，气体源包括其中产生气体的加热的压力容器，和用于调节该气体的气体控制板。在所示的实例中，向沉积设备的输入包括向混合歧管进料的质量流量控制器(MFC)的阵列。每个MFC控制特定气体的流量。然而，在另外的实施方案中，MFCs和混合歧管可以包括在气体源处的气体容室中，以允许将单独的气体混合物输送到沉积设备中。例如，气体源的输出物与其它气体如氨或氮的混合物可以用于提供通过沉积设备制备的所需膜。下面讨论气体控制板组件的一个具体的实例布置。应当指出，其它布置可以达到基本上相同的功能，并且满足各种实现和应用的要求。例如，可以考虑组件的相对位置，以将阀门和气体控制板之间的死空间最小化和/或将气体源和沉积设备之间的死空间最小化。因此，应当理解，下述的实例布置不意在是限制性的，而是一个具体实施方案的示例。图4是实例气体控制板布置的示意图。气体控制板包括氮气入口、通气出口、吹扫气入口(在图中示为氩气入口)、工艺气体出口，和用于控制通过气体控制板的气体流量的各种阀门。压力计、压力传感器，和结合了阀门的真空发生器也提供在实例气体控制板中。尽管在所示实施例中气体控制板与容器组件连接，但是容器组件和气体控制板可以分离地提供。例如，气体控制板和下述控制器可以与气体容室一起出售。容器组件可以由顾客分别获取。所示实施例中的容器组件包括可密封容器本身，用于容纳要由其生成气体的固体样品，以及气体入口和出口阀门、安全阀、压力传感器、温度传感器和加热器。以下表格列出可以用于安装所示的各种组件的具体器件。例如，阀门Pl可以是空气制动隔膜阀。列于表中的这种类型的器件和其它实例仅意在说明目的，并且本发明并不以任何方式被限制于此。标号说明功能Pl空气制动隔膜阀。通气出口隔离。P2空气制动隔膜阀。Ar入口隔离。P3空气制动隔膜阀。交叉隔离。P4空气制动隔膜阀。工艺气体出口隔离。P5空气制动隔膜阀。容器泵/吹扫气隔离。17<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在操作中，气体控制板将气体引入到容器中和/或将气体运送到容器外。使用阀门控制通过气体控制板的气体流量。一些阀门M1、M2是手动操作的，而其它的是通过控制器自动控制的，比如阀门P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7，禾BP9。止回阀SV1、SV2，压力调节器R1、R2不是外在控制的，而是在某些压力条件下操作以打开和关闭。压力计Gl提供气体控制板中压力的直观指示，而压力计G2提供容器中压力的直观指示。压力传感器SP1、SP2、SP3类似地测量压力，但是可以代之将测量压力的各个指示提供给系统组件如控制器。测量的容器内和加热器处温度的指示可以由温度传感器T1、T2提供。气体控制板，并且尤其是阀门P4的一种功能是控制从容器的气体出口到工艺气体出口的气体流量。因而，阀门P4可以用于控制容器内的压力。在一个实施方案中，在一些实施方案中至少部分以软件执行的控制器对加热器进行控制，以在由阀门保持容器内预定压力，示例性地为100至900psi的同时，在预定的温度，示例性地为350至50(TC加热容器中的固体有机硅化合物，从而形成气态有机硅化合物的混合物。这样的控制器可以控制加热器和阀门P4以保持所需温度和压力条件。例如，控制器可以从传感器T1和SP1接收容器内温度和压力的指示，并且基于感应的温度和压力控制加热器和阀门P4。在一些实施方案中，如果设置了容器的出口阀门，控制器还可以控制容器的出口阀门。图4中显示的设备包括容器的顶部右侧处的容器出口阀门，其可以由控制器控制，以控制从容器的气体出口到气体控制板的气体的流量。来自容器的气体可以通过气体控制板和通气出口排出。阔门P6提供一种可能的通过气体控制板的通气路径，而另一种路径是通过容器的安全阀SV2和与该安全阀连接的气体管线提供的。然而在所示实施例中，阀门P6处于自控控制下，当容器内的压力超过最大压力时，安全阀SV2允许气体从容器流到通气出口。在气体制备循环之前，可能需要吹扫容器。在图4中所示的实例中，将氩气用作用于吹扫容器的惰性气体。阀门P2被自动地控制以控制从吹扫气入口至容器的气体入口的氩气的流量。将吹扫气引入容器中还涉及手动阀M1、止回阀SV1和压力调节器R1。在吹扫循环的过程中，真空发生器VI被自动地控制以产生真空压力。来自N2入口的氮气用于驱动真空发生器V1，在一个实施方案中为文丘里(Venturi)泵。以下对容器的吹扫进行更详细的描述。图4中显示的设备，包括气体控制板和/或容器，可以安装在气体容室中。在一些实施方案中，气体控制板、控制器，和/或容器组件安装在容室的外壳中。图5是实例气体容室的图，该气体容室包括气体控制板，和控制装置，所述气体控制板可以是图4中显示的气体控制板。图5中的气体容室包括其下部左手侧处的空气通气入口，和顶部处的空气通气出口，从该空气通气出口可以以例如约100cfm的速率抽离空气。控制装置可以与PC或其它系统可操作地结合，示例性地通过通用串行总线(USB)或其它种类的有线或无线连接。图5中显示的具体实例布置仅意在为了说明目的。在不同实施或应用之间当然进行尺寸、形状、布置和其它物理特性的改变。还可以提供其它组件，尽管没有明确显示在图5中。可以提供用户界面，例如以控制装置上控制界面面板的形式，其既接收来自用户的输入也向用户提供输出。以与控制装置连接的形式显示于图5中的PC代表可以提供用户界面的另一种形式。在此描述的各种控制功能可以在控制装置中执行，或在某些实施方案中在单独的组件如与控制装置可操作地连接的PC或控制终端中执行。介于气体容室和控制装置之间的连接器可以采取任何不同的形式。本领域技术人员应当认识到，控制器布置和类型在不同的实施方案之间可以改变。现在详细考虑气体控制板的若干实例操作情况。具体而言，以下编号的序列描述用于设置气体源的操作，包括装料。在设置和操作过程中的警报，以及其它操作模式将随后描述。以下是用于装载容器并且开始使用的实例指令组步骤动作1(开始)关闭所有阀门。2检査开始模式是热或冷模式。热模式可能在按下紧急按钮或电力供应故障之后发生。如果容器压力高于"最小压力重新启动"并且容器温度高于"最低温度重新启动"，则这是热模式重新启动；进入步骤12。如果不是，则是冷模式重新启动；进入步骤3。3如果容器压力高于"吹扫最大压力"则打开容器的阀门P6和出口阀门P9以使容器通气，从而将压力降低至"吹扫最大压力"，示例性地10psi;进入步骤4。如果不是，则进入步骤4。4关闭容器的阀门P6和出口阀门P9。将容器设置在再装载模式，放入固体源样品或可以更换药筒(cartridge)。一直等到容器内的示例性地为热电偶的温度传感器Tl上的温度读数低于"卸载最低温度(mintemptemperaturetounload)"。5启动真空文丘里泵V1。打开阀门Pl，在预定时间之后在SP2上确认最小真空。如果如此，则打开容器的阀门P5、P3和入口阀门P7。否则，关闭所有阀门并且发出警报"低真空"。6(吹扫容器)打开容器的入口阀门P7。一直等到得到"用于良好吹扫的真空"，然后关闭阀门P5、Pl。7(重新填充容器)打开阀门P2并且等待SP1上用于吹扫的填充时间或压力，然后关闭阀门P2。8重复5至7以供"吹扫重复"时间。9关闭容器的入口阀门P7和阔门P3。如果在再装载模式，则进入步骤17。如果在装载模式，则进入步骤IO。10消除装载模式，设置在就绪模式。以15(TC/小时的最大速率升温加热3小时至500°C，然后以150tV小时降至45(TC。停留在该温度直至达到"低压"。打开容器的出口阀门。如果由压力传感器SP1感应的压力变得低于最小值，则达到"低压"；进入13。11当达到40(TC的温度己1小时时，重新加热容器。如果由压力传感器SP1感应的压力变得低于最小值，则达到"低压"；进入13。12打开容器的出口阀门P9。打开阀门P4。如果由压力传感器SP1感应的压力变得低于最小值，则已经达到"低压"；进入13。13当达到"低压"时，关闭阀门P4。14停止加热。打开阀门P6并且等待直至在压力传感器SP3处达到"吹扫压力最大值"。15关闭阀门P6。消除就绪模式并且设置在再装载模式。16进入步骤4。17(再装载容器)指示操作人员拆卸容器盖并且移除。等待反馈。18指示操作人员关闭并且移除容器垫圈。等待反馈。19消除再装载模式，并且设置在装载模式。指示操作人员在容器中放置新的垫圈并且打开新的垫圈。等待反馈。20指示操作人员安装新的密封物并且关闭容器盖。等待反馈。21指示操作人员更换容器盖螺栓。等待反馈。22指示操作人员关闭容室的门。等待反馈。23消除再装载模式并且设置在装载模式。进入步骤5。其它可能的操作模式可以包括维护模式以允许将所有阀门打开。还可以提供吹扫模式，其中可能在警报条件下将容器的阀门P6和出口打开。在待机模式中，不将工艺气体从该装置中抽出，或该装置准备好进入气体制备模式。例如，容器可以装载有固体样品并且被预热，但是还没热得足以释放工艺气体。停留在预热温度的一个目的是减少达到从固体聚合物释放工艺气体的温度的时间。当由用户选择时，这些模式和/或可能的其它模式可以在控制器中实施并且自动地执行。自动执行模式可以具有控制点或延迟以允许操作人员进行某些任务，比如移除容器盖、移除垫圈等。当接收来自操作人员的反馈时，则可以进行与目前模式相关的自动操作，例如从上述步骤17至22明显看出。还可以提供各种连结。例如，可能需要当由SP1感应的压力高于100psi并且容器的出口阀门P9打开时，不允许打开阀门P3。其它可能的连结可以包括，例如，如果由SP1感应的压力高于100psi则防止容器的入口阀门打开，如果SP3不在合适的操作压力则防止阀门P4打开，如果阀门P4打开则防止阀门P6打开，和如果系统不在就绪模式则防止加热器被开启。警报也被考虑，并且可以包括以下内容中的任何或全部，其中如果吹扫压力低，则开启"低吹扫压力"警报灯并且等待直至其被解决。如果在Tl上温度高于"内部高温"或在T2上是"加热器高温"，则停止加热，并且提供温度警报。然后用户可以按下重新设定按钮或提供一些其它的输入以重新开始上述程序。如果压力在一个或多个压力传感器处变得高于最大值，则发出"高压警报"并且停止加热。当用户按下重新设定按钮或提供另一种输入时，可以重新开始上述程序。如果容室门被打开，则停止加热，将容器出口和入口阀门关闭，并且点亮门打开警报灯，直至将门关闭。如果有任何电力故障，则发出警报以提供对故障的指示，并且重新设定至步骤1。在下表中列出各种阀门和组件在操作的不同实例模式下的状态。<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>下表定义用于气体控制板控制器的一个实施方案的输入和输出。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>下面描述在使用结合了气体控制板和容器的气体容室中可能涉及的另外的操作模式和操作。如从上述操作程序明显看出，将压力容器打开以再装载由其制备气体的固体源聚合物。在压力容器内的聚合物被加热例如至高于20(TC之后，由压力传感器SP1测量的容器内的压力下降至低于某一值可能表示源聚合物接近用尽。在一个实施方案中，40psi是建议的最小操作压力。以下操作概述将压力容器打开的步骤，包括将源气体冷却和移除。清空压力容器步骤1-冷却压力容器关闭容器热供应加热器，例如，使用控制装置上的电力开关。通过放松容器周围的绝缘体并移除加热器可能潜在地加快容器的冷却时间。步骤2-从压力容器中移除气态聚合物部分确保Tl上显示的压力容器内的温度低于200°C。确保由真空发生器V1提供的真空供给大于最小值，示例性地100psi。将软件控制系统设置在'手动阀控制'操作模式。打开P1，以启动真空发生器V1。允许在SP2上显示的压力变得稳定。这是'基础压力'。通过打开P5和P7使压力容器压力下降。允许SP2达到'基础压力，的某一范围内，示例性地2psi。关闭P1、P5和真空发生器V1。步骤3-将压力容器充入氩气，示例性地在40psi。确保将氩气入口加压至〉40psi并且手动阀Ml打开。打开P2。使压力容器内的压力(SP1)稳定至吹扫压力，示例性地40psi。关闭P2禾卩P7。步骤4-实施'泵-吹扫'步骤数次，示例性地6次。假设每个循环20:1的稀释，这产生〉6千万:1的稀释步骤5-打开压力容器确保在T1上容器内的温度低于80'C。还可以支持初始启动操作。这可能涉及，例如，检査控制器和可能的其它电子设备的操作，管道工程、阀门和压力容器的泄漏检测，和确认加热器的操作至操作温度。在准备气体容室用于操作之后，所述准备可能包括，例如，将气体容室与电源(在一个实施方案中为240至260伏，20安培)连接，与用于真空发生器VI的示例性地在130psi的压缩空气(或氮气)供给连接，与用于吹扫气体的氩气或其它惰性气体供给(在一个实施方案中在40psi的最小值)连接，并且与抽离装置连接，在一个实施方案中，所述抽离装置在400cfm操作并且提供洗气的功能，初始启动可以如下进行。步骤1-安装和连接电子设备/控制装置安置电子设备/控制装置，示例性地在气体容室的顶部或侧面上，确认连接和导线进入容室内。将CDA出口(在电子设备/控制箱中)与合适的阀门连接。CDA出口控制气体控制板中的阀门和容器入口和出口阀门。在其它实施方案中可以设置与CDA出口不同数目的阀门和不同种类的连接。将加热器线路穿过容室并且进入电子设备/控制装置中，以提供对热器的控制。使用紧固件，示例性地是穿过电子设备/控制装置的角落中四个孔的每一个的螺母和螺栓，将电子设备/控制装置连接到容室上，其中在每个位置上在容室和电子设备/控制装置之间有两个垫圈以隔离lmm，从而减少热接触。步骤2-检查阀门的操作将PC设置在手动操作，在一个实施方案中所述PC装有控制软件并且与电子设备/控制装置连接。在CDA线路在阀门处断开的情况下操作各个阀门，以确认对于阀门操作正确的CDA线路。在一个实施方案中所有的阀门一般应当关闭。步骤3-进行压力降测试这应当使用来自真空发生器VI(在一个实施方案中为文丘里泵)的供给进行，以产生最大可能的气体压力。每次给出指令在压力传感器上观察压力降，根据一种可能的测试方案，示例性地其应当被观察1分钟而不下降大于1psi。在其它实施方案中可以使用其它观察周期和/或压力降，比如在1小时中下降5psi，或可合理地确认没有泄漏的其它值。打开V1中的内阀直至SP2上的压力稳定。关闭阔门VI并且观察SP2上的压力。关闭手动阀M1。打开阀门P5、P3、P2和手动阀Ml直至SP2上的压力稳定。关闭阔门VI并且观察SP2上的压力。现在这是在进行气体控制板的泄漏测试。关闭阀门P3、P2和手动阀M2。打开阀门VI和阀门P7直至SP2上的压力稳定。关闭阀门VI并且观察SP2上的压力。现在这是在进行压力容器的泄漏测试。关闭所有阀门。步骤4-压力容器的初始加热在这一阶段在不装载任何源聚合物，但是具有文丘里气体超压的条件下加热压力容器。这是为了实现以下目的测试加热器的操作、温度测量和控制。确认容器在较高压力和操作温度下是不漏的。通过除气将容器清洁，以产生用于操作的标准起点。随后的步骤将PC设置在手动操作。在PC上检査所有警报和警告的设定点。移除压力容器的盖。清洁垫圈和压力容器内部，示例性地用丙酮和清洁房间的擦布。确保在与热电偶连接的连接器上的润滑脂没有通过连接器进入容器盖内。更换用于压力容器的垫圈。'更换压力容器盖。在容器的交替边上安装盖螺栓，并且上紧至250英尺-磅。更换热电偶和加热器夹套。确认加热器和容器热电偶正确地连接到它们各自的线路上进入电子设备/控制装置中。在某些实施方案中，容器热电偶(T1)可以在电子设备/控制装置的显示屏上显示，而加热器热电偶(T2)仅在PC上显示。用来自文丘里管线(图4中的N2入口)的气体填充容器至某一压力，在一个实施方案中>100psi。打开阀门V1、P5、P7。观察容器内的压力上升(SP1)。关闭阀门VI、P5、P7。确认加热器HT1是接通的。在电子设备/控制装置上的加热器显示屏上选择温度，示例性地420。C。在PC和加热器显示屏上观察温度上升。确保T2上的显示比Tl上的显示上升得快。观察容器内的压力以确保其保持在安全极限内并且没有下降。步骤5-冷却压力容器在加热器显示器上选择较低的温度，示例性地<20°C。断开加热器。监测加热器和容器温度。可以将绝缘夹套和加热器移除。以上描述了本发明的各种实施方案，主要在从固体聚合物源制备气体的方法和设备的方面。本发明的另一方面涉及用于控制气体容室组件的控制方法。这样的方法可以在例如电子设备/控制装置的电子设备中实现，或在用于通过处理元件比如PC或其它与电子元件可操作地结合的终端中的微处理器执行的软件中实现。其它可能适用于这种目的的处理元件可以包括微控制器、现场可编程门阵列(FPGAs)，和可编程逻辑设备(PLDs)。还可以或改为将专用集成电路(ASICs)用于执行控制器功能中。在实际的软件方面，控制软件可以用例如VisualBasic或Labview编写，但是本发明决不限于任何一种或多种特定的编程语言或一种或多种软件应用。给出许多用于执行控制器功能的选择，应当认识到，控制器可以安装在一种或多种物理设备中。PC可以与气体容室一起安置，或用某种通信连接，例如通过电子装置，与气体容室远距离地安置。因此，在此对控制器的提及应当相应地理解为包括在一种或多种设备中的控制器安装，其可以由软件设置完成控制功能。控制方法可以包括确定容器内的温度、基于确定的温度控制加热器以在预定的温度加热固体有机硅化合物，和在固体被加热的同时保持预定的容器内压力，从而形成气态有机硅化合物的混合物。在一个实施方案中，通过控制阔门保持压力，所述阀门控制从容器的气体出口通过气体控制板的气体流量。在某些实施方案中，可以通过从传感器接收温度和压力指示来监测温度和压力。然后可以基于容器内的温度和压力控制加热器和阀门。还可以提供通气、压力释放和吹扫功能。对于本领域技术人员，从例如以上制备方法和设备描述，这些和可能的其它控制功能可以是明显的或变得明显。尽管为了清楚理解的目的通过附图和实施例比较详细地描述了上述发明，但是对于受到本发明教导的本领域普通技术人员显而易见的是，在不偏离后附权利要求的精神和范围的情况下，可以对本发明进行某些改变和修改。例如，可以通过不同于阀门P4的机构提供容器压力的控制。根据另一个实施方案，使用在气体控制板中的储存器和在气体控制板或容器中的安全阀提供压力控制。当容器内的压力超过最大压力时，这样的布置将允许工艺气体从容器流向储存器。加热的容器中的压力则不会上升至高于由安全阀设定的压力，从而有效地设定加热的容器中的最大压力并且还确定在气体放出过程中的环境压力和对于产生的气体的种类的相关影响。在这种布置中，工艺气体保留在分离的储存器中，但是不超过由压力安全阀设定的压力。随着将气体从储存器中抽出，比如通过沉积系统，储存器中的压力因而将下降。储存器的体积取决于安全阀的压力设定和沉积应用中沉积设备的气体流量要求。在一些实施方案中20-50升可以是合理的。控制器用户界面的形式可以改变。可以在电子设备/控制装置、与该装置可操作地连接的PC，或这二者上设置图形用户界面(GUI)。GUI可以用于显示气体容室的各个组件的图像，及其目前位置、操作状态、和/或一种或多种警报。这些图像还可以提供用于这些组件的控制功能的实现。还应当指出，上述各种功能可以用在计算机可读取介质上存储的指令执行。实施例提供以下实施例以说明本发明。然而，应当理解，出于说明的目的对在各个实施例中给出的具体细节进行了选择，而这些具体细节不应当被理解为对本发明的范围的限制。实施例1将400克聚二甲基硅烷(PDMS)放置在配置有加热装置和压力传感器的2升不锈钢容器中。一旦密封，就对容器内的气体进行吹扫并且用氩气代替。然后以约15(TC/小时的速率加热容器3小时至约50(TC，然后将温度降至约422°C。在保持温度基本上恒定的同时，将得到的气态产物在805psi从容器中释放，从而降低压力。在气态产物的释放之间，允许容器内的压力随着从聚二甲基硅垸产生另外的气态产物而增加。容器内的压力保持在600。C和900psi之间。在加热300小时和89次独立释放气体混合物之后，这表示4848分钟的气态产物释放，注意到容器内的压力不再在释放之间增加，表明PDMS装载被用尽。发现反应之后残留在容器中的固体产物重261克，从而表明在加工中139克的聚二甲基硅垸转化为气态有机硅化合物。图1提供在含有PDMS的容器被加热时，气态有机硅化合物的混合物从PDMS中释放的图形显示。在约30(TC，固体变成液体，这可以通过压力斜率的略微变化而被注意到。在约40(TC，观察到压力随着从液体中释放气体混合物而迅速上升。图2提供在实施例1的过程中随着从容器中释放气态有机硅化合物的31混合物，容器内压力的图形显示。曲线上的点表示每一次从容器中的气体释放。在示例性过程中，每次释放表示足以以80-100nm的厚度完成膜沉积的通往PECVD系统的气体流量。表1提供来自由在实施例1中描述的方法制备的气体混合物的GC-MS分析结果。该表还提供从GC-MS结果得到的，对包含在生成的混合物中的气态有机硅化合物的可能鉴定。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>在表l的最右列中，"MolecularWeight"代表"分子量"；"ExactMass"代表"确切质量";"MolecularFormula"代表"分子式";"MolecularComposition"代表"分子组成"。除了将容器内的压力保持在约100和约200psi之间以外，重复在实施例1中描述的过程。表2提供来自由在实施例2中描述的方法制备的气体混合物的GC-MS分析结果。该表还提供从GC-MS结果得到的，对包含在生成的混合物中的气态有机硅化合物的可能鉴定。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>在表2的最右列中，"MolecularWeight"代表"分子量"；"ExactMass"代表"确切质量"；"MolecularFormula"代表"分子式"；"MolecularComposition"代表"分子组成"。实施例3除了将容器内的压力保持在约230psi以下，和使用450g聚二甲基硅垸以外，重复在实施例2中描述的过程。发现反应之后残留在容器中的固体产物重281克，从而表明在加工中169克的聚二甲基硅烷转化为气态有机硅化合物。在本说明书中对任何出版物、专利或专利申请的引用不是对该出版物、专利或专利申请是现有技术的承认。必须指出，如在本说明书和后附权利要求中所使用的，单数形式"一个"、"一种"和"所述"包括复数含义，除非上下文明确地另外指出。除非另外定义，否则在此使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。权利要求1.一种用于由固体有机硅烷化合物制备具有所需摩尔比的气态有机硅化合物的混合物的方法，所述方法包括在保持预定压力的同时将所述固体有机硅烷热解的步骤，选择所述预定的压力以提供所需摩尔比的气态有机硅化合物。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述所需摩尔比表示具有不同硅原子数目的气态有机硅化合物之间的摩尔比。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述固体有机硅烷化合物包含线型或支化聚硅链，其中每个硅被一个或多个氢原子、Q-Q烷基、苯基或-NH;基取代。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述固体有机硅垸化合物是聚二甲基硅烷(PDMS)、聚碳甲基硅垸(PCMS)、三苯基硅烷或九甲基三硅氮烷，优选PDMS或PCMS。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述PDMS具有1,000至1，700g/mo1的分子量。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述混合物中的每种气态有机硅化合物独立地选自气态硅垸、气态聚硅烷或气态聚碳硅烷。7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述混合物中的每种气态有机硅化合物含1至5个硅原子。8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述气态有机硅化合物混合物包含下式的化合物Si(CH3)n(H)m-[(CH2)-Si(CH3)p(H)q]x-Si(CH3)n,(H)m,其中n、m、n'和m'独立地表示0至3的整数，条件是n+m=3in'+m'=p和q独立地表示0至2的整数，条件是对于每个硅原子，p+q=2，并且x是0至3的整数。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述热解在100至650。C的温度进行。10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述热解在350至42(TC的温度进行。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述压力保持在100至900psi。12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述压力保持在100至250psi，并且所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔%的含3至5个硅原子的气态有机硅化合物。13.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述压力保持在100至200psi，并且所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔%的含3至5个硅原子的气态有机硅化合物。14.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述压力保持在600至900psi，并且所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔%的含1或2个硅原子的有机硅化合物。15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中将所述气态有机硅化合物的混合物进一步加工。16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中在加热之前用惰性气体对所述容器进行吹扫。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述惰性气体是氩气或氦气。18.—种用于制备气态有机硅化合物的混合物的方法，所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含3至5个硅原子的气态有机硅化合物，所述方法包括在保持的100至250psi的压力下，于350至50(TC的温度加热固体有机硅烷化合物。19.一种用于制备气态有机硅化合物的混合物的方法，所述气态有机硅化合物的混合物包含至少50摩尔％的含1或2个硅原子的气态有机硅化合物，所述方法包括在保持的600至900psi的压力下，于350至500。C的温度加热固体有机硅烷化合物。20.根据权利要求18或19所述的方法，其中所述固体有机硅烷化合物包含线型或支化聚硅链，其中每个硅被一个或多个氢原子、C,-C6垸基、苯基或-NH3基取代。21.根据权利要求18或19所述的方法，其中所述固体有机硅垸化合物是聚二甲基硅烷(PDMS)、聚碳甲基硅垸(PCMS)、三苯基硅烷或九甲基三硅氮垸，优选PDMS或PCMS。22.根据权利要求21所述的方法，其中所述PDMS具有l，OOO至1，700g/mo1的分子量。23.根据权利要求18至22中任一项所述的方法，其中所述混合物中的每种气态有机硅化合物独立地选自气态硅烷或气态聚碳硅烷。24.根据权利要求18至23中任一项所述的方法，其中将所述气态有机硅化合物的混合物进一步加工。25.根据权利要求18至24中任一项所述的方法，其中在加热之前用惰性气体对所述容器进行吹扫。26.根据权利要求25所述的方法，其中所述惰性气体是氩气或氦气。27.—种设备，所述设备包括气体控制板，所述气体控制板用于与容器的气体出口连接，所述气体控制板包括阀门，所述阀门用于控制来自所述容器的所述气体出口的气体通过所述气体控制板的流量；和控制器，所述控制器用于控制加热器，以在由所述阀门保持所述容器内部预定压力的同时，在预定的温度加热所述容器中的固体有机硅化合物，从而形成气态有机硅化合物的混合物。28.根据权利要求27所述的设备，其中所述控制器至少部分以用于通过处理元件完成的软件执行。29.根据权利要求27或28所述的设备，其中所述阀门可通过所述控制器控制，以保持所述容器内的所述压力。30.根据权利要求29所述的设备，其中所述控制器可操作以从各个传感器接收所述容器内温度和压力的指示，并且基于所述容器内的所述温度和压力控制所述加热器和所述阀门。31.根据权利要求27至30中任一项所述的设备，其中所述控制器还可操作以通过控制所述容器的出口阀门来控制从所述容器的所述气体出口到所述气体控制板的气体流量。32.根据权利要求27至31中任一项所述的设备，其中所述气体控制板还包括与所述阀门连接的储存器，其中所述阀门包括安全阀，当所述容器内的压力超过最大压力时，所述安全阀允许所述气态有机硅化合物从所述容器流到所述储存器中。33.根据权利要求27至32中任一项所述的设备，其中所述气体控制板还包括通气出口；禾口通气阀，所述通气阀与所述控制器可操作地连接，用于控制从所述容器的所述气体出口到所述通气出口的气体流量。34.根据权利要求33所述的设备，其中所述气体控制板还包括与所述通气出口连接并且用于与所述容器的安全阀连接的气体管线，当所述容器内的压力超过最大压力时，所述气体管线允许气体从所述容器流到所述通气出口。35.根据权利要求27至34中任一项所述的设备，其中所述气体控制板还包括吹扫入口，所述吹扫入口用于接收用于对所述容器进行吹扫的惰性气体；禾口吹扫阀，所述吹扫阀与所述控制器可操作地结合，用于控制从所述吹扫入口到所述容器的气体入口的所述惰性气体流量。36.权利要求35所述的设备，其中所述惰性气体是氩气或氦气。37.根据权利要求35或36中任一项所述的设备，其中所述气体控制板还包括真空发生器，所述真空发生器与通气出口、与所述容器的所述气体入口、与所述容器的所述气体出口和与所述控制器可操作地结合，所述控制器控制所述真空发生器以在吹扫循环的过程中产生真空压力。38.根据权利要求27至37中任一项所述的设备，所述设备还包括所述容器。39.根据权利要求38或39中任一项所述的设备，其中所述容器包括与所述控制器可操作地结合的温度传感器，所述温度传感器感应所述容器内部的温度。40.根据权利要求38所述的设备，其中所述容器包括与所述控制器可操作地结合的压力传感器，所述压力传感器感应所述容器内部的压力。41.根据权利要求27至40中任一项所述的设备，所述设备还包括用户界面，所述用户界面与所述控制器可操作地结合，所述用户界面接收来自用户的输入，向用户提供输出，或同时接收来自用户的输入和向用户提供输出。42.根据权利要求41所述的设备，其中所述用户界面包括图形用户界面(GUI)。43.根据权利要求27至42中任一项所述的设备，所述设备安装在包括外壳的气体容室中，所述气体控制板和所述控制器被安装到所述外壳上。44.根据权利要求27至42中任一项所述的设备，所述设备安装在包括外壳的气体容室中，所述气体控制板、所述控制器和所述容器被安装到所述外壳上。45.—种方法，所述方法包括确定容纳有固体有机硅化合物的容器内部的温度；基于所确定的温度，控制加热器以在预定的温度加热所述固体有机硅化合物；和在加热所述固体的同时保持容器内部的预定压力，从而形成气态有机硅化合物的混合物。46.根据权利要求45所述的方法，其中所述的保持包括控制阀门，所述阀门控制从所述容器的气体出口通过气体控制板的气体流量。47.根据权利要求45或46所述的方法，其中所述的确定包括从温度传感器接收所述容器内部温度的指示。48.根据权利要求46所述的方法，所述方法还包括确定所述容器内部的压力，其中确定所述温度包括从温度传感器接收所述容器内部温度的指示，其中确定所述压力包括从压力传感器接收所述容器内部压力的指示，并且其中控制包括基于所述容器内部的所述温度和压力控制所述加热器和所述阀门。49.根据权利要求46所述的方法，其中保持还包括通过控制所述容器的出口阀门来控制从所述容器的所述气体出口到所述气体控制板的气体流量。50.根据权利要求45所述的方法，其中保持包括设置安全阀，当所述容器内部的压力超过最大压力时，所述安全阀允许气态有机硅化合物流出所述容器。51.根据权利要求45至50中任一项所述的方法，所述方法还包括提供对所述容器的控制的通气。52.根据权利要求51所述的方法，其中提供控制的通气包括提供与所述容器的气体出口和通气出口连接的通气阀门；和控制从所述容器的所述气体出口通过所述通气阀门到所述通气出口的气体流量。53.根据权利要求51所述的方法，其中提供控制的通气还包括提供与通气出口和所述容器的安全阀连接的气体管线，当所述容器内部的压力超过最大压力时，所述气体管线允许气体从所述容器流向所述通气出口。54.根据权利要求45至53中任一项所述的方法，所述方法还包括提供对所述容器的控制的吹扫。55.根据权利要求54所述的方法，其中提供控制的吹扫包括提供与吹扫入口连接的吹扫阀门，所述吹扫入口接收用于对所述容器进行吹扫的惰性气体；和控制从所述吹扫入口到所述容器的气体入口的所述惰性气体流量。56.权利要求55所述的方法，其中提供控制的吹扫还包括提供真空发生器，所述真空发生器与通气出口、与所述容器的所述气体入口、与所述容器的所述气体出口可操作地连接；和控制所述真空发生器以在吹扫循环的过程中产生真空压力。57.根据权利要求45至56中任一项所述的方法，所述方法还包括以下各项中的至少一项从用户接收控制输入；和向所述用户提供输出。58.根据权利要求57所述的方法，其中接收和提供中的至少一项包括提供用户界面。59.根据权利要求58所述的方法，其中所述用户界面包括图形用户界面(GUI)。60.—种计算机可读取介质存储指令，其在执行时进行权利要求45至59中任一项所述的方法。全文摘要本申请涉及由固体有机硅烷化合物形成具有所需摩尔比的气态有机硅化合物的混合物的方法，所述方法包括在保持预定压力的同时将固体有机硅烷热解的步骤，选择所述预定压力以提供所需的气态有机硅化合物的摩尔比。还公开了相关设备和控制机构。文档编号C07F7/00GK101622261SQ200880006425公开日2010年1月6日申请日期2008年8月26日优先权日2007年11月27日发明者亚历山大·戈蒙德,塞巴斯蒂安·艾伦,约瑟夫·阿维得,迈克尔·戴维斯申请人:斯克司聪先进材料公司