发光元件材料及发光元件的制作方法

专利名称：：发光元件材料及发光元件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种作为荧光色素及电荷输送材料有用的发光元件材料及使用其的发光元件，所述发光元件可以用于显示元件、平板显示器、背光灯、照明、内部装饰(interior)、标记、广告牌、电子照相机及光信号发生器等领域。
背景技术：
：近年来有机薄膜发光元件的研究较活跃，所述有机薄膜发光元件在从阴极注入的电子与从阳极注入的空穴在被两极夹持的有机发光体内再次结合时发光。该发光元件的特征在于，较薄、且在低驱动电压下高亮度发光，并且通过选择发光材料可以发出多色光，备受关注。自从EastmanKodak公司的C.W.Tang等指出有机薄膜发光元件高亮度地发光以来，很多研究机构正进行该研究。Kodak公司的研究小组提出的有机薄膜发光元件的代表性结构是，在ITO玻璃基板上依次设置空穴输送性二胺化合物、作为发光层的三(8-羟基喹啉)铝(III)、以及作为阴极的Mg:Ag(合金)，在IOV左右的驱动电压下可以发出1，OOOcd/m2的绿色(参见非专利文献1)。另外，有机薄膜发光元件通过在发光层中使用多种荧光材料，能够发出多种颜色的光，因此向显示器等的实用化研究十分盛行。三原色发光材料中绿色发光材料的研究最深入，现在正对红色发光材料和蓝色发光材料进行潜心研究以提高其特性。有机薄膜发光元件中的最大的课题之一在于兼顾元件的发光效率和耐久性。特别是对于蓝色发光元件来说，提供耐久性优异、可靠性高的元件的蓝色发光材料较少。例如公开了使用苯乙烯基衍生物(参见专利文献1)的技术。另外，还公开了将被二苯并呋喃取代的蒽化合物(参见专利文献25)用于蓝色发光元件的例子，但是，上述技术均不能充分兼顾发光效率和耐久性。专利文献1专利第3086272号公报专利文献2日本特开2005-314239号公报专利文献3国际公开第05/113531号说明书专利文献4日本特开2007-63501号公报专利文献5日本特开2007-238500号公报非专利文献lAppliedPhysicsLetters(美国)、1987年、51卷、12号、913915页
发明内容如上所述，现有有机薄膜发光元件中不能提供发光效率高且耐久性优异的蓝色发光元件。因此本发明的目的在于提供一种发光元件材料及使用其的发光元件，所述发光元件材料可以得到发光效率高且耐久性优异的蓝色发光元件。本发明为含有通式(1)表示的蒽化合物的发光元件材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>R1R16相同或不同，分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团。其中，R9R16中的任一个用于与A连接。R17R2tl相同或不同，分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、及甲硅烷基中的基团。R21表示选自氢原子、直链烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团。A表示亚芳基。η为1或者2。X为氧原子或者硫原子。另外，本发明涉及一种发光元件，其特征在于，所述发光元件在阳极和阴极之间至少存在发光层，通过电能发光，且所述发光元件含有通式(1)表示的发光元件材料。本发明可以提供一种能够用于发光元件等且薄膜稳定性优异的发光元件材料。并且，可以得到具有高发光效率和优异耐久性的发光元件。具体实施例方式说明本发明使用的通式(1)表示的蒽化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>R1R16相同或不同，分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团。其中，R9R16中的任一个用于与A连接。R17R2tl相同或不同，分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、及甲硅烷基中的基团。R21表示选自氢原子、直链烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团。A表示亚芳基。η为1或者2。X为氧原子或者硫原子。上述取代基中，所谓烷基，表示例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基等饱和脂肪族烃基，它们可以具有取代基也可以不具有取代基。被取代时追加的取代基没有特别限定，可以举出例如烷基、芳基、杂芳基等，针对这一点，在以下记载中也是通用的。另外，烷基的碳原子数没有特别限定，但从容易获得及成本方面考虑，通常为1以上20以下，较优选为1以上8以下的范围，更优选为甲基、乙基、异丙基、仲丁基、叔丁基。所谓环烷基，表示例如环丙基、环己基、降冰片基、金刚烷基等饱和脂环式烃基，它们可以具有取代基也可以不具有取代基。烷基部分的碳原子数没有特别限定，通常在3以上20以下的范围内。所谓直链烷基，表示例如甲基、乙基、正丙基、正丁基等直链饱和脂肪族烃基。烷基部分的碳原子数没有特别限定，但从容易获得及成本方面考虑，通常在1以上8以下的范围内。所谓杂环基，表示例如吡喃环、哌啶环、环状酰胺等环内具有除碳之外的原子的脂肪族环，它们可以具有取代基也可以不具有取代基。杂环基的碳原子数没有特别限定，通常在2以上20以下的范围内。所谓烷氧基，表示例如甲氧基、乙氧基、丙氧基等通过醚键与脂肪族烃基键合的官能团，所述脂肪族烃基可以具有取代基也可以不具有取代基。烷氧基的碳原子数没有特别限定，通常在1以上20以下的范围内。所谓烷基硫基，为烷氧基的醚键的氧原子被硫原子取代的基团。烷基硫基的烃基可以具有取代基也可以不具有取代基。烷基硫基的碳原子数没有特别限定，通常在1以上20以下的范围内。所谓芳基，表示例如苯基、萘基、联苯基、菲基、三联苯基等芳香族烃基。芳基可以无取代也可以被取代。芳基的碳原子数没有特别限定，通常在6以上40以下的范围内，较优选在6以上12以下的范围内。作为芳基更优选为苯基、萘基、联苯基。所谓杂芳基，表示呋喃基、噻吩基、吡咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、吡啶基、喹啉基等环内具有除碳之外的一个或多个原子的环状芳香族基，它们可以具有取代基也可以不具有取代基。杂芳基的碳原子数没有特别限定，通常优选在2以上30以下的范围内。氨基可以具有取代基也可以不具有取代基。作为取代基可以举出例如如上所述的烷基、环烷基、芳基、杂芳基等。所谓甲硅烷基，表示例如三甲基甲硅烷基等具有与硅原子键合的键的官能团，它们可以具有取代基也可以不具有取代基。甲硅烷基的碳原子数没有特别限定，通常优选在3以上20以下的范围内。另外，硅原子数通常优选在1以上6以下的范围内。另外，任意相邻的2个取代基(例如通式(1)的R18与R21)也可以互相键合，形成共轭或非共轭的稠环。作为稠环的构成元素，除碳之外还可以含有选自氮、氧、硫、磷及硅中的元素。另外，稠环也可以进一步与其他环缩合。所谓亚芳基，表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚菲基、亚三联苯基(Terphenylene)等由芳香族烃衍生得到的二价或者三价基团，它们可以具有取代基也可以不具有取代基。亚芳基的碳原子数没有特别限定，通常在6以上40以下的范围内，较优选在6以上12以下的范围内。作为亚芳基更优选为由苯基衍生得到的二价基团(亚苯基)及由萘基衍生得到的二价基团(亚萘基)。上述基团可以具有取代基也可以不具有取代基，具有取代基时取代位置没有特别限定。另外，可以具有多个取代基，此时可以具有多个相同的取代基，也可以具有不同的取代基。本发明的通式(1)表示的蒽化合物，在分子中具有12个经连接基A与蒽骨架连接的、为给电子性缩合芳香族的二苯并呋喃骨架(X为氧原子时)或者二苯并噻吩骨架(X为硫原子时)，由此能够兼顾耐热性和电荷输送性。进而，由于通式(1)的A为亚芳基，所以可以形成稳定的薄膜，能够长寿命发光。其中，考虑到原料的获取及合成的容易性，较优选A为亚苯基或者亚萘基。本发明的通式(1)表示的蒽化合物中，A与蒽骨架的9位(中央环上的碳位)连接，从高荧光量子收率及制成元件时的薄膜稳定性提高的观点考虑，这是十分重要的。另外，通式(1)中可以分别单独地包含上述二苯并呋喃骨架或者二苯并噻吩骨架，也可以包含两者各一个，含有通式(1)的X为氧原子的二苯并呋喃骨架时，能够得到较高的发光效率，故为优选。另外，二苯并呋喃骨架或者二苯并噻吩骨架的数量(η值)较优选为1。另外，R9R16中的任一个用于与A连接，但从原料的获取及合成的容易性方面考虑，优选R9用于与A连接。另外，对于通式A为亚苯基时上述二苯并呋喃骨架或者二苯并噻吩骨架与蒽骨架的键合位置关系，可以为邻位、间位、对位中任一种，但较优选在对位或者间位键合。其中，从可以形成稳定薄膜的观点考虑，特别优选在对位键合。另外，通式A为亚萘基时上述二苯并呋喃骨架或者二苯并噻吩骨架与蒽骨架的键合位置关系，没有特别限定，但较优选在亚萘基的2位及6位键合。另外，本发明的通式(1)表示的蒽化合物中，R21选自氢原子、直链烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基及与相邻取代基之间形成的环结构，从制造元件时的薄膜稳定性的观点考虑，这是十分重要的。其中，R21较优选选自氢原子、直链烷基、杂环基、芳基、杂芳基、及与相邻取代基之间形成的环结构，特别优选为氢原子、直链烷基、芳基或者与相邻取代基之间形成的环结构。另外，此时蒽骨架的10位(中央环上的碳位)的取代基为苯基(R21为氢原子)、2_联苯基(R21为氢原子)、4_联苯基(R21为苯基)、对甲苯甲酰基(R21为甲基)或者β-萘基(R21与相邻取代基R18或者R19形成的环结构)时，制成元件时的薄膜稳定性提高效果进一步增大，故为优选。作为上述蒽化合物，没有特别限定，具体举出以下例子。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>[73]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>[74]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>[75]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>[77]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>[78]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>[80]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>[81]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>通式(1)表示的蒽化合物的合成可以使用公知的方法。向蒽骨架中导入二苯并呋喃基的方法，例如可以举出如下方法在钯或镍催化剂存在下使卤代蒽衍生物与二苯并呋喃金属络合物或者二苯并呋喃基芳基(dibenzofuranylaryl)金属络合物进行偶联反应的方法，在钯或镍催化剂存在下使蒽基金属络合物与卤代二苯并呋喃衍生物进行偶联反应的方法等，但并不限定于此。接下来，举例详细说明本发明的发光元件的实施方式。本发明的发光元件具有阳极、阴极、以及介于上述阳极与阴极之间的有机层，该有机层至少含有发光层，该发光层通过电能发光。有机层，除仅由发光层构成的结构之外，还可以举出1)空穴输送层/发光层/电子输送层、及2)发光层/电子输送层、3)空穴输送层/发光层等层合结构。另外，上述各层分别可以为单层、多层中的任一种。空穴输送层及电子输送层由多层构成时，有时将与电极连接侧的层分别称为空穴注入层及电子注入层，但以下说明中空穴注入材料包含在空穴输送材料中，电子注入材料包含在电子输送材料中。本发明的发光元件中，有机层由含有通式(1)表示的蒽化合物的发光元件材料形成。所谓发光元件材料，为自身发光的物质及有助于其发光的物质中任一种，是指与发光相关的化合物，具体而言为空穴输送材料、发光材料及电子输送材料等。本发明的蒽化合物可以用作空穴输送材料及电子输送材料，但考虑到其具有高发光性能，较优选用作发光材料。另外，本发明的蒽化合物在蓝色区域发出强光，所以优选作为蓝色发光材料使用，也可以通过与其他发光材料组合，作为绿色红色发光元件或白色发光元件用的材料使用。白色发光元件可以通过层合多种不同发光色的材料而得到。具体而言，可以举出蓝色发光材料与黄色发光材料、浅蓝色发光材料与橙色发光材料的2层层合体系、蓝色发光材料、绿色发光材料与红色发光材料的3层层合体系。由于本发明的蒽化合物优选作为蓝色发光材料使用，所以通过与其他的不同发光材料例如2，3，5，6-1H，4H-四氢-9-(2’-苯并噻唑基)喹嗪并[9，9a，l-gh]香豆素等绿色发光材料、1，3，5，7-四(4-叔丁基苯基)-8-苯基-4，4-二氟-4-硼杂-3a，4a-二氮杂_s_苯并二茚等红色发光材料进行3层层合，可以得到白色发光元件。本发明使用的阳极，只要为可以高效地向有机层中注入空穴的材料即可，没有特别限定，但优选使用功函数较大的材料，可以举出例如氧化锡、氧化铟、氧化锌铟、氧化锡铟(ITO)等导电性金属氧化物，或者金、银、铬等金属，碘化铜、硫化铜等无机导电性物质，聚噻吩、聚吡咯及聚苯胺等导电性聚合物等。上述电极材料可以单独使用，也可以将多种材料层合或者混合进行使用。阳极的电阻只要可以供给充分的电流使发光元件发光即可，但从发光元件耗电方面考虑优选为低电阻。例如只要为300Ω/□以下的ITO基板则可以作为元件电极进行工作，但由于目前也可以供给10Ω/□左右的基板，所以特别优选使用100Ω/□以下的低电阻物。ITO的厚度可以根据电阻值任意选择，通常多以100300nm之间的厚度进行使用。另外，为了保持发光元件的机械强度，优选在基板上形成发光元件。基板优选使用钠玻璃及无碱玻璃等玻璃基板。玻璃基板的厚度只要具有足够的厚度保持机械强度即可，因此只要为0.5mm以上即可。关于玻璃的材质，由于从玻璃中溶出离子少较好，所以优选为无碱玻璃。因为实施了SiO2等隔离涂层的钠钙玻璃(soda-limeglass)也已经市售，所以还可以使用此钠钙玻璃。进而，如果阳极能够稳定地进行工作，则基板也不必为玻璃，例如也可以在塑料基板上形成阳极。ITO膜形成方法并不特别地限定为电子束法、溅射法及化学反应法等。本发明使用的阴极中使用的材料，只要为能够高效地向有机层中注入电子的物质即可，没有特别限定，通常可以举出钼、金、银、铜、铁、锡、锌、铝、铟、铬、锂、钠、钾、铯、钙及镁以及它们的合金等。为了提高电子注入效率并提高元件特性，锂、钠、钾、铯、钙、镁或者含有这些低功函数金属的合金是有效的。但是，上述低功函数金属通常在大气中大多不稳定。因此，作为优选例可以举出如下方法在有机层中掺杂微量的锂及镁(以真空蒸镀的膜厚计表示为Inm以下)得到稳定性高的电极的方法。另外，也可以使用氟化锂之类无机盐。进而，为了保护电极，作为优选例可以举出如下方法将钼、金、银、铜、铁、锡、铝及铟等金属、或者使用这些金属的合金、二氧化硅、二氧化钛及氮化硅等无机物、聚乙烯醇、聚氯乙烯、烃类高分子化合物等有机高分子化合物进行层合。上述电极的制作方法只要为电阻加热、电子束、溅射、离子镀及涂布等能够取得导通的方法即可，没有特别限定。空穴输送层通过下述方法形成层合或者混合一种或者两种以上的空穴输送材料的方法、或者使用空穴输送材料与高分子粘合剂的混合物的方法。另外，也可以在空穴输送材料中添加氯化铁(III)之类无机盐形成空穴输送层。空穴输送材料只要为下述化合物即可，没有特别限定，所述化合物能够形成制作发光元件所必需的薄膜且能够从阳极注入空穴，并且可以输送空穴。优选例如4，4’-二(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)联苯、4，4，-二(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)联苯、4，4，，4”_三(3-甲基苯基(苯基)氨基)三苯胺等三苯胺衍生物，二(N-烯丙基咔唑)或者二(N-烷基咔唑)等双咔唑衍生物、吡唑啉衍生物、芪类化合物、腙类化合物、苯并呋喃衍生物及噻吩衍生物、噁二唑衍生物、酞菁衍生物、P卜啉衍生物等杂环化合物、聚合物类中的侧链具有上述单体的聚碳酸酯及苯乙烯衍生物、聚噻吩、聚苯胺、聚芴、聚乙烯咔唑及聚硅烷等。本发明中，发光层可以为单层或多层，分别由发光材料(主体材料(hostmaterial)、掺杂剂材料(dopantmaterial))形成，发光层可以为主体材料和掺杂剂材料的混合物，也可以仅为主体材料，均可。即，本发明的发光元件中，各发光层中可以仅主体材料或掺杂剂材料发光，也可以主体材料和掺杂剂材料均发光。从有效利用电能且得到高色纯度的发光的观点考虑，优选发光层由主体材料和掺杂剂材料的混合构成。另外，主体材料和掺杂剂材料分别可以为一种，也可以为多种的组合，均可。掺杂剂材料可以包含于全部主体材料中，也可以包含于部分主体材料中，均可。掺杂剂材料可以与主体材料层合，也可以分散于主体材料中，均可。掺杂剂材料可以调节发光色。具体而言，通过与在蓝色区域发出强光的掺杂剂材料进行组合可以得到蓝色发光，在绿色红色区域发出强光的掺杂剂材料也同样可以得到绿色红色的发光。掺杂剂材料的量过多时引起浓度消光现象，因此优选相对于主体材料使用20重量％以下，更优选为10重量％以下。掺杂方法可以采用与主体材料的共蒸镀法，也可以预先与主体材料混合后同时蒸镀。本发明的发光元件中的发光层含有通式(1)表示的蒽化合物。虽然本发明的蒽化合物可以作为掺杂剂材料使用，但由于薄膜稳定性及电荷输送性优异，所以优选作为主体材料使用。将本发明中使用的蒽化合物用作主体材料时，通过与在蓝色区域发出强光的掺杂剂材料进行组合，可以得到发光效率更高且长寿命的发光元件。进而，本发明中使用的蒽化合物也优选与在绿色红色区域发出强光的掺杂剂材料进行组合。本发明的通式(1)表示的蒽化合物的电离电势，没有特别限定，优选为4.5eV以上7.OeV以下，较优选为5.4eV以上6.4eV以下。需要说明的是，电离电势的绝对值有时因测定方法而不同，本发明的电离电势为使用大气气氛型紫外线光电子分析装置(AC-1、理研机器(株)制)、对在ITO玻璃基板上蒸镀的厚度为30nmIOOnm的薄膜进行测定而得到的值。本发明使用的主体材料并不限于只为本发明的通式(1)表示的蒽化合物一种，也可以混合本发明的多种蒽化合物进行使用，或者将一种以上其他主体材料与本发明的蒽化合物混合进行使用。作为可以混合的主体材料，优选使用芘等具有缩合芳环的化合物及其衍生物、N,N’-二萘基-N，N’-二苯基-4，4’-二苯基-1，1’-二胺等芳香族胺衍生物、以三(8-羟基喹啉)铝(III)(AluminumTris(8-quinolinate))为代表的金属螯合化羟基喹啉酮(oxinoid)化合物、联苯乙烯基苯衍生物等联苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、茚衍生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、吡咯并吡啶衍生物、紫环酮(perinone)衍生物、环戊二烯衍生物、噁二唑衍生物、咔唑衍生物、吡咯并吡咯衍生物、聚合物类中的聚对苯乙炔(polyphenylenevinylene)衍生物、聚对苯撑衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物。掺杂剂材料没有特别限定，可以举出萘、蒽、菲、芘、苯并[9，10]菲、茈、芴、茚等具有缩合芳环的化合物及其衍生物(例如2-(苯并噻唑-2-基)_9，10-二苯基蒽及5，6，11，12-四苯基并四苯等)、呋喃、吡咯、噻吩、噻咯、9-硅杂芴(9-silafluorene)、9，9，-螺二硅杂芴、苯并噻吩、苯并呋喃、吲哚、二苯并噻吩、二苯并呋喃、咪唑并吡啶、菲绕啉、吡嗪、1，5_二氮杂萘、喹喔啉、吡咯并吡啶、噻吨等具有杂芳基环的化合物及其衍生物、硼烷衍生物、联苯乙烯基苯衍生物、4，4’-二(2-(4-二苯基氨基苯基)乙烯基)联苯、4，4’_二(N-(芪-4-基)-N-苯基氨基)芪等氨基苯乙烯基衍生物、芳香族乙炔衍生物、四苯基丁二烯衍生物、芪衍生物、醛连氮(aldazine)衍生物、亚甲基吡咯衍生物、二酮吡咯并[3，4_c]吡咯衍生物、2，3，5，6-1Η，4Η-四氢-9-(2’_苯并噻唑基)喹嗪并[9，9a，l_gh]香豆素等香豆素衍生物、咪唑、噻唑、噻二唑、咔唑、噁唑、噁二唑、三唑等唑衍生物及其金属络合物及以N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-二苯基_1，1’_二胺为代表的芳香族胺衍生物等。其中，使用具有电子接受性取代基的缩合芳香环衍生物作为掺杂剂时，本发明的芘化合物所具有的薄膜稳定性效果更显著，故为优选。具体而言，作为特别优选的掺杂剂，可以举出以1_(苯并噁唑-2-基)_3，8-二(4-甲基苯基)芘为代表的具有苯并唑(benzoazole)基的芘化合物、及以(6-对甲苯基芘-1-基)-二(2，4，6_三甲基苯基)硼烷为代表的具有二萊基硼基(dimesitylboryl)的芘化合物。本发明中，所谓电子输送层为从阴极注入电子并且输送电子的层。电子输送层优选电子注入效率高且效率良好地输送被注入的电子。因此电子输送层优选由下述物质构成电子亲和力大、电子迁移大、并且稳定性优异、制造时及使用时不易产生形成阱的杂质。但是，考虑到空穴与电子的输送平衡性时，如果电子输送层主要实现下述功能即不与来自阳极的空穴再次结合且能够有效地阻止向阴极侧流动，则即使由电子输送能力不十分高的材料构成，其提高发光效率的效果也与由电子输送能力高的材料构成时等同。因此，本发明的电子输送层中，作为同义物也包括能够效率良好地阻止空穴移动的空穴阻止层。电子输送层使用的电子输送材料，没有特别限定，可以举出萘、蒽、芘等具有缩合芳环的化合物及其衍生物、以4，4’-二(二苯基乙烯基)联苯为代表的苯乙烯基类芳香环衍生物、茈衍生物、紫环酮衍生物、香豆素衍生物、萘二甲酰亚胺衍生物、蒽醌及联苯醌等醌衍生物、氧化膦衍生物、咔唑衍生物及吲哚衍生物、三(8-羟基喹啉)铝(III)等羟基喹啉络合物、及羟基苯基噁唑络合物等羟基唑(Hydroxyazole)络合物、偶氮甲碱络合物、环庚三烯酚酮金属络合物及黄酮醇金属络合物，由于可以降低驱动电压，所以优选使用具有杂芳基环结构的化合物，所述杂芳基环结构含有选自碳、氢、氮、氧、硅、磷中的元素、并且具有电子接受性氮。所谓本发明中的电子接受性氮，表示与相邻原子之间形成多重键的氮原子。由于氮原子具有高电负性，所以该多重键具有接受电子的性质。因此，具有电子接受性氮的杂芳基环，具有高电子亲和性，电子输送能优异，通过将其用于电子输送层能够降低发光元件的驱动电压。具有电子接受性氮的杂芳基环，可以举出例如吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、喹啉环、喹喔啉环、1，5-二氮杂萘环、嘧啶并嘧啶环、苯并喹啉环、菲绕啉环、咪唑环、噁唑环、噁二唑环、三唑环、噻唑环、噻二唑环、苯并噁唑环、苯并噻唑环、苯并咪唑环、菲并咪唑环等。作为上述具有杂芳基环结构的化合物，作为优选化合物可以举出例如苯并咪唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、三唑衍生物、批嗪衍生物、菲绕啉衍生物、喹喔啉衍生物、喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、联吡啶及三吡啶等寡聚吡啶衍生物、喹喔啉衍生物及1，5_二氮杂萘衍生物等，作为化合物。其中，从电子输送能方面考虑，优选使用三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯等咪唑衍生物、1，3_二[(4-叔丁基苯基)1，3，4-噁二唑基]苯等噁二唑衍生物、N-萘基-2，5-二苯基-1，3，4-三唑等三唑衍生物、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(Bathocuproin)及1，3_二(1，10-菲绕啉-9-基)苯等菲绕啉衍生物、2，2’-二(苯并[h]喹啉-2-基)-9，9’-螺二芴(spirobifluorene)等苯并喹啉衍生物、2，5-二(6，-(2，，2”-联吡啶基))-1，1-二甲基-3，4-二苯基噻咯等联吡啶衍生物、1，3_二(4，_(2，2，:6，2”-三吡啶基))苯等三吡啶衍生物、二(I-萘基)-4-(1，8-(1，5_二氮杂萘)-2_基)苯基氧化膦等1，5-二氮杂萘衍生物。并且，1，3-二(1，10-菲绕啉-9-基)苯、2，7-二(1，10-菲绕啉-9-基)萘、1，3_二(2-苯基-1，10-菲绕啉-9-基)苯等菲绕啉二聚物、及2，5_二(6’_(2’，2”_联吡啶基))-1，1-二甲基-3，4-二苯基噻咯等联吡啶二聚物，与含有通式(1)表示的蒽化合物的发光层组合时，发光效率提高效果显著增大，作为特别优选的例子举出。进而，由于本发明的蒽化合物的薄膜稳定性及电荷输送性优异，所以作为主体材料使用时可以得到优异的特性，且由于其电荷输送性高，所以也优选作为电子输送材料使用。上述电子输送材料可以单独使用，也可以将2种以上上述电子输送材料混合进行使用，或者将一种以上其他电子输送材料与上述电子输送材料混合进行使用。另外，还可以与下述物质混合进行使用碱金属、含有碱金属的无机盐、碱金属与有机物形成的络合物、碱土金属、含有碱土金属的无机盐、碱土金属与有机物形成的络合物等。电子输送层的电离电势没有特别限定，优选为5.5eV以上8.OeV以下，较优选为5.7eV以上7.5eV以下。构成发光元件的上述各层的形成方法为电阻加热蒸镀、电子束蒸镀、溅射、分子层合法、涂布法、喷墨法、印刷法、激光诱导热转印法等，没有特别限定，但考虑到元件特性，通常优选电阻加热蒸镀或者电子束蒸镀。有机层的厚度还受到发光物质的电阻值的影响，所以不作具体限定，可以从1IOOOnm之间选择。发光层、电子输送层及空穴输送层的膜厚分别优选为Inm以上200nm以下，更优选为5nm以上IOOnm以下。本发明的发光元件具有将电能转换为光的功能。此处，作为电能主要使用直流电流，但也可以使用脉冲电流及交流电流。电流值及电压值没有特别限定，但考虑到元件的耗电及寿命，优选选择能够以尽量低的能量得到最大亮度的方式。本发明的发光元件优选用作以例如矩阵及/或者段形(segment)方式进行显示的显不器。矩阵方式中，用于显示的像素以格状及嵌镶状等二维方式进行配置，以像素的集合的方式显示文字及图像。像素的形状及大小根据用途而决定。例如个人电脑、监控器、电视的图像及文字显示中，通常可以使用一边为300μm以下的四边形像素，另外，为显示面板之类大型显示器时，则使用一边为mm量级的像素。单色显示时将相同颜色的像素排列即可，彩色显示时排列红、绿及蓝的像素进行显示。彩色显示时其排列方式存在典型的三角形和条纹形。该矩阵的驱动方法可以为线顺序驱动及有源矩阵(activematrix)中任一种。虽然线顺序驱动中发光元件的结构简单，但考虑到动作特性时，有时优选有源矩阵。驱动方法根据用途而分别使用。所谓段形方式是指，形成图案使预先确定的信息进行显示，通过该图案的配置使确决的区域发光的方式。例如可以举出数字显示电子表及温度计中的时刻及温度表示、音频机器及电磁烹调器等动作状态显示及汽车的面板显示等。矩阵显示及段形显示可以在相同面板中共存。本发明的发光元件，优选用作各种设备等的背光灯。背光灯主要用于提高不能自己发光的显示装置的可见性，可以用于液晶显示装置、表、音频装置、汽车面板、表示板及标记等。本发明的发光元件特别优选用于液晶显示装置用的背光灯、尤其是其中正进行薄型化研究的个人电脑用的背光灯。通过本发明的发光元件，能够提供与现有背光灯相比薄且轻质的背光灯。实施例以下给出实施例说明本发明，但本发明不限定于所述实施例。需要说明的是，下述各实施例中化合物的编号是指上面化学式中记载化合物的编号。另外关于结构分析的评价方法如下所述。1H-NMR使用超导FTNMREX-270(日本电子(株)制)，用氘代氯仿溶液进行测定。HPLC纯度使用高效液相色谱法LC-10((株)岛津制作所制)用0.lg/L氯仿溶液进行测定。作为柱的展开溶剂，使用0.磷酸水溶液与乙腈的混合溶液。合成例1(化合物[1]的合成方法)在氮气流下，于100°C下将9-溴蒽5.0g、苯基硼酸3.6g、磷酸三钾12.4g、PdCl2(dppf)·CH2Cl2480mg和脱气后的二甲基甲酰胺120ml的混合溶液加热搅拌3小时。向溶液中注入IOOml水，过滤析出物。将滤出的固体分别用水50ml、甲醇50ml清洗后，通过硅胶柱色谱法精制，真空干燥，得到3.9g为白色粉末的9-苯基蒽。然后，在氮气流下，于室温下将9-苯基蒽3.9g与N-溴代丁二酰亚胺3.Og与二甲基甲酰胺150ml的混合溶液搅拌5小时。注入IOOml水，过滤所得的沉淀物，用甲醇清洗固体后，得到4.6g9-溴-10-苯基蒽。然后，在氮气流下，于100V下将9-溴-10-苯基蒽2.0g、4_[4_(4，4，5，5_四甲基_[1，3，2]二氧杂硼烷-2-基)苯基]二苯并呋喃2.98、磷酸三钾3.38、PdCl2(dppf)'CH2Cl2HTmg和脱气后的二甲基甲酰胺36ml的混合溶液加热搅拌4小时。冷却至室温后，过滤所得的结晶。依次用二甲基甲酰胺10ml、水30ml、乙醇30ml清洗后，加入200ml甲苯，于140°C下使其溶解。冷却至100°C后，用硅藻土过滤。蒸发滤液，加入50ml甲醇，过滤。真空干燥后，得到2.4g白色结晶。所得粉末的1H-NMR分析结果如下所示，可以确认上述所得的白色结晶为化合物[1]。1H-WR(CDCl3(d=ppm))-J.34-8.22(m,24H)。需要说明的是，该化合物[1]在lX10_3Pa的压力下于约270°C下使用油扩散泵进行升华精制后作为发光元件材料使用。HPLC纯度(测定波长254nm处的面积％)在升华精制前为99.8%，在升华精制后为99.9%。合成例2(化合物[2]的合成方法)除使用4-甲基苯基硼酸代替苯基硼酸之外，按照与合成例1相同的方法合成，得到白色结晶。所得粉末的1H-NMR分析结果如下所示，可以确认上述所得的白色结晶为化合物[2]。1H-WR(CDCl3(d=ppm)):2·56(s，3H)，7.32-8.21(m，23H)。需要说明的是，该化合物[2]在lX10_3Pa的压力下于约260°C下使用油扩散泵进行升华精制后作为发光元件材料使用。HPLC纯度(测定波长254nm处的面积％)在升华精制前为99.7%，在升华精制后为99.8%。合成例3(化合物[17]的合成方法)除使用2-萘硼酸代替苯基硼酸之外，按照与合成例1相同的方法进行合成，得到白色结晶。所得粉末的1H-NMR分析结果如下所示，可以确认上述所得的白色结晶为化合物[17]。1H-WR(CDCl3(d=ppm))-J.31-8.23(m,26H)。需要说明的是，该化合物[17]在lX10_3Pa的压力下于约270°C下使用油扩散泵进行升华精制后作为发光元件材料使用。HPLC纯度(测定波长254nm处的面积％)在升华精制前为99.8%，在升华精制后为99.9%。合成例4(化合物[11]的合成方法)除使用4-联苯硼酸代替苯基硼酸之外，按照与合成例1相同的方法进行合成，得到白色结晶。所得粉末的1H-NMR分析结果如下所示，可以确认上述所得的白色结晶为化合物[11]。1H-WR(CDCl3(d=ppm))-J.36-8.22(m,28H)。需要说明的是，该化合物[11]在IXlO-3Pa的压力下于约300°C下使用油扩散泵进行升华精制后作为发光元件材料使用。HPLC纯度(测定波长254nm处的面积％)在升华精制前为99.4%，在升华精制后为99.9%。合成例5(化合物[13]的合成方法)在氮气流下，于室温下将9-溴蒽3.3g、2_联苯硼酸3.0g、氟化钾2.5g、三叔丁基膦四氟硼酸盐91mg、二(二亚苄基丙酮)钯(0)150mg和脱气后的四氢呋喃30ml的混合溶液搅拌20小时。使用硅藻土过滤溶液。蒸发滤液，通过硅胶柱色谱法精制浓缩物，真空干燥，得到1.7g9-联苯-2-基-蒽。然后，在氮气流下，于室温下将9-联苯-2-基-蒽1.7g和N-溴代丁二酰亚胺993mg和二甲基甲酰胺15ml的混合溶液搅拌5小时。注入20ml水，过滤所得的沉淀物，用甲醇清洗固体后，通过硅胶柱色谱法精制，真空干燥，得到1.8g9-联苯-2-基-10-溴蒽。然后，在氮气流下，于100°C下将9-联苯-2-基-10-溴蒽1.8g、4-[4_(4，4，5,5-四甲基_[1，3，2]二氧杂硼烷-2-基)苯基]二苯并呋喃1.Sg、磷酸三钾2.0g、PdCl2(dppf)'CH2Cl2HSmg和脱气后的二甲基甲酰胺26ml的混合溶液加热搅拌4小时。冷却至室温后，过滤所得的结晶。依次用30ml水、30ml乙醇清洗后，加入甲苯200ml，于室温下使其溶解，使用硅藻土过滤。蒸发滤液，通过硅胶柱色谱法精制，真空干燥，得到2.5g白色结晶。所得粉末的1H-NMR分析结果如下所示，可以确认上述所得的白色结晶为化合物[13]。所得粉末的1H-NMR分析结果如下所示，可以确认上述所得的白色结晶为化合物[13]。1H-WR(CDCl3(d=ppm))6.88-8.18(m,28H)。需要说明的是，该化合物[13]在lX10_3Pa的压力下于约270°C下使用油扩散泵进行升华精制后作为发光元件材料使用。HPLC纯度(测定波长254nm处的面积％)在升华精制前为99.6%，在升华精制后为99.6%。合成例6(化合物[79]的合成方法)在氮气流下，于室温下将三氟甲磺酸-6-溴-2-萘基5.3g、4_二苯并呋喃硼酸3.2g、氟化钾2.6g、三叔丁基膦四氟硼酸盐103mg、二(二亚苄基丙酮)钯(0)170mg和脱气后的四氢呋喃30ml的混合溶液搅拌9小时。向溶液中注入30ml水，用30ml甲苯提取。用30ml水清洗有机层2次，用硫酸镁干燥后使用二氧化硅填料过滤。蒸发滤液，用甲醇彻底清洗所得的固体，真空干燥，得到2.9g三氟甲磺酸-6-二苯并呋喃-4-基-萘-2-基酯。然后，在氮气流下，于90°C下将三氟甲磺酸-6-二苯并呋喃-4-基-萘-2-基酯2.9g、联硼酸频那醇酯2.0g、酢酸钾1.9g、PdCl2(dppf)-CH2Cl2163mg和脱气后的二甲基甲酰胺40ml的混合溶液加热搅拌3小时。向溶液中注入50ml水，用40ml甲苯提取。用30ml水清洗2次有机层，用硫酸镁干燥后用硅藻土过滤。蒸发滤液，通过硅胶柱色谱法精制，真空干燥，得到1.7g4-[6-(4，4，5，5-四甲基_[1，3，2]二氧杂硼烷_2_基)萘_2_基]二苯并呋喃。然后，除使用4-[6-(4，4，5，5_四甲基_[1，3，2]二氧杂硼烷_2_基)萘_2_基]二苯并呋喃代替4-[4-(4，4，5，5_四甲基_[1，3，2]二氧杂硼烷_2_基)苯基]二苯并呋喃之外，按照与合成例1相同的方法进行合成，得到淡黄色结晶。所得粉末的1H-NMR分析结果如下所示，可以确认上述所得的淡黄色结晶为化合物[79]。1H-WR(CDCl3(d=ppm)):7·26-8.24(m，26H)。需要说明的是，该化合物[79]在1X10_3Pa的压力下于约275°C下使用油扩散泵进行升华精制后作为发光元件材料使用。HPLC纯度(测定波长254nm处的面积％)在升华精制前为99.4%，在升华精制后为99.5%。实施例1在30X40mm的玻璃基板(旭硝子(株)制、15Ω/□、电子束蒸镀物)上，在玻璃基板中央部分以150nm的厚度形成30X13mm大小的ITO导电膜作为阳极。将形成有阳极的基板用“SemicoClean(注册商标)56”(FUrUUchi化学(株)制)进行超声波清洗15分钟，之后用超纯水清洗。接着用异丙醇进行超声波清洗15分钟，之后在热甲醇中浸渍15分钟使其干燥。在即将制作元件前，将该基板进行UV-臭氧处理1小时，并且设置于真空蒸镀装置内，进行排气至装置内的真空度为5XICT5Pa以下。通过电阻加热法，首先作为空穴注入材料蒸镀铜酞菁使其厚度为lOnm，作为空穴输送材料蒸镀4，4’_二(N_(l_萘基)_N_苯基氨基)联苯使其厚度为50nm。然后，蒸镀发光材料使其厚度为35nm，其中作为主体材料为化合物[1]，另外作为掺杂剂材料为下式所示的D-1，且使掺杂漆浓度为5%。之后，作为电子输送材料，层合下式所示的E-I使其厚度为20nm。在以上形成的有机层上蒸镀氟化锂使其厚度为0.5nm，之后蒸镀铝使其厚度为IOOOnm作为阴极，制作5X5mm见方的元件。此处所说的膜厚为晶体振荡式膜厚监控器的显示值。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率5.31m/ff的高效率的蓝色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下连续驱动，结果亮度减半时间为7500小时。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>实施例26除使用表1所述的材料作为主体材料之外，与实施例1同样地制作发光元件。各实施例的结果示于表1。比较例1除使用下式所示的H-I作为主体材料之外，与实施例1同样地制作发光元件。在10mA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率2.81m/ff的蓝色光。将该发光元件在10mA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果经700小时亮度减半。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>比较例26除使用表1所述的材料作为主体材料之外，与实施例1同样地制作发光元件。各比较例的结果示于表1。需要说明的是，表1中的H-2、H-3、H-4、H-5、H-6为下式表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>实施例7除使用下式所示的D-2作为掺杂剂材料使掺杂浓度为5%之外，与实施例1同样地制作发光元件。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率4.51m/ff的高效率的蓝绿色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为4000小时。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>实施例820除使用表2所述的材料作为主体材料及掺杂剂材料之外，与实施例1同样地制作发光元件。各实施例的结果示于表2。需要说明的是，表2中的D-3、D-4、D-5、D-6为下式表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>实施例21除使用下式所示的Ε-2作为电子输送材料之外，与实施例1同样地制作发光元件。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率1.61m/ff的高效率的蓝色光。在10mA/cm2下直流驱动该发光元件，结果亮度减半时间为4000小时。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>比较例7除使用E-2作为电子输送材料之外，与比较例5同样地制作发光元件。在IOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率0.61m/ff的蓝色光。将该发光元件在IOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果经2500小时亮度减半。实施例2227除使用表2所示的材料作为电子输送材料之外，与实施例1同样地制作发光元件。各实施例的结果示于表2。需要说明的是，表2中的E-3、E-4、E-5、E-6、E-7为下式表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>实施例28除不使用掺杂剂材料之外，与实施例1同样地制作发光元件。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率1.21m/ff的蓝色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为3700小时。实施例29除使用化合物[17]作为主体材料之外，与实施例28同样地制作发光元件。在10mA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率1.51m/ff的蓝色光。将该发光元件在10mA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为4100小时。比较例8除使用H-6作为主体材料之外，与实施例28同样地制作发光元件。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率0.51m/ff的蓝色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果经900小时亮度减半。实施例30除使用下述所示的D-7作为掺杂剂材料使掺杂浓度为2%之外，与实施例1同样地制作发光元件。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率6.Olm/ff的高效率的绿色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为5800小时。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>实施例31除使用化合物[17]作为主体材料之外，与实施例30同样地制作发光元件。在10mA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率5.71m/ff的高效率的绿色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为6000小时。实施例32除使用下述所示的D-8作为掺杂剂材料使掺杂浓度为5%之外，与实施例1同样地制作发光元件。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率15.Olm/ff的高效率的绿色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为10000小时。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>实施例33除使用下述所示D-9作为掺杂剂材料使掺杂浓度为5%之外，与实施例1同样地制作发光元件。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率14.31m/ff的高效率的绿色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为11000小时。XArrCH3实施例34以厚度为5nm蒸镀发光材料，使主体材料为化合物[1]、掺杂剂材料为D_1且使掺杂浓度为5%，然后，进一步层合厚度为30nm的发光材料使主体材料为化合物[1]、掺杂剂材料为下述所示的D-IO且使掺杂浓度为1%，除此之外与实施例1同样地制作发光元件。在lOmA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率7.01m/W的高效率的白色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为6900小时。实施例35除使用化合物[17]作为主体材料之外，与实施例34同样地制作发光元件。在10mA/cm2下直流驱动该发光元件，结果发出发光效率6.81m/ff的高效率的白色光。将该发光元件在lOmA/cm2直流条件下进行连续驱动，结果亮度减半时间为6500小时。实施例16及比较例16的结果汇总于表1，实施例720的结果汇总于表2，实施例2135及比较例78的结果汇总于表3。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>实施例36在30X40mm的玻璃基板(旭硝子(株)制、15Ω/□、电子束蒸镀物)上，在玻璃基板中央部分以150nm的厚度形成大小为30Χ13mm的ITO导电膜作为阳极。将形成有阳极的基板分别用丙酮、“SemicoClean(注册商标)56”(FUrUUchi化学(株)制)进行15分钟超声波清洗，之后用超纯水清洗。接下来用异丙醇进行15分钟超声波清洗，然后在热甲醇中浸渍15分钟使其干燥。在即将制作元件前，将该基板进行1小时UV-臭氧处理，并且设置于真空蒸镀装置内，进行排气至装置内的真空度为5X10_4Pa以下。通过电阻加热法，首先作为空穴输送材料蒸镀4，4’-二(N-(间甲苯基)-N-苯基氨基)联苯使其厚度为150nm。然后，以厚度为35nm蒸镀发光材料，使主体材料为化合物[1]、掺杂剂材料为D-I且使掺杂浓度为5%。然后，作为电子输送材料，层合E-I使其厚度为20nm。此处，所谓膜厚为晶体振荡式膜厚监控器的显示值。然后，将在厚50μm的Kovar合金板上通过湿蚀刻设置有16根250μπι开口部(残留宽度50μπκ相当于300μπι间距)的掩膜，在真空中进行掩膜交换，使其垂直于ITO条纹，从背面用磁铁固定使掩膜与ITO基板密合。接着，在0.5nm有机层中掺杂锂后，蒸镀铝使其厚度为200nm制作32X16点阵元件。将本元件进行矩阵驱动，结果可以显示文字且没有交调失真(crosstalk)。产业上的可利用性本发明可以提供一种可用于发光元件等、薄膜稳定性优异的发光元件材料。根据本发明，可以得到具有高发光效率和优异的耐久性的发光元件。本发明的发光元件能够用于显示元件、平板显示器、背光灯、照明、内部装饰、标记、广告牌、电子照相机及光信号发生器等领域。权利要求一种发光元件材料，其特征在于，所述发光元件材料含有通式(1)表示的蒽化合物，R1～R16相同或不同，分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团，其中R9～R16中的任一个用于与A连接；R17～R20相同或不同，分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、及甲硅烷基中的基团；R21表示选自氢原子、直链烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团；A表示亚芳基；n为1或者2；X为氧原子或者硫原子。FPA00001113364100011.tif2.如权利要求1所述的发光元件材料，其特征在于，A为亚苯基或者亚萘基。3.如权利要求1或者2所述的发光元件材料，其特征在于，X为氧原子。4.如权利要求13中任一项所述的发光元件材料，其特征在于，A在R9的位置上进行连接。5.一种发光元件，所述发光元件在阳极和阴极之间至少存在发光层，通过电能发光，其特征在于，所述发光元件含有权利要求14中任一项所述的发光元件材料。6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，发光层含有主体材料和掺杂剂材料，通式(1)表示的发光元件材料为主体材料。7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，在发光层和阴极之间至少存在电子输送层，电子输送层含有具有杂芳基环结构的化合物，所述杂芳基环结构含有电子接受性氮、并且含有选自碳、氢、氮、氧、硅、磷中的元素。全文摘要本发明提供一种发光元件材料及使用其的发光元件，所述发光元件材料通过含有通式(1)表示的蒽化合物可以得到高效率且耐久性优异的发光元件。(R1～R16相同或不同，分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团。其中，R9～R16中的任一个用于与A连接。R17～R20相同或不同，分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、及甲硅烷基中的基团。R21表示选自氢原子、直链烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团。A表示亚芳基。n为1或者2。X为氧原子或者硫原子。)文档编号C07D333/76GK101835874SQ200880113149公开日2010年9月15日申请日期2008年11月21日优先权日2007年11月30日发明者富永刚,长尾和真申请人:东丽株式会社