专利名称：有机场致发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及含有吲哚并咔唑化合物的有机场致发光元件，详细而言，涉及对包含有机化合物发光层施加电场而发出光的薄膜型器件。
背景技术：
一般而言，有机场致发光元件(以下，称为有机EL元件)，作为其最简单的结构，由夹持发光层的一对对置电极构成。即，在有机EL元件中，利用以下现象当在两电极间施加电场时，电子从阴极被注入，空穴从阳极被注入，它们在发光层中复合，发出光。近年来，进行了使用有机薄膜的有机EL元件的开发。特别是，为了提高发光效率， 以从电极的载流子注入的效率提高为目的，进行电极的种类的最优化，通过在电极间以薄膜的形式设置包含芳香族二胺的空穴传输层和包含8-羟基喹啉铝配合物(Alq3)的发光层的元件的开发，进行了与以往的使用了蒽等的单晶的元件相比的大幅的发光效率的改善， 因此以面向具有自发光·高速应答性这样的特征的高性能平板的实用化为目标不断发展。现有技术文献专利文献专利文献I :特开平07-157473号公报专利文献2 :特开平11-162650号公报专利文献3 :特开平11-176578号公报非专利文献非专利文献I APPLIED PHYSICS LETTERS 2003,83,3818非专利文献2 :APPLIED PHYSICS LETTERS 2008,93,143307但是，有机EL元件，空穴以及电子均衡良好地从两电极向发光层注入、被注入的空穴和电子在发光层中有效地进行复合，由此得到良好的发光效率。换言之，由于两电荷向发光层中的注入平衡、在发光层内的两电荷的传输平衡被破坏，产生电荷向传输层的泄漏、 在发光层内的复合概率降低。进而在两电荷的平衡被破坏的状态下，发光层内的复合区域被限定于传输层界面附近的狭小区域。在这样的情况下，产生激子从发光层向传输层的泄漏，与发光效率的降低有关。特别是电子以及激子向空穴传输层的泄漏，在招致发光效率的降低的同时、招致起因于空穴传输材料的劣化而导致的元件寿命降低，因此成为极其重要的问题。为了解决上述的问题，在专利文献I中公开了使用N，N’_ 二苯基-N，N’_双(3-甲基苯基-联苯-4，4’ -二胺(TPD)作为电子阻挡层的例子。
权利要求
1.一种有机场致发光兀件,其为在阳极与阴极之间夹持至少含有空穴传输层和发光层的有机层而成的有机场致发光元件，其特征在于，在发光层中含有荧光发光材料，在空穴传输层与发光层之间具有与发光层邻接而含有由通式(I)所示的吲哚并咔唑化合物的电子及/或激子阻挡层，
2.根据权利要求I所述的有机场致发光兀件，其特征在于，发光层含有突光发光材料和电子传输性主体材料。
3.根据权利要求I所述的有机场致发光元件，其中，由通式(I)所示的吲哚并咔唑化合物为由下述通式(2)所示的吲哚并咔唑化合物，
4.根据权利要求3所述的有机场致发光元件，其特征在于，由通式(2)所示的吲哚并咔唑化合物选自由通式(3) (6)所示的吲哚并咔唑化合物，
5.根据权利要求I所述的有机场致发光元件，其特征在于，在电子及/或激子阻挡层中含有的吲哚并咔唑化合物的LUMO能量比在发光层中含有的荧光发光材料的LUMO能量还大。
6.根据权利要求I所述的有机场致发光元件，其特征在于，吲哚并咔唑化合物的LUMO 能量为-I. 2eV以上。
7.根据权利要求I所述的有机场致发光元件，其特征在于，在空穴传输层中含有的空穴传输性材料的HOMO能量比在电子及/或激子阻挡层中含有的吲哚并咔唑化合物的HOMO能量还大。
8.根据权利要求I所述的有机场致发光元件，其特征在于，与阳极或空穴注入层邻接而具有空穴传输层，在该空穴传输层中含有的空穴传输材料的HOMO能量为-4. 8eV以上。
9.根据权利要求1-8的任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，有机层还具有电子传输层，在该电子传输层中使用的材料中的至少一种材料的电子移动度为I X IO^7Cm2/ V · s以上。
全文摘要
本发明提供一种有机场致发光元件(有机EL元件)，所述有机场致发光元件改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性且具有简单的构成。该有机EL元件在阳极和阴极之间夹持含有空穴传输层和发光层的有机层而成，在发光层中含有荧光发光材料，在空穴传输层和发光层之间具有与发光层邻接且含有如通式(2)所示那样的吲哚并咔唑衍生物的电子及/或激子阻挡层。通式(2)中，环B为式(1c)所示的与邻接环缩合的杂环，Z表示n价的芳香族烃基或芳香族杂环基，n为1或2。
文档编号C07D487/04GK102598344SQ20108004789
公开日2012年7月18日 申请日期2010年10月19日 优先权日2009年10月23日
发明者中岛裕介, 古森正树, 吉村和明, 山本敏浩, 甲斐孝弘, 结城敏尚, 辻大志, 高桥泰裕 申请人:新日铁化学株式会社, 日本东北先锋公司, 日本先锋公司