含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明提供了含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件，所述含咔唑的有机半导体材料为如下结构式所示的化合物P，其中，R为氢原子或C1~C4的烷基，化合物P通过Suzuki耦合反应制备得到。所述含咔唑的有机半导体材料含有1,2-二苯基-1H-菲并[9,10-d]咪唑和咔唑基团，具有良好的空穴传输性能以及较高的热稳定性，利于延长发光器件的使用寿命。
【专利说明】含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电材料领域，特别是涉及一种含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002]随着信息时代的发展，高效、节能、轻质的有机电致发光平板显示器(OLEDs)及大面积白光照明越来越受到人们的关注。OLED技术被全球的科学家关注，相关的企业和实验室都在进行这项技术的研发。作为一种新型的LED技术，具有主动发光且轻、薄、对比度好、能耗低、可制成柔性器件等特点的有机电致发光器件对有机半导体材料提出了较高的要求。
[0003]1987年,美国Eastman Kodak公司的Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展，而要实现全色显示及照明等应用目的，发光器件必须具有一定的效率和寿命。目前热稳定的蓝光材料较缺乏，这影响到白光器件的寿命及其发展。
【发明内容】
[0004]为解决上述高效稳定的有机电致发光蓝光材料较缺乏的问题，本发明旨在提供一种含有1，2-二苯基-1H-菲并[9，?ο-d]咪唑和咔唑基团的有机半导体材料，该有机半导体材料具有良好的空穴传输性能以及较高的热稳定性，利于延长发光器件的使用寿命。
[0005]本发明还提供该有机半导体材料的制备方法及含有该有机半导体材料的有机电致发光器件。
[0006]一方面，本发明提供`一种含咔唑的有机半导体材料，所述含咔唑的有机半导体材料为如下结构式所示的化合物P:
[0007]
【权利要求】
1.一种含咔唑的有机半导体材料，其特征在于，为如下结构式所示的化合物P:
2.一种含咔唑的有机半导体材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤:分别提供如下结构式表示的化合物A和化合物B:
3.如权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述化合物A与化合物B的摩尔比为1:广1:1.5。
4.如权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂为铜、碘化亚铜、二(二亚苄基丙酮)钯/三叔丁基膦或醋酸钯/三特丁基磷四氟硼酸盐，所述二( 二亚苄基丙酮)钯/三叔丁基膦为二(二亚苄基丙酮)钯和三叔丁基膦按摩尔比1:3混合后得到，所述醋酸钯/三特丁基磷四氟硼酸盐为醋酸钯和三特丁基磷四氟硼酸盐按摩尔比1:3混合后得到。
5.如权利要求4所述的含咔唑的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，当催化剂为铜时，需要加入1，4，7，10, 13，16-六氧杂环十八烷作为相转移催化剂，所述1,4,7，10，13，16-六氧杂环十八烷与铜的摩尔比为1:6。
6.如权利要求4所述的含咔唑的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，当催化剂为碘化亚铜时，需要加入邻菲啰啉进行搭配催化，所述邻菲啰啉与碘化亚铜的摩尔比为3:1。
7.如权利要求4所述的含咔唑的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂与化合物B的摩尔比为0.01: f 2:1。
8.如权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述Suzuki耦合反应的反应温度为11(T185°C，反应时间为20~48小时。
9.如权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液为氢氧化钾、碳酸钾、叔丁醇钠或叔丁醇钾；所述碱性溶液的摩尔用量为化合物B摩尔用量的I~3倍。
10.一种有机电致发光器件，依次包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在于，所述发光层的材质为权利要求1所述的如下结构式所示的含咔唑的有机半导体材料，即化合物P:
【文档编号】C07D403/10GK103772361SQ201210409166
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2012年10月24日 优先权日:2012年10月24日
【发明者】周明杰, 王平, 梁禄生, 张娟娟 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司